JP3815759B2 - 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法、基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置、および該露光装置を用いたデバイス製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図1に半導体露光装置のー例を示す。該半導体露光装置の位置合わせはプリアライメント工程と精密アライメント工程の二工程から成る。
プリアライメント工程では顕微鏡7によりアライメントマークの検出を行なうのだが、この際顕微鏡7のベストフォーカス位置にθZステージ14を駆動するためには、θZステージの駆動再現性のバラツキやウエハ厚のバラツキが存在するため、1枚毎にフォーカス計測をする必要がある。従ってプリアライメント工程ではまずウエハ12はθZステージ14によって吸着保持された状態でXYステージ15により投影レンズ2下に移動し、フォーカス光源ユニット3、ミラー4、フォーカス受光ユニット5およびフォーカス制御装置6からなるフォーカス検出系によりウエハ12の表面高さを計測する。その後XYステージ15によりウエハ12を顕微鏡7の下に移動して、該計測した高さからアライメントマーク検出時のウエハ12表面の位置が顕微鏡7のべストフォーカス位置を算出し、該算出したべストフォーカス位置にθZステージ14を駆動してウエハ12上のアライメントマークを検出しウエハ12のずれ量を算出し位置合わせを行なう。
【0003】
プリアライメント工程終了後にθZステージ14から微小θZステージ13にウエハ12を受け渡し、前記フォーカス検出系と同じ検出領域を持つ不図示の高倍顕微鏡により精密な位置合わせ工程を行なう。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】
図2に図1の半導体露光装置のウエハステージの詳細を示す。このウエハステージは、微小θZステージ13、θZステージ14およびXYステージ15により構成される。θZステージ14は微小θZステージ13とは独立して駆動できる構造になっており、該ウエハステージ上へウエハ12を供給する際にはθZステージ14が微小θステージ13よりも高い位置に駆動され、ウエハ12はθZステージ14に吸着保持される。このウエハ12がθZステージ14に吸着保持された状態でプリアライメント工程を行なう。プリアライメントエ程が終了した後θZステージ14を下の方向に、微小θステージ13を上の方向に駆動することによりウエハ12は微小θステージ13に受け渡されて吸着保持され、次の精密アライメント工程へ進む。
【0005】
前記プリアライメント工程においてθZステージ14に吸着保持されたウエハ12は、θZステージ14自体の傾き、θZステージ14の構造、ウエハ12の自重によるたわみ、重ね焼き工程によるウエハ12の変形などにより、ウエハ12の表面高さを水平に保つことは困難である。図3にθZステージ14上のウエハ12の状態を示す。このためアライメントマーク位置に依存してアライメントマーク検出時のベストフォーカス位置におけるθZステージ14のZ位置が異なるため、プリアライメント工程内のフォーカス計測時には複数のアライメントマーク各々について高さを計測する必要がある。
【0006】
図4に従来の方法によるプリアライメント工程のフローチャートを示す。以下に図4を用いて従来の方法によるプリアライメント工程を説明する。
まずステップS1においてフォーカス計測のためにXYステージ14をアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップS2において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したアライメントマークの高さを制御演算装置9に記憶する。次にステップS3において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップS1からステップS2の動作を繰り返す。ステップS3で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらステップS4に進みアライメントマークの位置計測を行なう。
【0007】
ステップS4においてアライメントマーク計測のためにXYステージ15およびθZステージ14をアライメントマークが顕微鏡7の検出領域に位置するように駆動する。この際、θZステージ14はステップS1からステップS2において制御演算装置9に記憶したアライメントマークの高さを用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップS5において顕微鏡7によりアライメントマーク計測を行なう。次にステップS6において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップS4からステップS5の動作を繰り返す。ステップS6で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアライメント工程を終了する。
【0008】
以上説明した従来の方法では全アライメントマークのフォーカス計測を繰り返すために、プリアライメント工程の処理の効率を悪くしている。特に半導体露光装置のように大量のウエハを処理する装置においては処理能力を著しく損ねてしまう。
【0009】
本発明は、上述の従来例における問題点に鑑みてなされたもので、効率の良いアライメントマーク検出技術を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため本発明の検出方法は、基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法において、
前記基板ステージに配された第1の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さを計測する第1の計測段階と、
前記基板ステージに配された、前記第1の基板とは異なる第2の基板に関し、該基板上の1箇所の高さを計測する第2の計測段階と、
前記第1の計測段階で計測された複数箇所それぞれの高さの情報、および前記第2の計測段階で計測された1箇所の高さの情報に基づいて、前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する算出段階と、
前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記算出段階で算出された前記駆動量に基づき、前記基板ステージを高さ方向に駆動する駆動段階と、
前記駆動段階での前記基板ステージの駆動により移動したアライメントマークを、前記顕微鏡を介して検出する検出段階と
を有することを特徴とする。
【0011】
さらに、本発明の露光装置は、基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された基板の高さを計測する計測手段と、
顕微鏡を含み、前記基板ステージに保持された基板に設けられたアライメントマークの位置を検出する検出手段と、
前記基板ステージ、前記計測手段、および前記検出手段の動作を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された第1の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さの情報を得、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された、前記第1の基板とは異なる第2の基板に関し、該基板上の1箇所の高さの情報を得、
前記複数箇所それぞれの高さの情報、および前記1箇所の高さの情報に基づいて、前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出し、
前記駆動量の情報に基づき、前記基板ステージを高さ方向に移動させ、
前記駆動量の情報に基づく前記基板ステージの移動により移動した前記アライメントマークの位置を前記検出手段に検出させることを特徴とする。
さらに、本発明のデバイス製造方法は、前記露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とする。
【0013】
【実施例】
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明する。
実施例1
図1は、本発明の実施例の適用対象である半導体露光装置の概略ブロック図を示す。同図において、1はレチクル、2は縮小投影レンズ、3はフォーカス光源ユニット、4はミラー、5はフォーカス受光ユニット、6はフォーカス制御装置、7は顕微鏡、8は検出装置、9は制御演算装置、10はXYθZステージ制御装置、11は操作端末、12はウエハ、13は微小θZステージ、14はθZステージ、15はXYステージである。フォーカス光源ユニット3、ミラー4、フォーカス受光ユニット5およびフォーカス制御装置6は、フォーカス検出系を構成し、微小θZステージ13、θZステージ14およびXYステージ15はウエハステージを構成している。
【0014】
図5に本発明の第ーの実施例に係るフローチャート、図6〜図8にウエハの傾きを説明するモデルを示す。
まず、図6〜図8を用いて1つのアライメントマークの高さから他のアライメントマークの高さを算出する方法について説明する。図6はθZステージ14上のウエハ12の傾きを示す。図中x方向の傾きをωx、y方向の傾きをωyで表わす。図7はウエハ上のアライメントマーク配置を示す。図中Cはウエハ中心、Mはアライメントマーク、(x,y)はアライメントマークMの座標を表わす。図8に図7に示すウエハのA−A’の断面図を示す。図中zcはウエハ中心Cの高さ、zmはアライメントマークMの高さを表わす。図6〜図8に示すウエハの傾きのモデルにおいてアライメントマークMの高さzmをウエハ中心Cの高さzcを用いてx方向、y方向のそれぞれにー次的に傾いていると近似して算出すると、
【0015】
【数1】
で表わされる。
【0016】
ここで、近似式(1)中の前記ウエハ12のX方向の傾きωxおよびy方向の傾きωyはθZステージ14の傾きによってー意に決まる値であり、制御演算装置9に記憶されている定数である。ωxおよびωyを求めるには、例えばガラスウエハ等の平面度が優れた基板をθZステージ14上に保持し、該基板上の3点の高さをフォーカス検出系3〜6により計測して算出する。すなわち、基板上の3点として例えば図7に示すC(0,0)、Px(x1,0)およびPy(0,y1)を選択し、これら3点の高さをフォーカス検出系3〜6により計測した結果をZ0、ZxおよびZyとすると、
【0017】
【数2】
となる。
【0018】
次に、図5に示すフローチャートを用いて本発明によるプリアライメント工程を図1に示す半導体露光装置に適用した例を説明する。
まずステップSS1においてフォーカス計測のためにXYステージ14をフォーカス計測中心がウエハ中心に位置するように駆動する。
次にステップSS2において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したウエハ中心の高さを制御演算装置9に記憶する。
【0019】
次にステップSS4においてアライメントマーク計測のためにXYステージ15およびθZステージ14をアライメントマークが顕微鏡7の検出領域に位置するように駆動する。この際、θZステージ14はステップSS2において制御演算装置9に記憶したウエハ中心の高さを用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップSS5において顕微鏡7によりアライメントマーク計測を行なう。
【0020】
次にステップSS6において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップSS4からステップSS5の動作を繰り返す。ステップSS6で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらプリアライメント工程を終了する。
【0021】
ここで、前記ステップSS4のべストフォーカス位置算出方法について図9を用いて捕捉説明する。
図9はウエハ12上のマークMを顕微鏡7で計測する時のθZステージ14の駆動量を説明するための図である。図中Cはウエハ中心、Mはアライメントマーク、(x,y)はアライメントマークMのウエハ中心Cを原点とする座標、zcはウエハ中心Cの高さ、zmはアライメントマークMの高さ、zbは顕微鏡7のべストフォーカス位置で、顕微鏡7によりー意に決まる定数であり制御演算装置9に記憶されている定数である。前記ステップSS4においてフォーカス計測により求められるのは、図9に示すウエハ中心Cの高さzcである。
【0022】
ここで、求めるべきアライメントマークMを計測するためのθZステージ14の駆動量をZMと定義する。アライメントマークMを計測するためのθZステージ14の駆動量ZMはベストフォーカス位置zbとアライメントマークMの高さzmの差分であり、
【0023】
【数3】
で表わされる。
【0024】
次に式(2)に近似式(1)を適用する。ここで、近似式(1)中の前記ウエハ12のX方向の傾きωxおよびy方向の傾きωyは上述のようにθZステージ14の傾きによってー意に決まる値であり、制御演算装置9に記憶されている定数である。最終的に、式(2)に近似式(1)を適用してアライメントマークMを計測するためのθZステージ14の駆動量ZMをウエハ中心Cの高さzc、べストフォーカス位置zb、x方向の傾きωx、y方向の傾きωyを用いて求めると、
【0025】
【数4】
で表わすことが出来る。
【0026】
以上述べてきた本発明による第1の実施例ではウエハ12の傾きを直線による近似式(1)を用いて算出する方法で説明してきたが、θZステージ14の形状に対応した最適な近似式を用いて本発明を適用することにより様々なシステムに対応した効率のよい位置合わせ工程を実現することが可能となる。
【0027】
実施例2
前記実施例1では露光処理工程が進みウエハ表面の変形の進んだウエハではウエハの変形を近似することが困難になる。以下にかかる問題を考慮した本発明による位置合わせ方法の第2の実施例について述べる。
【0028】
図10は第2の実施例のプリアライメント工程を示すフローチャートで、図中(F1)は1枚目のウエハのプリアライメント工程を示すフローチャート、(F2)は2枚目以降のウエハのプリアライメント工程を示すフローチャートである。以下に図10を用いて図1に示す半導体露光装置に適用した場合の本発明による第2の実施例を述べる。
【0029】
最初に(F1)を用いて1枚目のウエハのプリアライメント工程を説明する。まずステップS11においてフォーカス計測のためにXYステージ14をアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップS12において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測したアライメントマークの高さを制御演算装置9に記憶する。
ここで、該1枚目のウエハのN個目のアライメントマークの高さをZ[N]と定義する。
【0030】
次にステップS13において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップS11からステップS12の動作を繰り返す。ステップS13で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらステップS14に進みアライメントマークの計測を行なう。
【0031】
次にステップS14においてアライメントマーク計測のためにXYステージ15およびθZステージ14をアライメントマークが顕微鏡7の検出領域に位置するように駆動する。この際、θZステージ14はステップS11からステップS12において制御演算装置9に記憶したアライメントマークの高さZ[N]を用いて算出した該アライメントマークのべストフォーカス位置へ駆動する。
次にステップS15において顕微鏡7によりアライメントマーク計測を行なう。
次にステップS16において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップS14からステップS15の動作を繰り返す。ステップS16で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたら1枚目のウエハのプリアライメント工程を終了する。
【0032】
次に(F2)を用いて2枚目以降のウエハのプリアライメント工程を説明する。
まずステップS21においてフォーカス計測のためにXYステージ14を1ショット目のアライメントマーク位置でフォーカス計測できる位置に駆動する。
次にステップS22において前記フォーカス検出系によりフォーカス計測を行なう。この際、計測した1ショット目のアライメントマークの高さを制御演算装置9に記憶する。
ここで、該計測された1ショット目のアライメントマークの高さをZ1と定義する。
【0033】
次にステップS23においてアライメントマーク計測のためにXYステージ15およびθZステージ14をアライメントマークが顕微鏡7の検出領域に位置するように駆動する。この際、θZステージ14は(F1)に示すフローチャートのステップS11からステップS12において、制御演算装置9に記憶したアライメントマークの高さZ[N]およびステップS22において記憶した1ショット目のアライメントマークの高さZ1を用いて算出した該アライメントマークのベストフォーカス位置へ駆動する。
【0034】
次にステップS24において顕微鏡7によりアライメントマーク計測を行なう。
次にステップS25において全アライメントマークのフォーカス計測が終了したかどうかチェックを行ない、終了していない時はステップS23からステップS24の動作を繰り返す。ステップS25で全アライメントマークのフォーカス計測が終了していたらウエハのプリアライメント工程を終了する。
【0035】
前記ステップS23における2枚目以降のべストフォーカス位置算出方法について捕捉説明する。
まず記憶した1枚目のウエハのアライメントマーク高さZ[N]のデータから1ショット目のアライメントショットの高さとNショット目のアライメントマークの高さの差を求める。該高さの差をΔZ[N]と定義すると、
【0036】
【数5】
で表わすことができる。
【0037】
ここで、同じ処理工程を経た同ーロットのウエハにおいてはウエハの変形は同様に進んでいるものと考えられる。従って、各アライメントショット間の高さの位置関係は2枚目以降のウエハにおいても1枚目のウエハと同様であるといえる。すなわち、2枚目以降のNショット目のアライメントマークの高さをZn[N]と定義すると、
【0038】
【数6】
で表わすことができる。
【0039】
以上の事を用いて、求めるべき2枚目以降のNショット目のアライメントマークを計測するためのθZステージ14の駆動量をZNとすると、θZステージ14の駆動量ZNはベストフォーカス位置zbとアライメントマーク高さZn[N]の差分、すなわち、
【0040】
【数7】
で表わされる。
【0041】
最終的に、式(4)および式(5)を式(6)に適用して2枚目以降のNショット目のアライメントマークを計測するためのθZステージ14の駆動量ZNをベストフォーカス位置zb、1枚目のウエハのNショット目のアライメントマーク高さZ[N]、2枚目以降の1ショット目のアライメントマークの高さZ1を用いて、
【0042】
【数8】
で表わすことができる。
【0043】
以上説明してきたように、同ーロット内のウエハの処理においては処理する1枚目のウエハのアライメントマークの高さの位置関係を2枚目以降のウエハに適用することにより、ウエハの変形の影響を受ける事なく各工程に最適で効率の良い位置合わせ工程が実現できる。
【0044】
デバイス生産方法の実施例
次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図11は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを形成したマスクを製作する。ー方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0045】
図12は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では上記説明したアライメント装置を有する露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0046】
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【0047】
【発明の効果】
本発明によれば、効率の良いアライメントマーク検出技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の適用対象の一例である半導体露光装置の概略を示すブロック図である。
【図2】 図1に示す半導体露光装置のXYステージの詳細を示す図である。
【図3】 ウエハの変形を示す図である。
【図4】 従来のアライメント方法におけるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図5】 本発明の第1の実施例によるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図6】 ウエハの傾きを示す図である。
【図7】 ウエハ上のアライメントマーク位置を示す図である。
【図8】 ウエハの断面を示す図である。
【図9】 アライメントマーク計測時のθΖステージの駆動量を示す図である。
【図10】 本発明の第2の実施例によるプリアライメント工程を示すフローチャートである。
【図11】 微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図12】 図11におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
1:レチクル、2:縮小投影レンズ、3:フォーカス光源ユニット、4:ミラー、5:フォーカス受光ユニット、6:フォーカス制御装置、7:顕微鏡、8:検出装置、9:制御演算装置、10:XYθZステージ制御装置、11:操作端末、12:ウエハ、13:微小θZステージ、14:θZステージ、15:XYステージ、ωx:x方向のウエハの傾き、ωy:y方向のウエハの傾き、C:ウエハ中心、M:アライメントマーク、zc:ウエハ中心の高さ、zm:アライメントマークの高さ、zb:顕微鏡のベストフォーカス位置。
Claims (6)
- 基板ステージに配された基板に設けられた複数のアライメントマークを、顕微鏡を介して検出する検出方法において、
前記基板ステージに配された第1の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さを計測する第1の計測段階と、
前記基板ステージに配された、前記第1の基板とは異なる第2の基板に関し、該基板上の1箇所の高さを計測する第2の計測段階と、
前記第1の計測段階で計測された複数箇所それぞれの高さの情報、および前記第2の計測段階で計測された1箇所の高さの情報に基づいて、前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する算出段階と、
前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記算出段階で算出された前記駆動量に基づき、前記基板ステージを高さ方向に駆動する駆動段階と、
前記駆動段階での前記基板ステージの駆動により移動したアライメントマークを、前記顕微鏡を介して検出する検出段階と
を有することを特徴とする検出方法。 - 前記第1の計測段階での計測結果に基づき前記基板ステージの傾きを求める段階をさらに有し、
前記算出段階において、前記基板ステージの傾きの情報、前記1箇所の高さの情報、および前記第2の基板上のアライメントマークのあるべき位置の情報に基づいて、前記駆動量を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の検出方法。 - 前記第1の計測段階において、前記第1の基板に設けられた複数のアライメントマークそれぞれの高さを計測し、
前記第2の計測段階において、前記第2の基板に設けられた複数のアライメントマークのうち、1つのアライメントマークの高さを計測し、
前記算出段階において、前記第1の計測段階で計測された複数のアライメントマークそれぞれの高さの情報、および前記第2の計測段階で計測された1つのアライメントマークの高さの情報に基づいて、前記第2の基板に設けられた他のアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出する
ことを特徴とする請求項1に記載の検出方法。 - 前記第1および第2の基板は、同じ処理工程を経た同じロットに属する基板であることを特徴とする請求項3に記載の検出方法。
- 基板に設けられたアライメントマークの位置を検出し、該検出された位置の情報に基づいて前記基板を位置決めし、該位置決めされた基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージに保持された基板の高さを計測する計測手段と、
顕微鏡を含み、前記基板ステージに保持された基板に設けられたアライメントマークの位置を検出する検出手段と、
前記基板ステージ、前記計測手段、および前記検出手段の動作を制御する制御手段と
を有し、
前記制御手段は、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された第1の基板に関し、該基板上の複数箇所の高さの情報を得、
前記基板ステージおよび前記計測手段の動作を制御して、前記基板ステージに配された、前記第1の基板とは異なる第2の基板に関し、該基板上の1箇所の高さの情報を得、
前記複数箇所それぞれの高さの情報、および前記1箇所の高さの情報に基づいて、前記第2の基板に設けられたアライメントマークに関して、前記基板ステージの高さ方向の駆動量を算出し、
前記駆動量の情報に基づき、前記基板ステージを高さ方向に移動させ、
前記駆動量の情報に基づく前記基板ステージの移動により移動した前記アライメントマークの位置を前記検出手段に検出させる
ことを特徴とする露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27335597A JP3815759B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 検出方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197342A JPH1197342A (ja) | 1999-04-09 |
JP3815759B2 true JP3815759B2 (ja) | 2006-08-30 |
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ID=17526752
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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KR101444981B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2014-09-26 | 캐논 가부시끼가이샤 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
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---|---|---|---|---|
JP4434372B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2010-03-17 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
US6993169B2 (en) | 2001-01-11 | 2006-01-31 | Trestle Corporation | System and method for finding regions of interest for microscopic digital montage imaging |
US7155049B2 (en) | 2001-01-11 | 2006-12-26 | Trestle Acquisition Corp. | System for creating microscopic digital montage images |
JP6157093B2 (ja) * | 2012-11-15 | 2017-07-05 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2021149000A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 露光方法、露光装置、及び半導体装置の製造方法 |
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JPH1197342A (ja) | 1999-04-09 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050812 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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