JP4003885B2 - 露光方法および露光装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 236
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 71
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 58
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019233 CoFeNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015140 FeN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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Description
パターン投影領域毎に、投影光学系を介してパターンの一部をパターン投影領域の一部に投影しながらマスクと基板とを同期して移動させることによって、パターンの一部が投影されて露光が行なわれる露光領域を、パターン投影領域における第1および第2の端部のうちの一方から他方に向かって移動させ、これによりパターンに基づいてパターン投影領域を露光する手順と、
パターン投影領域を露光する手順に先立って、各パターン投影領域内において、投影光学系の光軸方向についての基板の表面の位置を検出し、この検出結果に基づいて、基板の表面でパターンの一部が結像されるように投影光学系の光軸方向についての基板の位置を調整する手順とを備えている。
マスクを保持し移動させるマスク移動装置と、
基板を保持し移動させる基板移動装置と、
マスクに形成されたパターンの一部をパターン投影領域の一部に投影する投影光学系と、
基板の表面の位置を検出する検出装置と、
マスク移動装置、基板移動装置および検出装置を制御する制御装置とを備えている。
パターン投影領域毎に、投影光学系を介してパターンの一部をパターン投影領域の一部に投影させながら、マスク移動装置および基板移動装置を制御してマスクと基板とを同期して移動させることによって、パターンの一部が投影されて露光が行なわれる露光領域を、パターン投影領域における第1および第2の端部のうちの一方から他方に向かって移動させ、これによりパターンに基づいてパターン投影領域を露光する処理と、
パターン投影領域を露光する処理の前に、検出装置を用いて、各パターン投影領域内において、投影光学系の光軸方向についての基板の表面の位置を検出し、この検出結果に基づいて、基板移動装置を制御して、基板の表面でパターンの一部が結像されるように投影光学系の光軸方向についての基板の位置を調整する処理とを行う。
Claims (10)
- マスクに形成されたパターンを、それぞれ少なくとも一部が基板の一部と重なる複数のパターン投影領域に順次投影して、前記パターンに基づいて基板を露光する露光方法であって、
前記パターン投影領域毎に、投影光学系を介して前記パターンの一部を前記パターン投影領域の一部に投影しながら前記マスクと基板とを同期して移動させることによって、前記パターンの一部が投影されて露光が行なわれる露光領域を、前記パターン投影領域における第1および第2の端部のうちの一方から他方に向かって移動させ、これにより前記パターンに基づいて前記パターン投影領域を露光する手順と、
前記パターン投影領域を露光する手順に先立って、前記各パターン投影領域内において、前記投影光学系の光軸方向についての前記基板の表面の位置を検出し、この検出結果に基づいて、前記基板の表面で前記パターンの一部が結像されるように前記投影光学系の光軸方向についての前記基板の位置を調整する手順とを備え、
前記基板の縁の全体形状は実質的に円形であり、
前記パターン投影領域を露光する手順では、全てのパターン投影領域において、前記露光領域を、基板の表面の中心を通り前記露光領域の移動方向に直交する仮想の直線から遠ざかる方向に移動させ、これにより、一部が前記基板の縁の外側に配置されるパターン投影領域であって、基板と重なる部分の長さが前記第1の端部と第2の端部とで異なるパターン投影領域においては、前記第1および第2の端部のうち、基板と重なる部分が長い端部から他方の端部に向かって前記露光領域を移動させることを特徴とする露光方法。 - 前記パターンは、前記基板のうちの1つのパターン投影領域に対応する部分によって複数のマイクロデバイスを製造するために用いられるものであることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記マイクロデバイスは、薄膜磁気ヘッドスライダであることを特徴とする請求項2記載の露光方法。
- 前記基板の位置を調整する手順では、前記パターン投影領域内のうち、最初に前記露光領域となる領域内において基板の表面の位置を検出することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の露光方法。
- 前記パターンは、前記基板のうちの1つのパターン投影領域に対応する部分によって複数の薄膜磁気ヘッドスライダを製造するために用いられるものであり、
前記基板は、前記薄膜磁気ヘッドスライダの製造過程において、それぞれ複数のパターン投影領域と重なる部分からなる複数の加工用素材に分割されて、この加工用素材単位で加工が施されるものであり、
前記パターン投影領域を露光する手順では、1つの加工用素材に対応する複数のパターン投影領域において前記露光領域の移動方向が同じになることを特徴とする請求項1記載の露光方法。 - マスクに形成されたパターンを、それぞれ少なくとも一部が基板の一部と重なる複数のパターン投影領域に順次投影して、前記パターンに基づいて基板を露光する露光装置であって、
前記マスクを保持し移動させるマスク移動装置と、
前記基板を保持し移動させる基板移動装置と、
前記マスクに形成されたパターンの一部を前記パターン投影領域の一部に投影する投影光学系と、
前記基板の表面の位置を検出する検出装置と、
前記マスク移動装置、基板移動装置および検出装置を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記パターン投影領域毎に、前記投影光学系を介して前記パターンの一部を前記パターン投影領域の一部に投影させながら、前記マスク移動装置および基板移動装置を制御して前記マスクと基板とを同期して移動させることによって、前記パターンの一部が投影されて露光が行なわれる露光領域を、前記パターン投影領域における第1および第2の端部のうちの一方から他方に向かって移動させ、これにより前記パターンに基づいて前記パターン投影領域を露光する処理と、
前記パターン投影領域を露光する処理の前に、前記検出装置を用いて、前記各パターン投影領域内において、前記投影光学系の光軸方向についての前記基板の表面の位置を検出し、この検出結果に基づいて、前記基板移動装置を制御して、前記基板の表面で前記パターンの一部が結像されるように前記投影光学系の光軸方向についての前記基板の位置を調整する処理とを行い、
前記基板の縁の全体形状は実質的に円形であり、
前記制御装置は、前記パターン投影領域を露光する処理では、全てのパターン投影領域において、前記露光領域を、基板の表面の中心を通り前記露光領域の移動方向に直交する仮想の直線から遠ざかる方向に移動させ、これにより、一部が基板の縁の外側に配置されるパターン投影領域であって、基板と重なる部分の長さが前記第1の端部と第2の端部とで異なるパターン投影領域においては、前記第1および第2の端部のうち、基板と重なる部分が長い端部から他方の端部に向かって前記露光領域を移動させることを特徴とする露光装置。 - 前記パターンは、前記基板のうちの1つのパターン投影領域に対応する部分によって複数のマイクロデバイスを製造するために用いられるものであることを特徴とする請求項6記載の露光装置。
- 前記マイクロデバイスは、薄膜磁気ヘッドスライダであることを特徴とする請求項7記載の露光装置。
- 前記制御装置は、前記基板の位置を調整する処理では、前記パターン投影領域内のうち、最初に前記露光領域となる領域内において基板の表面の位置を検出することを特徴とする請求項6ないし8のいずれかに記載の露光装置。
- 前記パターンは、前記基板のうちの1つのパターン投影領域に対応する部分によって複数の薄膜磁気ヘッドスライダを製造するために用いられるものであり、
前記基板は、前記薄膜磁気ヘッドスライダの製造過程において、それぞれ複数のパターン投影領域と重なる部分からなる複数の加工用素材に分割されて、この加工用素材単位で加工が施されるものであり、
前記パターン投影領域を露光する処理では、1つの加工用素材に対応する複数のパターン投影領域において前記露光領域の移動方向が同じになることを特徴とする請求項6記載の露光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004242080A JP4003885B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | 露光方法および露光装置 |
US11/191,059 US7527917B2 (en) | 2004-08-23 | 2005-07-28 | Exposure method and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004242080A JP4003885B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | 露光方法および露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006060115A JP2006060115A (ja) | 2006-03-02 |
JP4003885B2 true JP4003885B2 (ja) | 2007-11-07 |
Family
ID=35909291
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004242080A Expired - Fee Related JP4003885B2 (ja) | 2004-08-23 | 2004-08-23 | 露光方法および露光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7527917B2 (ja) |
JP (1) | JP4003885B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8330936B2 (en) * | 2006-09-20 | 2012-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3387074B2 (ja) | 1993-12-08 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、及び走査型露光装置 |
US6118515A (en) | 1993-12-08 | 2000-09-12 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
JP3513973B2 (ja) | 1995-04-28 | 2004-03-31 | 株式会社ニコン | 走査露光方法および該方法を用いた回路素子製造方法 |
JP3576722B2 (ja) | 1996-10-21 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 走査型露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法 |
JPH11251228A (ja) | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Nec Corp | スキャン型露光装置、スキャン露光方法及び記録媒体 |
JPH11316928A (ja) | 1998-05-06 | 1999-11-16 | Tdk Corp | スライダの製造方法および装置 |
JP3332222B2 (ja) | 1999-10-21 | 2002-10-07 | ティーディーケイ株式会社 | スライダ用素材の製造方法、スライダの製造方法およびスライダ用素材 |
JP2002175962A (ja) | 2000-12-05 | 2002-06-21 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
JP2002246291A (ja) | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
-
2004
- 2004-08-23 JP JP2004242080A patent/JP4003885B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-28 US US11/191,059 patent/US7527917B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7527917B2 (en) | 2009-05-05 |
JP2006060115A (ja) | 2006-03-02 |
US20060038970A1 (en) | 2006-02-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070508 |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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