JP2008263193A - 露光方法、および電子デバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 投影光学系を用いて基板上に明暗パターンを露光する本発明の露光方法は、基板上の単位露光領域内に存在する少なくとも1つの機能素子中に設けられた複数の位置検出マークの基板の面内方向の位置を検出する位置検出工程(S13)と、位置検出工程で得られた複数の位置検出マークの位置に関する情報に基づいて単位露光領域内の変形状態を算出する変形算出工程(S14)と、変形算出工程で得られた変形状態に基づいて基板上に露光されるべき明暗パターンの形状を変更する形状変更工程(S15)とを含む。
【選択図】 図6
Description
前記基板上の位置検出マークの位置を検出する位置検出機構であって、その基準検出位置が単位露光領域にほぼ等しい範囲内に入る複数の位置検出機構により、前記基板上の少なくとも1つの単位露光領域内に存在する複数の位置検出マークの前記基板の面内方向の位置を検出する位置検出工程と、
前記位置検出工程で得られた前記複数の位置検出マークの位置に関する情報に基づいて、前記少なくとも1つの単位露光領域内の変形状態を算出する変形算出工程と、
前記変形算出工程で得られた前記変形状態に基づいて、前記基板上に露光されるべき明暗パターンの形状を変更する形状変更工程とを含むとともに、
前記位置検出工程で検出する位置検出マークは、前記基板上の前記単位露光領域内に存在する少なくとも1つの機能素子中に設けられたものであることを特徴とすることを特徴とする露光方法を提供する。本明細書において、「単位露光領域」とは、1回の露光動作(一括露光動作、走査露光動作など)により明暗パターンが形成される基板上の単位的な露光領域を意味している。
前記リソグラフィー工程において、第1形態の露光方法を用いることを特徴とする電子デバイス製造方法を提供する。
MS マスクステージ
PL 投影光学系
W ウェハ
1 照明系
2 Zステージ
3 XYステージ
5 ウェハレーザ干渉計
7 主制御系
8 ウェハステージ駆動系
10 位置検出系(複数の位置検出機構)
11 変形算出部
12 光学面形状変更部
Claims (17)
- 投影光学系を用いて基板上の各単位露光領域に明暗パターンを露光する露光方法において、
前記基板の1つの単位露光領域にほぼ等しい範囲内に入る複数の基準検出位置を有する位置検出系により、前記基板上の少なくとも1つの単位露光領域内に存在する複数の位置検出マークの、前記基板の面内方向における位置を検出する位置検出工程と、
前記位置検出工程で得られた前記複数の位置検出マークの位置に関する情報に基づいて、前記少なくとも1つの単位露光領域内の変形状態を算出する変形算出工程と、
前記変形算出工程で得られた前記変形状態に基づいて、前記基板上に露光されるべき明暗パターンの形状を変更する形状変更工程とを備え、
前記位置検出工程で検出する前記複数の位置検出マークは、前記基板上の前記少なくとも1つの単位露光領域内に存在する少なくとも1つの機能素子中に設けられたものである、露光方法。 - 前記少なくとも1つの機能素子中に設けられた位置検出マークは、前記少なくとも1つの機能素子中の余白領域に設けられた位置検出マークを含む請求項1に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、少なくとも4つの位置検出マークの位置を検出することを含む請求項1または2に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記位置検出系に含まれる、並列配置された複数の検出光学系を介して前記複数の位置検出マークの位置を検出することを含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記複数の検出光学系を介した光を、複数の光検出部を用いて検出することを含む請求項4に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記位置検出系に含まれる少なくとも1つの検出光学系を介した光を、該少なくとも1つの検出光学系の検出範囲内に設けられた複数の光検出部を用いて検出することを含む請求項1乃至4のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記位置検出系に含まれる共通の検出光学系を介した光を、並列配置された複数の光検出部を用いて検出することを含む請求項1乃至3のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記共通の検出光学系に対して前記基板を相対移動させつつ前記複数の位置検出マークの位置を検出することを含む請求項7に記載の露光方法。
- 前記位置検出工程は、前記投影光学系を介することなく前記複数の位置検出マークの位置を検出することを含む請求項1乃至8のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記形状変更工程は、前記投影光学系の収差を変更する収差変更工程を含む請求項1乃至9のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記収差変更工程は、前記投影光学系中の少なくとも1つの光学面の面形状を変更する光学面形状変更工程を含む請求項10に記載の露光方法。
- 前記光学面形状変更工程は、前記投影光学系の物体面の近傍位置、前記物体面と光学的に共役な位置、前記共役な位置の近傍位置、あるいは前記投影光学系の像面の近傍位置に設けられた光学面の面形状を変更することを含む請求項11に記載の露光方法。
- 前記形状変更工程は、前記投影光学系の物体面に設置されるマスクのパターン面の面形状を変更するマスク面形状変更工程を含む請求項1乃至12のいずれか1項に記載の露光方法。
- 縮小倍率を有する前記投影光学系を用いて前記基板上に前記明暗パターンを露光する請求項1乃至13のいずれか1項に記載の露光方法。
- 前記投影光学系に対して前記基板を所定方向に沿って相対移動させつつ前記明暗パターンを前記基板へ走査露光する走査露光工程を更に備え、
前記形状変更工程は、前記走査露光中の前記基板の相対移動に応じて前記明暗パターンの形状を変更することを含む請求項1乃至14のいずれか1項に記載の露光方法。 - リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィー工程において、請求項1乃至15のいずれか1項に記載の露光方法を用いる電子デバイス製造方法。 - 基板上の単位露光領域内の機能素子中に複数の位置検出マークを形成するマーク形成工程を含む請求項16に記載の電子デバイス製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010187002A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 |
JP2013506306A (ja) * | 2009-09-29 | 2013-02-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏向ミラーを含む反射屈折投影対物系及び投影露光方法 |
JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090042115A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method |
US20080270970A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Nikon Corporation | Method for processing pattern data and method for manufacturing electronic device |
JP2016535299A (ja) | 2013-10-22 | 2016-11-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | ウェブベース処理用のマスクレスリソグラフィ |
CN105182702B (zh) * | 2015-10-30 | 2017-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置 |
US10545410B2 (en) | 2016-02-18 | 2020-01-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
JP6956777B2 (ja) * | 2016-07-19 | 2021-11-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 区分的位置合わせモデリング方法 |
DE102017123686A1 (de) * | 2017-10-11 | 2019-04-11 | Miva Technologies Gmbh | Verfahren und Belichtungseinrichtung zur Belichtung von zumindest einer gespeicherten Darstellung auf einem lichtempfindlichen Aufzeichnungsträger |
JP2022022911A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 結像光学系、露光装置、および物品製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183214A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-07-21 | Canon Inc | 露光方法、走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07295229A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 拡大投影型露光装置における投影像のアライメント方法 |
JPH09266149A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び面位置検出方法 |
JP2000353661A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-12-19 | Nikon Corp | 投影光学系および露光装置 |
JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2003133223A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004186377A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Japan Science & Technology Agency | パターン転写方法及び露光装置 |
JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JP2897276B2 (ja) * | 1989-09-04 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | 位置合わせ方法及び露光装置 |
US5117255A (en) * | 1990-09-19 | 1992-05-26 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5202748A (en) * | 1991-06-07 | 1993-04-13 | Litel Instruments | In situ process control system for steppers |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US6278957B1 (en) * | 1993-01-21 | 2001-08-21 | Nikon Corporation | Alignment method and apparatus therefor |
US6753948B2 (en) * | 1993-04-27 | 2004-06-22 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
KR100377887B1 (ko) * | 1994-02-10 | 2003-06-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 정렬방법 |
US5793473A (en) * | 1994-06-09 | 1998-08-11 | Nikon Corporation | Projection optical apparatus for projecting a mask pattern onto the surface of a target projection object and projection exposure apparatus using the same |
EP0721608B1 (en) * | 1994-08-02 | 2003-10-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of repetitively imaging a mask pattern on a substrate |
JPH10208994A (ja) * | 1997-01-16 | 1998-08-07 | Nec Corp | 露光方法及び露光装置 |
TW449672B (en) * | 1997-12-25 | 2001-08-11 | Nippon Kogaku Kk | Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same |
JP3513031B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2004-03-31 | 株式会社東芝 | アライメント装置の調整方法、収差測定方法及び収差測定マーク |
JP3595707B2 (ja) * | 1998-10-23 | 2004-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置および露光方法 |
JP2001257157A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Nikon Corp | アライメント装置、アライメント方法、露光装置、及び露光方法 |
US6847433B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-01-25 | Agere Systems, Inc. | Holder, system, and process for improving overlay in lithography |
JP4607380B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2011-01-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | パターン検出方法、パターン検査方法およびパターン修正、加工方法 |
JP2003287875A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP3967935B2 (ja) * | 2002-02-25 | 2007-08-29 | 株式会社日立製作所 | 合わせ精度計測装置及びその方法 |
US6777088B2 (en) * | 2002-04-01 | 2004-08-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Packaging materials having barrier coatings based on water-epoxy resin copolymers |
JP3448812B2 (ja) * | 2002-06-14 | 2003-09-22 | 株式会社ニコン | マーク検知装置、及びそれを有する露光装置、及びその露光装置を用いた半導体素子又は液晶表示素子の製造方法 |
JP2004031709A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Seiko Instruments Inc | ウエハレス測長レシピ生成装置 |
JP2004226717A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
US6950188B2 (en) * | 2003-04-23 | 2005-09-27 | International Business Machines Corporation | Wafer alignment system using parallel imaging detection |
WO2005008753A1 (ja) * | 2003-05-23 | 2005-01-27 | Nikon Corporation | テンプレート作成方法とその装置、パターン検出方法、位置検出方法とその装置、露光方法とその装置、デバイス製造方法及びテンプレート作成プログラム |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7160654B2 (en) * | 2003-12-02 | 2007-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of the adjustable matching map system in lithography |
US7728953B2 (en) * | 2004-03-01 | 2010-06-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, and substrate processing apparatus |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
KR100695895B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-03-19 | 삼성전자주식회사 | 주사형 노광장치 및 그 노광방법 |
EP1890191A1 (en) * | 2006-08-14 | 2008-02-20 | Carl Zeiss SMT AG | Catadioptric projection objective with pupil mirror |
US20090042115A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method |
US8440375B2 (en) * | 2007-05-29 | 2013-05-14 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
-
2008
- 2008-02-27 US US12/071,911 patent/US20090042139A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183214A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-07-21 | Canon Inc | 露光方法、走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JPH07295229A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 拡大投影型露光装置における投影像のアライメント方法 |
JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
JPH09266149A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び面位置検出方法 |
JP2000353661A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-12-19 | Nikon Corp | 投影光学系および露光装置 |
JP2001215718A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-08-10 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP2003133223A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | Canon Inc | 露光装置 |
JP2004186377A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Japan Science & Technology Agency | パターン転写方法及び露光装置 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010187002A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | 投影露光方法、投影露光システム、及び投影対物系 |
US8873022B2 (en) | 2009-02-12 | 2014-10-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
US9036129B2 (en) | 2009-02-12 | 2015-05-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
US9678440B2 (en) | 2009-02-12 | 2017-06-13 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method, system and objective |
JP2013506306A (ja) * | 2009-09-29 | 2013-02-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 偏向ミラーを含む反射屈折投影対物系及び投影露光方法 |
KR101401227B1 (ko) | 2009-09-29 | 2014-05-28 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편향 미러를 포함하는 반사 굴절식 투영 대물 렌즈 및 투영 노광 방법 |
JP2017049456A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | キヤノン株式会社 | ディストーション検出方法、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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