JPH1197342A - 位置合わせ方法 - Google Patents
位置合わせ方法Info
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- JPH1197342A JPH1197342A JP9273355A JP27335597A JPH1197342A JP H1197342 A JPH1197342 A JP H1197342A JP 9273355 A JP9273355 A JP 9273355A JP 27335597 A JP27335597 A JP 27335597A JP H1197342 A JPH1197342 A JP H1197342A
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- alignment mark
- alignment
- stage
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率の良い位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】 所定の基板を保持しながら回転方向およ
び高さ方向に基板を駆動するθΖステージと、前記基板
を保持しながら所定の直交座標系内で２次元移動する基
板ステージと、前記直交座標系内に検出中心を有し前記
基板に設けられているアライメントマークを検出する位
置検出手段と、前記直交座標系内で前記位置検出手段と
は異なる位置に検出中心を有し前記基板表面の高さを検
出するフォーカス計測手段とを有する位置合わせ装置に
適用される位置合わせ方法おいて、所定の配列座標系に
従って２次元に配列された複数のショット領域有し該複
数のショット領域のそれぞれのショットにアライメント
用のマークを有する基板を位置合わせする工程内で、前
記アライメントマーク検出時の前記基板表面の高さを位
置決めする際に、複数のアライメントショットのうちの
１ショットのアライメントマーク高さを前記フォーカス
計測手段で検出し、他ショットのアライメントマークの
高さは該検出した１ショットのアライメントマークの高
さと予め求められた前記基板の傾きから算出する。
び高さ方向に基板を駆動するθΖステージと、前記基板
を保持しながら所定の直交座標系内で２次元移動する基
板ステージと、前記直交座標系内に検出中心を有し前記
基板に設けられているアライメントマークを検出する位
置検出手段と、前記直交座標系内で前記位置検出手段と
は異なる位置に検出中心を有し前記基板表面の高さを検
出するフォーカス計測手段とを有する位置合わせ装置に
適用される位置合わせ方法おいて、所定の配列座標系に
従って２次元に配列された複数のショット領域有し該複
数のショット領域のそれぞれのショットにアライメント
用のマークを有する基板を位置合わせする工程内で、前
記アライメントマーク検出時の前記基板表面の高さを位
置決めする際に、複数のアライメントショットのうちの
１ショットのアライメントマーク高さを前記フォーカス
計測手段で検出し、他ショットのアライメントマークの
高さは該検出した１ショットのアライメントマークの高
さと予め求められた前記基板の傾きから算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置合わせ方法に
関し、例えば基板上に複数のショットを重ね合わせて露
光して半導体素子を形成する露光装置に用いられる位置
合わせ方法に関する。
関し、例えば基板上に複数のショットを重ね合わせて露
光して半導体素子を形成する露光装置に用いられる位置
合わせ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１に半導体露光装置のー例を示す。該
半導体露光装置の位置合わせはプリアライメント工程と
精密アライメント工程の二工程から成る。プリアライメ
ント工程では顕微鏡７によりアライメントマークの検出
を行なうのだが、この際顕微鏡７のベストフォーカス位
置にθＺステージ１４を駆動するためには、θＺステー
ジの駆動再現性のバラツキやウエハ厚のバラツキが存在
するため、１枚毎にフォーカス計測をする必要がある。
従ってプリアライメント工程ではまずウエハ１２はθＺ
ステージ１４によって吸着保持された状態でＸＹステー
ジ１５により投影レンズ２下に移動し、フォーカス光源
ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニット５およ
びフォーカス制御装置６からなるフォーカス検出系によ
りウエハ１２の表面高さを計測する。その後ＸＹステー
ジ１５によりウエハ１２を顕微鏡７の下に移動して、該
計測した高さからアライメントマーク検出時のウエハ１
２表面の位置が顕微鏡７のべストフォーカス位置を算出
し、該算出したべストフォーカス位置にθＺステージ１
４を駆動してウエハ１２上のアライメントマークを検出
しウエハ１２のずれ量を算出し位置合わせを行なう。
半導体露光装置の位置合わせはプリアライメント工程と
精密アライメント工程の二工程から成る。プリアライメ
ント工程では顕微鏡７によりアライメントマークの検出
を行なうのだが、この際顕微鏡７のベストフォーカス位
置にθＺステージ１４を駆動するためには、θＺステー
ジの駆動再現性のバラツキやウエハ厚のバラツキが存在
するため、１枚毎にフォーカス計測をする必要がある。
従ってプリアライメント工程ではまずウエハ１２はθＺ
ステージ１４によって吸着保持された状態でＸＹステー
ジ１５により投影レンズ２下に移動し、フォーカス光源
ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニット５およ
びフォーカス制御装置６からなるフォーカス検出系によ
りウエハ１２の表面高さを計測する。その後ＸＹステー
ジ１５によりウエハ１２を顕微鏡７の下に移動して、該
計測した高さからアライメントマーク検出時のウエハ１
２表面の位置が顕微鏡７のべストフォーカス位置を算出
し、該算出したべストフォーカス位置にθＺステージ１
４を駆動してウエハ１２上のアライメントマークを検出
しウエハ１２のずれ量を算出し位置合わせを行なう。
【０００３】プリアライメント工程終了後にθＺステー
ジ１４から微小θＺステージ１３にウエハ１２を受け渡
し、前記フォーカス検出系と同じ検出領域を持つ不図示
の高倍顕微鏡により精密な位置合わせ工程を行なう。
ジ１４から微小θＺステージ１３にウエハ１２を受け渡
し、前記フォーカス検出系と同じ検出領域を持つ不図示
の高倍顕微鏡により精密な位置合わせ工程を行なう。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】図２に図１の半導
体露光装置のウエハステージの詳細を示す。このウエハ
ステージは、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４
およびＸＹステージ１５により構成される。θＺステー
ジ１４は微小θＺステージ１３とは独立して駆動できる
構造になっており、該ウエハステージ上へウエハ１２を
供給する際にはθＺステージ１４が微小θステージ１３
よりも高い位置に駆動され、ウエハ１２はθＺステージ
１４に吸着保持される。このウエハ１２がθＺステージ
１４に吸着保持された状態でプリアライメント工程を行
なう。プリアライメントエ程が終了した後θＺステージ
１４を下の方向に、微小θステージ１３を上の方向に駆
動することによりウエハ１２は微小θステージ１３に受
け渡されて吸着保持され、次の精密アライメント工程へ
進む。
体露光装置のウエハステージの詳細を示す。このウエハ
ステージは、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４
およびＸＹステージ１５により構成される。θＺステー
ジ１４は微小θＺステージ１３とは独立して駆動できる
構造になっており、該ウエハステージ上へウエハ１２を
供給する際にはθＺステージ１４が微小θステージ１３
よりも高い位置に駆動され、ウエハ１２はθＺステージ
１４に吸着保持される。このウエハ１２がθＺステージ
１４に吸着保持された状態でプリアライメント工程を行
なう。プリアライメントエ程が終了した後θＺステージ
１４を下の方向に、微小θステージ１３を上の方向に駆
動することによりウエハ１２は微小θステージ１３に受
け渡されて吸着保持され、次の精密アライメント工程へ
進む。
【０００５】前記プリアライメント工程においてθＺス
テージ１４に吸着保持されたウエハ１２は、θＺステー
ジ１４自体の傾き、θＺステージ１４の構造、ウエハ１
２の自重によるたわみ、重ね焼き工程によるウエハ１２
の変形などにより、ウエハ１２の表面高さを水平に保つ
ことは困難である。図３にθＺステージ１４上のウエハ
１２の状態を示す。このためアライメントマーク位置に
依存してアライメントマーク検出時のベストフォーカス
位置におけるθＺステージ１４のＺ位置が異なるため、
プリアライメント工程内のフォーカス計測時には複数の
アライメントマーク各々について高さを計測する必要が
ある。
テージ１４に吸着保持されたウエハ１２は、θＺステー
ジ１４自体の傾き、θＺステージ１４の構造、ウエハ１
２の自重によるたわみ、重ね焼き工程によるウエハ１２
の変形などにより、ウエハ１２の表面高さを水平に保つ
ことは困難である。図３にθＺステージ１４上のウエハ
１２の状態を示す。このためアライメントマーク位置に
依存してアライメントマーク検出時のベストフォーカス
位置におけるθＺステージ１４のＺ位置が異なるため、
プリアライメント工程内のフォーカス計測時には複数の
アライメントマーク各々について高さを計測する必要が
ある。
【０００６】図４に従来の方法によるプリアライメント
工程のフローチャートを示す。以下に図４を用いて従来
の方法によるプリアライメント工程を説明する。まずス
テップＳ１においてフォーカス計測のためにＸＹステー
ジ１４をアライメントマーク位置でフォーカス計測でき
る位置に駆動する。次にステップＳ２において前記フォ
ーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、
計測したアライメントマークの高さを制御演算装置９に
記憶する。次にステップＳ３において全アライメントマ
ークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行
ない、終了していない時はステップＳ１からステップＳ
２の動作を繰り返す。ステップＳ３で全アライメントマ
ークのフォーカス計測が終了していたらステップＳ４に
進みアライメントマークの位置計測を行なう。
工程のフローチャートを示す。以下に図４を用いて従来
の方法によるプリアライメント工程を説明する。まずス
テップＳ１においてフォーカス計測のためにＸＹステー
ジ１４をアライメントマーク位置でフォーカス計測でき
る位置に駆動する。次にステップＳ２において前記フォ
ーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、
計測したアライメントマークの高さを制御演算装置９に
記憶する。次にステップＳ３において全アライメントマ
ークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行
ない、終了していない時はステップＳ１からステップＳ
２の動作を繰り返す。ステップＳ３で全アライメントマ
ークのフォーカス計測が終了していたらステップＳ４に
進みアライメントマークの位置計測を行なう。
【０００７】ステップＳ４においてアライメントマーク
計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４
をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置する
ように駆動する。この際、θＺステージ１４はステップ
Ｓ１からステップＳ２において制御演算装置９に記憶し
たアライメントマークの高さを用いて算出した該アライ
メントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。次に
ステップＳ５において顕微鏡７によりアライメントマー
ク計測を行なう。次にステップＳ６において全アライメ
ントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェッ
クを行ない、終了していない時はステップＳ４からステ
ップＳ５の動作を繰り返す。ステップＳ６で全アライメ
ントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアラ
イメント工程を終了する。
計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステージ１４
をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位置する
ように駆動する。この際、θＺステージ１４はステップ
Ｓ１からステップＳ２において制御演算装置９に記憶し
たアライメントマークの高さを用いて算出した該アライ
メントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。次に
ステップＳ５において顕微鏡７によりアライメントマー
ク計測を行なう。次にステップＳ６において全アライメ
ントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェッ
クを行ない、終了していない時はステップＳ４からステ
ップＳ５の動作を繰り返す。ステップＳ６で全アライメ
ントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアラ
イメント工程を終了する。
【０００８】以上説明した従来の方法では全アライメン
トマークのフォーカス計測を繰り返すために、プリアラ
イメント工程の処理の効率を悪くしている。特に半導体
露光装置のように大量のウエハを処理する装置において
は処理能力を著しく損ねてしまう。
トマークのフォーカス計測を繰り返すために、プリアラ
イメント工程の処理の効率を悪くしている。特に半導体
露光装置のように大量のウエハを処理する装置において
は処理能力を著しく損ねてしまう。
【０００９】本発明は、上述の従来例における問題点に
鑑みてなされたもので、効率の良い位置合わせ方法を提
供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、効率の良い位置合わせ方法を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】上記の目的を
達成するため本発明では、所定の基板を保持しながら回
転方向および高さ方向に基板を駆動するθΖステージ
と、前記基板を保持しながら所定の直交座標系内で二次
元移動する基板ステージと、前記直交座標系内に検出中
心を有し前記基板に設けられたアライメントマークを検
出する位置検出手段と、前記直交座標系内で前記位置検
出手段とは異なる位置に検出中心を有し前記基板表面の
高さを検出するフォーカス計測手段とを有する位置合わ
せ装置に適用される位置合わせ方法おいて、所定の配列
座標系に従って２次元に配列された複数のショット領域
と該複数のショット領域のそれぞれのショットにアライ
メント用のマークとを有する基板を位置合わせする工程
内で、前記アライメントマーク検出時の前記基板表面の
高さを位置決めする際に、複数のアライメントショット
のうちの１ショットのアライメントマーク高さを前記フ
ォーカス計測手段で検出し、他ショットのアライメント
マークの高さは該検出した１ショットのアライメントマ
ークの高さと予め求められた前記基板の傾きから算出す
ることを特徴とする。
達成するため本発明では、所定の基板を保持しながら回
転方向および高さ方向に基板を駆動するθΖステージ
と、前記基板を保持しながら所定の直交座標系内で二次
元移動する基板ステージと、前記直交座標系内に検出中
心を有し前記基板に設けられたアライメントマークを検
出する位置検出手段と、前記直交座標系内で前記位置検
出手段とは異なる位置に検出中心を有し前記基板表面の
高さを検出するフォーカス計測手段とを有する位置合わ
せ装置に適用される位置合わせ方法おいて、所定の配列
座標系に従って２次元に配列された複数のショット領域
と該複数のショット領域のそれぞれのショットにアライ
メント用のマークとを有する基板を位置合わせする工程
内で、前記アライメントマーク検出時の前記基板表面の
高さを位置決めする際に、複数のアライメントショット
のうちの１ショットのアライメントマーク高さを前記フ
ォーカス計測手段で検出し、他ショットのアライメント
マークの高さは該検出した１ショットのアライメントマ
ークの高さと予め求められた前記基板の傾きから算出す
ることを特徴とする。
【００１１】特に、露光等の処理工程が進み表面の変形
の進んだ基板においては、複数の基板を連続して処理す
る場合、前記基板の位置合わせ工程内でアライメントマ
ーク検出時の前記基板表面の高さを位置決めする際に、
１枚目の基板においては従来例と同様に全アライメント
ショットの高さを検出し、２枚目以降は本発明に従って
１ショットのアライメントマーク高さのみを検出し他シ
ョットのアライメントマークの高さを決める際に、該検
出した１ショットのアライメントマークの高さと該１枚
目のアライメントショットの高さから該他ショットの高
さを算出する。
の進んだ基板においては、複数の基板を連続して処理す
る場合、前記基板の位置合わせ工程内でアライメントマ
ーク検出時の前記基板表面の高さを位置決めする際に、
１枚目の基板においては従来例と同様に全アライメント
ショットの高さを検出し、２枚目以降は本発明に従って
１ショットのアライメントマーク高さのみを検出し他シ
ョットのアライメントマークの高さを決める際に、該検
出した１ショットのアライメントマークの高さと該１枚
目のアライメントショットの高さから該他ショットの高
さを算出する。
【００１２】
【作用】本発明は、アライメント工程内のフォーカス計
測を１点のみで行ない、アライメントマークの高さを該
１つのフォーカスデータから算出する。これにより効率
の良いアライメント工程を提供することができる。本発
明の位置合わせ方法は、プリアライメントと精密アライ
メントの２工程のアライメントを行なう際のプリアライ
メント工程に特に好適に適用される。
測を１点のみで行ない、アライメントマークの高さを該
１つのフォーカスデータから算出する。これにより効率
の良いアライメント工程を提供することができる。本発
明の位置合わせ方法は、プリアライメントと精密アライ
メントの２工程のアライメントを行なう際のプリアライ
メント工程に特に好適に適用される。
【００１３】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。実施例１ 図１は、本発明の実施例の適用対象である半導体露光装
置の概略ブロック図を示す。同図において、１はレチク
ル、２は縮小投影レンズ、３はフォーカス光源ユニッ
ト、４はミラー、５はフォーカス受光ユニット、６はフ
ォーカス制御装置、７は顕微鏡、８は検出装置、９は制
御演算装置、１０はＸＹθＺステージ制御装置、１１は
操作端末、１２はウエハ、１３は微小θＺステージ、１
４はθＺステージ、１５はＸＹステージである。フォー
カス光源ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニッ
ト５およびフォーカス制御装置６は、フォーカス検出系
を構成し、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４お
よびＸＹステージ１５はウエハステージを構成してい
る。
る。実施例１ 図１は、本発明の実施例の適用対象である半導体露光装
置の概略ブロック図を示す。同図において、１はレチク
ル、２は縮小投影レンズ、３はフォーカス光源ユニッ
ト、４はミラー、５はフォーカス受光ユニット、６はフ
ォーカス制御装置、７は顕微鏡、８は検出装置、９は制
御演算装置、１０はＸＹθＺステージ制御装置、１１は
操作端末、１２はウエハ、１３は微小θＺステージ、１
４はθＺステージ、１５はＸＹステージである。フォー
カス光源ユニット３、ミラー４、フォーカス受光ユニッ
ト５およびフォーカス制御装置６は、フォーカス検出系
を構成し、微小θＺステージ１３、θＺステージ１４お
よびＸＹステージ１５はウエハステージを構成してい
る。
【００１４】図５に本発明の第ーの実施例に係るフロー
チャート、図６〜図８にウエハの傾きを説明するモデル
を示す。まず、図６〜図８を用いて１つのアライメント
マークの高さから他のアライメントマークの高さを算出
する方法について説明する。図６はθＺステージ１４上
のウエハ１２の傾きを示す。図中ｘ方向の傾きをωｘ、
ｙ方向の傾きをωｙで表わす。図７はウエハ上のアライ
メントマーク配置を示す。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはア
ライメントマーク、（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭ
の座標を表わす。図８に図７に示すウエハのＡ−Ａ’の
断面図を示す。図中ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍは
アライメントマークＭの高さを表わす。図６〜図８に示
すウエハの傾きのモデルにおいてアライメントマークＭ
の高さｚｍをウエハ中心Ｃの高さｚｃを用いてｘ方向、
ｙ方向のそれぞれにー次的に傾いていると近似して算出
すると、
チャート、図６〜図８にウエハの傾きを説明するモデル
を示す。まず、図６〜図８を用いて１つのアライメント
マークの高さから他のアライメントマークの高さを算出
する方法について説明する。図６はθＺステージ１４上
のウエハ１２の傾きを示す。図中ｘ方向の傾きをωｘ、
ｙ方向の傾きをωｙで表わす。図７はウエハ上のアライ
メントマーク配置を示す。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはア
ライメントマーク、（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭ
の座標を表わす。図８に図７に示すウエハのＡ−Ａ’の
断面図を示す。図中ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍは
アライメントマークＭの高さを表わす。図６〜図８に示
すウエハの傾きのモデルにおいてアライメントマークＭ
の高さｚｍをウエハ中心Ｃの高さｚｃを用いてｘ方向、
ｙ方向のそれぞれにー次的に傾いていると近似して算出
すると、
【００１５】
【数１】 で表わされる。
【００１６】ここで、近似式（１）中の前記ウエハ１２
のＸ方向の傾きωｘおよびｙ方向の傾きωｙはθＺステ
ージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演
算装置９に記憶されている定数である。ωｘおよびωｙ
を求めるには、例えばガラスウエハ等の平面度が優れた
基板をθＺステージ１４上に保持し、該基板上の３点の
高さをフォーカス検出系３〜６により計測して算出す
る。すなわち、基板上の３点として例えば図７に示すＣ
（０，０）、Ｐｘ（ｘ１，０）およびＰｙ（０，ｙ１）
を選択し、これら３点の高さをフォーカス検出系３〜６
により計測した結果をＺ０、ＺｘおよびＺｙとすると、
のＸ方向の傾きωｘおよびｙ方向の傾きωｙはθＺステ
ージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演
算装置９に記憶されている定数である。ωｘおよびωｙ
を求めるには、例えばガラスウエハ等の平面度が優れた
基板をθＺステージ１４上に保持し、該基板上の３点の
高さをフォーカス検出系３〜６により計測して算出す
る。すなわち、基板上の３点として例えば図７に示すＣ
（０，０）、Ｐｘ（ｘ１，０）およびＰｙ（０，ｙ１）
を選択し、これら３点の高さをフォーカス検出系３〜６
により計測した結果をＺ０、ＺｘおよびＺｙとすると、
【００１７】
【数２】 となる。
【００１８】次に、図５に示すフローチャートを用いて
本発明によるプリアライメント工程を図１に示す半導体
露光装置に適用した例を説明する。まずステップＳＳ１
においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をフ
ォーカス計測中心がウエハ中心に位置するように駆動す
る。次にステップＳＳ２において前記フォーカス検出系
によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したウエ
ハ中心の高さを制御演算装置９に記憶する。
本発明によるプリアライメント工程を図１に示す半導体
露光装置に適用した例を説明する。まずステップＳＳ１
においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をフ
ォーカス計測中心がウエハ中心に位置するように駆動す
る。次にステップＳＳ２において前記フォーカス検出系
によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したウエ
ハ中心の高さを制御演算装置９に記憶する。
【００１９】次にステップＳＳ４においてアライメント
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はス
テップＳＳ２において制御演算装置９に記憶したウエハ
中心の高さを用いて算出した該アライメントマークのベ
ストフォーカス位置へ駆動する。次にステップＳＳ５に
おいて顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行な
う。
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はス
テップＳＳ２において制御演算装置９に記憶したウエハ
中心の高さを用いて算出した該アライメントマークのベ
ストフォーカス位置へ駆動する。次にステップＳＳ５に
おいて顕微鏡７によりアライメントマーク計測を行な
う。
【００２０】次にステップＳＳ６において全アライメン
トマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェック
を行ない、終了していない時はステップＳＳ４からステ
ップＳＳ５の動作を繰り返す。ステップＳＳ６で全アラ
イメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリ
アライメント工程を終了する。
トマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェック
を行ない、終了していない時はステップＳＳ４からステ
ップＳＳ５の動作を繰り返す。ステップＳＳ６で全アラ
イメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリ
アライメント工程を終了する。
【００２１】ここで、前記ステップＳＳ４のべストフォ
ーカス位置算出方法について図９を用いて捕捉説明す
る。図９はウエハ１２上のマークＭを顕微鏡７で計測す
る時のθＺステージ１４の駆動量を説明するための図で
ある。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはアライメントマーク、
（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭのウエハ中心Ｃを原
点とする座標、ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍはアラ
イメントマークＭの高さ、ｚｂは顕微鏡７のべストフォ
ーカス位置で、顕微鏡７によりー意に決まる定数であり
制御演算装置９に記憶されている定数である。前記ステ
ップＳＳ４においてフォーカス計測により求められるの
は、図９に示すウエハ中心Ｃの高さｚｃである。
ーカス位置算出方法について図９を用いて捕捉説明す
る。図９はウエハ１２上のマークＭを顕微鏡７で計測す
る時のθＺステージ１４の駆動量を説明するための図で
ある。図中Ｃはウエハ中心、Ｍはアライメントマーク、
（ｘ，ｙ）はアライメントマークＭのウエハ中心Ｃを原
点とする座標、ｚｃはウエハ中心Ｃの高さ、ｚｍはアラ
イメントマークＭの高さ、ｚｂは顕微鏡７のべストフォ
ーカス位置で、顕微鏡７によりー意に決まる定数であり
制御演算装置９に記憶されている定数である。前記ステ
ップＳＳ４においてフォーカス計測により求められるの
は、図９に示すウエハ中心Ｃの高さｚｃである。
【００２２】ここで、求めるべきアライメントマークＭ
を計測するためのθＺステージ１４の駆動量をＺＭと定
義する。アライメントマークＭを計測するためのθＺス
テージ１４の駆動量ＺＭはベストフォーカス位置ｚｂと
アライメントマークＭの高さｚｍの差分であり、
を計測するためのθＺステージ１４の駆動量をＺＭと定
義する。アライメントマークＭを計測するためのθＺス
テージ１４の駆動量ＺＭはベストフォーカス位置ｚｂと
アライメントマークＭの高さｚｍの差分であり、
【００２３】
【数３】 で表わされる。
【００２４】次に式（２）に近似式（１）を適用する。
ここで、近似式（１）中の前記ウエハ１２のＸ方向の傾
きωｘおよびｙ方向の傾きωｙは上述のようにθＺステ
ージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演
算装置９に記憶されている定数である。最終的に、式
（２）に近似式（１）を適用してアライメントマークＭ
を計測するためのθＺステージ１４の駆動量ＺＭをウエ
ハ中心Ｃの高さｚｃ、べストフォーカス位置ｚｂ、ｘ方
向の傾きωｘ、ｙ方向の傾きωｙを用いて求めると、
ここで、近似式（１）中の前記ウエハ１２のＸ方向の傾
きωｘおよびｙ方向の傾きωｙは上述のようにθＺステ
ージ１４の傾きによってー意に決まる値であり、制御演
算装置９に記憶されている定数である。最終的に、式
（２）に近似式（１）を適用してアライメントマークＭ
を計測するためのθＺステージ１４の駆動量ＺＭをウエ
ハ中心Ｃの高さｚｃ、べストフォーカス位置ｚｂ、ｘ方
向の傾きωｘ、ｙ方向の傾きωｙを用いて求めると、
【００２５】
【数４】 で表わすことが出来る。
【００２６】以上述べてきた本発明による第１の実施例
ではウエハ１２の傾きを直線による近似式（１）を用い
て算出する方法で説明してきたが、θＺステージ１４の
形状に対応した最適な近似式を用いて本発明を適用する
ことにより様々なシステムに対応した効率のよい位置合
わせ工程を実現することが可能となる。
ではウエハ１２の傾きを直線による近似式（１）を用い
て算出する方法で説明してきたが、θＺステージ１４の
形状に対応した最適な近似式を用いて本発明を適用する
ことにより様々なシステムに対応した効率のよい位置合
わせ工程を実現することが可能となる。
【００２７】実施例２ 前記実施例１では露光処理工程が進みウエハ表面の変形
の進んだウエハではウエハの変形を近似することが困難
になる。以下にかかる問題を考慮した本発明による位置
合わせ方法の第２の実施例について述べる。
の進んだウエハではウエハの変形を近似することが困難
になる。以下にかかる問題を考慮した本発明による位置
合わせ方法の第２の実施例について述べる。
【００２８】図１０は第２の実施例のプリアライメント
工程を示すフローチャートで、図中（Ｆ１）は１枚目の
ウエハのプリアライメント工程を示すフローチャート、
（Ｆ２）は２枚目以降のウエハのプリアライメント工程
を示すフローチャートである。以下に図１０を用いて図
１に示す半導体露光装置に適用した場合の本発明による
第２の実施例を述べる。
工程を示すフローチャートで、図中（Ｆ１）は１枚目の
ウエハのプリアライメント工程を示すフローチャート、
（Ｆ２）は２枚目以降のウエハのプリアライメント工程
を示すフローチャートである。以下に図１０を用いて図
１に示す半導体露光装置に適用した場合の本発明による
第２の実施例を述べる。
【００２９】最初に（Ｆ１）を用いて１枚目のウエハの
プリアライメント工程を説明する。まずステップＳ１１
においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をア
ライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆
動する。次にステップＳ１２において前記フォーカス検
出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測した
アライメントマークの高さを制御演算装置９に記憶す
る。ここで、該１枚目のウエハのＮ個目のアライメント
マークの高さをＺ［Ｎ］と定義する。
プリアライメント工程を説明する。まずステップＳ１１
においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４をア
ライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆
動する。次にステップＳ１２において前記フォーカス検
出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測した
アライメントマークの高さを制御演算装置９に記憶す
る。ここで、該１枚目のウエハのＮ個目のアライメント
マークの高さをＺ［Ｎ］と定義する。
【００３０】次にステップＳ１３において全アライメン
トマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェック
を行ない、終了していない時はステップＳ１１からステ
ップＳ１２の動作を繰り返す。ステップＳ１３で全アラ
イメントマークのフォーカス計測が終了していたらステ
ップＳ１４に進みアライメントマークの計測を行なう。
トマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェック
を行ない、終了していない時はステップＳ１１からステ
ップＳ１２の動作を繰り返す。ステップＳ１３で全アラ
イメントマークのフォーカス計測が終了していたらステ
ップＳ１４に進みアライメントマークの計測を行なう。
【００３１】次にステップＳ１４においてアライメント
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はス
テップＳ１１からステップＳ１２において制御演算装置
９に記憶したアライメントマークの高さＺ［Ｎ］を用い
て算出した該アライメントマークのべストフォーカス位
置へ駆動する。次にステップＳ１５において顕微鏡７に
よりアライメントマーク計測を行なう。次にステップＳ
１６において全アライメントマークのフォーカス計測が
終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時
はステップＳ１４からステップＳ１５の動作を繰り返
す。ステップＳ１６で全アライメントマークのフォーカ
ス計測が終了していたら１枚目のウエハのプリアライメ
ント工程を終了する。
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４はス
テップＳ１１からステップＳ１２において制御演算装置
９に記憶したアライメントマークの高さＺ［Ｎ］を用い
て算出した該アライメントマークのべストフォーカス位
置へ駆動する。次にステップＳ１５において顕微鏡７に
よりアライメントマーク計測を行なう。次にステップＳ
１６において全アライメントマークのフォーカス計測が
終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時
はステップＳ１４からステップＳ１５の動作を繰り返
す。ステップＳ１６で全アライメントマークのフォーカ
ス計測が終了していたら１枚目のウエハのプリアライメ
ント工程を終了する。
【００３２】次に（Ｆ２）を用いて２枚目以降のウエハ
のプリアライメント工程を説明する。まずステップＳ２
１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４を
１ショット目のアライメントマーク位置でフォーカス計
測できる位置に駆動する。次にステップＳ２２において
前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。
この際、計測した１ショット目のアライメントマークの
高さを制御演算装置９に記憶する。ここで、該計測され
た１ショット目のアライメントマークの高さをＺ１と定
義する。
のプリアライメント工程を説明する。まずステップＳ２
１においてフォーカス計測のためにＸＹステージ１４を
１ショット目のアライメントマーク位置でフォーカス計
測できる位置に駆動する。次にステップＳ２２において
前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。
この際、計測した１ショット目のアライメントマークの
高さを制御演算装置９に記憶する。ここで、該計測され
た１ショット目のアライメントマークの高さをＺ１と定
義する。
【００３３】次にステップＳ２３においてアライメント
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４は
（Ｆ１）に示すフローチャートのステップＳ１１からス
テップＳ１２において、制御演算装置９に記憶したアラ
イメントマークの高さＺ［Ｎ］およびステップＳ２２に
おいて記憶した１ショット目のアライメントマークの高
さＺ１を用いて算出した該アライメントマークのベスト
フォーカス位置へ駆動する。
マーク計測のためにＸＹステージ１５およびθＺステー
ジ１４をアライメントマークが顕微鏡７の検出領域に位
置するように駆動する。この際、θＺステージ１４は
（Ｆ１）に示すフローチャートのステップＳ１１からス
テップＳ１２において、制御演算装置９に記憶したアラ
イメントマークの高さＺ［Ｎ］およびステップＳ２２に
おいて記憶した１ショット目のアライメントマークの高
さＺ１を用いて算出した該アライメントマークのベスト
フォーカス位置へ駆動する。
【００３４】次にステップＳ２４において顕微鏡７によ
りアライメントマーク計測を行なう。次にステップＳ２
５において全アライメントマークのフォーカス計測が終
了したかどうかチェックを行ない、終了していない時は
ステップＳ２３からステップＳ２４の動作を繰り返す。
ステップＳ２５で全アライメントマークのフォーカス計
測が終了していたらウエハのプリアライメント工程を終
了する。
りアライメントマーク計測を行なう。次にステップＳ２
５において全アライメントマークのフォーカス計測が終
了したかどうかチェックを行ない、終了していない時は
ステップＳ２３からステップＳ２４の動作を繰り返す。
ステップＳ２５で全アライメントマークのフォーカス計
測が終了していたらウエハのプリアライメント工程を終
了する。
【００３５】前記ステップＳ２３における２枚目以降の
べストフォーカス位置算出方法について捕捉説明する。
まず記憶した１枚目のウエハのアライメントマーク高さ
Ｚ［Ｎ］のデータから１ショット目のアライメントショ
ットの高さとＮショット目のアライメントマークの高さ
の差を求める。該高さの差をΔＺ［Ｎ］と定義すると、
べストフォーカス位置算出方法について捕捉説明する。
まず記憶した１枚目のウエハのアライメントマーク高さ
Ｚ［Ｎ］のデータから１ショット目のアライメントショ
ットの高さとＮショット目のアライメントマークの高さ
の差を求める。該高さの差をΔＺ［Ｎ］と定義すると、
【００３６】
【数５】 で表わすことができる。
【００３７】ここで、同じ処理工程を経た同ーロットの
ウエハにおいてはウエハの変形は同様に進んでいるもの
と考えられる。従って、各アライメントショット間の高
さの位置関係は２枚目以降のウエハにおいても１枚目の
ウエハと同様であるといえる。すなわち、２枚目以降の
Ｎショット目のアライメントマークの高さをＺｎ［Ｎ］
と定義すると、
ウエハにおいてはウエハの変形は同様に進んでいるもの
と考えられる。従って、各アライメントショット間の高
さの位置関係は２枚目以降のウエハにおいても１枚目の
ウエハと同様であるといえる。すなわち、２枚目以降の
Ｎショット目のアライメントマークの高さをＺｎ［Ｎ］
と定義すると、
【００３８】
【数６】 で表わすことができる。
【００３９】以上の事を用いて、求めるべき２枚目以降
のＮショット目のアライメントマークを計測するための
θＺステージ１４の駆動量をＺＮとすると、θＺステー
ジ１４の駆動量ＺＮはベストフォーカス位置ｚｂとアラ
イメントマーク高さＺｎ［Ｎ］の差分、すなわち、
のＮショット目のアライメントマークを計測するための
θＺステージ１４の駆動量をＺＮとすると、θＺステー
ジ１４の駆動量ＺＮはベストフォーカス位置ｚｂとアラ
イメントマーク高さＺｎ［Ｎ］の差分、すなわち、
【００４０】
【数７】 で表わされる。
【００４１】最終的に、式（４）および式（５）を式
（６）に適用して２枚目以降のＮショット目のアライメ
ントマークを計測するためのθＺステージ１４の駆動量
ＺＮをベストフォーカス位置ｚｂ、１枚目のウエハのＮ
ショット目のアライメントマーク高さＺ［Ｎ］、２枚目
以降の１ショット目のアライメントマークの高さＺ１を
用いて、
（６）に適用して２枚目以降のＮショット目のアライメ
ントマークを計測するためのθＺステージ１４の駆動量
ＺＮをベストフォーカス位置ｚｂ、１枚目のウエハのＮ
ショット目のアライメントマーク高さＺ［Ｎ］、２枚目
以降の１ショット目のアライメントマークの高さＺ１を
用いて、
【００４２】
【数８】 で表わすことができる。
【００４３】以上説明してきたように、同ーロット内の
ウエハの処理においては処理する１枚目のウエハのアラ
イメントマークの高さの位置関係を２枚目以降のウエハ
に適用することにより、ウエハの変形の影響を受ける事
なく各工程に最適で効率の良い位置合わせ工程が実現で
きる。
ウエハの処理においては処理する１枚目のウエハのアラ
イメントマークの高さの位置関係を２枚目以降のウエハ
に適用することにより、ウエハの変形の影響を受ける事
なく各工程に最適で効率の良い位置合わせ工程が実現で
きる。
【００４４】デバイス生産方法の実施例 次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデ
バイスの生産方法の実施例を説明する。図１１は微小デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、
ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスの
パターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計したパターンを形成したマスクを製作する。ー方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
バイスの生産方法の実施例を説明する。図１１は微小デ
バイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、
ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造の
フローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスの
パターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では
設計したパターンを形成したマスクを製作する。ー方、
ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロ
セス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ
を用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の
回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程
と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用い
て半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程
（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程
（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）で
はステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テ
スト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を
経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ
７）される。
【００４５】図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置
を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したアライメント装置
を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成
される。
【００４６】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造す
ることができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明による位置合わせ方法によれば基
板の傾きおよび基板の変形の影響を受ける事なく常に効
率の良い位置合わせ工程が実現できる。
板の傾きおよび基板の変形の影響を受ける事なく常に効
率の良い位置合わせ工程が実現できる。
【図１】 本発明の適用対象の一例である半導体露光装
置の概略を示すブロック図である。
置の概略を示すブロック図である。
【図２】 図１に示す半導体露光装置のＸＹステージの
詳細を示す図である。
詳細を示す図である。
【図３】 ウエハの変形を示す図である。
【図４】 従来のアライメント方法におけるプリアライ
メント工程を示すフローチャートである。
メント工程を示すフローチャートである。
【図５】 本発明の第１の実施例によるプリアライメン
ト工程を示すフローチャートである。
ト工程を示すフローチャートである。
【図６】 ウエハの傾きを示す図である。
【図７】 ウエハ上のアライメントマーク位置を示す図
である。
である。
【図８】 ウエハの断面を示す図である。
【図９】 アライメントマーク計測時のθΖステージの
駆動量を示す図である。
駆動量を示す図である。
【図１０】 本発明の第２の実施例によるプリアライメ
ント工程を示すフローチャートである。
ント工程を示すフローチャートである。
【図１１】 微小デバイスの製造の流れを示す図であ
る。
る。
【図１２】 図１１におけるウエハプロセスの詳細な流
れを示す図である。
れを示す図である。
１：レチクル、２：縮小投影レンズ、３：フォーカス光
源ユニット、４：ミラー、５：フォーカス受光ユニッ
ト、６：フォーカス制御装置、７：顕微鏡、８：検出装
置、９：制御演算装置、１０：ＸＹθＺステージ制御装
置、１１：操作端末、１２：ウエハ、１３：微小θＺス
テージ、１４：θＺステージ、１５：ＸＹステージ、ω
ｘ：ｘ方向のウエハの傾き、ωｙ：ｙ方向のウエハの傾
き、Ｃ：ウエハ中心、Ｍ：アライメントマーク、ｚｃ：
ウエハ中心の高さ、ｚｍ：アライメントマークの高さ、
ｚｂ：顕微鏡のベストフォーカス位置。
源ユニット、４：ミラー、５：フォーカス受光ユニッ
ト、６：フォーカス制御装置、７：顕微鏡、８：検出装
置、９：制御演算装置、１０：ＸＹθＺステージ制御装
置、１１：操作端末、１２：ウエハ、１３：微小θＺス
テージ、１４：θＺステージ、１５：ＸＹステージ、ω
ｘ：ｘ方向のウエハの傾き、ωｙ：ｙ方向のウエハの傾
き、Ｃ：ウエハ中心、Ｍ：アライメントマーク、ｚｃ：
ウエハ中心の高さ、ｚｍ：アライメントマークの高さ、
ｚｂ：顕微鏡のベストフォーカス位置。
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の基板を保持しながら回転方向およ
び高さ方向に基板を駆動するθΖステージと、前記基板
を保持しながら所定の直交座標系内で２次元移動する基
板ステージと、前記直交座標系内に検出中心を有し前記
基板に設けられているアライメントマークを検出する位
置検出手段と、前記直交座標系内で前記位置検出手段と
は異なる位置に検出中心を有し前記基板表面の高さを検
出するフォーカス計測手段とを有する位置合わせ装置に
適用される位置合わせ方法おいて、 所定の配列座標系に従って２次元に配列された複数のシ
ョット領域有し該複数のショット領域のそれぞれのショ
ットにアライメント用のマークを有する基板を位置合わ
せする工程内で、前記アライメントマーク検出時の前記
基板表面の高さを位置決めする際に、複数のアライメン
トショットのうちの１ショットのアライメントマーク高
さを前記フォーカス計測手段で検出し、他ショットのア
ライメントマークの高さは該検出した１ショットのアラ
イメントマークの高さと予め求められた前記基板の傾き
から算出することを特徴とする位置合わせ方法。 - 【請求項２】 複数の基板を連続して処理する場合にお
いて、前記基板の位置合わせ工程内でアライメントマー
ク検出時の前記基板表面の高さを位置決めする際に、１
枚目の基板については全アライメントマークの高さを検
出し、２枚目以降は１ショットのアライメントマーク高
さのみを検出し他ショットのアライメントマークの高さ
を決める際に、該検出した１ショットのアライメントマ
ークの高さと前記１枚目の対応するショットのアライメ
ントマークの高さから該他ショットの高さを算出するこ
とを特徴とする請求項１に記載の位置合わせ方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の位置合わせ方
法を用いて基板をプリアライメントすることを特徴とす
るデバイス露光装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のデバイス露光装置を用
いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27335597A JP3815759B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27335597A JP3815759B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197342A true JPH1197342A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3815759B2 JP3815759B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=17526752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27335597A Expired - Fee Related JP3815759B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3815759B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077012A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-23 | Canon Inc | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2003012518A3 (en) * | 2001-07-31 | 2003-07-03 | Interscope Technologies Inc | A system for creating microscopic digital montage images |
| US7212660B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-05-01 | Clarient, Inc. | System and method for finding regions of interest for microscopic digital montage imaging |
| JP2014099562A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| CN113495433A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 铠侠股份有限公司 | 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5498243B2 (ja) * | 2010-05-07 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP27335597A patent/JP3815759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001077012A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-23 | Canon Inc | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
| US7155049B2 (en) | 2001-01-11 | 2006-12-26 | Trestle Acquisition Corp. | System for creating microscopic digital montage images |
| US7212660B2 (en) | 2001-01-11 | 2007-05-01 | Clarient, Inc. | System and method for finding regions of interest for microscopic digital montage imaging |
| US7421102B2 (en) | 2001-01-11 | 2008-09-02 | Carl Zeiss Microimaging Ais, Inc. | System and method for finding regions of interest for microscopic digital montage imaging |
| US7869641B2 (en) | 2001-01-11 | 2011-01-11 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | System and method for finding regions of interest for microscopic digital montage imaging |
| US7876948B2 (en) | 2001-01-11 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Microimaging Gmbh | System for creating microscopic digital montage images |
| WO2003012518A3 (en) * | 2001-07-31 | 2003-07-03 | Interscope Technologies Inc | A system for creating microscopic digital montage images |
| JP2014099562A (ja) * | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Canon Inc | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
| CN113495433A (zh) * | 2020-03-19 | 2021-10-12 | 铠侠股份有限公司 | 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法 |
| CN113495433B (zh) * | 2020-03-19 | 2023-08-18 | 铠侠股份有限公司 | 曝光方法、曝光装置及半导体装置的制造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3815759B2 (ja) | 2006-08-30 |
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