JP6149728B2 - 半導体素子用基板の反り矯正装置及び反り矯正方法 - Google Patents
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Description
上述した実施形態では、移動機構30により吸着テーブル20を移動させることにより、固定されたノズル11に対し半導体素子用基板Wを相対移動させたが、ノズル11が別の移動機構を備えノズル11を走査させる、または、ノズル11と吸着テーブル20とをともに移動させることにより、ノズル11に対し半導体素子用基板Wを相対移動させてもよい。
実施形態に係る反り矯正装置1によって半導体素子用基板の反りを矯正した結果を実施例として説明する。本実施例では、φ4インチで厚さが0.65μmのサファイア基板上に、3〜5μm程度のGaN系化合物半導体を成膜した半導体素子用基板Wを3枚用意し、実施形態に記載の反り矯正装置を用いて、表1の条件にて該半導体素子用基板Wの反りを矯正した。
実施形態に係る半導体素子用基板の反り矯正装置1及び反り矯正方法によれば、噴射機構10など装置構成要素が、装置コストが低い手段から構成されているとともに、あらかじめ設定された目標反り量と測定機構51により測定された半導体素子用基板Wの反りデータとに基づき適切な噴射処理条件を設定して半導体素子用基板Wの反りを矯正する反り矯正処理を行うことができるので、効率良く量産に適した方法で半導体素子用基板Wの反りを矯正することができる。また、反り矯正処理が行われた半導体素子用基板Wの反りを測定機構51により測定し目標反り量以下か否かを判断することができるので、歩留まりを向上させることができるとともに、反り矯正処理を効率的に行うことができる。
Claims (14)
- 半導体膜が成膜された半導体素子用基板の反りを矯正する、又は、前記半導体膜の成膜後に生じることが予測される反りとは逆向きの反りを前記半導体膜の成膜前に前記半導体素子用基板に対して付与する反り矯正装置であって、
前記半導体素子用基板における主面の反対側または成膜面の反対側である裏面へ、粒状の噴射材と圧縮空気とを混合して形成された固気二相流を噴射する噴射処理を行うノズルを有する噴射機構と、
前記半導体素子用基板の主面または成膜面を吸着して前記半導体素子用基板を保持する吸着テーブルと、
前記ノズルによる噴射材の噴射領域に対して前記半導体素子用基板が相対移動するように前記吸着テーブルを移動させる移動機構と、
前記吸着テーブルに保持された前記半導体素子用基板を収容し、内部で噴射処理が行われる噴射処理室と、
前記半導体素子用基板の反り量を測定する測定機構と、
あらかじめ設定された目標反り量と前記測定機構により測定された前記半導体素子用基板の反り量との差に基づいて、前記噴射機構の噴射処理条件の設定処理、及び、噴射処理が行われた前記半導体素子用基板の合否判定の少なくとも一方を行う制御装置と、
を備える半導体素子用基板の反り矯正装置。 - 前記吸着テーブルは、
前記半導体素子用基板が載置される領域に設けられ、前記半導体素子用基板を吸着して固定する吸着部と、
前記領域内であって前記吸着部よりも前記領域の外縁側に設けられ、前記半導体素子用基板の外縁と吸着テーブルとの間に形成される隙間から前記領域外に向けて圧縮空気を噴射するパージ部と、
を備える請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。 - 前記吸着テーブルは、少なくとも前記半導体素子用基板の外縁であって半導体素子が形成されない領域に対応する位置に設けられ、前記半導体素子用基板を吸着して固定する吸着部を備える請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 前記噴射機構及び前記吸着テーブルの少なくとも一方が、前記半導体素子用基板の前記裏面全面に噴射材が噴射されるように、前記ノズルによる噴射材の噴射領域に対して前記半導体素子用基板を相対的に走査する請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 前記噴射処理室の一方の側面には、噴射材を吸引して除去する吸引部が設けられ、
前記噴射処理室の他方の側面には、前記半導体素子用基板を保持した前記吸着テーブルを通過させる開口部が形成されており、
前記開口部は、前記半導体素子用基板を保持した前記吸着テーブルを挿入した際に、該吸着テーブルまたは該半導体素子用基板との間で外気を吸引するための空隙を形成する大きさに開口されている請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。 - 前記噴射処理室の内部は、前記半導体素子用基板の移動を妨げないスリットが形成された壁部で区切られている請求項5に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 前記吸着テーブルは、前記移動機構によって水平面内を移動可能に構成され、
前記壁部は、鉛直方向の両端部が前記噴射処理室の上面及び底部に連結され、かつ、前記ノズルの噴射領域を囲んで配置され、
前記スリットは、前記吸着テーブルの移動可能な水平面内と重なる位置に形成された請求項6に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。 - 前記噴射処理室の開口部側の側面に設けられ、半導体素子用基板に付着した噴射材を除去するためのクリーニング機構を備える請求項5に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 前記制御装置は、前記合否判定において、噴射処理が行われた半導体素子用基板の反りが前記目標反り量より大きいと判断した場合に、再度噴射処理を行うように前記噴射機構を動作させる請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 前記制御装置は、目標反り量より大きな仮の目標反り量に基づいて噴射処理条件を設定し噴射処理を行う粗矯正処理と、粗矯正処理後に目標反り量に基づいて噴射処理条件を設定し噴射処理を行う仕上げ矯正処理と、を行うように前記噴射機構を動作させる請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置。
- 半導体素子用基板の反り量を測定する測定機構と、あらかじめ設定された目標反り量と前記測定機構により測定された半導体素子用基板の反り量との差に基づいて、噴射機構の噴射処理条件の設定処理、及び、噴射処理が行われた前記半導体素子用基板の合否判定の少なくとも一方を行う制御装置と、半導体素子用基板における主面の反対側または成膜面の反対側である裏面へ、粒状の噴射材と圧縮空気とを混合して形成された固気二相流を噴射する噴射処理を行うノズルを有する噴射機構と、を備える半導体素子用基板の反り矯正装置を用いて、半導体膜が成膜された前記半導体素子用基板の反りを矯正する、又は、前記半導体膜の成膜後に生じることが予測される反りとは逆向きの反りを前記半導体膜の成膜前に前記半導体素子用基板に対して付与する反り矯正方法であって、
半導体素子用基板の反り量を前記測定機構で測定する工程と、
前記測定機構で測定された反り量とあらかじめ設定された目標反り量との差に基づいて、前記噴射機構の噴射処理条件を設定する工程と、
前記噴射処理条件で、半導体素子用基板の主面の反対側または成膜面の反対側である裏面へ、粒状の噴射材と圧縮空気とを混合して形成された固気二相流を噴射して反り矯正処理を行う工程と、
反り矯正処理が行われた半導体素子用基板の反り量が、あらかじめ設定された目標反り量以下か否かを判定する工程と、
を備える半導体素子用基板の反り矯正方法。 - 請求項1に記載の半導体素子用基板の反り矯正装置を用いた半導体素子用基板の反りの矯正方法であって、
半導体素子用基板の反り量を前記測定機構で測定する工程と、
反り量が測定された半導体素子用基板を前記吸着テーブル上に搬送し、該半導体素子用基板を該吸着テーブルに保持する工程と、
前記測定機構で測定された反り量とあらかじめ設定された目標反り量との差に基づいて、前記噴射機構の噴射処理条件を設定する工程と、
前記噴射処理条件で、半導体素子用基板の主面の反対側または成膜面の反対側である裏面へ、粒状の噴射材と圧縮空気とを混合して形成された固気二相流を噴射して反り矯正処理を行う工程と、
反り矯正処理が行われた半導体素子用基板を前記測定機構に搬送し、該半導体素子用基板の反り量を測定する工程と、
反り矯正処理が行われた半導体素子用基板の反り量が、あらかじめ設定された目標反り量以下か否かを判定する工程と、
を備える半導体素子用基板の反り矯正方法。 - 前記半導体素子用基板の反り量は、1の直線に対して3〜6点の基準位置からの高さを測定して演算することにより算出される請求項11または請求項12に記載の半導体素子用基板の反り矯正方法。
- 前記反り矯正処理を行う工程は、前記半導体素子用基板上に形成された薄膜層に回路パターンを形成するためのレジスト膜を形成する工程の前に行う請求項11または請求項12に記載の半導体素子用基板の反り矯正方法。
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