JP3388228B2 - プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法Info
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特にプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法に関する。
係り、特にプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマエッチング装置において、ウェ
ハの外周近傍でのプラズマを制御するために、フォーカ
スリングが用いられている。これにより、ウェハ外周部
でのエッチングレートが制御される。また、ウェハ外周
部のエッチングレートは、フォーカスリングの高さに依
存することが知られている。
ハの外周近傍でのプラズマを制御するために、フォーカ
スリングが用いられている。これにより、ウェハ外周部
でのエッチングレートが制御される。また、ウェハ外周
部のエッチングレートは、フォーカスリングの高さに依
存することが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォー
カスリングは、エッチング処理の間プラズマに曝されて
いる。このため、長時間にわたりエッチング装置を使用
した場合、フォーカスリングが、エッチングガスにより
削られて高さが変わってしまう。これにより、ウェハ外
周部でのエッチング特性が変わってしまい、エッチング
レートの面内均一性が悪くなってしまう問題があった。
カスリングは、エッチング処理の間プラズマに曝されて
いる。このため、長時間にわたりエッチング装置を使用
した場合、フォーカスリングが、エッチングガスにより
削られて高さが変わってしまう。これにより、ウェハ外
周部でのエッチング特性が変わってしまい、エッチング
レートの面内均一性が悪くなってしまう問題があった。
【０００４】また、フォーカスリングは、所定枚数を処
理する毎に交換する必要があり、ドライエッチング装置
のランニングコストが上昇してしまう問題があった。
理する毎に交換する必要があり、ドライエッチング装置
のランニングコストが上昇してしまう問題があった。
【０００５】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、フォーカスリングを交換することな
く、ウェハ外周部のエッチングレートを一定に保つこと
を目的とする。
になされたもので、フォーカスリングを交換することな
く、ウェハ外周部のエッチングレートを一定に保つこと
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係るプラ
ズマエッチング装置は、半導体基板を保持する下部電極
と、前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリ
ングと、前記フォーカスリングの上面の位置を測定する
センサと、前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動
機構と、前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機
構を駆動させて前記フォーカスリングの上面の位置を調
整する制御部と、を備え、 前記センサは、前記フォーカ
スリングの複数の箇所でその上面の位置を測定すること
ができ、 前記駆動機構は、前記フォーカスリングの複数
の箇所でその上面の位置を個別に駆動することができる
ことを特徴とするものである。
ズマエッチング装置は、半導体基板を保持する下部電極
と、前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリ
ングと、前記フォーカスリングの上面の位置を測定する
センサと、前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動
機構と、前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機
構を駆動させて前記フォーカスリングの上面の位置を調
整する制御部と、を備え、 前記センサは、前記フォーカ
スリングの複数の箇所でその上面の位置を測定すること
ができ、 前記駆動機構は、前記フォーカスリングの複数
の箇所でその上面の位置を個別に駆動することができる
ことを特徴とするものである。
【０００７】
【０００８】請求項２の発明に係るプラズマエッチング
方法は、フォーカスリングの上面の位置を測定する測定
工程と、その測定結果に基づいて前記フォーカスリング
を上下に駆動させて、前記フォーカスリングの上面の位
置を調整する調整工程と、前記調整工程の終了後に、エ
ッチング処理を行うエッチング工程と、を含み、 前記測
定工程は、前記フォーカスリングの複数箇所でその上面
の位置を測定する工程を含み、 前記調整工程は、前記測
定工程の測定結果に基づいて、前記フォーカスリングの
複数箇所でその上面の位置を個別に調整する工程を含む
ことを特徴とするものである。
方法は、フォーカスリングの上面の位置を測定する測定
工程と、その測定結果に基づいて前記フォーカスリング
を上下に駆動させて、前記フォーカスリングの上面の位
置を調整する調整工程と、前記調整工程の終了後に、エ
ッチング処理を行うエッチング工程と、を含み、 前記測
定工程は、前記フォーカスリングの複数箇所でその上面
の位置を測定する工程を含み、 前記調整工程は、前記測
定工程の測定結果に基づいて、前記フォーカスリングの
複数箇所でその上面の位置を個別に調整する工程を含む
ことを特徴とするものである。
【０００９】
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
【００１１】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。先ず、本実施
の形態１によるプラズマエッチング装置の構成について
説明する。図１において、参照符号１はエッチングチャ
ンバ、２は下部電極、３は半導体基板、４はフォーカス
リング、５はセンサ、６は駆動機構、７は制御部、８は
信号ケーブルを示している。
態１によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。先ず、本実施
の形態１によるプラズマエッチング装置の構成について
説明する。図１において、参照符号１はエッチングチャ
ンバ、２は下部電極、３は半導体基板、４はフォーカス
リング、５はセンサ、６は駆動機構、７は制御部、８は
信号ケーブルを示している。
【００１２】エッチングチャンバ１は、半導体基板３を
エッチング処理するための処理室である。下部電極２
は、エッチングチャンバ１内に設けられたカソードであ
り、その上面に半導体基板３を保持するためのものであ
る。半導体基板３は、例えば、シリコン基板（シリコン
ウェハ）、石英基板、セラミック基板等である。
エッチング処理するための処理室である。下部電極２
は、エッチングチャンバ１内に設けられたカソードであ
り、その上面に半導体基板３を保持するためのものであ
る。半導体基板３は、例えば、シリコン基板（シリコン
ウェハ）、石英基板、セラミック基板等である。
【００１３】フォーカスリング４は、半導体基板３の外
周部に基板を取り囲むように配置され、半導体基板３の
外周近傍のプラズマを制御するためのものである。フォ
ーカスリング４は、石英やセラミックスにより形成され
ている。
周部に基板を取り囲むように配置され、半導体基板３の
外周近傍のプラズマを制御するためのものである。フォ
ーカスリング４は、石英やセラミックスにより形成され
ている。
【００１４】センサ５は、エッチングチャンバ１の側面
に設けられ、フォーカスリング４の高さ、すなわちフォ
ーカスリング４の上面の位置を測定するためのものであ
る。センサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７に接
続されており、測定結果を制御部７に出力する。
に設けられ、フォーカスリング４の高さ、すなわちフォ
ーカスリング４の上面の位置を測定するためのものであ
る。センサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７に接
続されており、測定結果を制御部７に出力する。
【００１５】駆動機構６は、フォーカスリング４を上下
に駆動するものであり、例えば、フォーカスリング４の
下に配置されたリフト機構である。駆動機構６は、信号
ケーブル８を介して制御部７に接続されている。駆動機
構６は、制御部７から入力される制御信号に基づいて、
フォーカスリング４を上下に駆動する。
に駆動するものであり、例えば、フォーカスリング４の
下に配置されたリフト機構である。駆動機構６は、信号
ケーブル８を介して制御部７に接続されている。駆動機
構６は、制御部７から入力される制御信号に基づいて、
フォーカスリング４を上下に駆動する。
【００１６】制御部７は、信号ケーブル８を介してセン
サ５及び駆動機構６にそれぞれ接続されている。制御部
７は、センサ５から入力された測定結果に基づいて、制
御信号を駆動機構６に出力して、フォーカスリング４の
上面の位置を所望の位置に制御するためのものである。
例えば、プラズマエッチング装置が長期間使用されるこ
とによって、フォーカスリング４が削られてその上面の
位置が低くなった場合、制御部７はセンサ５の測定結果
に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力して駆動機構
６を駆動させる。これにより、フォーカスリング４の上
面の位置が、所望の位置に制御される。ここで、所望の
位置とは、当該プラズマエッチング装置において、最も
優れたエッチング特性が得られる位置をいう。
サ５及び駆動機構６にそれぞれ接続されている。制御部
７は、センサ５から入力された測定結果に基づいて、制
御信号を駆動機構６に出力して、フォーカスリング４の
上面の位置を所望の位置に制御するためのものである。
例えば、プラズマエッチング装置が長期間使用されるこ
とによって、フォーカスリング４が削られてその上面の
位置が低くなった場合、制御部７はセンサ５の測定結果
に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力して駆動機構
６を駆動させる。これにより、フォーカスリング４の上
面の位置が、所望の位置に制御される。ここで、所望の
位置とは、当該プラズマエッチング装置において、最も
優れたエッチング特性が得られる位置をいう。
【００１７】以上説明したプラズマエッチング装置を要
約すると、フォーカスリング４が、下部電極２上の半導
体基板３の外周部に配置される。センサ５は、フォーカ
スリング４の上面の位置を測定し、駆動機構６は、フォ
ーカスリング４を上下に駆動する。制御部７は、センサ
５の測定結果に基づいて、駆動機構６を駆動させてフォ
ーカスリング４の上面の位置を所望の位置に調整する。
約すると、フォーカスリング４が、下部電極２上の半導
体基板３の外周部に配置される。センサ５は、フォーカ
スリング４の上面の位置を測定し、駆動機構６は、フォ
ーカスリング４を上下に駆動する。制御部７は、センサ
５の測定結果に基づいて、駆動機構６を駆動させてフォ
ーカスリング４の上面の位置を所望の位置に調整する。
【００１８】次に、プラズマエッチング装置の動作につ
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、センサ５が、フォーカスリング４の上
面の位置を測定し、その測定結果を制御部７に出力す
る。この時、フォーカスリング４の削れ量が測定され
る。次に、制御部７は、センサ５から入力された測定結
果に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力する。そし
て、駆動機構６は、制御部７から入力された制御信号に
基づいて、フォーカスリングを上下何れかの方向に駆動
する。このようにして、フォーカスリング４の上面の位
置が、所望の位置に調整される。その後、上述のように
調整されたフォーカスリング４を用いて、半導体基板３
をエッチング処理する。
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、センサ５が、フォーカスリング４の上
面の位置を測定し、その測定結果を制御部７に出力す
る。この時、フォーカスリング４の削れ量が測定され
る。次に、制御部７は、センサ５から入力された測定結
果に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力する。そし
て、駆動機構６は、制御部７から入力された制御信号に
基づいて、フォーカスリングを上下何れかの方向に駆動
する。このようにして、フォーカスリング４の上面の位
置が、所望の位置に調整される。その後、上述のように
調整されたフォーカスリング４を用いて、半導体基板３
をエッチング処理する。
【００１９】以上説明したように、本実施の形態１によ
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４がエッチングガスにより削られてその高さが変化
しても、フォーカスリング４の上面の位置を一定に保つ
ことができる。すなわち、半導体基板３の表面からフォ
ーカスリング４の上面までの高さを一定に保つことがで
きる。従って、ウェハ外周部でのエッチング特性を一定
に保つことができる。これにより、エッチングレートの
面内均一性を一定に保つことができる。
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４がエッチングガスにより削られてその高さが変化
しても、フォーカスリング４の上面の位置を一定に保つ
ことができる。すなわち、半導体基板３の表面からフォ
ーカスリング４の上面までの高さを一定に保つことがで
きる。従って、ウェハ外周部でのエッチング特性を一定
に保つことができる。これにより、エッチングレートの
面内均一性を一定に保つことができる。
【００２０】また、フォーカスリング４が削られてその
厚さが薄くなっても、そのフォーカスリング４を交換す
る必要がないため、フォーカスリング４を継続して長期
間使用することができる。従って、プラズマエッチング
装置のランニングコストを抑えることができる。
厚さが薄くなっても、そのフォーカスリング４を交換す
る必要がないため、フォーカスリング４を継続して長期
間使用することができる。従って、プラズマエッチング
装置のランニングコストを抑えることができる。
【００２１】また、エッチング条件（例えば、ガス流
量、圧力、ＲＦ電力、レジスト開口率等）が異なる場合
に、その条件に合わせてフォーカスリング４の上面の位
置を変えることができる。すなわち、エッチング条件ご
とに、フォーカスリング４の高さを調整することができ
るため、エッチング工程のプロセスマージンが向上す
る。
量、圧力、ＲＦ電力、レジスト開口率等）が異なる場合
に、その条件に合わせてフォーカスリング４の上面の位
置を変えることができる。すなわち、エッチング条件ご
とに、フォーカスリング４の高さを調整することができ
るため、エッチング工程のプロセスマージンが向上す
る。
【００２２】なお、本実施の形態１よるプラズマエッチ
ング装置では、エッチングチャンバ１の側面にセンサ５
が設置されているが、その設置位置はこれに限られな
い。例えば、エッチングチャンバ１の上面にセンサ５を
設置してもよい。
ング装置では、エッチングチャンバ１の側面にセンサ５
が設置されているが、その設置位置はこれに限られな
い。例えば、エッチングチャンバ１の上面にセンサ５を
設置してもよい。
【００２３】また、フォーカスリング４の上面の位置調
整は、エッチング処理の前ではなく、エッチング処理後
に行ってもよい。また、エッチング処理ごとではなく、
エッチング処理によりフォーカスリング４が削られる量
に応じて、フォーカスリング４の位置調整を行ってもよ
い。すなわち、所定の枚数を処理した後に、上記位置調
整を行ってもよい。
整は、エッチング処理の前ではなく、エッチング処理後
に行ってもよい。また、エッチング処理ごとではなく、
エッチング処理によりフォーカスリング４が削られる量
に応じて、フォーカスリング４の位置調整を行ってもよ
い。すなわち、所定の枚数を処理した後に、上記位置調
整を行ってもよい。
【００２４】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。
態２によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。
【００２５】先ず、本実施の形態２によるプラズマエッ
チング装置の構成について説明する。本実施の形態２に
よるプラズマエッチング装置と、前述の実施の形態１に
よるプラズマエッチング装置との相違点は、センサ５と
駆動機構６とにある。以下、この相違点を中心に説明す
る。
チング装置の構成について説明する。本実施の形態２に
よるプラズマエッチング装置と、前述の実施の形態１に
よるプラズマエッチング装置との相違点は、センサ５と
駆動機構６とにある。以下、この相違点を中心に説明す
る。
【００２６】図２に示す本実施の形態２によるプラズマ
エッチング装置において、フォーカスリング４の複数の
箇所でその上面の位置を測定するため、複数のセンサ５
が、エッチングチャンバ１の上面に設けられている。こ
の複数のセンサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７
にそれぞれ接続されており、測定結果を制御部７にそれ
ぞれ出力する。また、駆動機構６は、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を変化させる機能を有
している。例えば、駆動機構６は、複数の駆動部６１に
より構成されている。各駆動部６１は、信号ケーブル８
を介して制御部７にそれぞれ接続されており、制御部７
から入力される個別の制御信号に基づいて、それぞれ独
立してフォーカスリング４を上下に駆動する。
エッチング装置において、フォーカスリング４の複数の
箇所でその上面の位置を測定するため、複数のセンサ５
が、エッチングチャンバ１の上面に設けられている。こ
の複数のセンサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７
にそれぞれ接続されており、測定結果を制御部７にそれ
ぞれ出力する。また、駆動機構６は、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を変化させる機能を有
している。例えば、駆動機構６は、複数の駆動部６１に
より構成されている。各駆動部６１は、信号ケーブル８
を介して制御部７にそれぞれ接続されており、制御部７
から入力される個別の制御信号に基づいて、それぞれ独
立してフォーカスリング４を上下に駆動する。
【００２７】制御部７は、信号ケーブル８を介して複数
のセンサ５、及び駆動機構６を構成する複数の駆動部６
１にそれぞれ接続されている。制御部７は、複数のセン
サ５から入力された測定結果に基づいて、複数の駆動部
６１に個別の制御信号をそれぞれ出力して、フォーカス
リング４の上面の位置を所望の位置に制御するためのも
のである。例えば、プラズマエッチング装置が長時間使
用されることによって、フォーカスリング４の一部分が
削られてフォーカスリング４の上面の位置が部分的に低
くなった場合であっても、制御部７はセンサ５の測定結
果に基づいて、各駆動部６にそれぞれ個別の制御信号を
出力して各駆動部６を独立して駆動させる。これによ
り、フォーカスリング４の上面の位置が、所望の位置に
制御される。
のセンサ５、及び駆動機構６を構成する複数の駆動部６
１にそれぞれ接続されている。制御部７は、複数のセン
サ５から入力された測定結果に基づいて、複数の駆動部
６１に個別の制御信号をそれぞれ出力して、フォーカス
リング４の上面の位置を所望の位置に制御するためのも
のである。例えば、プラズマエッチング装置が長時間使
用されることによって、フォーカスリング４の一部分が
削られてフォーカスリング４の上面の位置が部分的に低
くなった場合であっても、制御部７はセンサ５の測定結
果に基づいて、各駆動部６にそれぞれ個別の制御信号を
出力して各駆動部６を独立して駆動させる。これによ
り、フォーカスリング４の上面の位置が、所望の位置に
制御される。
【００２８】次に、プラズマエッチング装置の動作につ
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、複数のセンサ５が、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を測定し、その測定結
果を制御部７にそれぞれ出力する。次に、制御部７は、
複数のセンサ５から入力された測定結果に基づいて、駆
動機構６を構成する複数の駆動部６１に個別に制御信号
を出力する。そして、各駆動部６１は、制御部７から入
力された制御信号に基づいて、フォーカスリングの所定
の位置を上下何れかの方向に駆動する。すなわち、駆動
機構６は、フォーカスリング４の複数の箇所でその上面
の位置を調整する。このようにして、フォーカスリング
４の上面の位置が、所望の位置に調整される。その後、
上述のように調整されたフォーカスリング４を用いて、
半導体基板３をエッチング処理する。
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、複数のセンサ５が、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を測定し、その測定結
果を制御部７にそれぞれ出力する。次に、制御部７は、
複数のセンサ５から入力された測定結果に基づいて、駆
動機構６を構成する複数の駆動部６１に個別に制御信号
を出力する。そして、各駆動部６１は、制御部７から入
力された制御信号に基づいて、フォーカスリングの所定
の位置を上下何れかの方向に駆動する。すなわち、駆動
機構６は、フォーカスリング４の複数の箇所でその上面
の位置を調整する。このようにして、フォーカスリング
４の上面の位置が、所望の位置に調整される。その後、
上述のように調整されたフォーカスリング４を用いて、
半導体基板３をエッチング処理する。
【００２９】以上説明したように、本実施の形態２によ
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４の複数箇所でその上面の位置を一定に保つことが
できる。従って、長期間の使用により例えばフォーカス
リング４が部分的に削られた場合であっても、フォーカ
スリング４の上面の位置を一定に保つことができる。こ
れにより、フォーカスリング４を交換することなく、半
導体基板３の外周部のエッチングレートを一定に保つこ
とができ、エッチングレートの面内均一性を一定に保つ
ことができる。
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４の複数箇所でその上面の位置を一定に保つことが
できる。従って、長期間の使用により例えばフォーカス
リング４が部分的に削られた場合であっても、フォーカ
スリング４の上面の位置を一定に保つことができる。こ
れにより、フォーカスリング４を交換することなく、半
導体基板３の外周部のエッチングレートを一定に保つこ
とができ、エッチングレートの面内均一性を一定に保つ
ことができる。
【００３０】また、部分的に厚さが異なるフォーカスリ
ング４であっても、そのフォーカスリング４を交換する
ことなく継続して使用することができるため、プラズマ
エッチング装置のランニングコストを抑えることができ
る。
ング４であっても、そのフォーカスリング４を交換する
ことなく継続して使用することができるため、プラズマ
エッチング装置のランニングコストを抑えることができ
る。
【００３１】また、フォーカスリング４の所定部分で、
その上面の位置を調整することにより、その箇所におけ
るエッチング特性を変化させることができる。すなわ
ち、部分的にフォーカスリング４の上面の位置を変える
ことにより、半導体基板３の外周部におけるプラズマ状
態が部分的に変化する。これにより、例えばエッチャン
トの供給量や、排気特性が変化するため、エッチング特
性が変化する。
その上面の位置を調整することにより、その箇所におけ
るエッチング特性を変化させることができる。すなわ
ち、部分的にフォーカスリング４の上面の位置を変える
ことにより、半導体基板３の外周部におけるプラズマ状
態が部分的に変化する。これにより、例えばエッチャン
トの供給量や、排気特性が変化するため、エッチング特
性が変化する。
【００３２】なお、本実施の形態２によるプラズマエッ
チング装置では、エッチングチャンバ１の上面に複数の
センサ５が設置されているが、その設置位置はこれに限
られない。例えば、エッチングチャンバ１の側面に複数
のセンサ５を設置してもよい。また、複数のセンサ５を
設けるのではなく、１つのセンサ５を順次スキャンさせ
てフォーカスリング４の複数の箇所でその上面の位置を
測定するようにしてもよい。この場合、センサ５のスキ
ャンは、制御部７により制御される。
チング装置では、エッチングチャンバ１の上面に複数の
センサ５が設置されているが、その設置位置はこれに限
られない。例えば、エッチングチャンバ１の側面に複数
のセンサ５を設置してもよい。また、複数のセンサ５を
設けるのではなく、１つのセンサ５を順次スキャンさせ
てフォーカスリング４の複数の箇所でその上面の位置を
測定するようにしてもよい。この場合、センサ５のスキ
ャンは、制御部７により制御される。
【００３３】また、駆動機構６は、上記複数の駆動部６
１によって構成されるものに限られず、例えば３点で支
持され、フォーカスリング４を載置する支持面を、所望
の角度及び高さに調整できる一体的な機構であってもよ
い。
１によって構成されるものに限られず、例えば３点で支
持され、フォーカスリング４を載置する支持面を、所望
の角度及び高さに調整できる一体的な機構であってもよ
い。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、フォーカスリングを交
換することなく、フォーカスリングの上面の位置を一定
に保つことができる。従って、半導体基板の外周部のエ
ッチングレートを一定に保つことができる。
換することなく、フォーカスリングの上面の位置を一定
に保つことができる。従って、半導体基板の外周部のエ
ッチングレートを一定に保つことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１によるプラズマエッチ
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
【図２】 本発明の実施の形態２によるプラズマエッチ
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
１ エッチングチャンバ、２ 下部電極、３ 半導体基
板、４ フォーカスリング、５ センサ、６ 駆動機
構、６１ 駆動部、７ 制御部、８ 信号ケーブル。
板、４ フォーカスリング、５ センサ、６ 駆動機
構、６１ 駆動部、７ 制御部、８ 信号ケーブル。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を保持する下部電極と、 前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリング
と、 前記フォーカスリングの上面の位置を測定するセンサ
と、 前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動機構と、 前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機構を駆動
させて前記フォーカスリングの上面の位置を調整する制
御部と、 を備え、 前記センサは、前記フォーカスリングの複数の箇所でそ
の上面の位置を測定することができ、 前記駆動機構は、前記フォーカスリングの複数の箇所で
その上面の位置を個別に駆動することができ ることを特
徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】 フォーカスリングの上面の位置を測定す
る測定工程と、 その測定結果に基づいて前記フォーカスリングを上下に
駆動させて、前記フォーカスリングの上面の位置を調整
する調整工程と、 前記調整工程の終了後に、エッチング処理を行うエッチ
ング工程と、 を含み、 前記測定工程は、前記フォーカスリングの複数箇所でそ
の上面の位置を測定する工程を含み、 前記調整工程は、前記測定工程の測定結果に基づいて、
前記フォーカスリングの複数箇所でその上面の位置を個
別に調整する工程を含 むことを特徴とするプラズマエッ
チング方法。
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