CN107403745A - 用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法 - Google Patents

用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107403745A
CN107403745A CN201710197924.9A CN201710197924A CN107403745A CN 107403745 A CN107403745 A CN 107403745A CN 201710197924 A CN201710197924 A CN 201710197924A CN 107403745 A CN107403745 A CN 107403745A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
substrate support
edge ring
interior section
controller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710197924.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107403745B (zh
Inventor
马库斯·穆瑟尔曼
安德鲁·D·贝利三世
德米特里·奥帕伊茨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN107403745A publication Critical patent/CN107403745A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107403745B publication Critical patent/CN107403745B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68309—Auxiliary support including alignment aids

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法。衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低所述边缘环与升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。

Description

用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314,651的权益。
本公开涉及与本申请同时提交的名称为“SYSTEMS AND METHODS FORPERFORMINGEDGE RING CHARACTERIZATION”的、代理人案号为No.3935-2US的美国临时申请，该申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314659的优先权。上面引用的申请的全部公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及用于测量衬底处理系统中的边缘环的系统和方法。
背景技术
这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分中描述的程度上的目前提名的发明人的工作和在申请时可能无资格另外作为现有技术的描述的方面既未清楚地，也未隐含地被承认作为针对本公开的现有技术。
衬底处理系统可以用于蚀刻衬底(诸如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。
衬底处理室可以包括被布置为测量布置在衬底支撑件上的衬底的各种特性的测量装置(例如，光谱反射计，诸如激光光谱反射计，或LSR，或另一光测量装置)。例如，测量装置可以直接定位在衬底支撑件上方以在衬底处向下引导信号。感测装置(例如，电荷耦合装置(charge-coupled device)或CCD、光电二极管等)被布置成感测从衬底的表面反射的信号。反射信号的特性指示衬底的各种特性。
发明内容
在衬底处理系统中的衬底支撑件包括布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环，以及控制器。为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并且使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以升高和降低边缘环与以升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种。当衬底倾斜时，控制器基于从衬底的表面反射的信号来确定衬底处理系统中的测量装置的对准。
一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，其包括将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上，并通过升高和降低边缘环与升高和降低衬底支撑件的内部部分中的至少一种选择性地使布置在衬底支撑件的内部部分周围的边缘环接合衬底并使衬底倾斜。该方法进一步包括当衬底倾斜时，基于从衬底的表面反射的信号来确定测量装置的对准。
具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：
1.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
内部部分，其布置成支撑衬底；
边缘环，其围绕所述内部部分；以及
控制器，
为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及
当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。
2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。
3.根据条款2所述的衬底支撑件，其中，所述接触指被布置成接合所述边缘环的内径。
4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述边缘环何时接合所述衬底，所述控制器监测从所述衬底的表面反射的信号。
5.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述测量装置的对准，所述控制器确定从所述衬底的表面反射的信号的强度。
6.根据条款1所述的衬底支撑件，其中，所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。
7.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：
多个销，其定位成支撑所述边缘环；以及
所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器包括响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述多个销中的相应销的多个致动器。
8.根据条款1所述的衬底支撑件，其还包括：
所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述内部部分。
9.一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，所述方法包括：
将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上；
通过(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种选择性地使围绕所述衬底支撑件的所述内部部分布置的边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜；以及
当所述衬底倾斜时，基于从所述衬底的表面反射的信号来确定所述测量装置的对准。
10.根据条款9所述的方法，其还包括提供从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。
11.根据条款10所述的方法，其还包括布置所述衬底，使得所述接触指定位成接合所述边缘环的内径。
12.根据条款9所述的方法，其中确定所述边缘环何时接合所述衬底包括监测从所述衬底的表面反射的信号。
13.根据条款9所述的方法，其中确定所述测量装置的对准包括确定从所述衬底的所述表面反射的所述信号的强度。
14.根据条款9所述的方法，其中所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。
15.根据条款9所述的方法，其还包括使用至少一个致动器选择性地升高和降低被定位成支撑所述边缘环的多个销中的相应销。
16.根据条款9所述的方法，其还包括使用至少一个致动器和定位成支撑所述内部部分的一个或多个销选择性地升高和降低所述内部部分。
根据详细描述、权利要求书和附图，本公开的其它应用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅旨在用于说明的目的，并且不旨在限制本公开的范围。
附图说明
根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
图1是根据本公开的示例性处理室的功能框图；
图2A示出了根据本公开的处于降低位置的示例性边缘环；
图2B示出了根据本公开的处于升高位置的示例性边缘环；
图2C示出了根据本公开的处于倾斜位置的示例性边缘环；
图3A示出了根据本公开的处于升高位置的示例性衬底支撑件；
图3B示出了根据本公开的布置在处于降低位置的衬底支撑件上的示例性测试衬底；
图3C示出了根据本公开的布置在处于降低位置的衬底支撑件上的另一示例性测试衬底；
图4A和4B是根据本公开的示例性测试衬底的平面图；
图5A、5B、5C和5D示出了根据本公开的测试衬底和LSR器件的示例性位置；以及
图6示出了根据本公开的用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的示例性方法的步骤。
在附图中，附图标记可以重复使用以标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
衬底处理室可以包括被定位成测量布置在衬底支撑件上的衬底(例如，晶片)的各种特性的测量装置(例如，光测量装置，诸如光谱反射计(spectral reflectometer)，或SR，激光光谱反射计或LSR等)。例如，SR可以直接位于衬底支撑件上方，以向下朝衬底引导SR信号。光电二极管、CCD或其它感测装置被布置成感测从衬底的表面反射的SR信号。反射的SR信号的特性指示衬底的各种特性。
当SR被正确地对准(即，具有期望的相对于衬底支撑件的定位)时，SR信号朝向衬底传播的方向上的向量与衬底支撑件或衬底的表面的法线向量对齐(即，平行)，并且SR信号的信号强度是最佳的。这里使用的最佳信号强度可以对应于最大信号强度，期望范围内的信号强度等。然而，SR可能不是完全对准的，或者可能随着时间推移而偏移对准。因此，SR信号的实际信号强度可能与期望的信号强度不同。
如本文所使用的，最佳信号是指具有根据用户规范、衬底规范、工艺规范、室规范等预先确定或校准的期望特性的SR信号。例如，相对于波长的SR信号幅度可以具有关于测试衬底的法向量与在SR信号传播的方向上的向量之间的角度的已知关系(例如，通过建模、实验等确定)。因此，给定的处理或处理步骤可以具有基于已知关系的所关联的最佳对准。最佳对准不一定对应于最小信号幅度或最大信号幅度或特定入射角。例如，最佳对准可以对应于与信号幅度和入射角之间的关系相关联的期望的对准范围。在仅一个示例中，最佳信号可以对应于具有在期望的入射角范围内的最大信号幅度的信号。
衬底处理室中的衬底支撑件可以包括用于将等离子体约束到衬底上方的体积的边缘环，保护衬底支撑件免受由等离子体等引起的侵蚀。例如，边缘环可以被布置成控制在衬底和边缘环附近和周围的等离子体鞘的特性，以实现期望的关键尺寸均匀性(CDU)。
根据本公开的原理的系统和方法实施可移动/可调节的边缘环(和/或可调节的衬底支撑件、卡盘、基座等)和测试衬底或代用衬底以确定SR的对准(例如，失准方向和幅度)，并相应地优化SR信号(例如，调节强度)。例如，边缘环可以使用例如一个或多个销和相关联的用于独立地升高和降低边缘环的相应部分的致动器(例如，三自由度(three degree offreedom)、或3DOF、平行机械手)来移动。测试衬底包括布置在测试衬底的边缘周围并从测试衬底的边缘向外延伸的一个或多个接触指。
测试衬底的有效直径(例如，由接触指的外端限定)大于边缘环的内径。因此，接触指接触边缘环的上表面。以这种方式，升高和降低边缘环相应地升高和降低测试衬底，并且销可以被独立地控制以实现边缘环相对于测试衬底的期望定位(例如，高度、倾斜等)。在包括可调节的衬底支撑件的示例中，可以以类似的方式降低衬底支撑件以使接触指接触边缘环。在测试衬底仅包括一个接触指的示例中，测试衬底可以被定位(例如，旋转地)，使得接触指与边缘环的期望部分对准。因此，升高边缘环以接合接触指，将基于该位置处的边缘环的特性使衬底不同地倾斜。
因此，边缘环可以用于相对于衬底支撑件和SR选择性地调节测试衬底的定位(例如，测试衬底是否基本上平坦，以特定角度倾斜等)。调节测试衬底的定位进而调节测试衬底的法向量以及从测试衬底的表面反射的SR信号的结果强度。反射的SR信号可以指示角度，在该角度测试衬底的法向量和SR信号朝向和/或远离测试衬底传播的方向上的向量基本对准。例如，反射的SR信号可以指示当测试衬底相对于衬底支撑件是平的(即，平行于衬底支撑件的上表面)或当测试衬底以特定的角度倾斜时，相应的向量是对准的。
以这种方式，本文描述的系统和方法被配置为选择性地调节测试衬底的定位，监测针对测试衬底的多个位置的SR信号的信号强度，并确定对应于SR信号的最佳信号强度的测试衬底的位置。然后可以使用对应于最佳信号强度的位置来计算与衬底支撑件未对准的SR的方向和幅度(即，衬底支撑件的法向量与SR信号向衬底支撑件传播的方向上的向量之间的失准的方向和幅度)。在处理布置在衬底支撑件上的衬底期间，可以调节SR信号以补偿失准并实现期望的信号强度。在其中SR被配置为使用机械方法(例如，经由指旋螺钉或其它对准机构)对准的示例中，可以根据计算的失准来调节SR的对准。虽然在本文中描述为SR信号，但是本公开的原理可以利用其他合适类型的测量信号来实现。
现在参考图1，示出了根据本公开的用于蚀刻衬底的层(仅作为示例，如钨(或W)层)的衬底处理室100的示例。尽管示出和描述了特定的衬底处理室，但是本文描述的方法可以在其他类型的衬底处理系统上实现。
衬底处理室100包括下室区域102和上室区域104。下室区域102由室侧壁表面108、室底表面110和气体分配装置114的下表面限定。
上室区域104由气体分配装置114的上表面和圆顶118的内表面限定。在一些示例中，圆顶118搁置在第一环形支撑件121上。在一些示例中，第一环形支撑件121包括用于将工艺气体输送到上室区域104的一个或多个间隔孔123，如下面将进一步描述的。在一些示例中，处理气体通过一个或多个间隔孔123以相对于包括气体分配装置114的平面成锐角的向上方向输送，但可以使用其它角度/方向。在一些示例中，第一环形支撑件121中的气体流动通道134向一个或多个间隔孔123供应气体。
第一环形支撑件121可以搁置在第二环形支撑件124上，第二环形支撑件124限定用于将工艺气体从气体流动通道129输送到下室区域102的一个或多个间隔孔127。在一些示例中，气体分配装置114中的孔130与孔127对准。在其他示例中，气体分配装置114具有较小的直径，并且不需要孔130。在一些示例中，处理气体通过一个或多个间隔孔127以相对于包括气体分配装置114的平面成锐角朝向衬底以向下方向输送，但可以使用其它角度/方向。
在其他示例中，上室区域104是具有平坦顶表面的圆柱形，并且可以使用一个或多个平坦的感应线圈。在其他示例中，单个室可以与位于喷头和衬底支撑件之间的间隔件一起使用。
衬底支撑件122布置在下室区域102中。在一些示例中，衬底支撑件122包括静电卡盘(ESC)，但是可以使用其他类型的衬底支撑件。在蚀刻期间，衬底126布置在衬底支撑件122的上表面上。在一些示例中，衬底126的温度可以由加热板125、具有流体通道的可选冷却板以及一个或多个传感器(未示出)控制，但是可以使用任何其他合适的衬底支撑温度控制系统。
在一些示例中，气体分配装置114包括喷头(例如，具有多个间隔孔131的板128)。多个间隔孔131从板128的上表面延伸到板128的下表面。在一些示例中，间隔孔131具有在0.4英寸至0.75英寸范围内的直径，并且喷头由导电材料(诸如铝等)或具有由导电材料制成的嵌入电极的非导电材料(诸如陶瓷)制成。
一个或多个感应线圈140围绕圆顶118的外部部分布置。当通电时，一个或多个感应线圈140在圆顶118内部产生电磁场。在一些示例中，使用上部线圈和下部线圈。气体喷射器142从气体输送系统150-1喷射一种或多种气体混合物。
在一些示例中，气体输送系统150-1包括一个或多个气体源152，一个或多个阀154、一个或多个质量流量控制器(MFC)156和混合歧管158，但是可以使用其它类型的气体输送系统。气体分离器(未示出)可以用于改变气体混合物的流速。(除了来自气体喷射器142的蚀刻气体或者代替来自气体喷射器142的蚀刻气体)还可以使用另一气体输送系统150-2来向气体流动通道129和/或134供应蚀刻气体或蚀刻气体混合物。
在于2015年12月4日提交的名称为“Gas Delivery System”的共同转让的美国专利申请序列号14/945,680中示出和描述了合适的气体输送系统，其全部内容通过引用并入本文。在2016年1月7日提交的名称为“Substrate Processing System with MultipleInjection Points and Dual Injector”的共同转让的美国临时专利申请序列号62/275,837中示出和描述了合适的单气体喷射器或双气体喷射器和其它气体喷射位置，该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
在一些示例中，气体喷射器142包括在向下方向上引导气体的中心喷射位置和以相对于向下方向成一定角度喷射气体的一个或多个侧喷射位置。在一些示例中，气体输送系统150-1将气体混合物的第一部分以第一流速输送到中心注射位置，并将气体混合物的第二部分以第二流速输送到气体喷射器142的(多个)侧注射位置。在其他示例中，由气体喷射器142输送不同的气体混合物。在一些示例中，气体输送系统150-1将如下所述地将调节气体输送到气体流动通道129和134和/或输送到处理室的其它位置。
等离子体发生器170可以用于产生输出到一个或多个感应线圈140的RF功率。等离子体190在上室区域104中产生。在一些示例中，等离子体发生器170包括RF发生器172和匹配网络174。匹配网络174将RF发生器172的阻抗与一个或多个感应线圈140的阻抗匹配。在一些示例中，气体分配装置114连接到诸如接地的参考电位。阀178和泵180可以用于控制下室区域102和上室区域104内部的压力并且用于排出反应物。
控制器176与气体输送系统150-1和150-2、阀178、泵180和/或等离子体发生器170连通，以控制工艺气体的流动、吹扫气体、RF等离子体和室压力。在一些示例中，通过一个或多个感应线圈140在圆顶118内维持等离子体。使用气体注射器142(和/或孔123)从室的顶部引入一种或多种气体混合物，并且使用气体分配装置114将等离子体约束在圆顶118内。
将等离子体约束在圆顶118中允许等离子体物质的体积复合和通过气体分配装置114流出期望的蚀刻剂物质。在一些示例中，没有RF偏压施加到衬底126。结果，在衬底126上不存在活性鞘并且离子不以任何有限的能量撞击衬底。一定量的离子将通过气体分配装置114扩散出等离子体区域。然而，扩散的等离子体的量比位于圆顶118内部的等离子体的量的数量级低。等离子体中的大多数离子通过在高压下的体积复合而被损失。气体分配装置114的上表面处的表面复合损失也降低气体分配装置114下方的离子密度。
在其他示例中，提供RF偏置发生器184，并且其包括RF发生器186和匹配网络188。RF偏置可以用于在气体分配装置114和衬底支撑件之间产生等离子体，或者在衬底126上产生自偏置以吸引离子。控制器176可以用于控制RF偏置。
衬底支撑件122包括边缘环192。根据本公开的原理的边缘环192相对于衬底126是可移动的(例如，在垂直方向上向上和向下可移动)，和/或和/或衬底支撑件122可向上和向下移动。例如，边缘环192和/或衬底支撑件122可以响应于控制器176经由一个或多个致动器来控制，如下面更详细地描述的。
衬底126包括定位成接合边缘环192的一个或多个接触指194。例如，升高和降低边缘环192和/或衬底支撑件122选择性地使边缘环192接合接触指194，如下面更详细地描述的。测量装置(例如，SR装置或用于引导信号并感测反射信号的任何其它合适的装置)196被布置成在衬底126的表面处引导SR信号。SR信号被反射并由传感器(例如，CCD装置、光二极管等)198接收。当调节衬底126的位置(例如，衬底126相对于衬底支撑件126和SR装置196的定位)时，SR装置196相对于衬底支撑件122的对准可通过监测反射的SR信号的信号强度来计算。
现在参考图2A、2B和2C，示出了根据本公开的原理的其上布置有各自的测试衬底或衬底204的示例性衬底支撑件200。衬底支撑件200可以各自包括具有内部部分(例如，对应于ESC)208和外部部分212的基部或基座。在示例中，内部部分208可以独立于外部部分212并且可相对于外部部分212移动(即，在内部部分208被配置成升高和/或降低的示例中)。控制器216与一个或多个致动器220连通以选择性地升高和降低边缘环224。仅作为示例，边缘环224在图2A中示出为处于完全降低的位置并且在图2B和2C中示出为处于示例性升高位置。如示例中所示，致动器220对应于被构造成在垂直方向上选择性地延伸和缩回销228的销致动器。在其他示例中可以使用其他合适类型的致动器。例如，致动器220可对应于构造成接合相应销228的螺纹以便以逐步方式升高和降低销228的电动机。仅作为示例，边缘环224对应于陶瓷或石英边缘环。
测试衬底204包括一个或多个接触指232。虽然示出了两个接触指232，但是在示例中，测试衬底204可以包括一个、两个、三个或更多个接触指232。在图2B中，控制器216被示出与致动器220连通以升高整个边缘环224。例如，控制器216、致动器220和销228可以被配置为使得仅整个边缘环224被升高和降低，或者控制器216可以被配置为单独地控制销228。因此，测试衬底204相对于衬底支撑件200是基本上平坦的(即，平行)。相反地，在图2C中，控制器216被示出仅与致动器220中的一个连通以升高销228中的相应一个并且仅升高边缘环224的一部分。因此，测试衬底204相对于衬底支撑件200倾斜。
尽管如图2C所示，测试衬底204的左侧被升高，测试衬底204的右侧可以以类似的方式升高。因此，可以将测试衬底204的定位从第一位置调节到第二位置，在第一位置，测试衬底204的左侧升高，并且测试衬底204的右侧被降低，在第二位置，测试衬底204的左侧被降低，并且测试衬底204的右侧升高，同时在其间的多个位置处监测(例如，采样)SR信号。
在衬底支撑件200仅包括致动器220和相应销228中的一个的示例中，测试衬底204可以旋转并布置在不同位置上，以使接触指232与边缘环224的不同部分对准。
在如图3A、3B和3C所示的另一个示例中，边缘环224(和/或边缘环224安装在其上的外部212)的绝对高度相对于室的底表面可以是固定的。相反，内部部分208(例如，ESC)可相对于边缘环224移动。因此，控制器216可与致动器220连通，以相对于边缘环224升高和降低内部部分208，以调节边缘环224相对于衬底支撑件200的高度。内部部分208在图3A中示出为处于升高位置，在图3B和3C中示出为处于示例性降低位置。因此，在测试衬底204包括多个接触指232(例如，如图3B所示)的示例中，整个测试衬底204由边缘环224支撑，并且相对于衬底支撑件200是基本上平坦的(即，平行)。相反，在测试衬底204仅包括接触指232中的一个(例如，如图3C所示)的示例中，测试衬底204的对应于接触指232的部分由边缘环224支撑，并且测试衬底204相对于衬底支撑件200是倾斜的。
测试衬底204可以旋转并且布置在不同的位置上，以使接触指232与边缘环224的不同部分对准。例如，如图3C所示，测试衬底204被布置为使得接触指232在衬底支撑件200的左侧，因此测试衬底204在衬底支撑件的左侧上升。然而，测试衬底204可以以类似的方式在衬底支撑件200的右侧上升。例如，可以旋转测试衬底204，使得接触指232在衬底支撑件200的右侧上。可以将测试衬底204的定位从第一位置调节至第二位置，在第一位置测试衬底204在衬底支撑件200的左侧上升高，并且在衬底支撑件200的右侧上降低，在第二位置，测试衬底204基本上是平坦的(即，测试衬底204的两侧都被降低)。然后旋转测试衬底204，使得接触指232在衬底支撑件200的右侧上，并且将测试衬底204的定位从第二位置调节到第三位置，在第三位置，测试衬底204在衬底支撑件200的右侧上升高，并且在衬底支撑件200的左侧上降低。当测试衬底204从第一位置调节到第三位置时，SR信号在多个位置被监测(例如，采样)。
以这种方式，控制器216被配置为当调节测试衬底204的定位通过多个位置时监测反射的SR信号的特性(例如，SR信号的信号强度)。此外，控制器216可以确定(并且经由LED、图形界面等向用户指示)SR何时需要重新对准。当用户提示等时，控制器216可以周期性地通过上述方法执行SR的对准的测量。
图4A和4B示出了示例性测试衬底260和264的平面图。在图4A中，测试衬底260包括多个(例如，三个)接触指268。在图4B中，测试衬底264仅包括接触指268中的一个。接触指268中的一个或多个可以包括凹口272。凹口272可以用于以相对于衬底支撑件期望的对准定位测试衬底260和264。例如，可以通过检测凹口272(例如，使用照相机或其他图像感测装置)并相应地计算测试衬底260和264的对准来确定测试衬底260和264的位置。
图5A、5B和5C示出了具有可移动边缘环304的示例性衬底支撑件300。具有接触指312的测试衬底308布置在衬底支撑件300上。SR 316和传感器(例如，光电二极管)320布置成在测试衬底308的上表面处引导SR信号并感测反射的SR信号。在图5A中，仅举例而言，示出了具有期望的(例如，完美的)对准的SR 316。因此，SR信号的法向量与测试衬底308的法向量(以及相应地衬底支撑件300的法向量)对准(即平行)。
在图5B中，SR 316被示出为与布置在平坦位置的测试衬底308不对准。在图5C中，测试衬底308被示出处于第一倾斜位置。在图5D中，测试衬底308被示出处于第二倾斜位置。调节边缘环304以将测试衬底308的定位从第一倾斜位置调节到第二倾斜位置，同时反射的SR信号被感测并通过控制器216监测。
在一个示例中，当测试衬底308的定位被调节时，控制器216将SR信号强度确定为测试衬底308的法向量的映射的函数。例如，当测试衬底308被调节时，法线向量在x和y方向的每个中的范围上移动，并且SR信号强度相应地变化(例如，根据函数SR(x，y))。控制器216根据其中发生最佳LSR信号强度的法向量的位置x0，y0，确定最佳SR信号强度(例如，SR0(x0，y0))(即，对应于测试衬底308的发生最佳SR信号强度的位置)。
利用由此在位置x0，y0处的测试衬底308的法向量确定的最佳SR信号强度SR0(x0，y0)，可以相应地调节SR 316的对准(例如，经由指旋螺钉或其他机械方法)，以在测试衬底308处于基本上平坦位置的情况下实现最佳SR信号强度。例如，首先将测试衬底308调节到基本上平坦的位置，并且可以手动调节SR316的对准，直到实现最佳SR信号强度。在一个示例中，在测试衬底308处于基本上平坦位置的情况下的SR信号强度可以被识别为原始SR信号强度。
随后，在位置范围内调节SR 316时控制器316监测反射的SR信号，并且确定和调节对应于该范围内的最佳SR信号强度的SR位置。例如，调节的SR位置(ΔxSR，ΔySR)可以被定义为(ΔxSR，ΔySR)＝f(Δθ1，Δθ2)，其中Δθ1和Δθ2对应于相应的第一和第二指旋螺钉与它们的原始位置的偏移(即，对应于SR 316的位置和原始信号强度)。
原始SR信号强度可以对应于具有其他SR信号强度SR(x，y)的等角线曲线上的位置。当SR 316被调节通过多个位置(例如，通过旋转指旋螺钉)时，控制器216使SR信号强度与SR 316的位置(和相应的指旋螺钉位置)相关联。控制器316可以被配置为根据这些相关性计算等角线曲线，计算SR信号强度的数值Jacobian表示，和/或执行其他数学函数以识别SR位置和对应于最佳SR信号强度的相应指旋螺钉位置。控制器216可以(例如，经由图形界面、LED等)向用户提供反馈，以指示旋转指旋螺钉(或其它调节机构)的方向，直到SR 316处于与最佳SR信号强度相对应的位置。
现在参考图6，用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的示例性方法600在604处开始。在608处，将测试衬底或代用衬底(例如，测试衬底204)布置在具有可移动边缘环/或内部部分的衬底支撑件上，如上文在图1-3中所述。例如，测试衬底包括布置在测试衬底的边缘周围并从测试衬底的边缘向外延伸的一个或多个接触指。在612，方法600(例如，控制器216、SR 316和传感器320)监测和采样在测试衬底在第一位置的情况下从测试衬底的表面反射的测量信号(例如，SR信号)。例如，第一位置可以对应于完全升高或完全降低的位置，基本上平坦的位置等。
在616，方法600(例如，控制器216)将测试衬底从第一位置调节到第二位置。例如，控制器216通过升高或降低边缘环的一部分和/或衬底支撑件的内部部分来调节测试衬底。在620，方法600(例如，控制器216)确定测试衬底是否处于第二位置。如果为真，则方法600继续到624以在测试衬底处于第二位置的情况下对测量信号采样。如果为假，则方法600继续到612以在测试衬底处于调节位置的情况下对测量信号采样。因此，方法600在测试衬底在第一位置和第二位置之间的多个位置的情况下对测量信号采样。方法600可以重复612、616和620，同时升高/降低边缘环的不同部分以在测试衬底相对于衬底支撑件和测量装置沿不同方向倾斜的情况下对测量信号采样，和/或同时在测试衬底在不同位置旋转的情况下升高/降低边缘环。
在628，方法600(例如，控制器216)基于多个位置处的采样的测量信号的特性来确定测量装置的对准。例如，控制器216可以确定多个位置中的相应位置处的测量信号的信号强度，以确定在测试衬底的相应位置处的测量信号的最佳信号强度。当测量信号处于最佳强度时测试衬底的位置与测试衬底的基本平坦位置之间的差异指示测量装置的对准。换句话说，如果最佳信号强度发生在不是测试衬底的基本上平坦的位置的位置处，则可以假定测量装置未正确地对准。方法600在632结束。
前面的描述在本质上仅仅是说明性的并且不意在以任何方式限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式来实现。因此，虽然本公开包括特定的实施例，但本公开的真实范围不应被如此限制，因为一旦研究附图、说明书和以下权利要求，其它的修改方案就会变得清楚。应当理解的是，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时)进行，而不会改变本公开的原理。此外，虽然各实施方式在上面描述为具有某些特征，但相对于本公开的任何实施方式所描述的这些特征中的任何一个或多个可以在任何其它实施方式中实现和/或结合任何其它实施方式中的特征，即使这种结合未明确说明也如此。换言之，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式相互的更换方案保持在本公开的范围内。
在元件之间(例如，在模块、电路元件、半导体层等等之间)的空间和功能关系使用各种术语描述，这些术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧接”、“在……顶部”、“在……上面”、“在……下面”和“被设置”。除非明确地描述为“直接”，否则当第一和第二元件之间的关系在上述公开内容中描述时，这种关系可以是直接的关系，其中没有其它中间元件存在于第一和第二元件之间，但也可以是间接的关系，其中一个或多个中间元件(或者在空间上或功能上)存在于第一和第二元件之间。如本文所用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当解释为意味着使用非排他逻辑“或”的逻辑(A或B或C)，并且不应当被解释为是指“至少一个A，至少一个B，和至少一个C”。
在本申请中，包括以下定义，术语“模块”或术语“控制器”可以用术语“电路”代替。术语“模块”可以指代下列项、是其一部分或包括：专用集成电路(ASIC)；数字、模拟或混合模拟/数字离散电路；数字、模拟或混合模拟/数字集成电路；组合逻辑电路；现场可编程门阵列(FPGA)；执行代码的处理器电路(共享的、专用的或成组的)；存储由处理器电路执行的代码的存储器电路(共享的、专用的或成组的)；提供所描述的功能的其它合适的硬件组件；或上述的一些或全部的组合，例如在片上系统中。
模块可以包括一个或多个接口电路。在一些示例中，接口电路可以包括连接到局域网(LAN)、因特网、广域网(WAN)或其组合的有线或无线接口。本公开的任何给定模块的功能可以分布在经由接口电路连接的多个模块中。例如，多个模块可以允许负载平衡。在另一示例中，服务器(也称为远程或云)模块可以代表客户端模块来实现一些功能。
如上所使用的术语“代码”可以包括软件、固件和/或微代码，并且可以指程序、例程、函数、类别、数据结构和/或对象。术语“共享处理器电路”包括执行来自多个模块的一些或全部代码的单个处理器电路。术语“组处理器电路”包含处理器电路，其与额外处理器电路组合地执行来自一个或一个以上模块的一些或所有代码。对多个处理器电路的引用包括在离散管芯上的多个处理器电路、在单个管芯上的多个处理器电路、单个处理器电路的多个核、单个处理器电路的多个线程，或上述的组合。术语“共享存储器电路”包括存储来自多个模块的一些或所有代码的单个存储器电路。术语“组存储器电路”包括与附加存储器结合存储来自一个或多个模块的一些或所有代码的存储器电路。
术语“存储器电路”是术语“计算机可读介质”的子集。如本文所使用的术语“计算机可读介质”不包括通过介质(例如在载波上)传播的瞬时电或电磁信号；因此术语“计算机可读介质”可以被认为是有形的和非暂时的。非暂时性有形计算机可读介质的非限制性示例是非易失性存储器电路(诸如闪存电路、可擦除可编程只读存储器电路或掩模只读存储器电路)、易失性存储器电路(例如静态随机存取存储器电路或动态随机存取存储器电路)、磁存储介质(例如模拟或数字磁带或硬盘驱动器)和光学存储介质(诸如CD、DVD或蓝光盘)。
本申请中描述的装置和方法可以部分地或完全地由通过配置通用计算机来执行在计算机程序中体现的一个或多个特定功能而创建的专用计算机来实现。上述功能块、流程图组件和其他元件用作软件规范，其可以通过熟练的技术人员或程序员的例行工作转换成计算机程序。
计算机程序包括存储在至少一个非暂时性有形计算机可读介质上的处理器可执行指令。计算机程序还可以包括或依赖于存储的数据。计算机程序可以包括与专用计算机的硬件交互的基本输入/输出系统(BIOS)、与专用计算机的特定设备交互的设备驱动程序、一个或多个操作系统、用户应用程序、后台服务、背景应用程序等。
计算机程序可以包括：(i)要解析的描述性文本，诸如HTML(超文本标记语言)或XML(可扩展标记语言)，(ii)汇编代码，(iii)通过编译器从源代码生成的目标代码，(iv)用于由解释器执行的源代码，(v)用于由即时编译器编译和执行的源代码等。仅作为示例，源代码可以使用来自包括C、C++、C#、Objective-C、Haskell、Go、SQL、R、Lisp、Fortran、Perl、Pascal、Curl、OCaml、HTML5、Ada、ASP(动态服务器网页)、PHP、Scala、Eiffel、Smalltalk、Erlang、Ruby、VisualLua和语言的语法来编写。
权利要求中记载的技术要素均不意图成为由35USC§112(f)条所界定的装置加功能式的技术要素，除非技术要素是使用短语“用于……的装置”或在方法权利要求的情况下使用短语“用于……操作”或“用于……的步骤”来明确描述。

Claims (10)

1.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：
内部部分，其布置成支撑衬底；
边缘环，其围绕所述内部部分；以及
控制器，
为了选择性地使所述边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜，所述控制器控制至少一个致动器以(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种，以及
当所述衬底倾斜时，所述控制器基于从所述衬底的表面反射的信号，确定所述衬底处理系统中的测量装置的对准。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。
3.根据权利要求2所述的衬底支撑件，其中，所述接触指被布置成接合所述边缘环的内径。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述边缘环何时接合所述衬底，所述控制器监测从所述衬底的表面反射的信号。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，为了确定所述测量装置的对准，所述控制器确定从所述衬底的表面反射的信号的强度。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其中，所述测量装置包括布置在所述衬底支撑件上方的光谱反射计(SR)。
7.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其还包括：
多个销，其定位成支撑所述边缘环；以及
所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器包括响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述多个销中的相应销的多个致动器。
8.根据权利要求1所述的衬底支撑件，其还包括：
所述至少一个致动器，其中所述至少一个致动器响应于所述控制器并且布置成选择性地升高和降低所述内部部分。
9.一种用于确定衬底处理系统中的测量装置的对准的方法，所述方法包括：
将衬底布置在衬底支撑件的内部部分上；
通过(i)升高和降低所述边缘环与(ii)升高和降低所述衬底支撑件的所述内部部分中的至少一种选择性地使围绕所述衬底支撑件的所述内部部分布置的边缘环接合所述衬底并使所述衬底倾斜；以及
当所述衬底倾斜时，基于从所述衬底的表面反射的信号来确定所述测量装置的对准。
10.根据权利要求9所述的方法，其还包括提供从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，其中所述至少一个接触指被布置成接合所述边缘环。
CN201710197924.9A 2016-03-29 2017-03-29 用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法 Active CN107403745B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662314651P 2016-03-29 2016-03-29
US62/314,651 2016-03-29
US15/446,543 2017-03-01
US15/446,543 US10312121B2 (en) 2016-03-29 2017-03-01 Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107403745A true CN107403745A (zh) 2017-11-28
CN107403745B CN107403745B (zh) 2024-07-26

Family

ID=59961182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710197924.9A Active CN107403745B (zh) 2016-03-29 2017-03-29 用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10312121B2 (zh)
KR (1) KR102366393B1 (zh)
CN (1) CN107403745B (zh)
TW (1) TWI737704B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736020A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑销升降装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
KR102689380B1 (ko) 2016-01-26 2024-07-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션
CN116110846A (zh) 2016-01-26 2023-05-12 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US11011353B2 (en) * 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
US11387134B2 (en) * 2018-01-19 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Process kit for a substrate support
US10224187B1 (en) * 2018-02-06 2019-03-05 Lam Research Corporation Detecting partial unclamping of a substrate from an ESC of a substrate processing system
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
TWI794530B (zh) * 2018-07-20 2023-03-01 美商應用材料股份有限公司 基板定位設備及方法
US11521872B2 (en) * 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US11791189B2 (en) * 2018-10-05 2023-10-17 Lam Research Corporation Reflectometer to monitor substrate movement
JP2020087969A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の形状測定方法
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US11486038B2 (en) * 2019-01-30 2022-11-01 Applied Materials, Inc. Asymmetric injection for better wafer uniformity
US11279032B2 (en) 2019-04-11 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods for improved joint coordinate teaching accuracy of robots
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
US10964584B2 (en) 2019-05-20 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Process kit ring adaptor
US11626305B2 (en) 2019-06-25 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Sensor-based correction of robot-held object
KR102689653B1 (ko) 2019-06-26 2024-07-31 삼성전자주식회사 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치
CN112216646A (zh) * 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
US11370114B2 (en) 2019-12-09 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Autoteach enclosure system
US12027397B2 (en) 2020-03-23 2024-07-02 Applied Materials, Inc Enclosure system shelf including alignment features
USD954769S1 (en) 2020-06-02 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Enclosure system shelf
USD980176S1 (en) 2020-06-02 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Substrate processing system carrier
JP7497262B2 (ja) * 2020-09-24 2024-06-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板位置調整方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277458A (ja) * 1999-01-19 2000-10-06 Tokyo Electron Ltd クランプ機構及びこれを用いた成膜装置
US20020001082A1 (en) * 1998-02-19 2002-01-03 Satoshi Akimoto Projection exposure apparatus and method of controlling same
US20020104229A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for detecting position of semiconductor wafer
EP1278103A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6515261B1 (en) * 2002-03-06 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin
US20050082007A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
CN1682344A (zh) * 2002-09-18 2005-10-12 朗姆研究公司 等离子体处理室中的边缘环磨损的补偿的方法和装置
KR20060084214A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 기판 승강 장치 및 이를 포함하는 기판 냉각 장치
JP2009094256A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
CN101911281A (zh) * 2008-01-21 2010-12-08 应用材料股份有限公司 用以在处理腔室内支撑、定位及旋转基板的设备与方法
CN103311145A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 台湾积体电路制造股份有限公司 控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2638443B2 (ja) 1993-08-31 1997-08-06 日本電気株式会社 ドライエッチング方法およびドライエッチング装置
US5762714A (en) 1994-10-18 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Plasma guard for chamber equipped with electrostatic chuck
JP2713276B2 (ja) 1995-12-07 1998-02-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法
US6022809A (en) 1998-12-03 2000-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Composite shadow ring for an etch chamber and method of using
US6206976B1 (en) 1999-08-27 2001-03-27 Lucent Technologies Inc. Deposition apparatus and related method with controllable edge exclusion
US6589352B1 (en) 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
TW506234B (en) 2000-09-18 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Tunable focus ring for plasma processing
JP3388228B2 (ja) 2000-12-07 2003-03-17 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
US6744212B2 (en) 2002-02-14 2004-06-01 Lam Research Corporation Plasma processing apparatus and method for confining an RF plasma under very high gas flow and RF power density conditions
US7311784B2 (en) 2002-11-26 2007-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
US6898558B2 (en) 2002-12-31 2005-05-24 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring a material processing system
US7968469B2 (en) 2007-01-30 2011-06-28 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor with variable height ground return path to control plasma ion density uniformity
US7988813B2 (en) 2007-03-12 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Dynamic control of process chemistry for improved within-substrate process uniformity
JP5317424B2 (ja) 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7832354B2 (en) 2007-09-05 2010-11-16 Applied Materials, Inc. Cathode liner with wafer edge gas injection in a plasma reactor chamber
US7824146B2 (en) 2007-09-07 2010-11-02 Advanced Technology Development Facility Automated systems and methods for adapting semiconductor fabrication tools to process wafers of different diameters
US8999106B2 (en) 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
JP2009188173A (ja) * 2008-02-06 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
JP2010034416A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8409995B2 (en) * 2009-08-07 2013-04-02 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, positioning method and focus ring installation method
JP5584517B2 (ja) 2010-05-12 2014-09-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法
JP4869425B2 (ja) * 2010-06-21 2012-02-08 キヤノン株式会社 走査型露光装置及びデバイス製造方法
KR101926571B1 (ko) 2011-05-31 2018-12-10 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 유도성 커플링된 플라즈마(ｉｃｐ) 반응기를 위한 동적인 이온 라디칼 시브 및 이온 라디칼 개구
JP5948026B2 (ja) 2011-08-17 2016-07-06 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び処理方法
US8933628B2 (en) 2011-10-28 2015-01-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma source with phase control
US8900469B2 (en) * 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
US20140273460A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Passive control for through silicon via tilt in icp chamber
US9425077B2 (en) 2013-03-15 2016-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor apparatus with transportable edge ring for substrate transport
WO2015099892A1 (en) 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor
JP6204869B2 (ja) * 2014-04-09 2017-09-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11605546B2 (en) 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020001082A1 (en) * 1998-02-19 2002-01-03 Satoshi Akimoto Projection exposure apparatus and method of controlling same
JP2000277458A (ja) * 1999-01-19 2000-10-06 Tokyo Electron Ltd クランプ機構及びこれを用いた成膜装置
US20020104229A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for detecting position of semiconductor wafer
EP1278103A1 (en) * 2001-07-20 2003-01-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US6515261B1 (en) * 2002-03-06 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Enhanced lift pin
CN1682344A (zh) * 2002-09-18 2005-10-12 朗姆研究公司 等离子体处理室中的边缘环磨损的补偿的方法和装置
US20050082007A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Applied Materials, Inc. Mask etch processing apparatus
KR20060084214A (ko) * 2005-01-19 2006-07-24 삼성전자주식회사 기판 승강 장치 및 이를 포함하는 기판 냉각 장치
JP2009094256A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Canon Inc 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
CN101911281A (zh) * 2008-01-21 2010-12-08 应用材料股份有限公司 用以在处理腔室内支撑、定位及旋转基板的设备与方法
CN103311145A (zh) * 2012-03-14 2013-09-18 台湾积体电路制造股份有限公司 控制半导体晶圆制造工艺的系统和方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736020A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑销升降装置
CN112736020B (zh) * 2020-12-31 2024-06-07 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑销升降装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170113339A (ko) 2017-10-12
CN107403745B (zh) 2024-07-26
TW201743401A (zh) 2017-12-16
US20170287753A1 (en) 2017-10-05
TWI737704B (zh) 2021-09-01
KR102366393B1 (ko) 2022-02-22
US10312121B2 (en) 2019-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107403745A (zh) 用于在衬底处理系统中对准测量装置的系统和方法
TWI774652B (zh) 用以進行邊緣環特徵化之系統及方法
JP7055054B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
KR102591950B1 (ko) 플라즈마 처리 장치, 포커스 링의 승강 제어 방법 및 포커스 링의 승강 제어 프로그램
TWI736584B (zh) 晶圓傳送用的晶圓升降環系統
CN109003931A (zh) 基板交接方法以及基板处理装置
KR20120073260A (ko) 틸팅가능한 오버헤드 알에프 유도형 공급원을 구비한 플라즈마 반응기
KR102651492B1 (ko) 이동 프로세스 키트에 대한 침식을 측정하고 포지션을 교정하기 위한 방법 및 장치
US11315766B2 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring thickness of ring member
US20200234929A1 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring misalignment of ring member
US20200161101A1 (en) Plasma processing apparatus and method for measuring shape of ring member
KR101563634B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20210128025A (ko) 온도를 근사화하기 위한 정전 척 히터 저항 측정
CN103187222B (zh) 喷淋头以及半导体处理设备
KR101594935B1 (ko) 기판 처리 장치 및 전력 공급 방법
JP2022152691A (ja) 基板処理装置及び基板搬送位置調整方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant