JP3224041B2 - 露光方法及び装置 - Google Patents
露光方法及び装置Info
- Publication number
- JP3224041B2 JP3224041B2 JP22215892A JP22215892A JP3224041B2 JP 3224041 B2 JP3224041 B2 JP 3224041B2 JP 22215892 A JP22215892 A JP 22215892A JP 22215892 A JP22215892 A JP 22215892A JP 3224041 B2 JP3224041 B2 JP 3224041B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- circuit pattern
- image
- circuit
- glass plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば大型の液晶表示
素子基板等を製造する際に使用される露光装置で感光基
板を位置決めする場合に適用して好適な位置検出方法に
関する。
素子基板等を製造する際に使用される露光装置で感光基
板を位置決めする場合に適用して好適な位置検出方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子又は半導体素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクルの
パターンを投影光学系を介してステージ上の感光材が塗
布された基板上に投影する投影露光装置が使用されてい
る。一般に液晶表示素子等は基板上に多数層の回路パタ
ーンを重ねて形成することにより製造されるが、その際
に例えば１層目の回路パターンに対する２層目の回路パ
ターンの重ね合わせを高精度に行う必要がある。そのた
めには、例えば２層目の回路パターンを感光基板上に露
光する際に、その感光基板上に既に形成されている１層
目の回路パターンと２層目用の転写用回路パターンが形
成されたレチクルとの位置合わせ（アライメント）を高
精度に行う必要がある。
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクルの
パターンを投影光学系を介してステージ上の感光材が塗
布された基板上に投影する投影露光装置が使用されてい
る。一般に液晶表示素子等は基板上に多数層の回路パタ
ーンを重ねて形成することにより製造されるが、その際
に例えば１層目の回路パターンに対する２層目の回路パ
ターンの重ね合わせを高精度に行う必要がある。そのた
めには、例えば２層目の回路パターンを感光基板上に露
光する際に、その感光基板上に既に形成されている１層
目の回路パターンと２層目用の転写用回路パターンが形
成されたレチクルとの位置合わせ（アライメント）を高
精度に行う必要がある。
【０００３】そのような感光基板のアライメント方法の
一つとして、パターンマッチングを用いた画像処理方式
のアライメント方法がある。図３は従来の画像処理方式
でアライメントを行う大型の液晶表示素子基板製造用の
投影露光装置の概略構成を示し、この図３において、水
銀ランプ等の光源１から射出された露光光は、楕円鏡２
で集光された後に図示省略したオプティカルインテグレ
ータ等を介してコンデンサーレンズ系３に入射する。コ
ンデンサーレンズ系３により適度に集光された露光光が
ほぼ均一な照度でレチクルＲを照明する。その露光光の
もとでレチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを介して
感光基板としての感光材が塗布されたガラスプレート４
上の各ショット領域に投影露光される。ガラスプレート
４上に複数層の回路パターンを重ねて形成することによ
り、大型の液晶表示素子基板が製造される。
一つとして、パターンマッチングを用いた画像処理方式
のアライメント方法がある。図３は従来の画像処理方式
でアライメントを行う大型の液晶表示素子基板製造用の
投影露光装置の概略構成を示し、この図３において、水
銀ランプ等の光源１から射出された露光光は、楕円鏡２
で集光された後に図示省略したオプティカルインテグレ
ータ等を介してコンデンサーレンズ系３に入射する。コ
ンデンサーレンズ系３により適度に集光された露光光が
ほぼ均一な照度でレチクルＲを照明する。その露光光の
もとでレチクルＲのパターンが投影光学系ＰＬを介して
感光基板としての感光材が塗布されたガラスプレート４
上の各ショット領域に投影露光される。ガラスプレート
４上に複数層の回路パターンを重ねて形成することによ
り、大型の液晶表示素子基板が製造される。
【０００４】そのガラスプレート４はＺステージ５上に
保持され、Ｚステージ５はＸＹステージ６上に載置され
ている。ＸＹステージ６はガラスプレート４を投影光学
系ＰＬの光軸に垂直な平面（ＸＹ平面）内で位置決め
し、Ｚステージ５はガラスプレート４を投影光学系ＰＬ
の光軸（Ｚ軸）方向に位置決めする。なお、図示省略す
るも、Ｚステージ５とガラスプレート４との間にはガラ
スプレート４を回転させるθテーブルが介装されてい
る。また、Ｚステージ５上のガラスプレート４の近傍に
は種々のアライメント用のマークが形成された基準マー
ク集合体７が固定され、更にＸ方向用及びＹ方向用の移
動鏡８が固定されている。９は２軸用のレーザー干渉
計、１０は駆動装置を示し、レーザー干渉計９からのレ
ーザービームが移動鏡８で反射されて、レーザー干渉計
９によりＸＹステージ６の座標が常時計測され、駆動装
置１０はレーザー干渉計９で計測された座標値等に基づ
いてＸＹステージ６を駆動する。
保持され、Ｚステージ５はＸＹステージ６上に載置され
ている。ＸＹステージ６はガラスプレート４を投影光学
系ＰＬの光軸に垂直な平面（ＸＹ平面）内で位置決め
し、Ｚステージ５はガラスプレート４を投影光学系ＰＬ
の光軸（Ｚ軸）方向に位置決めする。なお、図示省略す
るも、Ｚステージ５とガラスプレート４との間にはガラ
スプレート４を回転させるθテーブルが介装されてい
る。また、Ｚステージ５上のガラスプレート４の近傍に
は種々のアライメント用のマークが形成された基準マー
ク集合体７が固定され、更にＸ方向用及びＹ方向用の移
動鏡８が固定されている。９は２軸用のレーザー干渉
計、１０は駆動装置を示し、レーザー干渉計９からのレ
ーザービームが移動鏡８で反射されて、レーザー干渉計
９によりＸＹステージ６の座標が常時計測され、駆動装
置１０はレーザー干渉計９で計測された座標値等に基づ
いてＸＹステージ６を駆動する。
【０００５】１１はアライメント用の顕微鏡を示し、レ
チクルＲのアライメント時にはその顕微鏡１１からのア
ライメント光をミラー１２を介してレチクルＲのパター
ン領域近傍のアライメントマークＲＭに照射する。この
アライメントマークＲＭからの反射光がミラー１２で反
射されて顕微鏡１１に戻されるので、例えば顕微鏡１１
内部で再結像されるアライメントマークＲＭの像の位置
に基づいてレチクルＲの位置を調整することにより、レ
チクルＲのアライメントが行われる。また、その顕微鏡
１１でレチクルＲのアライメントマークＲＭとＺステー
ジ５上の基準マーク集合体７内のアライメントマークと
を同時に観察して、両者の像の位置関係よりレチクルＲ
のアライメントを行ってもよい。更に、その顕微鏡１１
でレチクルＲのアライメントマークとガラスプレート４
上のアライメントマークとを同時に観察して、両者の位
置関係を求めることもできる。
チクルＲのアライメント時にはその顕微鏡１１からのア
ライメント光をミラー１２を介してレチクルＲのパター
ン領域近傍のアライメントマークＲＭに照射する。この
アライメントマークＲＭからの反射光がミラー１２で反
射されて顕微鏡１１に戻されるので、例えば顕微鏡１１
内部で再結像されるアライメントマークＲＭの像の位置
に基づいてレチクルＲの位置を調整することにより、レ
チクルＲのアライメントが行われる。また、その顕微鏡
１１でレチクルＲのアライメントマークＲＭとＺステー
ジ５上の基準マーク集合体７内のアライメントマークと
を同時に観察して、両者の像の位置関係よりレチクルＲ
のアライメントを行ってもよい。更に、その顕微鏡１１
でレチクルＲのアライメントマークとガラスプレート４
上のアライメントマークとを同時に観察して、両者の位
置関係を求めることもできる。
【０００６】１３はオートフォーカス検出系の送光系、
１４はオートフォーカス検出系の受光系を示し、送光系
１３からガラスプレート４上にスリットパターン等の検
出パターンの像が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜
めに投影される。その検出パターンの像からの反射光に
より受光系１４内でその検出パターンの像が再結像され
る。その再結像された検出パターンの像の位置ずれ量か
らガラスプレート４の露光面の高さが求められ、Ｚステ
ージ５によりそのガラスプレート４の露光面の高さが投
影光学系ＰＬに対するベストフォーカス位置に設定され
る。
１４はオートフォーカス検出系の受光系を示し、送光系
１３からガラスプレート４上にスリットパターン等の検
出パターンの像が投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに対して斜
めに投影される。その検出パターンの像からの反射光に
より受光系１４内でその検出パターンの像が再結像され
る。その再結像された検出パターンの像の位置ずれ量か
らガラスプレート４の露光面の高さが求められ、Ｚステ
ージ５によりそのガラスプレート４の露光面の高さが投
影光学系ＰＬに対するベストフォーカス位置に設定され
る。
【０００７】また、投影光学系ＰＬの側方には画像処理
用のアライメント光学系が配置され、このアライメント
光学系において、１５は対物レンズである。ガラスプレ
ート４の図示省略した照明系により照明された観察領域
からの反射光が対物レンズ１５及びミラー１６を経て光
透過性の共役指標板１７に入射する。共役指標板１７に
は指標マークが描画され、ガラスプレート４の露光面と
共役指標板１７の指標マークの描画面とは共役であり、
その描画面にガラスプレート４の観察領域のパターンの
画像が結像される。更に、共役指標板１７を透過した光
がリレーレンズ１８により電荷結合型撮像素子（ＣＣ
Ｄ）を用いたＣＣＤカメラ１９の撮像面に集束され、そ
の撮像面にガラスプレート４の観察領域のパターンの画
像及び共役指標板１７の指標マークの像が結像される。
ＣＣＤカメラ１９から出力される映像信号（撮像信号）
がパターンマッチング装置２０に供給されている。
用のアライメント光学系が配置され、このアライメント
光学系において、１５は対物レンズである。ガラスプレ
ート４の図示省略した照明系により照明された観察領域
からの反射光が対物レンズ１５及びミラー１６を経て光
透過性の共役指標板１７に入射する。共役指標板１７に
は指標マークが描画され、ガラスプレート４の露光面と
共役指標板１７の指標マークの描画面とは共役であり、
その描画面にガラスプレート４の観察領域のパターンの
画像が結像される。更に、共役指標板１７を透過した光
がリレーレンズ１８により電荷結合型撮像素子（ＣＣ
Ｄ）を用いたＣＣＤカメラ１９の撮像面に集束され、そ
の撮像面にガラスプレート４の観察領域のパターンの画
像及び共役指標板１７の指標マークの像が結像される。
ＣＣＤカメラ１９から出力される映像信号（撮像信号）
がパターンマッチング装置２０に供給されている。
【０００８】図４（ａ）は図３のガラスプレート４のパ
ターンの一例を示し、この図４（ａ）に示すように、ガ
ラスプレート４上にはそれまでのプロセスにより２個の
液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂが形成され、各液晶画素部
２１Ａ及び２１Ｂには１層又は複数層の回路パターンが
形成されている。また、ガラスプレート４の液晶画素部
２１Ａ及び２１Ｂの周囲には装置固有の十字型の複数の
アライメントマーク２２−１，２２−２，‥‥，２２−
９が形成されている。
ターンの一例を示し、この図４（ａ）に示すように、ガ
ラスプレート４上にはそれまでのプロセスにより２個の
液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂが形成され、各液晶画素部
２１Ａ及び２１Ｂには１層又は複数層の回路パターンが
形成されている。また、ガラスプレート４の液晶画素部
２１Ａ及び２１Ｂの周囲には装置固有の十字型の複数の
アライメントマーク２２−１，２２−２，‥‥，２２−
９が形成されている。
【０００９】そして、そのガラスプレート４上に次の層
の回路パターン、即ちレチクルＲのパターンを露光する
際には、正規化相関法等によるパターンマッチングによ
りガラスプレート４上のアライメントマーク２２−１〜
２２−９の検出が行われる。具体的に図４（ａ）のアラ
イメントマーク２２−６を検出する際には、図３のＸＹ
ステージ６を駆動して対物レンズ１５の下方にガラスプ
レート４のアライメントマーク２２−６を含む観察領域
が設定される。図４（ｂ）はその際にＣＣＤカメラ１９
で撮像される被処理画像２３−６を示し、この被処理画
像２３−６の内部にアライメントマーク２２−６の像２
２−６Ｇが含まれている。
の回路パターン、即ちレチクルＲのパターンを露光する
際には、正規化相関法等によるパターンマッチングによ
りガラスプレート４上のアライメントマーク２２−１〜
２２−９の検出が行われる。具体的に図４（ａ）のアラ
イメントマーク２２−６を検出する際には、図３のＸＹ
ステージ６を駆動して対物レンズ１５の下方にガラスプ
レート４のアライメントマーク２２−６を含む観察領域
が設定される。図４（ｂ）はその際にＣＣＤカメラ１９
で撮像される被処理画像２３−６を示し、この被処理画
像２３−６の内部にアライメントマーク２２−６の像２
２−６Ｇが含まれている。
【００１０】また、図４（ｃ）は基準画像２５を示し、
この基準画像２５の中に図４（ａ）のアライメントマー
ク２２−１〜２２−９と同一形状の特定マーク２４が含
まれている。これら基準画像２５及び特定マーク２４は
パターンマッチング装置２０の内部のメモリに記憶され
ているテンプレートとしての映像信号を画像化したもの
である。そのパターンマッチング装置２０において、被
処理画像２３−６の中の基準画像２５と同じ大きさのサ
ンプリング画像に対応する映像信号と基準画像２５の映
像信号（テンプレート）とのパターンマッチングを行
い、被処理画像２３−６の中から基準画像２５の特定パ
ターン２４と同一のアライメントマークの像２２−６Ｇ
が検出される。この場合の図３のＸＹステージ６の座標
に被処理画像２３−６内の像２２−６Ｇが存在すべき設
計上の位置に対する像２２−６Ｇの位置ずれ量を求める
ことにより、アライメントマーク２２−６のＸＹ平面内
での座標が求められる。
この基準画像２５の中に図４（ａ）のアライメントマー
ク２２−１〜２２−９と同一形状の特定マーク２４が含
まれている。これら基準画像２５及び特定マーク２４は
パターンマッチング装置２０の内部のメモリに記憶され
ているテンプレートとしての映像信号を画像化したもの
である。そのパターンマッチング装置２０において、被
処理画像２３−６の中の基準画像２５と同じ大きさのサ
ンプリング画像に対応する映像信号と基準画像２５の映
像信号（テンプレート）とのパターンマッチングを行
い、被処理画像２３−６の中から基準画像２５の特定パ
ターン２４と同一のアライメントマークの像２２−６Ｇ
が検出される。この場合の図３のＸＹステージ６の座標
に被処理画像２３−６内の像２２−６Ｇが存在すべき設
計上の位置に対する像２２−６Ｇの位置ずれ量を求める
ことにより、アライメントマーク２２−６のＸＹ平面内
での座標が求められる。
【００１１】同様に、図４（ａ）の他のアライメントマ
ーク２２−１〜２２−５，２２−７〜２２−９がパター
ンマッチングにより検出され、それらの座標が求められ
る。そして、それらアライメントマーク２２−１〜２２
−９のガラスプレート４上の設計上の座標と実測された
座標とを比較することにより、ガラスプレート４の位置
ずれ量が算出される。ガラスプレート４上の座標系に対
してその位置ずれ量の補正を行って得られた座標系に基
づいてガラスプレート４の各ショット領域の位置決めを
行いながら、レチクルＲのパターンの露光が行われてい
た。
ーク２２−１〜２２−５，２２−７〜２２−９がパター
ンマッチングにより検出され、それらの座標が求められ
る。そして、それらアライメントマーク２２−１〜２２
−９のガラスプレート４上の設計上の座標と実測された
座標とを比較することにより、ガラスプレート４の位置
ずれ量が算出される。ガラスプレート４上の座標系に対
してその位置ずれ量の補正を行って得られた座標系に基
づいてガラスプレート４の各ショット領域の位置決めを
行いながら、レチクルＲのパターンの露光が行われてい
た。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
投影露光装置においては、アライメントの際に使用する
装置固有のアライメントマーク２２−１〜２２−９は液
晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの内部に配置することができ
ず、それらアライメントマークは液晶画素部２１Ａ及び
２１Ｂの周辺に配置する以外に方法が無かった。従っ
て、液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの内部の回路パターン
そのものの位置ずれを直接計測することができず、ガラ
スプレート上の座標系に誤差が生じることになる。その
ため、例えば１層目の回路パターンと２層目の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度（マッチング精度）が低下する
不都合があった。特に液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの大
画面化が進めば進むほどにその座標系の誤差が増大し、
その重ね合わせ精度の低下は無視できなくなる。
投影露光装置においては、アライメントの際に使用する
装置固有のアライメントマーク２２−１〜２２−９は液
晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの内部に配置することができ
ず、それらアライメントマークは液晶画素部２１Ａ及び
２１Ｂの周辺に配置する以外に方法が無かった。従っ
て、液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの内部の回路パターン
そのものの位置ずれを直接計測することができず、ガラ
スプレート上の座標系に誤差が生じることになる。その
ため、例えば１層目の回路パターンと２層目の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度（マッチング精度）が低下する
不都合があった。特に液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの大
画面化が進めば進むほどにその座標系の誤差が増大し、
その重ね合わせ精度の低下は無視できなくなる。
【００１３】また、その座標系の誤差を補正するため
に、ガラスプレート４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂ
の周辺部に配置するアライメントマークの個数を多くす
る対策も考えられるが、液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの
大画面化が進んだ場合に液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの
内部の誤差を正確に推定するのは困難である。更に、図
４（ａ）のアライメントマークは主にガラスプレート４
の周辺部に配置されているため、製造プロセスの影響を
受け易く、層を重ねて回路パターンを形成する際にアラ
イメントマークが比較的大きなダメージを受ける虞があ
る。従って、アライメントマークを正確に検出しにくく
なり、その座標系の誤差の測定精度が悪くなる虞があ
る。
に、ガラスプレート４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂ
の周辺部に配置するアライメントマークの個数を多くす
る対策も考えられるが、液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの
大画面化が進んだ場合に液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂの
内部の誤差を正確に推定するのは困難である。更に、図
４（ａ）のアライメントマークは主にガラスプレート４
の周辺部に配置されているため、製造プロセスの影響を
受け易く、層を重ねて回路パターンを形成する際にアラ
イメントマークが比較的大きなダメージを受ける虞があ
る。従って、アライメントマークを正確に検出しにくく
なり、その座標系の誤差の測定精度が悪くなる虞があ
る。
【００１４】本発明は斯かる点に鑑み、既に回路パター
ン等が形成された感光基板上に更に回路パターン等を重
ねて露光する際の感光基板の位置検出をパターンマッチ
ング方式で行う場合に、その既に形成された回路パター
ン等の領域が広い場合でもその感光基板の各位置を正確
に検出して、異なる層間の回路パターン等の重ね合わせ
精度をより向上させることを目的とする。
ン等が形成された感光基板上に更に回路パターン等を重
ねて露光する際の感光基板の位置検出をパターンマッチ
ング方式で行う場合に、その既に形成された回路パター
ン等の領域が広い場合でもその感光基板の各位置を正確
に検出して、異なる層間の回路パターン等の重ね合わせ
精度をより向上させることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による露光方法
は、感光基板に形成された第１の回路パターンに対して
所定の関係で、マスクに設けられた第２の回路パターン
を重ね合わせ露光する露光方法において、予めその第１
の回路パターンの一部をテンプレートとして記憶し、そ
のテンプレートとその感光基板に形成されたその第１の
回路パターンとをパターンマッチングすることによりそ
の第１の回路パターンの位置を計測し、その第１の回路
パターンに対して、その所定の関係でその第２の回路パ
ターンを重ね合わせ露光するものである。 次に、本発明
による露光装置は、感光基板に形成された第１の回路パ
ターンに対して所定の関係で、マスクに設けられた第２
の回路パターンを重ね合わせ露光する露光装置におい
て、予めその第１の回路パターンの一部をテンプレート
として記憶する記憶部と、その記憶されたテンプレート
とその感光基板に形成されたその第１の回路パターンと
をパターンマッチングすることによりその第１の回路パ
ターンの位置を計測する計測部と、その第１の回路パタ
ーンに対して、その所定の関係でその第２の回路パター
ンを重ね合わせする駆動部と、を備えたものである。
は、感光基板に形成された第１の回路パターンに対して
所定の関係で、マスクに設けられた第２の回路パターン
を重ね合わせ露光する露光方法において、予めその第１
の回路パターンの一部をテンプレートとして記憶し、そ
のテンプレートとその感光基板に形成されたその第１の
回路パターンとをパターンマッチングすることによりそ
の第１の回路パターンの位置を計測し、その第１の回路
パターンに対して、その所定の関係でその第２の回路パ
ターンを重ね合わせ露光するものである。 次に、本発明
による露光装置は、感光基板に形成された第１の回路パ
ターンに対して所定の関係で、マスクに設けられた第２
の回路パターンを重ね合わせ露光する露光装置におい
て、予めその第１の回路パターンの一部をテンプレート
として記憶する記憶部と、その記憶されたテンプレート
とその感光基板に形成されたその第１の回路パターンと
をパターンマッチングすることによりその第１の回路パ
ターンの位置を計測する計測部と、その第１の回路パタ
ーンに対して、その所定の関係でその第２の回路パター
ンを重ね合わせする駆動部と、を備えたものである。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【作用】斯かる本発明の露光方法によれば、例えば、基
準となる所定のマークとしてその感光基板（４）上のパ
ターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の回路パターン
の一部（２６−１）が選択され、その第１の回路パター
ンの一部（２６−１）の映像信号がテンプレートとして
記憶される。次に、その感光基板（４）上のパターン領
域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の回路パターンの映像信
号が検出され、この映像信号とそのテンプレートとのパ
ターンマッチングが行なわれる。この際に、その感光基
板（４）のパターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の
回路パターンにその第１の回路パターンの一部（２６−
１）と同一のパターン（２６−２〜２６−８）が存在す
ると、これら同一のパターン（２６−２〜２６−８）を
含む領域の映像信号がそのテンプレートにより検出され
る。
準となる所定のマークとしてその感光基板（４）上のパ
ターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の回路パターン
の一部（２６−１）が選択され、その第１の回路パター
ンの一部（２６−１）の映像信号がテンプレートとして
記憶される。次に、その感光基板（４）上のパターン領
域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の回路パターンの映像信
号が検出され、この映像信号とそのテンプレートとのパ
ターンマッチングが行なわれる。この際に、その感光基
板（４）のパターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内の第１の
回路パターンにその第１の回路パターンの一部（２６−
１）と同一のパターン（２６−２〜２６−８）が存在す
ると、これら同一のパターン（２６−２〜２６−８）を
含む領域の映像信号がそのテンプレートにより検出され
る。
【００１９】次に、これら同一のパターン（２６−２〜
２６−８）の映像信号の位置が検出され、この検出した
位置と設計上の位置とを比較することにより、その感光
基板（４）の誤差量が検出される。この場合、パターン
領域（２１Ａ，２１Ｂ）の内部の位置の座標系の誤差を
検出できるので、従来よりも正確にパターン領域（２１
Ａ，２１Ｂ）の内部の座標系の誤差を検出できる。従っ
て、その誤差を補正するようにその感光基板（４）のア
ライメントを行うことにより、アライメント精度が向上
し、第１の回路パターンと次に転写する第２の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度が向上する。
２６−８）の映像信号の位置が検出され、この検出した
位置と設計上の位置とを比較することにより、その感光
基板（４）の誤差量が検出される。この場合、パターン
領域（２１Ａ，２１Ｂ）の内部の位置の座標系の誤差を
検出できるので、従来よりも正確にパターン領域（２１
Ａ，２１Ｂ）の内部の座標系の誤差を検出できる。従っ
て、その誤差を補正するようにその感光基板（４）のア
ライメントを行うことにより、アライメント精度が向上
し、第１の回路パターンと次に転写する第２の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度が向上する。
【００２０】また、例えば、感光基板（４）上に第２の
回路パターンを転写するのに先だって、その感光基板
（４）上の第１の回路パターンの一部（２６−１）を撮
像し、その撮像されたパターンをテンプレートとしての
基準画像パターン（２８）として記憶する。次に、その
感光基板（４）上のパターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内
の第１の回路パターン内で被処理画像（３２）を撮像
し、この被処理画像（３２）内で基準画像パターン（２
８）と同一のパターン（３４）を検出し、このパターン
（３４）のその被処理画像（３２）の領域に対する位置
を求める。
回路パターンを転写するのに先だって、その感光基板
（４）上の第１の回路パターンの一部（２６−１）を撮
像し、その撮像されたパターンをテンプレートとしての
基準画像パターン（２８）として記憶する。次に、その
感光基板（４）上のパターン領域（２１Ａ，２１Ｂ）内
の第１の回路パターン内で被処理画像（３２）を撮像
し、この被処理画像（３２）内で基準画像パターン（２
８）と同一のパターン（３４）を検出し、このパターン
（３４）のその被処理画像（３２）の領域に対する位置
を求める。
【００２１】例えば撮像手段とその感光基板（４）との
相対移動量を計測することにより、その被処理画像（３
２）のその感光基板（４）内での位置が計測される。こ
の位置にそのパターン（３４）の被処理画像（３２）内
での位置を加算することにより、そのパターン（３４）
の感光基板（４）内での位置が算出される。従って、こ
の算出された位置と設計上の位置とを比較することによ
り、その感光基板（４）のそのパターン（３４）の位置
での座標系の誤差が検出される。この場合、パターン領
域（２１Ａ，２１Ｂ）の内部の位置の座標系の誤差を検
出できるので、従来よりも正確にパターン領域（２１
Ａ，２１Ｂ）の内部の座標系の誤差を検出できる。従っ
て、その誤差を補正するようにその感光基板（４）のア
ライメントを行うことにより、アライメント精度が向上
し、第１の回路パターンと次に転写する第２の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度が向上する。また、本発明の露
光装置によれば、本発明の露光方法を実施できるため、
その感光基板上のパターン領域がどのように広い場合で
もその感光基板上の各領域の位置を正確に検出でき、第
１の回路パターンと次に転写する第２の回路パターンと
の重ね合わせ精度が向上する。
相対移動量を計測することにより、その被処理画像（３
２）のその感光基板（４）内での位置が計測される。こ
の位置にそのパターン（３４）の被処理画像（３２）内
での位置を加算することにより、そのパターン（３４）
の感光基板（４）内での位置が算出される。従って、こ
の算出された位置と設計上の位置とを比較することによ
り、その感光基板（４）のそのパターン（３４）の位置
での座標系の誤差が検出される。この場合、パターン領
域（２１Ａ，２１Ｂ）の内部の位置の座標系の誤差を検
出できるので、従来よりも正確にパターン領域（２１
Ａ，２１Ｂ）の内部の座標系の誤差を検出できる。従っ
て、その誤差を補正するようにその感光基板（４）のア
ライメントを行うことにより、アライメント精度が向上
し、第１の回路パターンと次に転写する第２の回路パタ
ーンとの重ね合わせ精度が向上する。また、本発明の露
光装置によれば、本発明の露光方法を実施できるため、
その感光基板上のパターン領域がどのように広い場合で
もその感光基板上の各領域の位置を正確に検出でき、第
１の回路パターンと次に転写する第２の回路パターンと
の重ね合わせ精度が向上する。
【００２２】
【実施例】以下、本発明による位置検出方法の一実施例
につき図１〜図３を参照して説明する。本実施例は図３
の投影露光装置でガラスプレート４上に重ねて回路パタ
ーンを露光して大型の液晶表示素子基板を製造する際
の、そのガラスプレート４のアライメント方法に本発明
を適用したものであり、図１において図３及び図４に対
応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。
につき図１〜図３を参照して説明する。本実施例は図３
の投影露光装置でガラスプレート４上に重ねて回路パタ
ーンを露光して大型の液晶表示素子基板を製造する際
の、そのガラスプレート４のアライメント方法に本発明
を適用したものであり、図１において図３及び図４に対
応する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。
【００２３】図１は本例の感光基板としての感光材が塗
布されたガラスプレート４を示し、この図１において、
ガラスプレート４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂ上に
はそれまでのプロセスにより１層又は複数層の回路パタ
ーンが形成されている。また、液晶画素部２１Ａ及び２
１Ｂの周囲にはアライメントマーク２２−１，２２−
２，‥‥，２２−９が形成されている。
布されたガラスプレート４を示し、この図１において、
ガラスプレート４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂ上に
はそれまでのプロセスにより１層又は複数層の回路パタ
ーンが形成されている。また、液晶画素部２１Ａ及び２
１Ｂの周囲にはアライメントマーク２２−１，２２−
２，‥‥，２２−９が形成されている。
【００２４】また、図１に示すように、ガラスプレート
４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂはそれぞれ或るパタ
ーンが複数回繰り返されて形成されている。例えば液晶
画素部２１Ａ内では異なる位置にある回路パターン２６
−１〜２６−４が同一であり、液晶画素部２１Ｂ内では
異なる位置にある回路パターン２６−５〜２６−８が同
一であり、且つ回路パターン２６−５〜２６−８は回路
パターン２６−１と同一である。本例では以下のように
それら回路パターン２６−１〜２６−８を目印としてガ
ラスプレート４のアライメントを行う。それには回路パ
ターン２６−１〜２６−８の何れかを基準画像として登
録することが必要である。
４上の液晶画素部２１Ａ及び２１Ｂはそれぞれ或るパタ
ーンが複数回繰り返されて形成されている。例えば液晶
画素部２１Ａ内では異なる位置にある回路パターン２６
−１〜２６−４が同一であり、液晶画素部２１Ｂ内では
異なる位置にある回路パターン２６−５〜２６−８が同
一であり、且つ回路パターン２６−５〜２６−８は回路
パターン２６−１と同一である。本例では以下のように
それら回路パターン２６−１〜２６−８を目印としてガ
ラスプレート４のアライメントを行う。それには回路パ
ターン２６−１〜２６−８の何れかを基準画像として登
録することが必要である。
【００２５】その前に、先ず図３のレチクルＲ上の座標
系の原点と図１のガラスプレート４上の座標系の原点と
のオフセット量（ベースライン）を求める。そのために
は、例えば図１のガラスプレート４上のアライメントマ
ーク２２−１を選択して、図３のアライメント用の顕微
鏡１１でレチクルＲのアライメントマークＲＭとそのガ
ラスプレート４上のアライメントマーク２２−１とを同
時に観察する。そして、ＸＹステージ６を駆動してガラ
スプレート４を微動させて、アライメント用の顕微鏡１
１による観察画面内でそのアライメントマークＲＭの像
とアライメントマーク２２−１の像とが重なるようにし
て、そのときのＸＹステージ６の座標を検出すると、こ
の座標によりそのオフセット量が求められる。
系の原点と図１のガラスプレート４上の座標系の原点と
のオフセット量（ベースライン）を求める。そのために
は、例えば図１のガラスプレート４上のアライメントマ
ーク２２−１を選択して、図３のアライメント用の顕微
鏡１１でレチクルＲのアライメントマークＲＭとそのガ
ラスプレート４上のアライメントマーク２２−１とを同
時に観察する。そして、ＸＹステージ６を駆動してガラ
スプレート４を微動させて、アライメント用の顕微鏡１
１による観察画面内でそのアライメントマークＲＭの像
とアライメントマーク２２−１の像とが重なるようにし
て、そのときのＸＹステージ６の座標を検出すると、こ
の座標によりそのオフセット量が求められる。
【００２６】更に、別のアライメント用の顕微鏡を用い
てレチクルＲ上の別のアライメントマークの像とガラス
プレート４上の例えばアライメントマーク２２−３の像
とをＸ方向又はＹ方向に重ね合わせることにより、レチ
クルＲとガラスプレート４との回転角の補正が行われ
る。なお、Ｚステージ５上の基準マーク集合体７のアラ
イメントマークを使用してもそのオフセット量を算出及
び回転角の補正を行うことができる。
てレチクルＲ上の別のアライメントマークの像とガラス
プレート４上の例えばアライメントマーク２２−３の像
とをＸ方向又はＹ方向に重ね合わせることにより、レチ
クルＲとガラスプレート４との回転角の補正が行われ
る。なお、Ｚステージ５上の基準マーク集合体７のアラ
イメントマークを使用してもそのオフセット量を算出及
び回転角の補正を行うことができる。
【００２７】次に、図１において、レチクルＲとの相対
的な位置関係が求められたアライメントマーク２２−１
を基準として基準画像の登録を行う。例えば、アライメ
ントマーク２２−１に近い回路パターン２６−１が基準
画像として選択されるが、アライメントマーク２２−１
から離れた回路パターン２６−４等を基準画像として選
択しても良い。但し、アライメントマーク２２−１に近
接した回路パターン２６−１を基準画像にすると、種々
のプロセスを経たことによる基板の各種の誤差量が無視
できる程に小さくなる場合が多く、その回路パターン２
６−１の位置としてはアライメントマーク２２−１を基
準とした場合の設計上の位置を用いる事ができ、補正演
算を行う必要がなくなる。一方、例えば回路パターン２
６−４を基準画像として選択した場合、回路パターン２
６−４を基準としたときの、他の回路パターン２６−
１，２６−２及び２６−３の設計上の位置と実測された
位置とのＸ方向の差を例えばそれぞれ１，２及び−１と
する。この場合には、回路パターン２６−１における設
計上の位置と実測された位置とのＸ方向の差が０になる
ように補正を行えば良い。即ち、０，１，−２及び−１
がそれぞれ回路パターン２６−１，２６−２，２６−３
及び２６−４の設計上の位置と実測された位置とのＸ方
向の差になる。更に、より正確に基準画像としての回路
パターン２６−１（又は回路パターン２６−４等）の位
置を求めるには、例えば試し焼き（露光）により、その
回路パターン２６−１（又は回路パターン２６−４等）
の設計上の位置と実測された位置との差を求めておけば
良い。具体的に、図１のガラスプレート４の回路パター
ン２６−１を基準画像として選択した場合には、その回
路パターン２６−１を図３の対物レンズ１５の下方に移
動して、ＣＣＤカメラ１９でその回路パターン２６−１
の近傍の画像及び共役指標板１７の指標マークの像を撮
像する。これにより、図２（ａ）に示す被処理画像２７
が得られる。
的な位置関係が求められたアライメントマーク２２−１
を基準として基準画像の登録を行う。例えば、アライメ
ントマーク２２−１に近い回路パターン２６−１が基準
画像として選択されるが、アライメントマーク２２−１
から離れた回路パターン２６−４等を基準画像として選
択しても良い。但し、アライメントマーク２２−１に近
接した回路パターン２６−１を基準画像にすると、種々
のプロセスを経たことによる基板の各種の誤差量が無視
できる程に小さくなる場合が多く、その回路パターン２
６−１の位置としてはアライメントマーク２２−１を基
準とした場合の設計上の位置を用いる事ができ、補正演
算を行う必要がなくなる。一方、例えば回路パターン２
６−４を基準画像として選択した場合、回路パターン２
６−４を基準としたときの、他の回路パターン２６−
１，２６−２及び２６−３の設計上の位置と実測された
位置とのＸ方向の差を例えばそれぞれ１，２及び−１と
する。この場合には、回路パターン２６−１における設
計上の位置と実測された位置とのＸ方向の差が０になる
ように補正を行えば良い。即ち、０，１，−２及び−１
がそれぞれ回路パターン２６−１，２６−２，２６−３
及び２６−４の設計上の位置と実測された位置とのＸ方
向の差になる。更に、より正確に基準画像としての回路
パターン２６−１（又は回路パターン２６−４等）の位
置を求めるには、例えば試し焼き（露光）により、その
回路パターン２６−１（又は回路パターン２６−４等）
の設計上の位置と実測された位置との差を求めておけば
良い。具体的に、図１のガラスプレート４の回路パター
ン２６−１を基準画像として選択した場合には、その回
路パターン２６−１を図３の対物レンズ１５の下方に移
動して、ＣＣＤカメラ１９でその回路パターン２６−１
の近傍の画像及び共役指標板１７の指標マークの像を撮
像する。これにより、図２（ａ）に示す被処理画像２７
が得られる。
【００２８】図２（ａ）において、被処理画像２７の中
央部に回路パターン２６−１の像２６−１Ｇが結像され
ているので、その像２６−１Ｇを囲む所定面積の矩形の
領域を基準画像２８とする。そして、この基準画像２８
の映像信号を図３のパターンマッチング回路２０のメモ
リにテンプレートとして記憶（登録）する。また、その
基準画像２８の原点ａの被処理画像２７内での２次元座
標を（Ｘｍｏ，Ｙｍｏ）とする。この２次元座標はＣＣ
Ｄカメラ１９の撮像面での座標値にその撮像面からガラ
スプレート４の露光面に対する倍率βを乗じて得られた
座標である。従って、その２次元座標の差分はガラスプ
レート４上の距離と等しい（以下同様）。
央部に回路パターン２６−１の像２６−１Ｇが結像され
ているので、その像２６−１Ｇを囲む所定面積の矩形の
領域を基準画像２８とする。そして、この基準画像２８
の映像信号を図３のパターンマッチング回路２０のメモ
リにテンプレートとして記憶（登録）する。また、その
基準画像２８の原点ａの被処理画像２７内での２次元座
標を（Ｘｍｏ，Ｙｍｏ）とする。この２次元座標はＣＣ
Ｄカメラ１９の撮像面での座標値にその撮像面からガラ
スプレート４の露光面に対する倍率βを乗じて得られた
座標である。従って、その２次元座標の差分はガラスプ
レート４上の距離と等しい（以下同様）。
【００２９】次に、図２（ａ）において、その像２６−
１Ｇの周囲に図３の共役指標板１７の指標マークの像２
９Ａ〜２９Ｄが結像されている。本例では図２（ｃ）に
示すように、それら指標マークの像２９Ａ〜２９Ｄの内
の像２９Ａと同一形状のパターン２９を囲む所定面積の
矩形の領域が指標マークの基準画像３１とされ、この指
標マークの基準画像３１の映像信号も図３のパターンマ
ッチング回路２０のメモリに記憶（登録）されている。
そのパターンマッチング回路２０は、その図２（ｃ）の
指標マークの基準画像３１の映像信号で図２（ｃ）の被
処理画像２７の映像信号に対してパターンマッチングを
行う。これにより、図２（ａ）の指標マークの像２９Ａ
を囲む矩形の領域３０が基準画像３１と合致する領域と
して抽出されるので、その領域３０の原点ｂの被処理画
像２７内での２次元座標を（Ｘｉ，Ｙｉ）とする。
１Ｇの周囲に図３の共役指標板１７の指標マークの像２
９Ａ〜２９Ｄが結像されている。本例では図２（ｃ）に
示すように、それら指標マークの像２９Ａ〜２９Ｄの内
の像２９Ａと同一形状のパターン２９を囲む所定面積の
矩形の領域が指標マークの基準画像３１とされ、この指
標マークの基準画像３１の映像信号も図３のパターンマ
ッチング回路２０のメモリに記憶（登録）されている。
そのパターンマッチング回路２０は、その図２（ｃ）の
指標マークの基準画像３１の映像信号で図２（ｃ）の被
処理画像２７の映像信号に対してパターンマッチングを
行う。これにより、図２（ａ）の指標マークの像２９Ａ
を囲む矩形の領域３０が基準画像３１と合致する領域と
して抽出されるので、その領域３０の原点ｂの被処理画
像２７内での２次元座標を（Ｘｉ，Ｙｉ）とする。
【００３０】そして、上記の座標（Ｘｍｏ，Ｙｍｏ）及
び（Ｘｉ，Ｙｉ）より、指標マークの像２９Ａを囲む領
域３０を基準とした場合の基準画像２８の基準座標（Ｘ
ｂｐ，Ｙｂｐ）を次式から求める。 Ｘｂｐ＝Ｘｉ−Ｘｍｏ （１Ａ） Ｙｂｐ＝Ｙｉ−Ｙｍｏ （１Ｂ）
び（Ｘｉ，Ｙｉ）より、指標マークの像２９Ａを囲む領
域３０を基準とした場合の基準画像２８の基準座標（Ｘ
ｂｐ，Ｙｂｐ）を次式から求める。 Ｘｂｐ＝Ｘｉ−Ｘｍｏ （１Ａ） Ｙｂｐ＝Ｙｉ−Ｙｍｏ （１Ｂ）
【００３１】次に、図３のＸＹステージ６を駆動して例
えば図１の回路パターン２６−２を対物レンズ１５の下
方に移動して、ＣＣＤカメラ１９でその回路パターン２
６−２の近傍の画像を撮像する。但し、ＸＹステージ６
を駆動してのガラスプレート４の移動量は、回路パター
ン２６−１と回路パターン２６−２との設計上の距離に
等しく設定する。そのＣＣＤカメラ１９の撮像面で図２
（ｂ）に示す被処理画像３２が得られる。図２（ｂ）に
おいて、被処理画像３２の中央部に回路パターン２６−
２の像２６−２Ｇが結像され、その像２６−２Ｇの周囲
に指標マークの像２９Ａ〜２９Ｄが結像されている。こ
こで、図２（ｃ）の指標マークの基準画像３１を用い
て、図２（ｂ）の被処理画像３２に対してパターンマッ
チングを行う。これにより指標マークの像２９Ａを囲む
矩形の領域３３が抽出される。この領域３３の原点ｃの
被処理画像３２に対する２次元座標（Ｘｉ′，Ｙｉ′）
を求める。
えば図１の回路パターン２６−２を対物レンズ１５の下
方に移動して、ＣＣＤカメラ１９でその回路パターン２
６−２の近傍の画像を撮像する。但し、ＸＹステージ６
を駆動してのガラスプレート４の移動量は、回路パター
ン２６−１と回路パターン２６−２との設計上の距離に
等しく設定する。そのＣＣＤカメラ１９の撮像面で図２
（ｂ）に示す被処理画像３２が得られる。図２（ｂ）に
おいて、被処理画像３２の中央部に回路パターン２６−
２の像２６−２Ｇが結像され、その像２６−２Ｇの周囲
に指標マークの像２９Ａ〜２９Ｄが結像されている。こ
こで、図２（ｃ）の指標マークの基準画像３１を用い
て、図２（ｂ）の被処理画像３２に対してパターンマッ
チングを行う。これにより指標マークの像２９Ａを囲む
矩形の領域３３が抽出される。この領域３３の原点ｃの
被処理画像３２に対する２次元座標（Ｘｉ′，Ｙｉ′）
を求める。
【００３２】その後、図３のパターンマッチング回路２
０は、図２（ａ）で登録した基準画像２８を用いて図２
（ｂ）の被処理画像３２に対してパターンマッチングを
行う。これにより回路パターン２６−２の像２６−２Ｇ
を囲む矩形の領域３４が基準画像２８と同一であるとし
て抽出される。その領域３４の原点ｄの被処理画像３２
内での２次元座標を（Ｘｍ，Ｙｍ）とする。この場合、
ガラスプレート４上に形成されるパターンに各種誤差量
が無いとすると、原点ｄの原点ｃを基準とした座標値は
図２（ａ）の原点ａの原点ｂを基準とした座標値と等し
いはずである。
０は、図２（ａ）で登録した基準画像２８を用いて図２
（ｂ）の被処理画像３２に対してパターンマッチングを
行う。これにより回路パターン２６−２の像２６−２Ｇ
を囲む矩形の領域３４が基準画像２８と同一であるとし
て抽出される。その領域３４の原点ｄの被処理画像３２
内での２次元座標を（Ｘｍ，Ｙｍ）とする。この場合、
ガラスプレート４上に形成されるパターンに各種誤差量
が無いとすると、原点ｄの原点ｃを基準とした座標値は
図２（ａ）の原点ａの原点ｂを基準とした座標値と等し
いはずである。
【００３３】しかしながら、実際にはガラスプレート４
上に形成されるパターンに各種誤差量が付加されるた
め、図１のアライメントマーク２６−２はアライメント
マーク２６−１に対して本来の設計上の位置から（Ｘ
ｒ，Ｙｒ）だけずれている。上記の（１Ａ）式及び（１
Ｂ）式で表される基準座標（Ｘｂｐ，Ｙｂｐ）を用い
て、その位置ずれ量（Ｘｒ，Ｙｒ）は次式で表される。 Ｘｒ＝Ｘｂｐ−（Ｘｉ′−Ｘｍ） （２Ａ） Ｙｒ＝Ｙｂｐ−（Ｙｉ′−Ｙｍ） （２Ｂ）
上に形成されるパターンに各種誤差量が付加されるた
め、図１のアライメントマーク２６−２はアライメント
マーク２６−１に対して本来の設計上の位置から（Ｘ
ｒ，Ｙｒ）だけずれている。上記の（１Ａ）式及び（１
Ｂ）式で表される基準座標（Ｘｂｐ，Ｙｂｐ）を用い
て、その位置ずれ量（Ｘｒ，Ｙｒ）は次式で表される。 Ｘｒ＝Ｘｂｐ−（Ｘｉ′−Ｘｍ） （２Ａ） Ｙｒ＝Ｙｂｐ−（Ｙｉ′−Ｙｍ） （２Ｂ）
【００３４】従って、例えば図１のガラスプレート４の
回路パターン２６−１を含む領域上にレチクルＲのパタ
ーンを露光した後に、回路パターン２６−２を含む領域
上にレチクルＲのパターンを露光する際には、ガラスプ
レート４の位置決め座標を設計値に対して（２Ａ）式及
び（２Ｂ）式で表される位置ずれ量（Ｘｒ，Ｙｒ）だけ
補正する必要がある。これによりアライメント精度が向
上し、異なる層間の重ね合わせ精度が向上する。
回路パターン２６−１を含む領域上にレチクルＲのパタ
ーンを露光した後に、回路パターン２６−２を含む領域
上にレチクルＲのパターンを露光する際には、ガラスプ
レート４の位置決め座標を設計値に対して（２Ａ）式及
び（２Ｂ）式で表される位置ずれ量（Ｘｒ，Ｙｒ）だけ
補正する必要がある。これによりアライメント精度が向
上し、異なる層間の重ね合わせ精度が向上する。
【００３５】図１において、同様に他の回路パターン２
６−３〜２６−８についてもパターンマッチングにより
位置を検出し、この検出した各位置の回路パターン２６
−１を基準とした場合の本来の位置からの位置ずれ量を
求める。そして、この位置ずれ量を補正しながらガラス
プレート４を位置決めすることにより、アライメント精
度が向上する。また、ガラスプレート４の位置決め精度
の補正を行うには、ガラスプレート４の各ショット領域
内だけから基準マークを選択してショット領域単位で補
正する方法と、ガラスプレート４の全面に亘って基準マ
ークを選択してプレート単位で補正を行う方法とがあ
る。
６−３〜２６−８についてもパターンマッチングにより
位置を検出し、この検出した各位置の回路パターン２６
−１を基準とした場合の本来の位置からの位置ずれ量を
求める。そして、この位置ずれ量を補正しながらガラス
プレート４を位置決めすることにより、アライメント精
度が向上する。また、ガラスプレート４の位置決め精度
の補正を行うには、ガラスプレート４の各ショット領域
内だけから基準マークを選択してショット領域単位で補
正する方法と、ガラスプレート４の全面に亘って基準マ
ークを選択してプレート単位で補正を行う方法とがあ
る。
【００３６】なお、本例では図３の共役指標板１７の指
標マークの像を被処理画像２７，３２内の位置の基準と
して使用しているが、その指標マークの像を使用するこ
とによりアライメント光学系の変動によるＣＣＤカメラ
１９の撮像面での結像位置のシフトの影響が除去され
る。従って、結像位置のシフトが無視できる程である場
合には共役指標板１７は必ずしも使用する必要が無い。
このように、本発明は上述実施例に限定されず本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
標マークの像を被処理画像２７，３２内の位置の基準と
して使用しているが、その指標マークの像を使用するこ
とによりアライメント光学系の変動によるＣＣＤカメラ
１９の撮像面での結像位置のシフトの影響が除去され
る。従って、結像位置のシフトが無視できる程である場
合には共役指標板１７は必ずしも使用する必要が無い。
このように、本発明は上述実施例に限定されず本発明の
要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、感光基板上に形成され
たその第１の回路パターンの一部をテンプレートとして
記憶するため、原理的に感光基板上のパターン領域がど
のように広い場合でもその基板の各領域の位置を正確に
検出できる利点がある。
たその第１の回路パターンの一部をテンプレートとして
記憶するため、原理的に感光基板上のパターン領域がど
のように広い場合でもその基板の各領域の位置を正確に
検出できる利点がある。
【００３８】即ち、第１の回路パターンの一部をテンプ
レートとして記憶し、第１の回路パターンの他の部分か
らそのテンプレートと同一のパターンを検出するように
しているので、その第１の回路パターンが形成されたパ
ターン領域がどのように広い場合でもその感光基板の各
領域の位置を正確に検出できる。従って、第２の回路パ
ターンの転写に先立つその感光基板のアライメントを正
確に行うことができ、第１の回路パターンと第２の回路
パターンとの重ね合わせ精度を向上することができる。
レートとして記憶し、第１の回路パターンの他の部分か
らそのテンプレートと同一のパターンを検出するように
しているので、その第１の回路パターンが形成されたパ
ターン領域がどのように広い場合でもその感光基板の各
領域の位置を正確に検出できる。従って、第２の回路パ
ターンの転写に先立つその感光基板のアライメントを正
確に行うことができ、第１の回路パターンと第２の回路
パターンとの重ね合わせ精度を向上することができる。
【図１】本発明の一実施例のアライメント方法が適用さ
れるガラスプレートのパターンを示す平面図である。
れるガラスプレートのパターンを示す平面図である。
【図２】（ａ）はその実施例で登録される基準画像２８
が含まれた被処理画像２７を示す線図、（ｂ）はパター
ンマッチングの対象となる被処理画像３２を示す線図、
（ｃ）は指標マーク像の基準画像３１を示す線図であ
る。
が含まれた被処理画像２７を示す線図、（ｂ）はパター
ンマッチングの対象となる被処理画像３２を示す線図、
（ｃ）は指標マーク像の基準画像３１を示す線図であ
る。
【図３】従来のアライメント方法及び本発明の実施例の
アライメント方法を使用する投影露光装置の概略を示す
構成図である。
アライメント方法を使用する投影露光装置の概略を示す
構成図である。
【図４】（ａ）は従来のアライメント方法が適用される
ガラスプレートのパターンを示す平面図、（ｂ）は図４
（ａ）のアライメントマークの像を含む被処理画像を示
す線図、（ｃ）は従来のアライメントマーク像の基準画
像２５を示す線図である。
ガラスプレートのパターンを示す平面図、（ｂ）は図４
（ａ）のアライメントマークの像を含む被処理画像を示
す線図、（ｃ）は従来のアライメントマーク像の基準画
像２５を示す線図である。
１ 光源 ３ コンデンサーレンズ系 Ｒ レチクル ＰＬ 投影光学系 ４ ガラスプレート ６ ＸＹステージ ９ レーザー干渉計 １０ 駆動装置 １１ アライメント用の顕微鏡 １３ オートフォーカス検出系の送光系 １４ オートフォーカス検出系の受光系 １５ 対物レンズ １７ 共役指標板 １８ リレーレンズ １９ ＣＣＤカメラ ２０ パターンマッチング装置 ２２−１〜２２−９ アライメントマーク ２６−１〜２６−８ 回路パターン ２７，３２ 被処理画像 ２８ 基準画像
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−271833（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−264635（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−295748（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 感光基板に形成された第１の回路パター
ンに対して所定の関係で、マスクに設けられた第２の回
路パターンを重ね合わせ露光する露光方法において、 予め前記第１の回路パターンの一部をテンプレートとし
て記憶し、 前記テンプレートと前記感光基板に形成された前記第１
の回路パターンとをパターンマッチングすることにより
前記第１の回路パターンの位置を計測し、 前記第１の回路パターンに対して、前記所定の関係で前
記第２の回路パターンを重ね合わせ露光する事を特徴と
する露光方法。 - 【請求項２】 前記パターンマッチングは、前記テンプ
レートの映像信号と前記感光基板に形成された前記第１
の回路パターンの映像信号とを用いて行う事を特徴とす
る請求項１記載の露光方法。 - 【請求項３】 前記第１の回路パターンは、前記感光基
板に複数形成された繰り返し回路パターンで形成され、 前記パターンマッチングには、前記第１の回路パターン
のうち任意の位置に設けられた繰り返し回路パターンの
一部を用いる事を特徴とする請求項１又は２記載の露光
方法。 - 【請求項４】 前記パターンマッチングには、前記第１
の回路パターンのうち複数の位置に設けられた繰り返し
回路パターンの一部を用い、 該複数のパターンマッチングの結果に基づいて前記第１
の回路パターンの位置を求める事を特徴とする請求項３
記載の露光方法。 - 【請求項５】 感光基板に形成された第１の回路パター
ンに対して所定の関係で、マスクに設けられた第２の回
路パターンを重ね合わせ露光する露光装置において、 予め前記第１の回路パターンの一部をテンプレートとし
て記憶する記憶部と、 前記記憶されたテンプレートと前記感光基板に形成され
た前記第１の回路パターンとをパターンマッチングする
ことにより前記第１の回路パターンの位置を計測する計
測部と、 前記第１の回路パターンに対して、前記所定の関係で前
記第２の回路パターンを重ね合わせする駆動部と、を備
えた事を特徴とする露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22215892A JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 露光方法及び装置 |
| US08/339,284 US5500736A (en) | 1992-07-29 | 1994-11-07 | Method of detecting positions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22215892A JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 露光方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653118A JPH0653118A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3224041B2 true JP3224041B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=16778091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22215892A Expired - Fee Related JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 露光方法及び装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5500736A (ja) |
| JP (1) | JP3224041B2 (ja) |
Families Citing this family (191)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242041A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Nikon Corp | 位置検出方法及びその装置並びに露光装置 |
| US20080248046A1 (en) * | 1997-03-17 | 2008-10-09 | Human Genome Sciences, Inc. | Death domain containing receptor 5 |
| US6102516A (en) * | 1997-03-17 | 2000-08-15 | Lexmark International, Inc. | Fiducial system and method for conducting an inspection to determine if a second element is properly aligned relative to a first element |
| TW335527B (en) * | 1997-11-08 | 1998-07-01 | United Microelectronics Corp | The rework testing method of semiconductor device |
| KR100502797B1 (ko) * | 1997-12-01 | 2005-10-19 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| DE10303902B4 (de) * | 2003-01-31 | 2004-12-09 | Süss Microtec Lithography Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske |
| US7063920B2 (en) * | 2003-05-16 | 2006-06-20 | Asml Holding, N.V. | Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems |
| EP1480080A1 (en) * | 2003-05-22 | 2004-11-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7183566B2 (en) * | 2003-05-28 | 2007-02-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus for manufacturing a device |
| US7061591B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-06-13 | Asml Holding N.V. | Maskless lithography systems and methods utilizing spatial light modulator arrays |
| US6989920B2 (en) | 2003-05-29 | 2006-01-24 | Asml Holding N.V. | System and method for dose control in a lithographic system |
| EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7016015B2 (en) * | 2003-06-20 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| EP1489449A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Spatial light modulator |
| US7110082B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-09-19 | Asml Holding N.V. | Optical system for maskless lithography |
| SG119224A1 (en) * | 2003-06-26 | 2006-02-28 | Asml Netherlands Bv | Calibration method for a lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7158215B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-02 | Asml Holding N.V. | Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays |
| US7154587B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-12-26 | Asml Netherlands B.V | Spatial light modulator, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7224504B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-05-29 | Asml Holding N. V. | Deformable mirror using piezoelectric actuators formed as an integrated circuit and method of use |
| US6831768B1 (en) * | 2003-07-31 | 2004-12-14 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography |
| US7414701B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-08-19 | Asml Holding N.V. | Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems |
| SG110196A1 (en) * | 2003-09-22 | 2005-04-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6876440B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-05 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap of exposure zones with attenuation of the aerial image in the overlap region |
| US7023526B2 (en) * | 2003-09-30 | 2006-04-04 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system utilizing overlap without an explicit attenuation |
| US7410736B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-08-12 | Asml Holding N.V. | Methods and systems to compensate for a stitching disturbance of a printed pattern in a maskless lithography system not utilizing overlap of the exposure zones |
| US7109498B2 (en) * | 2003-10-09 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method |
| US7116398B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7196772B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7001232B2 (en) * | 2003-12-11 | 2006-02-21 | Montgomery Robert E | Personal watercraft air intake assembly |
| US6995830B2 (en) * | 2003-12-22 | 2006-02-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| US7012674B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | Maskless optical writer |
| US7580559B2 (en) * | 2004-01-29 | 2009-08-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator |
| US6847461B1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | System and method for calibrating a spatial light modulator array using shearing interferometry |
| JP4083751B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2008-04-30 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | 空間光変調器アレイを較正するシステムおよび空間光変調器アレイを較正する方法 |
| US7190434B2 (en) * | 2004-02-18 | 2007-03-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7133118B2 (en) * | 2004-02-18 | 2006-11-07 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7081947B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-07-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7016014B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-03-21 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7061586B2 (en) * | 2004-03-02 | 2006-06-13 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| USRE43515E1 (en) | 2004-03-09 | 2012-07-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7094506B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-08-22 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US6967711B2 (en) * | 2004-03-09 | 2005-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7561251B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7053981B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-05-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7153616B2 (en) * | 2004-03-31 | 2006-12-26 | Asml Holding N.V. | System and method for verifying and controlling the performance of a maskless lithography tool |
| US7002666B2 (en) * | 2004-04-16 | 2006-02-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20050243295A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing |
| US6963434B1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-08 | Asml Holding N.V. | System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator |
| US20050259269A1 (en) * | 2004-05-19 | 2005-11-24 | Asml Holding N.V. | Shearing interferometer with dynamic pupil fill |
| US7242456B2 (en) * | 2004-05-26 | 2007-07-10 | Asml Holdings N.V. | System and method utilizing a lithography tool having modular illumination, pattern generator, and projection optics portions |
| US7477403B2 (en) * | 2004-05-27 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
| US7123348B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and method utilizing dose control |
| US6989886B2 (en) * | 2004-06-08 | 2006-01-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7016016B2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-03-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7116403B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7116404B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7158208B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060001890A1 (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-05 | Asml Holding N.V. | Spatial light modulator as source module for DUV wavefront sensor |
| US20060012779A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7573574B2 (en) * | 2004-07-13 | 2009-08-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7335398B2 (en) * | 2004-07-26 | 2008-02-26 | Asml Holding N.V. | Method to modify the spatial response of a pattern generator |
| US7259829B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7227613B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-06-05 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having double telecentric illumination |
| US7142286B2 (en) * | 2004-07-27 | 2006-11-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7251020B2 (en) * | 2004-07-30 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7538855B2 (en) * | 2004-08-10 | 2009-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7102733B2 (en) * | 2004-08-13 | 2006-09-05 | Asml Holding N.V. | System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool |
| US7304718B2 (en) * | 2004-08-17 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7500218B2 (en) * | 2004-08-17 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same |
| US7079225B2 (en) * | 2004-09-14 | 2006-07-18 | Asml Netherlands B.V | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7177012B2 (en) * | 2004-10-18 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7388663B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
| US7423732B2 (en) * | 2004-11-04 | 2008-09-09 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing placement of a patterning device at a pupil plane |
| US7609362B2 (en) * | 2004-11-08 | 2009-10-27 | Asml Netherlands B.V. | Scanning lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP4731886B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-07-27 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 液晶表示装置用基板の製造方法 |
| US7170584B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7474384B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-01-06 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and a projection element for use in the lithographic apparatus |
| US7061581B1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7643192B2 (en) * | 2004-11-24 | 2010-01-05 | Asml Holding N.V. | Pattern generator using a dual phase step element and method of using same |
| US7333177B2 (en) * | 2004-11-30 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7713667B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-05-11 | Asml Holding N.V. | System and method for generating pattern data used to control a pattern generator |
| US7365848B2 (en) * | 2004-12-01 | 2008-04-29 | Asml Holding N.V. | System and method using visible and infrared light to align and measure alignment patterns on multiple layers |
| US8102548B2 (en) * | 2004-12-02 | 2012-01-24 | Xerox Corporation | Video-based control and diagnostics system |
| US7391499B2 (en) * | 2004-12-02 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7362415B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7355677B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | System and method for an improved illumination system in a lithographic apparatus |
| US7180577B2 (en) * | 2004-12-17 | 2007-02-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane |
| US7349068B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7202939B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-04-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7256867B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7230677B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-06-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing hexagonal image grids |
| US7274502B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-09-25 | Asml Holding N.V. | System, apparatus and method for maskless lithography that emulates binary, attenuating phase-shift and alternating phase-shift masks |
| US7375795B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7391676B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Ultrasonic distance sensors |
| US7426076B2 (en) * | 2004-12-23 | 2008-09-16 | Asml Holding N.V. | Projection system for a lithographic apparatus |
| US7656506B2 (en) * | 2004-12-23 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
| US7242458B2 (en) * | 2004-12-23 | 2007-07-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple substrate carrier for flat panel display substrates |
| US7538857B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-05-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a substrate handler |
| US7459247B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7279110B2 (en) * | 2004-12-27 | 2007-10-09 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for creating a phase step in mirrors used in spatial light modulator arrays |
| US7126672B2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7317510B2 (en) * | 2004-12-27 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20060138349A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7145636B2 (en) * | 2004-12-28 | 2006-12-05 | Asml Netherlands Bv | System and method for determining maximum operational parameters used in maskless applications |
| US7274029B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7403865B2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | System and method for fault indication on a substrate in maskless applications |
| US7756660B2 (en) | 2004-12-28 | 2010-07-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7342644B2 (en) * | 2004-12-29 | 2008-03-11 | Asml Netherlands B.V. | Methods and systems for lithographic beam generation |
| US7253881B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-08-07 | Asml Netherlands Bv | Methods and systems for lithographic gray scaling |
| US7567368B2 (en) * | 2005-01-06 | 2009-07-28 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for minimizing scattered light in multi-SLM maskless lithography |
| US7542013B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-06-02 | Asml Holding N.V. | System and method for imaging enhancement via calculation of a customized optimal pupil field and illumination mode |
| WO2006082639A1 (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Fujitsu Limited | マーク画像処理方法、プログラム及び装置 |
| US7460208B2 (en) * | 2005-02-18 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7286137B2 (en) * | 2005-02-28 | 2007-10-23 | Asml Holding N.V. | Method and system for constrained pixel graytones interpolation for pattern rasterization |
| US7499146B2 (en) * | 2005-03-14 | 2009-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method, an integrated circuit, a flat panel display, and a method of compensating for cupping |
| US7812930B2 (en) * | 2005-03-21 | 2010-10-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume |
| US7209216B2 (en) * | 2005-03-25 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography |
| US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
| US7728956B2 (en) * | 2005-04-05 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data |
| US7209217B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices |
| US7330239B2 (en) * | 2005-04-08 | 2008-02-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a blazing portion of a contrast device |
| US7221514B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Variable lens and exposure system |
| US20060244805A1 (en) * | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Ming-Hsiang Yeh | Multicolor pen |
| US7400382B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-07-15 | Asml Holding N.V. | Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form |
| US7738081B2 (en) * | 2005-05-06 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a flat panel display handler with conveyor device and substrate handler |
| US7477772B2 (en) * | 2005-05-31 | 2009-01-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression |
| US7197828B2 (en) * | 2005-05-31 | 2007-04-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing FPD chuck Z position measurement |
| US7292317B2 (en) * | 2005-06-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing substrate stage compensating |
| US7742148B2 (en) * | 2005-06-08 | 2010-06-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method for writing a digital image |
| US7233384B2 (en) * | 2005-06-13 | 2007-06-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor |
| US7321416B2 (en) * | 2005-06-15 | 2008-01-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, and controllable patterning device utilizing a spatial light modulator with distributed digital to analog conversion |
| US7408617B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-08-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a large area FPD chuck equipped with encoders an encoder scale calibration method |
| US7965373B2 (en) * | 2005-06-28 | 2011-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a datapath having a balanced calculation load |
| US7307694B2 (en) * | 2005-06-29 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation beam inspection device, method of inspecting a beam of radiation and device manufacturing method |
| US7522258B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing movement of clean air to reduce contamination |
| US20070013889A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus |
| US7251019B2 (en) * | 2005-07-20 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a continuous light beam in combination with pixel grid imaging |
| US7606430B2 (en) * | 2005-08-30 | 2009-10-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a multiple dictionary compression method for FPD |
| US20070046917A1 (en) * | 2005-08-31 | 2007-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU |
| JP2007114750A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-05-10 | Asml Netherlands Bv | 投影システム設計方法、リソグラフィー装置およびデバイス製造方法 |
| US7391503B2 (en) * | 2005-10-04 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | System and method for compensating for thermal expansion of lithography apparatus or substrate |
| US7830493B2 (en) * | 2005-10-04 | 2010-11-09 | Asml Netherlands B.V. | System and method for compensating for radiation induced thermal distortions in a substrate or projection system |
| US7332733B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to correct for field curvature of multi lens array |
| US20070127005A1 (en) * | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Asml Holding N.V. | Illumination system |
| US7626181B2 (en) * | 2005-12-09 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US20070133007A1 (en) * | 2005-12-14 | 2007-06-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using laser trimming of a multiple mirror contrast device |
| US7440078B2 (en) * | 2005-12-20 | 2008-10-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and maskless exposure units |
| US20070153249A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using multiple exposures and multiple exposure types |
| US7466394B2 (en) * | 2005-12-21 | 2008-12-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using a compensation scheme for a patterning array |
| US7532403B2 (en) * | 2006-02-06 | 2009-05-12 | Asml Holding N.V. | Optical system for transforming numerical aperture |
| US7528933B2 (en) * | 2006-04-06 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a MEMS mirror with large deflection using a non-linear spring arrangement |
| US7508491B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity |
| US7948606B2 (en) * | 2006-04-13 | 2011-05-24 | Asml Netherlands B.V. | Moving beam with respect to diffractive optics in order to reduce interference patterns |
| US7839487B2 (en) * | 2006-04-13 | 2010-11-23 | Asml Holding N.V. | Optical system for increasing illumination efficiency of a patterning device |
| US8264667B2 (en) * | 2006-05-04 | 2012-09-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using interferometric and other exposure |
| US8934084B2 (en) * | 2006-05-31 | 2015-01-13 | Asml Holding N.V. | System and method for printing interference patterns having a pitch in a lithography system |
| US7728954B2 (en) * | 2006-06-06 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Reflective loop system producing incoherent radiation |
| KR101136444B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2012-04-19 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 노광 방법 및 노광 장치 |
| US7649676B2 (en) * | 2006-06-14 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to form unpolarized light |
| US7936445B2 (en) * | 2006-06-19 | 2011-05-03 | Asml Netherlands B.V. | Altering pattern data based on measured optical element characteristics |
| US8896808B2 (en) * | 2006-06-21 | 2014-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US7697115B2 (en) * | 2006-06-23 | 2010-04-13 | Asml Holding N.V. | Resonant scanning mirror |
| US7593094B2 (en) * | 2006-06-26 | 2009-09-22 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device |
| US20080002174A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Asml Netherlands B.V. | Control system for pattern generator in maskless lithography |
| US7630136B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-12-08 | Asml Holding N.V. | Optical integrators for lithography systems and methods |
| US7548315B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system |
| US7738077B2 (en) * | 2006-07-31 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Patterning device utilizing sets of stepped mirrors and method of using same |
| US7626182B2 (en) * | 2006-09-05 | 2009-12-01 | Asml Netherlands B.V. | Radiation pulse energy control system, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| US7628875B2 (en) * | 2006-09-12 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | MEMS device and assembly method |
| US8049865B2 (en) * | 2006-09-18 | 2011-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, device manufacturing method, and mask optimization method |
| US7683300B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Using an interferometer as a high speed variable attenuator |
| US7453551B2 (en) * | 2006-11-14 | 2008-11-18 | Asml Netherlands B.V. | Increasing pulse-to-pulse radiation beam uniformity |
| US20080111977A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-15 | Asml Holding N.V. | Compensation techniques for fluid and magnetic bearings |
| US7738079B2 (en) * | 2006-11-14 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Radiation beam pulse trimming |
| US8054449B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-11-08 | Asml Holding N.V. | Enhancing the image contrast of a high resolution exposure tool |
| US8259285B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Asml Holding N.V. | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data |
| DE102006059431B4 (de) | 2006-12-15 | 2018-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen der Position einer Struktur auf einem Träger relativ zu einem Referenzpunkt des Trägers |
| US7965378B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-06-21 | Asml Holding N.V | Optical system and method for illumination of reflective spatial light modulators in maskless lithography |
| US8009269B2 (en) | 2007-03-14 | 2011-08-30 | Asml Holding N.V. | Optimal rasterization for maskless lithography |
| US8009270B2 (en) * | 2007-03-22 | 2011-08-30 | Asml Netherlands B.V. | Uniform background radiation in maskless lithography |
| US20090042115A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method |
| US20090042139A1 (en) * | 2007-04-10 | 2009-02-12 | Nikon Corporation | Exposure method and electronic device manufacturing method |
| US20080270970A1 (en) * | 2007-04-27 | 2008-10-30 | Nikon Corporation | Method for processing pattern data and method for manufacturing electronic device |
| US7714986B2 (en) * | 2007-05-24 | 2010-05-11 | Asml Netherlands B.V. | Laser beam conditioning system comprising multiple optical paths allowing for dose control |
| US20080304034A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Dose control for optical maskless lithography |
| US8189172B2 (en) * | 2007-06-14 | 2012-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US7768627B2 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Illumination of a patterning device based on interference for use in a maskless lithography system |
| US8692974B2 (en) * | 2007-06-14 | 2014-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using pupil filling by telecentricity control |
| DE102007039983A1 (de) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zum Messen von Positionen von Strukturen auf einem Substrat mit einer Koordinaten Messmaschine |
| DE102010012030A1 (de) * | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Manz Automation Ag | Anlage zum Ein- oder Aufbringen von Strukturen auf ein Substrat |
| CN105572938B (zh) * | 2016-01-29 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板、显示装置及定位标识的识别方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6083328A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Fujitsu Ltd | フオトマスクの検査方法 |
| US4860374A (en) * | 1984-04-19 | 1989-08-22 | Nikon Corporation | Apparatus for detecting position of reference pattern |
| US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
| JPH0789534B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1995-09-27 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JPH0743245B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | アライメント装置 |
| US5189494A (en) * | 1988-11-07 | 1993-02-23 | Masato Muraki | Position detecting method and apparatus |
| JP3109852B2 (ja) * | 1991-04-16 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22215892A patent/JP3224041B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-11-07 US US08/339,284 patent/US5500736A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5500736A (en) | 1996-03-19 |
| JPH0653118A (ja) | 1994-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3224041B2 (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JP4132095B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| KR100389976B1 (ko) | 얼라인먼트방법및장치 | |
| JP5550253B2 (ja) | マーク位置検出装置及びマーク位置検出方法、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| KR20040002540A (ko) | 마크위치 검출장치 및 마크위치 검출방법 | |
| TW200300287A (en) | Mark position inspection device | |
| JP3451607B2 (ja) | 位置合わせ方法及び装置、並びに露光方法及び装置 | |
| JPH08167571A (ja) | 位置検出装置及び位置合せ装置 | |
| JP4496565B2 (ja) | 重ね合わせ測定装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法 | |
| JPH06232027A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPH06267820A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP3254704B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JP3125534B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
| JP4332891B2 (ja) | 位置検出装置、位置検出方法、及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
| JP3326444B2 (ja) | 位置合わせ方法及びパターンの継ぎ合わせ精度測定方法 | |
| JP2006234769A (ja) | 位置測定方法および位置測定装置 | |
| JPH10326739A (ja) | 位置合わせ方法及び露光方法 | |
| CN217034507U (zh) | 光学对准系统 | |
| JP2004108957A (ja) | 基板検査装置 | |
| JP3387072B2 (ja) | 露光方法及び装置、並びに素子製造方法 | |
| JPH0478126A (ja) | 自動焦点検出装置 | |
| JP2003014438A (ja) | 基板検査装置および基板検査方法 | |
| JP3287352B2 (ja) | 露光装置及びそれを用いた半導体チップの製造方法 | |
| JPH0547635A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2004146670A (ja) | マスクのパターン位置の誤差測定方法及びこれに使用される露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010727 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070824 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |