TWI520248B - A bending correcting device for a semiconductor element substrate and a bending correction method - Google Patents

A bending correcting device for a semiconductor element substrate and a bending correction method Download PDF

Info

Publication number
TWI520248B
TWI520248B TW101125713A TW101125713A TWI520248B TW I520248 B TWI520248 B TW I520248B TW 101125713 A TW101125713 A TW 101125713A TW 101125713 A TW101125713 A TW 101125713A TW I520248 B TWI520248 B TW I520248B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
semiconductor element
bending
ejection
amount
Prior art date
Application number
TW101125713A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201340228A (zh
Inventor
Kouichi Inoue
Kazuyoshi Maeda
Norihito Shibuya
Original Assignee
Sintokogio Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sintokogio Ltd filed Critical Sintokogio Ltd
Publication of TW201340228A publication Critical patent/TW201340228A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI520248B publication Critical patent/TWI520248B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

半導體元件用基板之彎曲矯正裝置及彎曲矯正方法
本發明係關於一種用於矯正藍寶石基板等半導體元件用基板產生之彎曲之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置及彎曲矯正方法。
發光二極體等半導體元件係藉由在藍寶石等半導體元件用基板之主面(研磨面)使用磊晶晶體生長而形成半導體膜、例如GaN系化合物半導體膜，且形成電極等而進行製造。半導體膜係一面加熱半導體元件用基板一面成膜，其後冷卻至常溫。因此，因冷卻時半導體元件用基板與半導體膜之熱膨脹差，而產生向半導體膜側凸出之彎曲。
為矯正該彎曲，例如，專利文獻1中揭示有使用以4.9×104~4.9×106 Pa之壓力擠壓之大型壓製裝置而矯正彎曲之技術。又，專利文獻2中揭示有藉由對藍寶石基板之內部聚光及掃描脈衝雷射，而改質內部矯正彎曲之技術。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2003-128499號公報
專利文獻2：日本專利特開2010-165817號公報
專利文獻1記載之技術中，進行磊晶生長之MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，金屬 有機化學氣相沈積)裝置中必需設置壓製機構，裝置成本增大且不適合量產。又，於以量產為目的之增大半導體元件用基板尺寸之要求中，亦有押壓時之半導體元件用基板破裂等之發生頻率提高而良率下降之虞。
專利文獻2記載之技術中，為將雷射照射至藍寶石基板之內部而要求較高之表面粗糙度，故研磨步驟之負荷增大。又，為對特定位置照射雷射而要求較高之位置精度，故裝置成本增加。又，於成膜後照射雷射進行半導體元件用基板之改質之情形時，彎曲量根據成膜之膜之材質、膜厚等而變化或即使為相同之成膜條件彎曲量仍產生不均，故即使雷射之照射條件固定彎曲之矯正量仍不穩定，而有良率未提高之虞。
本技術領域中，期待一種可藉由效率良好且適合量產之方法矯正半導體基板之彎曲之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置及彎曲矯正方法。
本發明之一態樣之裝置係一種矯正半導體元件用基板之彎曲之彎曲矯正裝置，其包括：噴射機構，其包含噴嘴，該噴嘴進行對上述半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料之噴射處理；吸附台，其係吸附上述半導體元件用基板之主面或成膜面而保持上述半導體元件用基板；移動機構，其係以使上述半導體元件用基板相對於上述噴嘴之噴射材料之噴射區域而相對移動之方式使上述吸附台移動；噴射處理室，其係收納被保 持於上述吸附台之上述半導體元件用基板，且於內部進行噴射處理；測定機構，其測定上述半導體元件用基板之彎曲量；及控制裝置，其係根據預先設定之目標彎曲量與由上述測定機構測定出之上述半導體元件用基板之彎曲量之差，進行上述噴射機構之噴射處理條件之設定處理，及已進行噴射處理之上述半導體元件用基板之合格與否判定之至少一者。
本發明之一態樣之裝置包含噴射機構等裝置成本低之構件，且進行如下之噴射處理：根據預先設定之目標彎曲量及由測定機構測定出之半導體元件用基板之彎曲量設定適當之噴射處理條件而矯正半導體元件用基板之彎曲。因此，根據該裝置，可由效率良好且適合量產之方法矯正半導體用基板之彎曲。又，該裝置可進行如下之合格與否判定，即，藉由測定機構測定進行有噴射處理之半導體元件用基板之彎曲量且判斷是否為目標彎曲量以下(目標彎曲量之容許範圍內)，故可提高良率，且可有效進行彎曲矯正處理。
一實施形態中，上述吸附台可包括：吸附部，其設於載置有上述半導體元件用基板之區域，且吸附並固定上述半導體元件用基板；及淨化部，其設於上述區域內且較上述吸附部更靠上述區域之外緣側，自上述半導體元件用基板之外緣與吸附台間形成之間隙向上述區域外噴射壓縮空氣。
半導體元件用基板係以吸附且固定於吸附台之狀態彎 曲。因此，於半導體元件用基板之外周端部半導體元件用基板與吸附台之間形成有間隙，而有噴射材料進入而損傷半導體元件用基板之主面形成有半導體膜之成膜面或主面之虞。根據一實施形態之發明，藉由淨化部將壓縮空氣自半導體元件用基板與吸附台之間隙向載置有半導體元件用基板之區域之外側噴射，故可防止噴射材料侵入至間隙。因此，可防止半導體元件用基板因噴射材料而損傷。
一實施形態中，上述吸附台可包括吸附部，該吸附部設於至少上述半導體元件用基板之外緣且與未形成半導體元件之區域對應之位置，且吸附固定上述半導體元件用基板。
藉由如此構成，可於半導體元件用基板之外緣(外周附近)之區域且未形成半導體元件之區域吸附、保持半導體元件用基板，故可防止因噴射材料之侵入而損傷半導體元件。
一實施形態中，上述噴射機構及上述吸附台之至少一者可以於上述半導體元件用基板之上述整個背面噴射噴射材料之方式，相對於上述噴嘴之噴射材料之噴射區域而相對掃描上述半導體元件用基板。
藉由如此構成，於噴射處理中藉由對整個背面噴射噴射材料而可使噴射材料之衝擊能量作用於半導體元件用基板整體，故可有效矯正彎曲。
一實施形態中，於上述噴射處理室之一側面設有吸引且去除噴射材料之吸引部，於上述噴射處理室之另一側面形 成有使保持有上述半導體元件用基板之上述吸附台通過之開口部，上述開口部於插入保持有上述半導體元件用基板之上述吸附台時，可開口至形成用以在與該吸附台或該半導體元件用基板之間吸引外氣之空隙之大小。
藉由如此構成，由自吸引部吸引之外氣產生自開口部向吸引部之氣流。因此，由噴射機構噴射之噴射材料不會繞回至半導體元件用基板之主面或成膜面而朝向吸引部。藉此，可避免因噴射材料損傷該主面或因噴射材料損傷該成膜面，或者噴射材料附著。又，可避免噴射材料自該開口部漏出至噴射處理室之外部。
一實施形態中，上述噴射處理室之內部係可由不妨礙上述半導體元件用基板之移動且形成有狹縫之壁部而分隔。一實施形態中，上述吸附台構成為藉由上述移動機構可於水平面內移動，上述壁部其垂直方向之兩端部連接於上述噴射處理室之上表面及底部，且包圍上述噴嘴之噴射區域而配置，上述狹縫可形成於與上述吸附台可移動之水平面內重疊之位置。
藉由如此構成，可由壁部防止噴射材料擴散至整個噴射處理室。又，藉由上述狹縫，可避免干擾用於處理半導體元件用基板之動作。
一實施形態中，該裝置亦可包含淨化機構，該淨化機構設於上述噴射處理室之開口部側之側面，用於去除附著於半導體元件用基板之噴射材料。藉由如此構成，於將半導體元件用基板自該噴射處理室取出時，可藉由淨化機構去 除附著於該半導體元件用基板表面之噴射材料。因此，可避免噴射材料漏出至噴射材料處理室外。
一實施形態中，上述控制裝置當上述合格與否判定中判斷為已進行噴射處理之半導體元件用基板之彎曲比上述目標量大之情形時，使上述噴射機構動作，以再次進行噴射處理。
藉由如此構成，於彎曲矯正處理後測定半導體元件用基板之彎曲量，當判斷為比目標彎曲量大之情形時，再次進行彎曲矯正處理，故可提高良率，且可有效進行彎曲矯正處理。
一實施形態中，上述控制裝置可使上述噴射機構動作以進行如下處理：粗矯正處理，其係根據大於目標彎曲量之暫時目標彎曲量設定噴射處理條件而進行噴射處理；及最終矯正處理，其係於粗矯正處理後根據目標彎曲量設定噴射處理條件而進行噴射處理。藉由如此構成，可於粗矯正處理中提高處理效率，並藉由最終矯正處理確保矯正精度。
本發明之另一態樣之方法係一種半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其使用包括如下構件之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置：測定機構，其係測定半導體元件用基板之彎曲量；控制裝置，其係運算預先設定之目標彎曲量與由上述測定機構測定出之半導體元件用基板之彎曲量資料之差，進行噴射條件之設定、及已進行彎曲矯正處理之該半導體元件用基板之合格與否判定之至少一者，該噴射條件 之設定係用於進行藉由對上述背面噴射噴射材料而矯正該半導體元件用基板之彎曲之彎曲矯正處理；及噴射機構，其包含噴嘴，該噴嘴係用於進行將噴射材料噴射至半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面之噴射處理。該方法包括如下步驟：由上述測定機構測定半導體元件用基板之彎曲量；運算由上述測定機構測定出之彎曲量資料與預先設定之目標彎曲量之差，設定噴射處理條件；以上述噴射處理條件自半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料而進行彎曲矯正處理；及判定已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板之彎曲量是否為預先設定之目標彎曲量以下。
又，本發明之又一態樣之方法係一種使用上述半導體元件用基板之彎曲矯正裝置之半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其包括如下步驟：由上述測定機構測定半導體元件用基板之彎曲量；將已測定彎曲量之半導體元件用基板搬送至上述吸附台上，並將該半導體元件用基板保持於該吸附台；根據由上述測定機構測定出之彎曲量與預先設定之目標彎曲量之差，設定上述噴射機構之噴射處理條件；以上述噴射處理條件自半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料而進行彎曲矯正處理；將已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板搬送至上述測定機構，測定該半導體元件用基板之彎曲量；及判定已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板之彎曲量是否為預先設定之目標彎曲量以下。
根據上述方法，無需複雜之處理步驟便可矯正半導體元件用基板之彎曲。藉此，可降低彎曲矯正裝置之製造成本。又，可減小彎曲矯正裝置之尺寸。
一實施形態中，上述半導體元件用基板之彎曲量可藉由相對於1條直線測定且運算3~6點之距離基準位置之高度而算出。藉由如此構成，由少量測定點數便可計測半導體元件用基板之彎曲量，故可縮短處理時間。
一實施形態中，進行上述彎曲矯正處理之步驟可於形成抗蝕劑膜之步驟之前進行，該抗蝕劑膜係用於在形成於上述半導體元件用基板上之薄膜層上形成電路圖案。藉由如此構成，於經彎曲矯正之半導體元件用基板形成抗蝕劑膜，故可更準確地形成電路圖案。
根據本發明之各種態樣及實施形態，提供一種可由效率良好且適合量產之方法矯正半導體基板之彎曲之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置及彎曲矯正方法。
對於實施形態之彎曲矯正裝置參照圖加以說明。彎曲矯正裝置例如係對半導體元件用基板噴射噴射材料而矯正彎曲之裝置。
由彎曲矯正裝置矯正彎曲之半導體元件用基板例如為包含藍寶石、SiC、GaAS、GaP、GaAlAs等之基板，且係主面成膜半導體膜、例如GaN系化合物半導體膜，用於形成發光二極體(LED，Light Emitting Diode)元件或雷射二極 體(LD，Laser Diode)元件等半導體元件之基板。
圖1中表示藉由噴射處理而矯正半導體元件用基板之彎曲之方法之概念圖。成膜有GaN系化合物等半導體膜G之藍寶石晶圓等半導體元件用基板W，其主面上成膜有半導體膜G之成膜面側產生如凸出般之彎曲。藉由噴嘴N對產生有彎曲之半導體元件用基板W之背面側噴射噴射材料F使其碰撞，由此不會對半導體元件用基板W之成膜面或主面造成損傷而可矯正彎曲。
如圖2所示，實施形態之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置1例如包括噴射機構10、搬送機構52、吸附台20、移動機構30、測定機構51、噴射處理室40、吸引部40b及控制裝置54。噴射機構10包括用於進行將噴射材料向半導體元件用基板W噴射之噴射處理之噴嘴11。搬送機構52搬送半導體元件用基板W。搬送機構52例如於測定機構51與噴射處理室40之間搬送半導體元件用基板W。吸附台20吸附半導體元件用基板W之成膜面或主面而保持半導體元件用基板W。移動機構30係以使半導體元件用基板W相對於噴嘴11之噴射材料之噴射區域而相對移動之方式使吸附台20移動。測定機構51測定半導體元件用基板W之彎曲量。噴射處理室40收納被保持於吸附台20之半導體元件用基板W。於噴射處理室40之內部進行噴射處理。吸引部40b係於噴射處理室40中自吸附台20之側面方向吸引去除噴射材料。控制裝置54控制上述各裝置等之動作。作為控制裝置54，例如可使用個人電腦等各種運算裝置，可程式邏輯控 制器(PLC，Programmable Logic Controller)及數位訊號處理器(DSP，Digital Signal Processing)等運動控制器，高功能移動終端及高功能行動電話等。半導體元件用基板W係區分彎曲矯正處理前、處理後而收納於箱體53。
噴射機構10包括噴嘴11及儲存噴射材料之儲槽(未圖示)。又，噴射機構10例如包括噴射材料漏斗12、壓縮空氣供給裝置(未圖示)、回收裝置13、分級裝置14及集塵器15。噴射材料漏斗12對噴嘴11定量供給特定量之噴射材料。壓縮空氣供給裝置對噴嘴11供給壓縮空氣。回收裝置13係與吸引部40b連接而回收噴射處理後之噴射材料。分級裝置14係將由回收裝置13回收之噴射材料分級為可使用之噴射材料與不可使用之噴射材料。集塵器15係自分級裝置14排氣去除粉塵。
如圖2及圖3所示，噴嘴11包括氣體噴射部11a、供給埠11b、混合室11c及噴射材料噴射部11d。氣體噴射部11a與壓縮空氣供給裝置連接。供給埠11b與噴射材料漏斗12連接而供給噴射材料。混合室11c分別與氣體噴射部11a及供給埠11b連通，將自氣體噴射部11a供給之壓縮空氣與自供給埠11b供給之噴射材料混合，形成固氣兩相流。噴射材料噴射部11d係將自混合室11c導入之固氣兩相流噴射至被加工物。噴嘴11係可向垂直下方噴射地配置於噴射處理室40之上表面，從而可對吸附固定於吸附台20之半導體元件基板W進行噴射處理。本實施形態中，採用噴射口11e形成為長方形之噴嘴11。藉此，可增大藉由1次掃描而噴射 噴射材料之區域，故可提高噴射處理效率。
藉由噴射裝置10進行之噴射材料之噴射處理係以如下要領進行。對噴嘴11之氣體噴射部11a供給壓縮空氣後，自前端向噴射材料噴射部11d噴射壓縮空氣。由噴射材料漏斗12控制噴射材料之供給量，藉由壓縮空氣自氣體噴射部11a通過混合室11c時產生之負壓，而將噴射材料自供給埠11b供給至混合室11c。搬送至混合室11c之噴射材料係與自氣體噴射部11a噴射之壓縮空氣混合並加速，通過噴射材料噴射部11d，自噴射口11e對半導體元件用基板W進行噴射。
如圖4及圖6所示，吸附台20形成為水平面為長方形之薄長方體狀。吸附台20之一端部安裝於移動機構30，其相反側之另一端部之上表面(載置有半導體元件用基板之區域)設有吸附半導體元件用基板W之吸附部21。吸附部分21例如由聚醚醚酮(PEEK，Polyether Ether Ketone)材料所形成，以使不會於半導體元件用基板W之吸附面產生吸附痕。除PEEK材料以外，可考慮腈橡膠、矽橡膠、氟橡膠等，但只要為不產生吸附痕者，則並無特別限定。與吸附部21鄰接設置有負壓部22。負壓部22例如具有排列成同心圓狀之開口。此處，負壓部22係以開口位置為雙重同心圓之方式形成。負壓部22與吸引管24連通，產生負壓，吸引半導體元件用基板W而固定於吸附部21。於吸附台20上載置有半導體元件用基板W之區域且吸附部21之外側(該區域之外緣側)形成有環狀之淨化部23。淨化部23係與供給壓 縮空氣之淨化管25連通，可將壓縮空氣自半導體元件用基板W之外緣與吸附台20之間所形成之間隙向外側(區域外)噴射。
移動機構30例如為X-Y載物台等移動機構，其係以相對於由噴嘴11形成之噴射材料之噴射區域FA相對移動吸附並保持於吸附台20之半導體元件用基板W之方式使吸附台20移動。本實施形態中，噴嘴11固定於噴射處理室40，藉由僅移動吸附台20而使半導體元件用基板W相對於噴射材料之噴射區域FA相對移動。此處，將噴射處理室40之內部插入至移動機構30之方向設為X方向，將與該插入方向水平之垂直方向設為Y方向。
如圖3及圖4所示，於噴射處理室40之側面，形成有用於將吸附且保持於吸附台20之半導體元件用基板W收納於噴射處理室40內部之開口部(收納口40a)，與收納口40a鄰接設置有淨化機構41，該淨化機構41係藉由鼓風吹散附著於半導體元件用基板W之噴射材料，從而吸引去除。噴射處理室40係於收納口40a之相反側之側面直接連接於回收裝置13，並以不妨礙吸附台20之水平方向之移動(參照圖9)之方式由形成有狹縫之壁部40c劃分(參照圖5)。如圖5所示，壁部40c之狹縫寬度(高度方向)係以大於半導體元件用基板W及吸附台20之厚度，且半導體元件用基板W及吸附台20厚度與狹縫寬度之差變小之方式形成。又，如圖3及圖4所示，形成有自吸附台20之側面吸引、去除噴射材料之吸引部40b。
收納口40a於插入載置有半導體元件用基板W之吸附台20時，開口至如與半導體元件用基板W及吸附台20之間可形成空隙之大小。藉由連接於吸引部40b之回收裝置產生之吸引力而自上述空隙吸引外氣。其結果，於噴射處理室40之內部產生自收納口40a向吸引部40b之氣流。若收納口40a過大，則壓力損失增大，若過小，則難以吸引外氣，任一者均妨礙上述氣流之產生。收納口40a與半導體元件用基板W之間隙例如可設為0.5 mm至5.0 mm。
噴射處理室40之內部由壁部40c劃分為空間A1及空間A2。壁部40c沿與X方向及Y方向垂直之方向(垂直方向)延伸，其兩端部連接於噴射處理室40之天花板面(上表面)及底部，且包圍由噴嘴11形成之噴射材料之噴射區域FA而配置。即，空間A1之上表面配置有噴嘴11，自該噴嘴11噴射出之噴射材料之大部分被壁部40c阻礙而不會朝向空間A2，由回收裝置進行回收。狹縫形成於壁部40c之與吸附台20可移動之水平面內重疊之位置。
由淨化機構41進行之鼓風並非僅噴射壓縮空氣，亦可賦予其他手段。例如，可一併噴射少許水分或靜電消除劑及壓縮空氣，亦可藉由電暈放電等一併噴射離子或自由基及壓縮空氣，或亦可與超音波組合(超音波鼓風)。
測定機構51係測定半導體元件用基板W之彎曲之裝置，可採用雷射移位計、利用干涉條紋之非接觸式測定裝置或探針等接觸式測定裝置等公知之測定裝置。本實施形態中採用雷射移位計。
搬送機構52係用於在箱體53、測定機構51及吸附台20之間搬送半導體元件用基板W之構件，例如可採用機械臂等。
其次，對於使用彎曲矯正裝置1之彎曲矯正處理進行說明。圖7係表示彎曲矯正裝置1之動作之流程圖。
首先，藉由測定機構51測定成膜有半導體膜之半導體元件用基板W之彎曲(S10、S12)。如圖7所示，藉由搬送機構52將半導體元件用基板W自處理前之箱體53向測定機構51搬送(S10)。繼而，進行半導體元件用基板W之彎曲之測定。圖8係彎曲之測定方法之一例。如圖8所示，以半導體元件用基板W之研磨成鏡面之主面上成膜有半導體膜之成膜面Ws變為上方之方式載置於測定台，藉由雷射移位計自上方掃描測定區域，測定高度(S12)。為更高精度地計測彎曲量，而自成膜面Ws側進行測定，但亦可根據測定方法或所需之測定精度，而自成膜面Ws之相反側即背面Wr側測定。測定區域例如為與半導體元件用基板W之定向平面W1成45°角度之2條直線上。彎曲量係由半導體元件用基板W之最大高度與最小高度之差△t而定義。於控制裝置54中儲存預先測定、設定之校準曲線(calibration curve)，運算該△t與預先設定之目標彎曲量之差，根據其結果，設定噴嘴11之動作等之噴射處理條件。
其次，藉由搬送機構52將半導體元件用基板W搬送至吸附台20(S14)。半導體元件用基板W係以研磨成鏡面之主面上成膜有半導體膜之成膜面Ws連接於吸附台20之吸附部 21之方式載置，藉由負壓部22中產生之負壓而加以吸附、固定。此時，自淨化部23噴出壓縮空氣，噴出之空氣自半導體元件用基板W之成膜面Ws與吸附台20之間隙向外方向流出。
繼而，吸附台20藉由移動機構30而移動，半導體元件用基板W自噴射處理室40之收納口40a導入至噴射處理室40內(S14)。
繼而，自噴嘴11噴射噴射材料，藉由移動機構30使吸附台20移動，於噴射材料之噴射區域FA內掃描半導體元件用基板W，以噴射材料均勻地噴射至整個背面Wr之方式進行噴射處理(S16)。藉由噴射處理中對整個背面Wr噴射噴射材料，而可使噴射材料產生之碰撞能量作用於半導體元件用基板W整體，故可有效矯正彎曲。此處，藉由將噴射材料大致垂直地噴射至背面Wr而可使碰撞能量有效作用，且可防止噴射處理後之半導體元件用基板W之不平整等。
如圖9所示，半導體元件用基板W之中心C之掃描軌跡T係自半導體元件用基板W之端部沿X方向掃描至噴射材料之噴射區域FA，以特定間距偏移至Y方向後返回至X方向，重複進行上述動作而掃描成梳齒狀之軌跡。此處，於噴射口11e形成為長方形之情形時，以長邊成為Y方向之方式配置，由此可增大1次X方向之掃描形成之噴射材料之噴射寬度，故可提高噴射處理之效率。
半導體元件用基板W係以吸附且固定於吸附台20之狀態向下凸出彎曲，故於半導體元件用基板W之外周端部且半 導體元件用基板W與吸附部21之間出現間隙，有噴射材料進入而損傷成膜面Ws之虞。一實施形態中，藉由淨化部23將壓縮空氣自半導體元件用基板W之成膜面Ws與吸附台20之間隙噴射至外側，因可防止噴射材料侵入至間隙，故可防止損傷成膜面Ws。
噴射至半導體元件用基板W之噴射材料係藉由回收裝置13自吸引部40b吸引回收。吸引部40b係以自吸附台20之側面方向吸引噴射材料之方式構成，故於半導體元件用基板W之背面Wr難以附著噴射材料。藉由回收裝置13吸引回收之噴射材料於分級裝置14中被分級。分級裝置14中所分級之噴射材料中，僅具有固定值以上之粒徑之可再利用之噴射材料重新投入至噴射材料漏斗12之儲槽中使用。吸引部40b係直接連接於回收裝置13，故導管之磨損或壓損較小，可產生較大之吸引力而有效吸引回收噴射材料。
結束噴射處理之半導體元件用基板W係藉由移動機構30自噴射處理室40之收納口40a搬出至噴射處理室40之外部(S18)。此時，藉由配置於收納口40a之進前之淨化機構41吹散附著於半導體元件用基板W之噴射材料而吸引去除。此處，噴射處理室40內部成為負壓，故噴射材料等不會自收納口40a洩漏至外部。
繼而，結束噴射處理之半導體元件用基板W藉由搬送機構52被搬送至測定機構51而測定彎曲量(S18、S20)。控制裝置54中，進行被測定出之彎曲量是否為預先設定之目標彎曲量以下之合格與否判定。於判定為目標彎曲量以下， 即為目標彎曲量之容許範圍內(合格)之情形時，結束彎曲矯正處理，半導體元件用基板W藉由搬送機構52被搬送，並收納於處理後之半導體元件用基板W用之箱體53(S22：是(Yes)、S23)。繼而，搬送機構52自處理前之箱體53取出未處理之半導體元件用基板W，供給於彎曲矯正處理(噴射處理)。
控制裝置54中，判斷為被測定出之彎曲量比目標彎曲量大(不合格)之情形時，根據其彎曲量設定噴射處理條件，再次進行彎曲矯正處理(S22：否(No)、S24：設定處理)。即，再次執行上述S14~S20之步驟。於第2次彎曲矯正處理後彎曲量仍比目標彎曲量大之情形時，可作為不合格品處理。藉此，可提高良率，且可有效進行彎曲矯正處理。再者，可適當設定重複進行幾次彎曲矯正處理。藉由以上內容結束圖7所示之動作。
再者，圖7所示之彎曲矯正處理亦可分為如下2個階段進行：粗矯正處理，其係根據大於目標彎曲量之暫時目標彎曲量設定噴射處理條件而進行彎曲矯正處理(噴射處理)；及最終矯正處理，其係於粗矯正處理後根據目標彎曲量設定噴射處理條件而進行微調整。
例如，於將處理前之彎曲量為150 μm之半導體元件用基板W之目標彎曲量設為20 μm以下之情形時，粗矯正處理中設定如暫時目標彎曲量為50 μm以下之噴射處理條件進行噴射處理，彎曲量測定後，可設定彎曲量為20 μm以下之噴射處理條件再次進行噴射處理。藉此，於粗矯正處理 中提高處理效率，且可藉由最終矯正處理而確保矯正精度。再者，於藉由粗矯正處理將彎曲量控制為特定範圍內之情形時，不進行最終矯正處理便結束彎曲矯正處理。
噴射處理中，噴射材料、噴射速度及噴射壓力等噴射條件、半導體元件用基板W之掃描條件等係根據半導體元件用基板材料、半導體膜之材質、彎曲量等而適當選擇、設定。
例如，以下表示矯正成膜有GaN系化合物半導體膜之4英吋藍寶石基板之彎曲之情形。噴射材料只要可對半導體元件用基板W賦予充分之碰撞能量即可，其材質等為任意，例如可較佳使用平均粒徑為10~70 μm之氧化鋁研磨粒。若平均粒徑過大，則半導體元件用基板W之背面Wr之表面粗糙度下降，若過小，則有碰撞能量不足之虞。
又，噴射條件係考慮噴射材料之種類，且根據噴射壓力、噴射量等而設定。例如，噴射壓力可為0.2~0.5 MPa，更佳為0.2~0.4 MPa。若噴射壓力過高，則有噴射材料之碰撞能量過強而有產生半導體元件用基板W之破裂等之虞，若過低，則碰撞能量變小而有矯正彎曲所需之時間變長之虞。噴射量可為例如100~400 g/min。若噴射量過少，則為滿足覆蓋率(coverage)(相對於基板之噴射密度)而耗費長時間，若過多，則有立即滿足覆蓋率而無法充分矯正彎曲之虞。又，噴射量依存於對噴嘴之噴射材料之供給量。於為增加噴射量而將噴射材料過多地供給至噴嘴之情形時，無法良好地將噴射材料供給至噴嘴，故噴射材料成為脈動噴射，有無法均勻進行彎曲矯正之虞。吸附台20之掃描條件 亦依存於噴嘴11之種類。例如，於使用噴射口11e為15×4.8 mm之長方形噴嘴11之情形時，考慮覆蓋率，自5~200 mm/sec選擇吸附台20之相對移動速度，可將饋間距(feed pitch)設為20 mm。惟自噴嘴11噴射之噴射區域FA之範圍因噴射距離而變化，故必需相對於噴射距離選定最佳之饋間距。
藉由彎曲矯正裝置1經矯正彎曲之半導體元件用基板W係藉由形成抗蝕劑膜並進行蝕刻而於半導體膜(薄膜層)形成電路圖案。抗蝕劑膜之形成一般係使用光阻劑。於無彎曲之半導體元件用基板W形成抗蝕劑膜，故電路圖案之邊界可清晰顯影。於電路基板之邊界無法清晰顯影之情形時，於以後之蝕刻步驟中無法形成牢固之電路圖案，故導致半導體元件之品質降低。例如，於LED等光學元件之情形時，因其邊界未能清楚顯影，故半導體元件之厚度變得不均而亮度下降。
蝕刻步驟後，於經成膜之化合物半導體上形成透明電極、墊片電極、保護膜等。而且，由雷射等形成劃線，沿著該劃線切割加工為半導體元件(晶片)。藉由矯正彎曲，可使電極之厚度均勻，故可降低電阻值。藉此，於製作LED等發光元件之情形時，可提高亮度。又，雷射劃線中無焦點偏移，故可降低切割步驟中之不良而提高良率。
此外，於自半導體元件用基板W製造半導體元件之步驟中，可消除半導體元件用基板W之彎曲對半導體元件特性、良率等造成之不良影響。
(變形例)
上述實施形態中，藉由使用移動機構30移動吸附台20，而使半導體元件用基板W相對於已固定之噴嘴11相對移動，但亦可為噴嘴11包括其他移動機構且使噴嘴11掃描，或使噴嘴11及吸附台20一併移動，由此可使半導體元件用基板W相對於噴嘴11相對移動。
半導體元件用基板W之外周附近存在未形成半導體元件之區域，例如距離最外周1 mm之區域。因此，可採用如下構成：將吸附部21例如以環狀形成設於至少與該區域對應之位置，於該區域吸附、保持半導體元件用基板W。藉此，可不設淨化部23而防止因噴射材料之侵入損傷半導體元件。
上述實施形態中，噴嘴11係對於半導體元件用基板W可垂直噴射而配置，但亦可傾斜配置。例如，若使噴嘴11向回收裝置13之相反側傾斜，則與半導體元件用基板W碰撞後之噴射材料朝向回收裝置13側，故可有效地吸引去除。
上述實施形態中，使用吸引式噴嘴11，但亦可應用藉由供給至噴射材料漏斗12之儲槽之壓縮空氣定量儲槽內之噴射材後將噴射材料噴射之加壓式(直壓式)之噴嘴。又，噴嘴11之噴射口11e之形狀並不限定於長方形，可使用圓形等各種形狀。
雖於半導體元件用基板W之整個背面Wr進行了噴射處理，但半導體元件用基板W之彎曲較小之情形等時，亦可藉由對半導體元件用基板W之中心部等進行定點噴射而進 行噴射處理。
亦可於成膜半導體膜之前對半導體元件用基板W進行噴射處理，將預測成膜後會產生之彎曲量預先賦予至相反方向。藉此，可於成膜半導體膜後不會產生彎曲。
上述實施形態中，說明了進行噴射處理條件之設定處理及合格與否判定之例，但亦可僅實行其中一者。
(實施例)
將藉由實施形態之彎曲矯正裝置1而矯正半導體元件用基板之彎曲之結果作為實施例進行說明。本實例中，準備3片於4英吋且厚度為0.65 μm之藍寶石基板上成膜有3~5 μm左右之GaN系化合物半導體之半導體元件用基板W，使用實施形態中記載之彎曲矯正裝置，以表1之條件矯正該半導體元件用基板W之彎曲。
將每次掃描之彎曲變化示於表2。可知無論何種條件下，均矯正至彎曲量為10 μm以下為止，藉由實施形態之彎曲矯正裝置1，可矯正半導體元件用基板之彎曲。
(實施形態之效果)
根據實施形態之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置1及彎曲矯正方法，噴射機構10等裝置構成要素包含裝置成本較低之構件，且可進行根據預先設定之目標彎曲量及由測定機構51測定出之半導體元件用基板W之彎曲資料設定適當之噴射處理條件而矯正半導體元件用基板W之彎曲之彎曲矯正處理，故可由效率良好且適合量產之方法矯正半導體元件用基板W之彎曲。又，可藉由測定機構51測定進行了彎曲矯正處理之半導體元件用基板W之彎曲並判斷是否為目標彎曲量以下，故可提高良率，且可有效進行彎曲矯正處理。
1‧‧‧彎曲矯正裝置
10‧‧‧噴射機構
11‧‧‧噴嘴
11a‧‧‧氣體噴射部
11b‧‧‧供給埠
11c‧‧‧混合室
11d‧‧‧噴射材料噴射部
11e‧‧‧噴射口
12‧‧‧噴射材料漏斗
13‧‧‧回收裝置
14‧‧‧分級裝置
15‧‧‧集塵器
20‧‧‧吸附台
21‧‧‧吸附部
22‧‧‧負壓部
23‧‧‧淨化部
24‧‧‧吸引管
25‧‧‧淨化管
30‧‧‧移動機構
40‧‧‧噴射處理室
40a‧‧‧收納口
40b‧‧‧吸引部
40c‧‧‧壁部
41‧‧‧淨化機構
51‧‧‧測定機構
52‧‧‧搬送機構
53‧‧‧箱體
54‧‧‧控制裝置
FA‧‧‧噴射材料之噴射區域
W‧‧‧半導體元件用基板
Wr‧‧‧背面
Ws‧‧‧成膜面
圖1係表示半導體元件用基板之彎曲矯正方法之原理之說明圖。
圖2係表示半導體元件用基板之彎曲矯正裝置之構成之模式圖。
圖3係表示進行噴射處理時之噴嘴、吸附台及噴射處理室之位置關係及其等之構造之縱剖面說明圖。
圖4係表示噴射處理室之內部構造之俯視說明圖。
圖5係沿圖4所示之V-V線之剖面圖。
圖6係表示吸附台之構造之說明圖。圖6(A)係縱剖面說明圖，圖6(B)係圖6(A)之B-B剖面圖，圖6(C)係圖6(A)之C-C剖面圖。
圖7係表示彎曲矯正裝置之動作之流程圖。
圖8係表示測定機構之彎曲測定方法之模式圖。
圖9係表示噴射處理中吸附台之掃描軌跡之模式圖。
1‧‧‧彎曲矯正裝置
10‧‧‧噴射機構
11‧‧‧噴嘴
12‧‧‧噴射材料漏斗
13‧‧‧回收裝置
14‧‧‧分級裝置
15‧‧‧集塵器
20‧‧‧吸附台
30‧‧‧移動機構
40‧‧‧噴射處理室
40b‧‧‧吸引部
51‧‧‧測定機構
52‧‧‧輸送機構
53‧‧‧箱體
54‧‧‧控制裝置
W‧‧‧半導體元件用基板

Claims (14)

  1. 一種半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其係矯正半導體元件用基板之彎曲之彎曲矯正裝置，其包括：噴射機構，其包含噴嘴，該噴嘴進行對上述半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料之噴射處理；吸附台，其吸附上述半導體元件用基板之主面或成膜面而保持上述半導體元件用基板；移動機構，其係以使上述半導體元件用基板相對於上述噴嘴之噴射材料之噴射區域而相對移動之方式使上述吸附台移動；噴射處理室，其收納被保持於上述吸附台之上述半導體元件用基板，且於內部進行噴射處理；測定機構，其測定上述半導體元件用基板之彎曲量；及控制裝置，其係根據預先設定之目標彎曲量與由上述測定機構測定出之上述半導體元件用基板之彎曲量之差，進行上述噴射機構之噴射處理條件之設定處理、及已進行噴射處理之上述半導體元件用基板之合格與否判定之至少一者。
  2. 如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述吸附台包括：吸附部，其設於載置有上述半導體元件用基板之區域，且吸附固定上述半導體元件用基板；及淨化部，其設於上述區域內且較上述吸附部更靠上述 區域之外緣側，自上述半導體元件用基板之外緣與吸附台間所形成之間隙向上述區域外噴射壓縮空氣。
  3. 如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述吸附台包括吸附部，該吸附部設於至少上述半導體元件用基板之外緣且與未形成半導體元件之區域對應之位置，且吸附固定上述半導體元件用基板。
  4. 如請求項1至3中任一項之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述噴射機構及上述吸附台之至少一者係以對上述半導體元件用基板之整個上述背面噴射噴射材料之方式，相對於上述噴嘴之噴射材料之噴射區域而相對掃描上述半導體元件用基板。
  5. 如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中於上述噴射處理室之一側面設有吸引且去除噴射材料之吸引部，於上述噴射處理室之另一側面，形成使保持有上述半導體元件用基板之上述吸附台通過之開口部，上述開口部於插入保持有上述半導體元件用基板之上述吸附台時，開口至可形成用以在與該吸附台或與該半導體元件用基板之間吸引外氣之空隙之大小。
  6. 如請求項5之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述噴射處理室之內部由不妨礙上述半導體元件用基板之移動且形成有狹縫之壁部而分隔。
  7. 如請求項6之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述吸附台構成為藉由上述移動機構可於水平面內移 動，上述壁部其垂直方向之兩端部連接於上述噴射處理室之上表面及底部，且包圍上述噴嘴之噴射區域而配置，上述狹縫形成於與上述吸附台可移動之水平面內重疊之位置。
  8. 如請求項5之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中包括淨化機構，該淨化機構設於上述噴射處理室之開口部側之側面，用於去除附著於半導體元件用基板之噴射材料。
  9. 如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述控制裝置當上述合格與否判定中判斷為已進行噴射處理之半導體元件用基板之彎曲比上述目標彎曲量大之情形時，使上述噴射機構動作，以再次進行噴射處理。
  10. 如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置，其中上述控制裝置使上述噴射機構動作，以進行如下處理：粗矯正處理，其係根據大於目標彎曲量之暫時目標彎曲量設定噴射處理條件而進行噴射處理；及最終矯正處理，其係於粗矯正處理後根據目標彎曲量設定噴射處理條件而進行噴射處理。
  11. 一種半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其使用包括如下構件之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置：測定機構，其測定半導體元件用基板之彎曲量；控制裝置，其係根據預先設定之目標彎曲量與由上述測定機構測定出 之半導體元件用基板之彎曲量之差，進行噴射機構之噴射處理條件之設定處理、及已進行噴射處理之上述半導體元件用基板之合格與否判定之至少一者；及噴射機構，其包含噴嘴，該噴嘴進行對半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面進行噴射之噴射處理；該半導體元件用基板之彎曲矯正方法包括如下步驟：由上述測定機構測定半導體元件用基板之彎曲量；根據由上述測定機構測定出之彎曲量資料與預先設定之目標彎曲量之差，而設定噴射處理條件；以上述噴射處理條件自半導體元件用基板之主面之相反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料而進行彎曲矯正處理；及判定已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板之彎曲量是否為預先設定之目標彎曲量以下。
  12. 一種半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其係使用如請求項1之半導體元件用基板之彎曲矯正裝置之半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其包括如下步驟：由上述測定機構測定半導體元件用基板之彎曲量；將已測定彎曲量之半導體元件用基板搬送至上述吸附台上，並將該半導體元件用基板保持於該吸附台；根據由上述測定機構測定出之彎曲量與預先設定之目標彎曲量之差，設定上述噴射機構之噴射處理條件；以上述噴射處理條件自半導體元件用基板之主面之相 反側或成膜面之相反側即背面噴射噴射材料而進行彎曲矯正處理；將已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板搬送至上述測定機構，測定該半導體元件用基板之彎曲量；及判定已進行彎曲矯正處理之半導體元件用基板之彎曲量是否為預先設定之目標彎曲量以下。
  13. 如請求項11或12之半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其中上述半導體元件用基板之彎曲量係藉由相對於1條直線測定且運算3~6點之距離基準位置之高度而算出。
  14. 如請求項11或12之半導體元件用基板之彎曲矯正方法，其中進行上述彎曲矯正處理之步驟係於形成抗蝕劑膜之步驟之前進行，該抗蝕劑膜係用於在形成於上述半導體元件用基板上之薄膜層上形成電路圖案。
TW101125713A 2012-03-30 2012-07-16 A bending correcting device for a semiconductor element substrate and a bending correction method TWI520248B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012078890 2012-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201340228A TW201340228A (zh) 2013-10-01
TWI520248B true TWI520248B (zh) 2016-02-01

Family

ID=49258700

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101125713A TWI520248B (zh) 2012-03-30 2012-07-16 A bending correcting device for a semiconductor element substrate and a bending correction method

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9136192B2 (zh)
JP (1) JP6149728B2 (zh)
KR (1) KR101830470B1 (zh)
CN (1) CN103503112B (zh)
TW (1) TWI520248B (zh)
WO (1) WO2013145348A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6307022B2 (ja) * 2014-03-05 2018-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
TWI559371B (zh) * 2014-04-09 2016-11-21 東京威力科創股份有限公司 來自疊對之晶圓彎曲的修正方法
JP6191534B2 (ja) * 2014-05-01 2017-09-06 信越半導体株式会社 ウエハのそりの評価方法及びウエハの選別方法
CN107452643B (zh) * 2016-05-31 2020-11-13 弘塑科技股份有限公司 基板压平设备与使用所述基板压平设备的半导体制造方法
JP7164289B2 (ja) * 2016-09-05 2022-11-01 東京エレクトロン株式会社 半導体プロセッシング中のオーバレイを制御するための湾曲を制御する応力の位置特定チューニング
JP2018190808A (ja) * 2017-05-01 2018-11-29 日本特殊陶業株式会社 セラミック配線基板の製造方法
CN110662628B (zh) 2017-05-16 2022-03-22 新东工业株式会社 表面处理加工方法和表面处理加工装置
CN112335020B (zh) * 2018-06-22 2024-04-09 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
JP2020174076A (ja) * 2019-04-08 2020-10-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、および成膜システム
CN110517968B (zh) * 2019-08-19 2022-12-20 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种翘曲度的控制方法及装置
JP7259773B2 (ja) 2020-01-14 2023-04-18 新東工業株式会社 ブラスト加工装置及びブラスト加工方法
US20210366792A1 (en) * 2020-05-22 2021-11-25 Tokyo Electron Limited Backside deposition tuning of stress to control wafer bow in semiconductor processing
CN113031401B (zh) * 2021-03-03 2022-10-18 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 光刻机整平装置和具有其的光刻机

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3738344A1 (de) 1986-11-14 1988-05-26 Mitsubishi Electric Corp Anlage zum einfuehren von gitterstoerstellen und verfahren dazu
JPS63124534A (ja) 1986-11-14 1988-05-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置におけるゲツタリング方法
JPH07114207B2 (ja) 1991-07-19 1995-12-06 信越半導体株式会社 半導体基板及びその製造方法
DE69227158T2 (de) 1991-07-19 1999-02-18 Shinetsu Handotai Kk Extrinsisches Gettering für ein halbleitendes Substrat
US5851929A (en) * 1996-01-04 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Controlling semiconductor structural warpage in rapid thermal processing by selective and dynamic control of a heating source
JP2003300800A (ja) 1998-09-30 2003-10-21 Nec Corp Ｉｉｉ族元素窒化物半導体ウェーハの製造方法
JP3553457B2 (ja) 2000-03-31 2004-08-11 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP3639546B2 (ja) * 2001-07-25 2005-04-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2003128499A (ja) * 2001-10-18 2003-05-08 Hitachi Cable Ltd 窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板
JP2004165226A (ja) 2002-11-08 2004-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法
JP2005005317A (ja) * 2003-06-09 2005-01-06 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 半導体ウェーハの研磨方法およびその研磨装置
JP4232605B2 (ja) 2003-10-30 2009-03-04 住友電気工業株式会社 窒化物半導体基板の製造方法と窒化物半導体基板
JP4794882B2 (ja) * 2005-03-25 2011-10-19 キヤノン株式会社 走査型露光装置、走査型露光方法
JP4699283B2 (ja) * 2006-05-23 2011-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度制御方法、プログラム及び熱処理板の温度制御装置
US7582491B2 (en) * 2006-10-27 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method for diagnosing electrostatic chuck, vacuum processing apparatus, and storage medium
JP5065082B2 (ja) * 2008-02-25 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
JP5552627B2 (ja) * 2009-01-15 2014-07-16 並木精密宝石株式会社 エピタキシャル成長用内部改質基板及びそれを用いて作製される結晶成膜体、デバイス、バルク基板及びそれらの製造方法
JP2010205888A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Toppan Printing Co Ltd 半導体装置
JP5030992B2 (ja) * 2009-04-30 2012-09-19 信越化学工業株式会社 サンドブラスト処理された裏面を有するｓｏｉ基板の製造方法
JP5589398B2 (ja) * 2010-01-20 2014-09-17 豊田合成株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP5470081B2 (ja) * 2010-02-16 2014-04-16 株式会社岡本工作機械製作所 化合物半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法
JP2011222608A (ja) 2010-04-06 2011-11-04 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板の薄肉研削方法およびそれに用いる半導体基板の薄肉研削加工装置
JP2011238731A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Amaya Corp 常圧気相成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103503112A (zh) 2014-01-08
US9230868B2 (en) 2016-01-05
JP6149728B2 (ja) 2017-06-21
US20150332978A1 (en) 2015-11-19
JPWO2013145348A1 (ja) 2015-12-10
US20140287538A1 (en) 2014-09-25
KR20140144128A (ko) 2014-12-18
US9136192B2 (en) 2015-09-15
WO2013145348A1 (ja) 2013-10-03
CN103503112B (zh) 2016-08-17
KR101830470B1 (ko) 2018-02-20
TW201340228A (zh) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI520248B (zh) A bending correcting device for a semiconductor element substrate and a bending correction method
KR102391430B1 (ko) 다이 본딩 장치
CN110265318B (zh) 芯片贴装装置及半导体装置的制造方法
TWI417980B (zh) 載台清潔器、描繪裝置及基板處理裝置
JP6076063B2 (ja) 加工装置
JP6384758B2 (ja) 付着物除去方法
TWI669201B (zh) Cutting device
TWI545623B (zh) Semiconductor substrate processing method
CN109318285A (zh) 粉尘抽吸装置
JP2014097566A (ja) 基板周縁部を加工するブラスト加工装置およびこの装置を用いたブラスト加工方法
JP4705816B2 (ja) プラズマ処理装置
JP6525845B2 (ja) レーザー加工装置
JP6208587B2 (ja) 切削装置
JP6375259B2 (ja) 異物除去装置、異物除去方法および剥離装置
JP6061691B2 (ja) レーザー加工方法、及び、レーザー加工装置
JP2017112216A (ja) 分割装置
JP6083662B2 (ja) 露光装置
JP5362480B2 (ja) 硬質ウエーハの研削方法
JP2017084893A (ja) 分割装置
TW202101703A (zh) 保持裝置
JP2024025383A (ja) 加工装置及び被加工物の加工方法
JP6385144B2 (ja) 加工装置
JP5552559B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015001380A (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
JP2020061458A (ja) 板状ワークの搬送装置及び搬送方法