JP2009094256A - 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
露光工程の基板のフォーカス許容値からフォーカス計測位置を最適化し、スループットを向上させる露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を走査しながら原版のパターンを前記基板に露光して転写する露光方法において、前記パターンが露光される前記基板の露光領域の内側における複数箇所のフォーカス計測位置において前記基板の面位置を計測する工程と、前記工程において計測した前記基板の面位置の情報に基づいて、前記基板の高さ及び傾きの少なくとも１つを制御する工程と、前記フォーカス計測位置を、前記基板を露光する場合において許容される前記基板のフォーカス許容値に基づき変更することを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板を走査しながら原版のパターンを前記基板に露光して転写する露光方法に関する。特に、マスク及び基板を投影光学系に対して同期して移動することによりマスクパターンを基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光方法および露光装置に関する。

一般に、半導体素子又は液晶表示素子等をフォトリソグラフィ工程で製造する場合に、種々の露光装置が使用されている。
現在、原版であるフォトマスク又はレチクル（以下、「レチクル」と総称する）のパターン像を、投影光学系を介して表面にフォトレジスト等の感光材が塗布されたウェハ又はガラスプレート等の基板上に転写する投影露光装置が使用されている。
近年では、この投影露光装置として、ステップ・アンド・リピート方式の静止型縮小投影露光装置（いわゆるステッパー）が主流となっている。
このステッパーは、基板を２次元的に移動自在な基板ステージ上に載置し、この基板ステージにより基板を歩進（ステッピング）させて、レチクルのパターン像を基板上の各ショット領域に順次露光する動作を繰り返す静止型縮小投影露光装置である。

最近になって、このステッパー等の静止型露光装置に改良を加えた例えば、特開平７−１７６４６８号公報（特許文献１）で提案されるステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャナー）も比較的多く用いられるようになってきた。
このスキャナーは、ステッパーに比べると大フィールドをより小さな光学系で露光でき、投影光学系の製造が容易であるとともに、大フィールド露光によるショット数の減少により高スループットが期待出来る。
また、投影光学系に対してレチクル及びウェハを相対走査することで平均化効果があり、ディストーションや焦点深度の向上が期待出来る等のメリットがある。

例えば、特開平４−２８１６６５号公報（特許文献２）、特開平６−２８３４０３号公報（特許文献３）で、このスキャン型投影露光装置（スキャナー）を用いて基板を露光する従来例が提案されている。
露光フィールドに対して走査方向の手前側に設けられた複数検出点をサンプル点として、予め露光前にそのサンプル点でのフォーカス位置の値を全て計測し、露光時にオートフォーカス及びオートレベリング機構を制御する。
そして、それと並行して上記計測点の各サンプル点でのフォーカス位置の計測値から非スキャン方向の傾きを求め、非スキャン方向のレベリング制御を行う、いわゆる先読み制御法が実施されていた。
特開平７−１７６４６８号公報 特開平４−２８１６６５号公報 特開平６−２８３４０３号公報

投影露光装置は、主として半導体素子等の量産機として使用されため、一定時間内にどれだけの枚数の基板であるウェハを露光処理できるかという処理能力、すなわちスループットを向上させることが必然的に要請される。
ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（スキャナー）の場合、大フィールドを露光する場合には先に述べたように、ウェハ内に露光するショット数が少なくなるためスループットの向上が見込まれる。
しかし、露光はレチクルとウェハとの同期走査による等速移動中に行われることから、その等速移動領域の前後に加減速領域が必要となる。
このため、静止型露光装置（ステッパー）のショットサイズと同等の大きさのショットを露光する場合には、静止型露光装置（ステッパー）より、スキャン型投影露光装置（スキャナー）の方がスループットが低い場合がある。

投影露光装置である静止型露光装置（ステッパー）およびスキャン型投影露光装置（スキャナー）における処理の流れは、以下のようになっている。
まず、ウェハローダを使ってウェハをウェハテーブル上にロードするウェハロード工程が行われる。
次に、サーチアライメント機構によりウェハの大まかな位置検出を行うサーチアライメント工程が行われる。
このサーチアライメント工程は、具体的には、例えば、ウェハの外形を基準とし、あるいは、ウェハ上のサーチアライメントマークを検出することにより行われる。
次に、ウェハ上の各ショット領域の位置を正確に求めるファインアライメント工程が行われる。
このファインアライメント工程は、一般にＡＧＡ（アドバンスト・グローバル・アライメント）方式が用いられる。
この方式は、ウェハ内の複数のサンプルショットを選択し、当該サンプルショットに付設されたアライメントマーク（ウェハマーク）の位置を順次計測する。
さらに、この計測結果とショット配列の設計値とに基づいて、いわゆる最小自乗法等による統計演算を行い、ウェハ上の全ショット配列データを求め、高スループットで各ショット領域の座標位置を比較的高精度に求めることができる。
次に、このＡＧＡ方式等により求めた各ショット領域の座標位置と予め計測したベースライン量とに基づいて露光位置にウェハ上の各ショット領域を順次位置決めしつつ、投影光学系を介してレチクルのパターン像をウェハ上に転写する露光工程が行われる。
次に、露光処理されたウェハテーブル上のウェハをウェハンローダを使ってウェハンロードさせるウェハンロード工程が行われる。
このウェハンロード工程は、露光処理を行うウェハの上記最初のウェハロード工程と同時に行われる。
すなわち、最初のウェハロード工程と最終のウェハンロード工程とによってウェハの交換工程が構成される。

このように、従来の投影露光装置では、ウェハ交換→サーチアライメント→ファインアライメント→露光→ウェハ交換……のように、大きく４つの動作が１つのウェハステージを用いて繰り返し行われている。
また、この投影露光装置のスループットＷＰＨ［枚／時間］は、上述したウェハ交換時間をＴ１、サーチアライメント時間をＴ２、ファインアライメント時間をＴ３、露光時間をＴ４とした場合に、次式（１）のように表すことができる。
ＷＰＨ＝３６００／（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ４） ………（１）
上記Ｔ１〜Ｔ４の動作は、Ｔ１→Ｔ２→Ｔ３→Ｔ４→Ｔ１……のように順次（シーケンシャルに）繰り返し実行される。
このため、Ｔ１〜Ｔ４までの個々の要素を高速化すれば分母が小さくなって、スループットＷＰＨを向上させることができる。
しかし、上述したＴ１（ウェハ交換時間）とＴ２（サーチアライメント時間）は、ウェハ１枚に対して一動作が行われるだけであるから改善の効果は比較的小さい。
また、Ｔ３（ファインアライメント時間）の場合は、上述したＡＧＡ方式を用いる際にショットのサンプリング数を少なくし、ショット単体の計測時間を短縮すればスループットを向上させることができる。
しかし、逆にアライメント精度を劣化させることになるため、安易にＴ３を短縮することはできない。
また、Ｔ４（露光時間）は、ウェハ露光時間とショット間のステッピング時間とを含んでいる。
例えば、ステップ・アンド・スキャン方式のような走査型投影露光装置の場合は、ウェハ露光時間を短縮させる分だけレチクルとウェハの相対走査速度を上げる必要があるが、同期精度が劣化することから、安易に走査速度を上げることができない。

走査型の投影露光装置(スキャナー)では、ウェハＷ上の各ショット領域に対する露光順序は、（ａ）スキャン時加減速時間、（ｂ）整定時間、（ｃ）露光時間、（ｄ）隣接ショットへのステッピング時間等の（ａ）〜（ｄ）の各パラメータにより決定される。
しかし、上述した特開平４−２８１６６５号公報（特許文献２）の従来例において先読み制御を行う場合には、フォーカス精度を安定化するため、以下の状態にする必要がある。
すなわち、走査方向の手前側に設けられた検出点が露光領域に達する時点では、ウェハＷの振動が収まり、（ａ）スキャン時加減速時間は終了している必要がある。
ここで（ｂ）整定時間とは、露光スリットが（ａ）スキャン時加減速を終了する位置から、露光領域に到達するまでの時間を示し、この間の走査速度は等速度である。
この時、走査方向手前側に設けられた検出点位置（ショット内第１計測ポイント）は、露光領域内のどこであろうと、ウェハＷの振動は収まっている。
そのため、（ａ）スキャン時加減速終了位置から、露光領域までの距離を等速度で駆動する（ｂ）整定時間は、速度が同じであれば（ｂ）整定時間は常に同じである。
しかしながら、ラフ工程のようなフォーカス精度に余裕度があるような工程においては、フォーカス精度重視より多少フォーカス精度を犠牲にしても生産性重視を要請される。
そこで、本発明は、露光工程の基板のフォーカス許容値からフォーカス計測位置を最適化し、スループットを向上させる露光方法、露光装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本発明の露光方法は、基板を走査しながら原版のパターンを前記基板に露光して転写する露光方法において、前記パターンが露光される前記基板の露光領域の内側における複数箇所のフォーカス計測位置において前記基板の面位置を計測する工程と、前記工程において計測した前記基板の面位置の情報に基づいて、前記基板の高さ及び傾きの少なくとも１つを制御する工程と、前記フォーカス計測位置を、前記基板を露光する場合において許容される前記基板のフォーカス許容値に基づき変更することを特徴とする。

本発明によれば、露光工程の基板のフォーカス許容値からフォーカス計測位置を最適化し、スループットを向上させる。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施例を説明する。

図１の概略構成図を参照して、本発明の実施例の露光装置１００を説明する。
本実施例の露光装置１００は、光源１１０と、照明光学系１２０と、原版であるレチクル１３０を保持するレチクルステージ１３５と、投影光学系１４０と、を有する。
さらに、基板であるウェハ１５０を保持するウェハステージ１５５と、検出系１６０と、制御部１７０と、を有する。
本実施例の露光装置１００は、スキャナーと称されるステップ・アンド・スキャン方式で、レチクル１３０に形成された回路パターンをウェハ１５０に露光する投影露光装置である。
本実施例の露光装置１００は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適である。
エキシマレーザーなどの光源１１０から射出された光は、露光に最適な所定の形状の露光光束に成型される照明光学系１２０を経て、レチクル１３０に形成されたパターンを照明する。
レチクル１３０のパターンは、露光すべきＩＣ回路パターンを含み、かかるパターンから射出された光は投影光学系１４０を通過して結像面に相当するウェハ１５０面近傍に像を形成する。
レチクル１３０は、投影光学系１４０の光軸に直交する平面内及びこの光軸方向に移動可能な構成となっているレチクルステージ１３５上に載置されている。
ウェハ１５０は、投影光学系１４０の光軸に直交する平面内及びこの光軸方向に移動可能、且つ、チルト補正可能な構成となっているウェハステージ１５５上に載置されている。

レチクルステージ１３５とウェハステージ１５５を露光倍率の比率の速度で相対的に走査させることでレチクル１３０のショット領域の露光を行う。
ワンショット露光が終了した後にはウェハステージ１５５は次のショットへステップ移動し、先ほどとは逆方向に走査露光を行い次のショットが露光される。
これを繰り返すことでウェハ１５０全域についてショット露光する。
ワンショット内の走査露光中には、フォーカス及びチルトを計測する検出系１６０によりウェハ１５０表面の面位置情報を取得する。
さらに、露光像面からのずれ量を算出し、フォーカス（高さ）及びチルト（傾き）方向へウェハステージ１５５を駆動させ、ほぼ露光スリット単位でウェハ１５０の高さ方向の形状に合わせこむ動作が行われている。
検出系１６０は、光学的な高さ計測システムを使用している。
ウェハ１５０表面に対して大きな角度（低入射角度）で光束を入射させ、ウェハ１５０からの反射光の像ズレをＣＣＤカメラなどの位置検出素子で検出する方法をとっている。
ウェハ１５０上の複数の計測すべき点に光束を入射させ、各々の光束を個別のセンサーに導き、異なる位置の高さ計測情報から露光すべき面のチルトを算出している。

次に、図１、図５、図６を参照して、本発明の実施例の露光方法を説明する。
本発明の実施例の露光方法は、基板であるウェハ１５０を走査しながら、原版であるレチクル１３０のパターンをウェハ１５０に転写する露光装置１００を用いてウェハ１５０を露光する。
最初の工程においては、レチクル１３０のパターンが露光されるウェハ１５０の露光領域５００、５１０、５２０の内側における複数箇所のフォーカス計測位置（１）〜（８）においてウェハ１５０の面位置を計測する。
また、レチクル１３０のパターンが露光されるウェハ１５０の露光領域５００、５１０、５２０の外側における複数箇所のフォーカス計測位置においてウェハ１５０の面位置を計測する。
次に、前の工程において計測したウェハ１５０の面位置の情報に基づいて、ウェハ１５０の高さ及び傾きの少なくとも１つを制御する。
さらに、フォーカス計測位置（１）〜（８）を、ウェハ１５０の露光する場合において許容されるウェハ１５０のフォーカス許容値に基づき変更する。

図２及び図３に示されるように、露光スリット位置である露光領域５００に対して前段の領域内５１０及び後段の領域内５２０内には複数の計測点Ｋ１乃至Ｋ５が面形状をなすように配置されている。
そして、走査露光中の露光スリットが露光領域５００に差し掛かる前にウェハ１５０のフォーカス及びチルト情報、特に、走査方向へのチルト情報の同時計測を可能にしている。
図２及び図３は、露光領域５００に対する計測点Ｋ１乃至Ｋ５の配置の一例を示す概略図であって、図２は、５点の計測点Ｋ１乃至Ｋ５を配置した場合、図３は、３点の計測点Ｋ１乃至Ｋ３を配置した場合を示している。
上記の３点の計測点、５点の計測点は、それぞれ３点、５点に限られるものではなく、３点以上なら何点であってもよい。この３点以上の計測点が、一直線上に無いように構成することが好ましい。
言い換えると、３点以上の計測点のうち３点を選択した際に、その３点がウェハの垂直方向から見て３角形を形成するようにすることが好ましい。
図２に示されるように、露光領域５００に対して前段の領域内５１０に５点の計測点Ｋ１乃至Ｋ５を投影するように構成し、露光領域５００に差し掛かる前に高精度に露光直前のフォーカス及びチルト情報を取得し、露光位置の補正駆動が可能である。
同様に、逆方向のスキャン露光に対応するように、後段の領域内５２０にも同様に５点の計測点Ｋ１乃至Ｋ５が投影されるように構成される。
また、露光中におけるウェハ１５０のフォーカス及びチルトを確認するために、露光領域５００にも前段の領域内５１０及び後段の領域内５２０とほぼ同様な位置に同数の５点の確認計測点ＣＫ１乃至ＣＫ５を配置する。
即ち、確認計測点ＣＫ１乃至ＣＫ５によって、露光領域５００に対して前段の領域内５１０及び後段の領域内５２０の計測値によるウェハ１５０の補正駆動量を確認することができる。

図４に示されるように、実験により求めた整定時間と露光する工程の基板のフォーカスの許容値の関係から、露光工程条件Ａ，Ｂ，Ｃに対して、整定時間が一意に決まる。
露光工程条件Ａではフォーカス精度が要求されるため、整定時間を長くとる必要がある。
また、露光工程条件Ｃではフォーカス精度の許容値が大きいため、整定時間を短くして生産性を向上させることができる。

図５は、図４における露光工程条件Ａ、Ｂ、Ｃにおける露光領域は同じ露光領域５００内のフォーカス計測位置（１）〜（８）を示す。
露光領域５００内のフォーカス計測位置（１）〜（８）の配置は、フォーカス精度の向上のために最適な配置となるように計算され設定される。
また、露光領域５００のサイズに合わせて、フォーカス計測位置も最適化される。
高いフォーカス精度を要求されるＡ工程条件では、フォーカス計測位置は８点（１）〜（８）、フォーカス精度と生産性とを両立したい露光工程条件Ｂでは７点（１）〜（７）となっている。
また、フォーカス精度よりも生産性を要求される露光工程条件Ｃでは６点（１）〜（６）となっている。

図６を参照して、図５の詳細を説明する。
ここでは、本実施例として走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍ、走査速度が５００ｍｍ/ｓとして説明する。
露光工程条件Ａ、Ｂ、Ｃにより、フォーカス許容値と整定時間の関係を基に、露光領域５００の端部５００ａから一定区間の領域内に第１のフォーカス計測位置（１）を配置しない境界線５００ｂを設定する。
さらに、境界線５００ｂの以降に第１のフォーカス計測位置（１）および第２のフォーカス計測位置（２）を設定している。
ここで、第３のフォーカス計測位置（３）以降のフォーカス計測位置は図示されない。
ここで整定時間とは、露光スリットがスキャン時の加減速を終了する位置から、露光領域５００の端部５００ａに到達するまでの時間である。
境界線５００ｂとは、スキャン時の加減速が終了した時の走査方向手前の検出点位置を示している。

高いフォーカス精度を要求される露光工程条件Ａの場合、図４に示されるフォーカス許容値から整定時間：２４ｍｓが取得される。
整定時間：２４ｍｓを速度：５００ｍｍ/ｓで走査する距離：２４ｍｓ×５００ｍｍ/ｓ=１２ｍｍとなる。
走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍなので、境界線５００ｂは露光領域５００の端部５００ａ：０ｍｍのところに設定される。
この境界線５００ｂ内に第１のフォーカス計測位置（１）が設定されない条件で、露光領域５００内にフォーカス精度向上に最適なフォーカス計測位置（１）・・・を設定する。
本実施例では、境界線５００ｂ上に第１のフォーカス計測位置（１）が設定される。
この場合、フォーカス計測位置（１）〜（８）が８点であるため多く、露光領域５００の端部５００ａから計測するため、フォーカス精度は向上するがスループットは遅い。

露光工程条件Ｂの場合、フォーカス精度と生産性の兼ね合いから、図４に示されるフォーカス許容値から整定時間：２２ｍｓが取得される。
整定時間：２２ｍｓを速度：５００ｍｍ/ｓで走査する距離：２２ｍｓ×５００ｍｍ/ｓ=１１ｍｍとなる。
走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍなので、境界線５００ｂは露光領域５００の端部５００ａ：１ｍｍのところに設定される。
この境界線５００ｂ内に第１のフォーカス計測位置（１）が設定されない条件で、露光領域５００内にフォーカス精度向上に最適なフォーカス計測位置（１）・・・を設定する。
本実施例では、露光領域５００の端部５００ａから２．０ｍｍ内側に第１のフォーカス計測位置（１）が設定されている。
そこで、境界線５００ｂを露光領域５００の端部５００ａから２．０ｍｍに位置する第１のフォーカス計測位置（１）に再設定することで、より整定時間を短縮させる。
整定時間を計算すると、前記条件同様、走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍ、走査速度が５００ｍｍ/sとして計算する。
スキャン時の加減速終了位置から露光領域５００の端部５００ａまでの距離は、１２ｍｍ-２ｍｍ=１０ｍｍ、整定時間は１０ｍｍ÷５００ｍｍ/ｓ=２０ｍｓとなり、Ａ工程条件に比べ1ショットあたり４ｍｓの短縮が図れる。
この場合、フォーカス計測位置（１）〜（７）は７点で、露光領域５００の端部５００ａの２ｍｍ内側から計測するため、フォーカス精度は露光工程条件Ａより劣化するが生産性は向上する。

露光工程条件Ｃの場合、フォーカス精度より生産性を優先する条件であるため、図４のフォーカス許容値から整定時間：２０ｍｓが取得される。
整定時間：２０ｍｓを速度：５００ｍｍ/ｓで走査する距離：２０ｍｓ×５００ｍｍ/ｓ=１０ｍｍとなる。
走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍなので、境界線５００ｂは露光領域５００の端部５００ｂ：２ｍｍのところに設定される。
この境界線５００ｂ内に第１のフォーカス計測位置（１）が設定されない条件で、露光領域５００内にフォーカス精度向上に最適なフォーカス計測位置を設定する。
本実施例では、露光領域５００の端部５００ａから３．０ｍｍ内側に第１フォーカスの計測位置（１）が設定されている。
そこで、境界線５００ｂを露光領域５００の端部５００ａから３．０ｍｍに位置する第１のフォーカス計測位置（１）に再設定することで、より整定時間を短縮させる。
整定時間を計算すると、前記条件同様、走査方向手前の検出点位置と、露光スリットの物理的な距離が１２ｍｍ、走査速度が５００ｍｍ/ｓとして計算する。
スキャン時の加減速終了位置から露光領域５００の端部５００ａまでの距離は、１２ｍｍ-３ｍｍ=９ｍｍ、整定時間は９ｍｍ÷５００ｍｍ/ｓ=１８ｍｓとなり、Ａ工程条件に比べ１ショットあたり６ｍｓの短縮が図れる。
この場合、フォーカス計測位置（１）〜（６）は６点で、露光領域５００の端部５００ａの３ｍｍ内側から計測する。
このため、露光領域５００の端部５００ａから３ｍｍの間は、フォーカス計測を行わず、近傍フォーカス基準で露光することになり、フォーカス精度は露光工程条件Ａ、Ｂ、Ｃの中で一番劣化するが、生産性は大きく向上する。

図６、図７を参照し、本実施例における工程条件のフォーカス許容値によりフォーカス計測位置を可変する処理を説明する。
まず、基板であるウェハ１５０の露光工程のフォーカスの許容値をチェックする。（ステップＳ１）
次に、露光工程のフォーカス許容値から、フォーカス精度の重視の整定時間を取得する。(ステップＳ２)
次に、露光工程のフォーカス許容値から、フォーカス精度と生産性を両立する整定時間を取得する。（ステップＳ３）
次に、露光工程のフォーカス許容値から、生産性重視の整定時間を取得する。（ステップＳ４）
次に、取得した整定時間から境界線５００ｂを設定する。（ステップＳ５）
次に、境界線５００ｂを考慮したフォーカス計測位置（１）（２）・・・を設定する。（ステップＳ６）
最後に、第１のフォーカス計測位置（１）に境界線５００ｂを再設定する。（ステップＳ７）

次に、図８及び図９を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図８は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハ工程）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。

図９は、ステップ４のウェハ工程の詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。

本発明の実施例の露光装置の概略構成図である。 本実施例の露光領域に対して５つの計測点を配置した場合の概略図である。 本実施例の露光領域に対して３つの計測点を配置した場合の概略図である。 本実施例における実験により求めた工程のフォーカス許容値と整定時間の関係図である。 露光工程条件Ａ、Ｂ、Ｃにおける露光領域内のフォーカス計測位置（１）〜（８）を示す概略図である。 図５に示される露光工程条件Ａ、Ｂ、Ｃでの詳細なフォーカス計測位置と境界線の示す概略図である。 本実施例における露光時の工程条件から、フォーカス許容値と整定時間を求めフォーカス計測位置を設定する工程を示すフローチャート図である。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図８に示すフローチャートのステップ４のウェハ工程の詳細なフローチャートである。

符号の説明

１００：露光装置
１１０：光源
１２０：照明光学系
１３０：レチクル
１４０：投影光学系
１５０：ウェハ
１６０：検出系
１７０：制御部

Claims (4)

1. 基板を走査しながら原版のパターンを前記基板に露光して転写する露光方法において、
   前記パターンが露光される前記基板の露光領域の内側における複数箇所のフォーカス計測位置において前記基板の面位置を計測する工程と、
   前記工程において計測した前記基板の面位置の情報に基づいて、前記基板の高さ及び傾きの少なくとも１つを制御する工程と、
   前記フォーカス計測位置を、前記基板を露光する場合において許容される前記基板のフォーカス許容値に基づき変更することを特徴とする露光方法。
2. 前記パターンが露光される前記基板の露光領域の外側における複数箇所のフォーカス計測位置において前記基板の面位置を計測する工程を有することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
3. 請求項１または２記載の露光方法を用いて前記基板を露光することを特徴とする露光装置。
4. 請求項３記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
   前記基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
   

Images