JP3576722B2 - 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法に関し、IC、LSI、CCD、磁気ヘッド、液晶パネル等のデバイスを製造する為のリソグラフィー工程において、第1物体としてのレチクル(マスク)と第2物体としてのウエハとの位置合わせを行った後に、双方を同期して走査することによってレチクル面上のパターンをウエハ面上に順次走査投影露光して高集積度のデバイスを製造する際に好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、IC、LSI等の半導体デバイスの高集積化がますます加速度を増しており、これに伴う半導体ウエハの微細加工技術の中心をなす投影露光装置として、円弧状の露光域を持つ等倍のミラー光学系に対してマスクと感光基板を走査しながら露光する等倍投影露光装置(ミラープロジェクションアライナー)や、マスクのパターン像を屈折光学系により感光基板上に形成し感光基板をステップアンドリピート方式で露光する縮小投影露光装置(ステッパー)等が提案されている。
【0003】
又、最近では高解像力が得られ、かつ画面サイズを拡大できるステップアンドスキャン方式の走査型投影露光装置(露光装置)が種々と提案されている。この走査型露光装置ではレチクル面上のパターンをスリット状光束により照明し、該スリット状光束により照明されたパターンを投影系(投影光学系)を介し、スキャン動作によりウエハ上に露光転写している。
【0004】
一方、投影露光装置においては、レチクルとウエハとの相対的な位置合わせを行った後にレチクル面上のパターンをウエハ面上に投影しており、このときの位置合わせ精度は投影パターン像の高集積化を図るときの重要な要素になっている。このときの位置合わせ方法として、ウエハ上の複数のパターン転写領域(露光転写ショット)の中から代表的なショットを選択、計測することによりウエハの位置情報を得る、所謂グローバルアライメント方式がスループットの点で有利であり推奨されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
最近の半導体デバイスの微細加工の進展は目覚ましく、レチクルとウエハとの位置合わせには高精度な方法が要望されている。一般に位置合わせをより高精度に行うとすると、従来問題にならなかった種々な要素が誤差要因として起因してくる。
【0006】
走査型の投影露光装置において、パターンの焼き付けられたウエハは図4の矢印で示す通り、ウエハ3面上の転写ショット(SH1〜SHn)の中で、ウエハステージが走査露光軸の正方向(図4ではY方向上向き)に走査しながら焼かれた転写ショットと、逆方向(図4ではY方向下向き)に走査しながら焼かれた転写ショットが混在している。これは全ショット同方向に走査露光するにはウエハステージとマスクステージを一旦戻してから露光せねばならず、生産性が落ちてしまう為、必須項目として、走査露光は順逆双方で行っている為である。
【0007】
走査型露光装置としては、この走査方向によるパターン転写位置の差は極力抑えるよう調整されるものではあるが、実際には僅かながら走査方向による違いは残ってしまう。図4中でdsとして示された走査方向の違いによる位置差(距離)は、従来の位置合わせのレベルでは精度上不問であったが、今後の位置合わせの高精度化を鑑みて、無視できなくなってきている。
【0008】
従来のグローバル式を用いたウエハアライメント方法では、この走査方向差によるショットの位置の違いを考慮せずに、図4に示す通り計測ショット(SH1〜SH8)を選択し、ショット配列格子は全ショット同じとして計測結果を演算処理して各ショットの位置情報を導いていた。この為、高精度の位置合わせを行うには、このときの位置差(ds)が位置合わせ精度を大きく低下させる原因となってくる。
【0009】
本発明はレチクル(第1物体)とウエハ(第2物体)との位置合わせ(アライメント)を行った後に、レチクル面のパターンを投影光学系によりウエハ(第2物体)上に走査露光方式を利用して繰り返し走査投影露光する際、ウエハ面の走査露光方向の情報を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行うことによって、高精度な位置合わせを可能とし、これによって高解像力で、しかも大画面への投影露光を容易にした走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法の提供を目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、第1可動ステージに載置した第1物体と、第2可動ステージに載置した第2物体との位置合わせを行い、
照明系からの照明光束で前記第1物体面上のパターンを照明し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する露光方法において、
前記第1物体に形成されたマークを第1検出手段により検出する第1検出工程と、
前記第2物体に形成されたマークを第2検出手段により検出する第2検出工程と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域毎の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする工程とを有することを特徴としている。
請求項2の発明は、第1可動ステージに載置した第1物体と、第2可動ステージに載置した第2物体との位置合わせを行い、
照明系からの照明光束で前記第1物体面上のパターンを照明し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する露光方法において、
前記第1物体に形成されたマークを第1検出手段により検出する第1検出工程と、
前記第2物体に形成されたマークを第2検出手段により検出する第2検出工程と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域より選択した少なくとも3つのパターン転写領域の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする工程とを有することを特徴としている。
【0011】
請求項3の発明は請求項1又は2の発明において、前記第2工程は、前記パターン転写領域内で複数のマークを検出し、前記位置合わせ工程は前記走査方向に関する情報を用いて前記パターン転写領域の形状情報を求め、前記形状情報を用いて前記第1物体と第2物体との位置合わせを行うことを特徴としている。
請求項4の発明は請求項1〜3のいずれか1項の発明において、前記パターン転写領域の前記走査方向と同じ方向に第1物体面上のパターンを走査露光していることを特徴としている。
請求項5の発明のデバイス製造方法は、請求項1〜4のいずれか1項記載の走査型露光方法を用いて、ウエハを露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製造していることを特徴としている。
【0012】
請求項6の発明は、第1物体を載置する第1ステージと、第2物体を載置する第2可動ステージと、第1物体面上のパターンを第2物体上に投影する投影光学系とを有し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを前記投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する走査型露光装置において、
前記第1物体に形成されたマークを検出する第1検出手段と、
前記第2物体に形成されたマークを検出する第2検出手段と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域毎の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする手段とを有することを特徴としている。
【0013】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の走査型露光装置の実施形態1の要部概略図である。
【0014】
本実施形態では第1物体としてのマスク(レチクルともいう。)1と第2物体としてのウエハ3とを投影光学系2の結像倍率に応じて同期をとりながら所定の速度比で走査(スキャン)させながら投影露光を行っている。
【0015】
図1において、露光パターンの形成されたマスク1はレーザー干渉計(不図示)と駆動制御手段103によってX方向に駆動制御されるマスクステージ(第1可動ステージ)4に載置されている。マスクステージ4はZ方向の位置を投影光学系2に対して一定に保った状態でX方向に駆動する。感光基板であるウエハ3はレーザー干渉計(不図示)と駆動制御手段103によってXY方向に駆動制御されるウエハステージ(第2可動ステージ)5に載置されている。更にウエハステージ5はZ方向の位置及び傾きが投影光学系2に対して駆動制御可能となっている。
【0016】
このマスク1とウエハ3は投影光学系2を介して光学的に共役な位置に置かれており、不図示の照明系からY方向に長いスリット状の露光光束6がマスク1上に形成されている。このマスク1上の露光光束6は投影光学系2の投影倍率に比した大きさのスリット状の露光光束6aをウエハ3上に形成するものである。走査型露光装置では、このスリット状の露光光束6及び6aに対してマスクステージ4とウエハステージ5の双方を光学倍率に応じた速度比で同期してX方向に動かし、スリット状の露光光束6及び6aがマスク1上のパターン転写領域21とウエハ3上のパターン転写領域22を走査することによって走査投影露光を行っている。
【0017】
次に、本実施形態において、マスク1とウエハ3との位置合わせ方法について説明する。
【0018】
まず観察顕微鏡7を用いて、マスク1上のパターン21近傍に配置されたマスクマーク41を光電的に観察し、それより得られた信号はマーク検出手段101で処理され、マスクマーク41の位置情報として演算処理回路102に送られる。マスクマーク41の観察時のマスクステージ4の位置情報は、駆動制御手段103より演算処理回路102に送られ、マスクマーク41の位置情報と対応して記憶している。
【0019】
次に、ウエハ3上のパターン転写領域22の位置情報を計測する。本実施形態ではマスクパターン41を観察する観察顕微鏡7を用いてウエハ3上のパターン転写領域22の位置情報を計測しているが、専用の観察顕微鏡を用いてもよく、また投影光学系2を介する必要もないので、所謂完全なオフアクシス顕微鏡を用いてもよい。
【0020】
ウエハ3上のパターン転写領域22の位置情報の計測方法としては、マスクパターン41の場合と同様で、観察顕微鏡7を用いて投影光学系2を介してウエハ3上のパターン転写領域22近傍に配置されたウエハマーク42を光電的に観察する。そして、それより得られた信号はマーク検出手段101で処理され、ウエハマーク42の位置情報として演算処理回路102に送られる。観察時のウエハステージ5の位置情報は駆動制御手段103より演算処理回路102に送られ、ウエハマーク42の位置情報と対応して記憶している。ウエハ3上にはパターン転写領域22が複数あることが多く、その場合は選ばれた複数(少なくとも3つ)のパターン転写領域22に対して、前記計測を繰り返すことによりウエハ3全体の中での全パターン転写領域22の位置情報を得るようにしたグローバルアライメントで行っている。
【0021】
本実施形態では、このグローバルアライメントにおいて選択された計測ショット(パターン転写領域)が、ひとつ前のプロセス製造時に走査露光された方向(前走査露光方向)を情報として用いることを特徴としている。このときの情報の入手方法としては、装置操作者が装置に対してキー入力しても良いし、同じ装置や同一機種で前工程を作成していれば、装置側でどういう走査方向で各パターン転写領域22を露光したか自動判断できる。
【0022】
図2は本実施形態でのグローバルアライメントにおけるウエハ3面上の計測ショットの選択の様子を示す説明図である。
【0023】
同図では、ウエハ3上にパターン転写領域22が32ショット構成されており、その中からグローバルアライメント用の計測ショットとして12ショットが選ばれている。選択された計測ショットは前露光時の走査露光方向として順方向(図中上向き)としてSHU1〜SHU6までの6ショット、走査露光方向の逆方向(図中下向き)としてSHD1〜SHD6の6ショットと均等に配分している。従来のアライメント装置では、この12ショット情報を皆等しく処理していた。これに対して本実施形態では前露光時の走査露光方向として順方向で露光されているパターン転写領域22の位置情報をSHU1〜SHU6までの6ショットで処理して位置情報格子GSUを得ている。また前露光時の走査露光方向として逆方向で露光されているパターン転写領域22の位置情報としてはSHD1〜SHD6までの6ショットで処理して位置情報格子GSDを得ている。
【0024】
パターン21を各パターン転写領域22に走査投影露光する際には、この2つの位置情報格子GSU,GSDのうちの一方を用いて露光する。前工程で順方向に露光されたパターン転写領域22であれば、位置情報格子GSUを用いて演算処理回路102から駆動制御手段103へ指示を出している。そして駆動制御手段103によりマスクステージ4とウエハステージ5の位置を制御して露光している。また前工程で逆方向に露光されたパターン転写領域22であれば、位置情報格子GSDを用いて演算処理回路102から駆動制御手段103へ指示を出している。
【0025】
そして駆動制御手段103によりマスクステージ4とウエハステージ5の位置を制御してマスクとウエハとを位置合わせをして露光している。このように走査露光時に、2つの位置情報格子GSU,GSDを用いることにより、前工程における走査露光方向差で発生したパターン転写領域22の位置誤差dsを良好に補正し、高精度の投影露光を行っている。
【0026】
次に本発明の実施形態2について説明する。
【0027】
本実施形態はウエハの位置合わせを行う際に、複数のパターン転写領域のひとつの領域内で複数の位置情報の計測を実施し、前走査露光方向別にパターン転写領域の形状情報を計測、記憶し、マスク上のパターンを走査投影露光する際に補正を加えることを特徴としている。
【0028】
図3に示す通り、前走査露光方向によって発生する誤差はパターン転写領域中心の位置ずれだけでなく、パターン転写領域全体が回転したり、拡大、縮小したりして全体的な形状変形の誤差も生じている。この誤差も計測し、補正を加えることによって、より高精度なパターン転写領域との整合関係を成立させている。
【0029】
具体的には、本実施形態において実施形態1におけるグローバルアライメント用の計測ショットSHU1〜6、SHD1〜6の各ショットにおいて複数のウエハマーク(図3ではマーク421〜426に相当)の位置情報を計測している。計測結果を前露光時の走査露光方向として順方向で露光されているパターン転写領域22の形状情報としては、SHU1〜SHU6までの6ショットで処理して形状情報格子LSUを得ている。また前露光時の走査露光方向として逆方向で露光されているパターン転写領域22の形状情報としては、SHD1〜SHD6までの6ショットで処理して形状情報格子LSDを得ている。
【0030】
パターン21を各パターン転写領域22に走査投影露光する際には、この2つの形状情報格子LSU,LSDのうちの一方を用いて露光する。前工程で順方向に露光された転写領域22であれば、形状情報格子LSUを用いて演算処理回路102から駆動制御手段103へ指示を出している。そして駆動制御手段103によりマスクステージ4とウエハステージ5の位置を制御して露光している。また前工程で逆方向に露光されたパターン転写領域22であれば、形状情報格子LSDを用いて演算処理回路102から駆動制御手段103へ指示を出している。そして駆動制御手段103によりマスクステージ4とウエハステージ5の位置を制御してマスクとウエハとを位置合わせをして露光している。このように走査露光時に2つの形状情報格子LSU,LSDを用いることにより、前工程における走査露光方向差で発生したパターン転写領域22の形状誤差を良好に補正し、高精度の投影露光を行っている。
【0031】
次に本発明の実施形態3について説明する。
【0032】
本実施形態はパターン転写領域の前走査露光方向と同じ方向にマスク上のパターンを投影露光することを特徴としている。実施形態1,2で示した如く、本発明においては前走査露光の方向差によって発生したウエハ側のパターン転写領域のずれdsを計測することができる。一方、走査投影露光時に、また同様のエラーが発生する場合がある。この誤差は同一の走査型投影露光装置であれば、ある程度同傾向にあると思われるものである。
【0033】
そこで本実施形態では、前走査露光方向と同じ方向にマスク上のパターンを走査投影露光することとしている。走査露光装置が持つ走査露光方向に起因する誤差が各装置共通であれば、この走査露光方向を揃えるだけでも、パターンとパターン転写領域の重ね合わせ誤差は向上する。本実施形態を実施形態1,2と同時に適用しても良く、これによれば更なる効果を期待することができる。
【0034】
次に上記説明した投影露光装置を利用した半導体デバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0035】
図5は半導体デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、或いは液晶パネルやCCD等)の製造のフローを示す。
【0036】
本実施形態において、ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)では設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
【0037】
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、前記用意したマスクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
【0038】
次のステップ5(組立)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。
【0039】
ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
【0040】
図6は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【0041】
ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ16(露光)では前記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【0042】
ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングがすんで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【0043】
尚、本実施形態の製造方法を用いれば、高集積度のデバイスを容易に製造することができる。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば以上のように、レチクル(第1物体)とウエハ(第2物体)との位置合わせ(アライメント)を行った後に、レチクル面のパターンを投影光学系によりウエハ(第2物体)上に走査露光方式を利用して繰り返し走査投影露光する際、ウエハ面の走査露光方向の情報を用いてレチクルとウエハとの位置合わせを行うことによって、高精度な位置合わせを可能とし、これによって高解像力で、しかも大画面への投影露光を容易にした走査型露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1の要部概略図
【図2】本発明を適用した際の計測すべき転写ショットの選択方法の説明図
【図3】本発明における実施形態2に関する説明図
【図4】従来の計測すべき転写ショットの選択の説明図
【図5】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【図6】本発明のデバイスの製造方法のフローチャート
【符号の説明】
1 マスク
2 投影光学系
3 ウエハ
4 マスクステージ
5 ウエハステージ
6 スリット状露光光束
7 観察顕微鏡
21 デバイスパターン
22 パターン転写領域
41 マスクマーク
42 ウエハマーク
101 マーク検出手段
102 演算処理回路
103 駆動制御手段
421〜426 ウエハマーク
Claims (6)
- 第1可動ステージに載置した第1物体と、第2可動ステージに載置した第2物体との位置合わせを行い、
照明系からの照明光束で前記第1物体面上のパターンを照明し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する露光方法において、
前記第1物体に形成されたマークを第1検出手段により検出する第1検出工程と、
前記第2物体に形成されたマークを第2検出手段により検出する第2検出工程と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域毎の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする工程とを有することを特徴とする露光方法。 - 第1可動ステージに載置した第1物体と、第2可動ステージに載置した第2物体との位置合わせを行い、
照明系からの照明光束で前記第1物体面上のパターンを照明し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する露光方法において、
前記第1物体に形成されたマークを第1検出手段により検出する第1検出工程と、
前記第2物体に形成されたマークを第2検出手段により検出する第2検出工程と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域より選択した少なくとも3つのパターン転写領域の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする工程とを有することを特徴とする露光方法。 - 前記第2工程は、前記パターン転写領域内で複数のマークを検出し、前記位置合わせ工程は前記走査方向に関する情報を用いて前記パターン転写領域の形状情報を求め、前記形状情報を用いて前記第1物体と第2物体との位置合わせを行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の露光方法。
- 前記パターン転写領域の前記走査方向と同じ方向に第1物体面上のパターンを走査露光していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の露光方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の走査型露光方法を用いて、ウエハを露光し、その後、該ウエハを現像処理工程を介してデバイスを製造していることを特徴とするデバイス製造方法。
- 第1物体を載置する第1ステージと、第2物体を載置する第2可動ステージと、第1物体面上のパターンを第2物体上に投影する投影光学系とを有し、前記第1可動ステージと第2可動ステージとを前記投影光学系の投影倍率に対応させた速度比で同期させて相対的に走査させながら前記投影光学系により前記第1物体面上のパターンを前記第2物体上に投影露光する走査型露光装置において、
前記第1物体に形成されたマークを検出する第1検出手段と、
前記第2物体に形成されたマークを検出する第2検出手段と、
前記第2物体上の複数のパターン転写領域毎の、以前の走査露光の走査方向に関する情報と、前記第1及び第2検出工程の検出結果とに基づいて前記第1物体と第2物体とを位置合わせする手段とを有することを特徴とする走査型露光装置。
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