JP2002176030A - プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 - Google Patents

プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法

Info

Publication number
JP2002176030A
JP2002176030A JP2000372798A JP2000372798A JP2002176030A JP 2002176030 A JP2002176030 A JP 2002176030A JP 2000372798 A JP2000372798 A JP 2000372798A JP 2000372798 A JP2000372798 A JP 2000372798A JP 2002176030 A JP2002176030 A JP 2002176030A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focus ring
plasma etching
sensor
etching apparatus
semiconductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000372798A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3388228B2 (ja
Inventor
Osamu Koike
理 小池
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Original Assignee
Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Leading Edge Technologies Inc filed Critical Semiconductor Leading Edge Technologies Inc
Priority to JP2000372798A priority Critical patent/JP3388228B2/ja
Priority to KR1020010059190A priority patent/KR100846940B1/ko
Priority to US09/986,044 priority patent/US6726799B2/en
Publication of JP2002176030A publication Critical patent/JP2002176030A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3388228B2 publication Critical patent/JP3388228B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フォーカスリングを交換することなく、ウェ
ハ外周部のエッチングレートを一定に保つ。 【解決手段】 フォーカスリング４が、下部電極２上の
半導体基板３の外周部に配置される。センサ５は、フォ
ーカスリング４の上面の位置を測定し、駆動機構６は、
フォーカスリング４を上下に駆動する。制御部７は、セ
ンサ５の測定結果に基づいて、駆動機構６を駆動させて
フォーカスリング４の上面の位置を所望の位置に調整す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特にプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマエッチング装置において、ウェ
ハの外周近傍でのプラズマを制御するために、フォーカ
スリングが用いられている。これにより、ウェハ外周部
でのエッチングレートが制御される。また、ウェハ外周
部のエッチングレートは、フォーカスリングの高さに依
存することが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォー
カスリングは、エッチング処理の間プラズマに曝されて
いる。このため、長時間にわたりエッチング装置を使用
した場合、フォーカスリングが、エッチングガスにより
削られて高さが変わってしまう。これにより、ウェハ外
周部でのエッチング特性が変わってしまい、エッチング
レートの面内均一性が悪くなってしまう問題があった。
【０００４】また、フォーカスリングは、所定枚数を処
理する毎に交換する必要があり、ドライエッチング装置
のランニングコストが上昇してしまう問題があった。
【０００５】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、フォーカスリングを交換することな
く、ウェハ外周部のエッチングレートを一定に保つこと
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決する為の手段】請求項１の発明に係るプラ
ズマエッチング装置は、半導体基板を保持する下部電極
と、前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリ
ングと、前記フォーカスリングの上面の位置を測定する
センサと、前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動
機構と、前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機
構を駆動させて前記フォーカスリングの上面の位置を調
整する制御部と、を備えることを特徴とするものであ
る。
【０００７】請求項２の発明に係るプラズマエッチング
装置は、請求項１に記載のプラズマエッチング装置にお
いて、前記センサは、前記フォーカスリングの複数の箇
所でその上面の位置を測定することができ、前記駆動機
構は、前記フォーカスリングの複数の箇所でその上面の
位置を変化させることができることを特徴とするもので
ある。
【０００８】請求項３の発明に係るプラズマエッチング
方法は、フォーカスリングの上面の位置を測定する測定
工程と、その測定結果に基づいて前記フォーカスリング
を上下に駆動させて、前記フォーカスリングの上面の位
置を調整する調整工程と、前記調整工程の終了後に、エ
ッチング処理を行うエッチング工程と、を含むことを特
徴とするものである。
【０００９】請求項４の発明に係るプラズマエッチング
方法は、請求項３に記載のプラズマエッチング方法にお
いて、前記測定工程は、前記フォーカスリングの複数箇
所でその上面の位置を測定する工程を含み、前記調整工
程は、前記測定工程の測定結果に基づいて、前記フォー
カスリングの複数箇所でその上面の位置を調整する工程
を含むことを特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一または相当する
部分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省
略することがある。
【００１１】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。先ず、本実施
の形態１によるプラズマエッチング装置の構成について
説明する。図１において、参照符号１はエッチングチャ
ンバ、２は下部電極、３は半導体基板、４はフォーカス
リング、５はセンサ、６は駆動機構、７は制御部、８は
信号ケーブルを示している。
【００１２】エッチングチャンバ１は、半導体基板３を
エッチング処理するための処理室である。下部電極２
は、エッチングチャンバ１内に設けられたカソードであ
り、その上面に半導体基板３を保持するためのものであ
る。半導体基板３は、例えば、シリコン基板（シリコン
ウェハ）、石英基板、セラミック基板等である。
【００１３】フォーカスリング４は、半導体基板３の外
周部に基板を取り囲むように配置され、半導体基板３の
外周近傍のプラズマを制御するためのものである。フォ
ーカスリング４は、石英やセラミックスにより形成され
ている。
【００１４】センサ５は、エッチングチャンバ１の側面
に設けられ、フォーカスリング４の高さ、すなわちフォ
ーカスリング４の上面の位置を測定するためのものであ
る。センサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７に接
続されており、測定結果を制御部７に出力する。
【００１５】駆動機構６は、フォーカスリング４を上下
に駆動するものであり、例えば、フォーカスリング４の
下に配置されたリフト機構である。駆動機構６は、信号
ケーブル８を介して制御部７に接続されている。駆動機
構６は、制御部７から入力される制御信号に基づいて、
フォーカスリング４を上下に駆動する。
【００１６】制御部７は、信号ケーブル８を介してセン
サ５及び駆動機構６にそれぞれ接続されている。制御部
７は、センサ５から入力された測定結果に基づいて、制
御信号を駆動機構６に出力して、フォーカスリング４の
上面の位置を所望の位置に制御するためのものである。
例えば、プラズマエッチング装置が長期間使用されるこ
とによって、フォーカスリング４が削られてその上面の
位置が低くなった場合、制御部７はセンサ５の測定結果
に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力して駆動機構
６を駆動させる。これにより、フォーカスリング４の上
面の位置が、所望の位置に制御される。ここで、所望の
位置とは、当該プラズマエッチング装置において、最も
優れたエッチング特性が得られる位置をいう。
【００１７】以上説明したプラズマエッチング装置を要
約すると、フォーカスリング４が、下部電極２上の半導
体基板３の外周部に配置される。センサ５は、フォーカ
スリング４の上面の位置を測定し、駆動機構６は、フォ
ーカスリング４を上下に駆動する。制御部７は、センサ
５の測定結果に基づいて、駆動機構６を駆動させてフォ
ーカスリング４の上面の位置を所望の位置に調整する。
【００１８】次に、プラズマエッチング装置の動作につ
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、センサ５が、フォーカスリング４の上
面の位置を測定し、その測定結果を制御部７に出力す
る。この時、フォーカスリング４の削れ量が測定され
る。次に、制御部７は、センサ５から入力された測定結
果に基づいて、駆動機構６に制御信号を出力する。そし
て、駆動機構６は、制御部７から入力された制御信号に
基づいて、フォーカスリングを上下何れかの方向に駆動
する。このようにして、フォーカスリング４の上面の位
置が、所望の位置に調整される。その後、上述のように
調整されたフォーカスリング４を用いて、半導体基板３
をエッチング処理する。
【００１９】以上説明したように、本実施の形態１によ
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４がエッチングガスにより削られてその高さが変化
しても、フォーカスリング４の上面の位置を一定に保つ
ことができる。すなわち、半導体基板３の表面からフォ
ーカスリング４の上面までの高さを一定に保つことがで
きる。従って、ウェハ外周部でのエッチング特性を一定
に保つことができる。これにより、エッチングレートの
面内均一性を一定に保つことができる。
【００２０】また、フォーカスリング４が削られてその
厚さが薄くなっても、そのフォーカスリング４を交換す
る必要がないため、フォーカスリング４を継続して長期
間使用することができる。従って、プラズマエッチング
装置のランニングコストを抑えることができる。
【００２１】また、エッチング条件（例えば、ガス流
量、圧力、ＲＦ電力、レジスト開口率等）が異なる場合
に、その条件に合わせてフォーカスリング４の上面の位
置を変えることができる。すなわち、エッチング条件ご
とに、フォーカスリング４の高さを調整することができ
るため、エッチング工程のプロセスマージンが向上す
る。
【００２２】なお、本実施の形態１よるプラズマエッチ
ング装置では、エッチングチャンバ１の側面にセンサ５
が設置されているが、その設置位置はこれに限られな
い。例えば、エッチングチャンバ１の上面にセンサ５を
設置してもよい。
【００２３】また、フォーカスリング４の上面の位置調
整は、エッチング処理の前ではなく、エッチング処理後
に行ってもよい。また、エッチング処理ごとではなく、
エッチング処理によりフォーカスリング４が削られる量
に応じて、フォーカスリング４の位置調整を行ってもよ
い。すなわち、所定の枚数を処理した後に、上記位置調
整を行ってもよい。
【００２４】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２によるプラズマエッチング装置及びプラズマエッチ
ング方法を説明するための概念図である。
【００２５】先ず、本実施の形態２によるプラズマエッ
チング装置の構成について説明する。本実施の形態２に
よるプラズマエッチング装置と、前述の実施の形態１に
よるプラズマエッチング装置との相違点は、センサ５と
駆動機構６とにある。以下、この相違点を中心に説明す
る。
【００２６】図２に示す本実施の形態２によるプラズマ
エッチング装置において、フォーカスリング４の複数の
箇所でその上面の位置を測定するため、複数のセンサ５
が、エッチングチャンバ１の上面に設けられている。こ
の複数のセンサ５は、信号ケーブル８を介して制御部７
にそれぞれ接続されており、測定結果を制御部７にそれ
ぞれ出力する。また、駆動機構６は、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を変化させる機能を有
している。例えば、駆動機構６は、複数の駆動部６１に
より構成されている。各駆動部６１は、信号ケーブル８
を介して制御部７にそれぞれ接続されており、制御部７
から入力される個別の制御信号に基づいて、それぞれ独
立してフォーカスリング４を上下に駆動する。
【００２７】制御部７は、信号ケーブル８を介して複数
のセンサ５、及び駆動機構６を構成する複数の駆動部６
１にそれぞれ接続されている。制御部７は、複数のセン
サ５から入力された測定結果に基づいて、複数の駆動部
６１に個別の制御信号をそれぞれ出力して、フォーカス
リング４の上面の位置を所望の位置に制御するためのも
のである。例えば、プラズマエッチング装置が長時間使
用されることによって、フォーカスリング４の一部分が
削られてフォーカスリング４の上面の位置が部分的に低
くなった場合であっても、制御部７はセンサ５の測定結
果に基づいて、各駆動部６にそれぞれ個別の制御信号を
出力して各駆動部６を独立して駆動させる。これによ
り、フォーカスリング４の上面の位置が、所望の位置に
制御される。
【００２８】次に、プラズマエッチング装置の動作につ
いて説明する。半導体基板３をエッチング処理する前
に、次のようにしてフォーカスリング４の上面の位置を
調整する。先ず、複数のセンサ５が、フォーカスリング
４の複数の箇所でその上面の位置を測定し、その測定結
果を制御部７にそれぞれ出力する。次に、制御部７は、
複数のセンサ５から入力された測定結果に基づいて、駆
動機構６を構成する複数の駆動部６１に個別に制御信号
を出力する。そして、各駆動部６１は、制御部７から入
力された制御信号に基づいて、フォーカスリングの所定
の位置を上下何れかの方向に駆動する。すなわち、駆動
機構６は、フォーカスリング４の複数の箇所でその上面
の位置を調整する。このようにして、フォーカスリング
４の上面の位置が、所望の位置に調整される。その後、
上述のように調整されたフォーカスリング４を用いて、
半導体基板３をエッチング処理する。
【００２９】以上説明したように、本実施の形態２によ
るプラズマエッチング装置、及びそのエッチング装置で
実行されるプラズマエッチング方法では、フォーカスリ
ング４の複数箇所でその上面の位置を一定に保つことが
できる。従って、長期間の使用により例えばフォーカス
リング４が部分的に削られた場合であっても、フォーカ
スリング４の上面の位置を一定に保つことができる。こ
れにより、フォーカスリング４を交換することなく、半
導体基板３の外周部のエッチングレートを一定に保つこ
とができ、エッチングレートの面内均一性を一定に保つ
ことができる。
【００３０】また、部分的に厚さが異なるフォーカスリ
ング４であっても、そのフォーカスリング４を交換する
ことなく継続して使用することができるため、プラズマ
エッチング装置のランニングコストを抑えることができ
る。
【００３１】また、フォーカスリング４の所定部分で、
その上面の位置を調整することにより、その箇所におけ
るエッチング特性を変化させることができる。すなわ
ち、部分的にフォーカスリング４の上面の位置を変える
ことにより、半導体基板３の外周部におけるプラズマ状
態が部分的に変化する。これにより、例えばエッチャン
トの供給量や、排気特性が変化するため、エッチング特
性が変化する。
【００３２】なお、本実施の形態２によるプラズマエッ
チング装置では、エッチングチャンバ１の上面に複数の
センサ５が設置されているが、その設置位置はこれに限
られない。例えば、エッチングチャンバ１の側面に複数
のセンサ５を設置してもよい。また、複数のセンサ５を
設けるのではなく、１つのセンサ５を順次スキャンさせ
てフォーカスリング４の複数の箇所でその上面の位置を
測定するようにしてもよい。この場合、センサ５のスキ
ャンは、制御部７により制御される。
【００３３】また、駆動機構６は、上記複数の駆動部６
１によって構成されるものに限られず、例えば３点で支
持され、フォーカスリング４を載置する支持面を、所望
の角度及び高さに調整できる一体的な機構であってもよ
い。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、フォーカスリングを交
換することなく、フォーカスリングの上面の位置を一定
に保つことができる。従って、半導体基板の外周部のエ
ッチングレートを一定に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１によるプラズマエッチ
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
【図２】 本発明の実施の形態２によるプラズマエッチ
ング装置及びプラズマエッチング方法を説明するための
概念図である。
【符号の説明】
１ エッチングチャンバ、２ 下部電極、３ 半導体基
板、４ フォーカスリング、５ センサ、６ 駆動機
構、６１ 駆動部、７ 制御部、８ 信号ケーブル。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板を保持する下部電極と、 前記半導体基板の外周部に配置されるフォーカスリング
    と、 前記フォーカスリングの上面の位置を測定するセンサ
    と、 前記フォーカスリングを上下に駆動する駆動機構と、 前記センサの測定結果に基づいて、前記駆動機構を駆動
    させて前記フォーカスリングの上面の位置を調整する制
    御部と、 を備えることを特徴とするプラズマエッチング装置。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載のプラズマエッチング装
    置において、 前記センサは、前記フォーカスリングの複数の箇所でそ
    の上面の位置を測定することができ、 前記駆動機構は、前記フォーカスリングの複数の箇所で
    その上面の位置を変化させることができることを特徴と
    するプラズマエッチング装置。
  3. 【請求項３】 フォーカスリングの上面の位置を測定す
    る測定工程と、 その測定結果に基づいて前記フォーカスリングを上下に
    駆動させて、前記フォーカスリングの上面の位置を調整
    する調整工程と、 前記調整工程の終了後に、エッチング処理を行うエッチ
    ング工程と、 を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載のプラズマエッチング方
    法において、 前記測定工程は、前記フォーカスリングの複数箇所でそ
    の上面の位置を測定する工程を含み、 前記調整工程は、前記測定工程の測定結果に基づいて、
    前記フォーカスリングの複数箇所でその上面の位置を調
    整する工程を含むことを特徴とするプラズマエッチング
    方法。
JP2000372798A 2000-12-07 2000-12-07 プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法 Expired - Fee Related JP3388228B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000372798A JP3388228B2 (ja) 2000-12-07 2000-12-07 プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
KR1020010059190A KR100846940B1 (ko) 2000-12-07 2001-09-25 플라즈마 에칭 장치 및 플라즈마 에칭 방법
US09/986,044 US6726799B2 (en) 2000-12-07 2001-11-07 Plasma etching apparatus with focus ring and plasma etching method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000372798A JP3388228B2 (ja) 2000-12-07 2000-12-07 プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002176030A true JP2002176030A (ja) 2002-06-21
JP3388228B2 JP3388228B2 (ja) 2003-03-17

Family

ID=18842280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000372798A Expired - Fee Related JP3388228B2 (ja) 2000-12-07 2000-12-07 プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6726799B2 (ja)
JP (1) JP3388228B2 (ja)
KR (1) KR100846940B1 (ja)

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071755A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP2005203489A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置及び方法
JP2005539397A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバー内におけるエッジリング磨耗の補償のための方法および装置
JP2006512770A (ja) * 2002-12-31 2006-04-13 東京エレクトロン株式会社 光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング
JP2006512769A (ja) * 2002-12-31 2006-04-13 東京エレクトロン株式会社 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング
JP2007520077A (ja) * 2004-01-30 2007-07-19 東京エレクトロン株式会社 部品の消耗を監視するための方法とシステム
CN100351989C (zh) * 2002-09-20 2007-11-28 兰姆研究公司 具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法
KR100974014B1 (ko) 2008-06-16 2010-08-05 에이피시스템 주식회사 웨이퍼 지지장치 및 지지방법
KR20160088820A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에지 프로세스 제어를 위한 이동식 에지 커플링 링
KR20170053551A (ko) * 2015-11-06 2017-05-16 램 리써치 코포레이션 소모품을 위한 센서 및 조정기
JP2017183701A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ エッジリング特性評価を実行するためのシステムおよび方法
KR20180070493A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
KR20180002414U (ko) * 2017-02-01 2018-08-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
KR20180120091A (ko) 2017-04-26 2018-11-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2018186263A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20190013362A (ko) * 2017-08-01 2019-02-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
KR20190040912A (ko) 2017-10-11 2019-04-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 포커스 링의 승강 제어 방법 및 포커스 링의 승강 제어 프로그램
KR20190118974A (ko) 2018-04-11 2019-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
CN110491769A (zh) * 2018-05-15 2019-11-22 东京毅力科创株式会社 部件的驱动方法和处理装置
KR20190141603A (ko) * 2018-06-14 2019-12-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교정 지그 및 교정 방법
JP2020009839A (ja) * 2018-07-04 2020-01-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
KR20200038417A (ko) 2018-10-03 2020-04-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 두께 측정 방법
KR20200056942A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 형상 측정 방법
KR20200089616A (ko) 2019-01-17 2020-07-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 위치 어긋남 측정 방법
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US11201037B2 (en) 2018-05-28 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
JP2021536121A (ja) * 2018-09-04 2021-12-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 移動するプロセスキットの浸食測定及び位置較正のための方法及び装置
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
KR20220049735A (ko) * 2020-10-15 2022-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 소모성 부품의 마모도 측정 방법
US11342163B2 (en) 2016-02-12 2022-05-24 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US11393710B2 (en) 2016-01-26 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7311784B2 (en) * 2002-11-26 2007-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing device
CN100418187C (zh) * 2003-02-07 2008-09-10 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法
US7001482B2 (en) * 2003-11-12 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved focus ring
US7544270B2 (en) * 2005-11-14 2009-06-09 Infineon Technologies Ag Apparatus for processing a substrate
US20080250486A1 (en) * 2006-10-02 2008-10-09 Gibson Gregg K Design structure for local blade server security
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8563619B2 (en) 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
JP2009013435A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Fujifilm Corp 基板ホルダ及び真空成膜装置
US8992722B2 (en) * 2009-09-01 2015-03-31 Lam Research Corporation Direct drive arrangement to control confinement rings positioning and methods thereof
US9129795B2 (en) 2011-04-11 2015-09-08 Quadrant Epp Ag Process for plasma treatment employing ceramic-filled polyamideimide composite parts
EP2525387A1 (en) 2011-05-17 2012-11-21 Quadrant Epp Ag Process for plasma treatment employing ceramic-filled polyamideimide composite parts
WO2015099892A1 (en) * 2013-12-23 2015-07-02 Applied Materials, Inc. Extreme edge and skew control in icp plasma reactor
US11605546B2 (en) * 2015-01-16 2023-03-14 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US10957561B2 (en) 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10312121B2 (en) 2016-03-29 2019-06-04 Lam Research Corporation Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems
JP6635888B2 (ja) * 2016-07-14 2020-01-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10510516B2 (en) * 2016-11-29 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Moving focus ring for plasma etcher
JP6812224B2 (ja) 2016-12-08 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び載置台
KR20180080520A (ko) * 2017-01-04 2018-07-12 삼성전자주식회사 포커스 링 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
KR102595297B1 (ko) 2018-02-23 2023-10-31 삼성전자주식회사 미세 패턴 형성 방법
JP7138474B2 (ja) * 2018-05-15 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 部品の修復方法及び基板処理システム
CN111312633A (zh) * 2018-07-27 2020-06-19 上海华力集成电路制造有限公司 硅刻蚀机及其操作方法
JP7129307B2 (ja) * 2018-10-10 2022-09-01 東京エレクトロン株式会社 基板支持アセンブリ、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
US10903050B2 (en) * 2018-12-10 2021-01-26 Lam Research Corporation Endpoint sensor based control including adjustment of an edge ring parameter for each substrate processed to maintain etch rate uniformity
JP2021027152A (ja) * 2019-08-05 2021-02-22 キオクシア株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US11443923B2 (en) * 2019-09-25 2022-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Apparatus for fabricating a semiconductor structure and method of fabricating a semiconductor structure
CN113451191B (zh) * 2020-06-17 2022-11-11 重庆康佳光电技术研究院有限公司 定位装置及蚀刻装置
CN114639582A (zh) * 2020-12-15 2022-06-17 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种边缘环高度测量装置及方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2501948B2 (ja) * 1990-10-26 1996-05-29 三菱電機株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH1092796A (ja) * 1996-09-10 1998-04-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US6228563B1 (en) * 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
JP2001230239A (ja) * 2000-02-15 2001-08-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法

Cited By (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071755A (ja) * 2002-08-05 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JP2005539397A (ja) * 2002-09-18 2005-12-22 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバー内におけるエッジリング磨耗の補償のための方法および装置
JP4841840B2 (ja) * 2002-09-18 2011-12-21 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理チャンバー内におけるエッジリング磨耗の補償のための方法および装置
CN100351989C (zh) * 2002-09-20 2007-11-28 兰姆研究公司 具有减少基片上聚合物沉积部件的等离子体装置以及减少聚合物沉积的方法
JP2006512770A (ja) * 2002-12-31 2006-04-13 東京エレクトロン株式会社 光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング
JP2006512769A (ja) * 2002-12-31 2006-04-13 東京エレクトロン株式会社 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング
JP4763294B2 (ja) * 2002-12-31 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 光放射による、システムコンポーネントの腐食のモニタリング
JP4763293B2 (ja) * 2002-12-31 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 光放射によるシステムコンポーネントへの材料物質付着のモニタリング
JP2005203489A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置及び方法
JP2007520077A (ja) * 2004-01-30 2007-07-19 東京エレクトロン株式会社 部品の消耗を監視するための方法とシステム
JP4782699B2 (ja) * 2004-01-30 2011-09-28 東京エレクトロン株式会社 部品の消耗を監視するための方法とシステム
KR100974014B1 (ko) 2008-06-16 2010-08-05 에이피시스템 주식회사 웨이퍼 지지장치 및 지지방법
KR20160088820A (ko) * 2015-01-16 2016-07-26 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에지 프로세스 제어를 위한 이동식 에지 커플링 링
US12027410B2 (en) 2015-01-16 2024-07-02 Lam Research Corporation Edge ring arrangement with moveable edge rings
KR102537053B1 (ko) * 2015-01-16 2023-05-25 램 리써치 코포레이션 반도체 웨이퍼 프로세싱 동안 에지 프로세스 제어를 위한 이동식 에지 커플링 링
KR20170053551A (ko) * 2015-11-06 2017-05-16 램 리써치 코포레이션 소모품을 위한 센서 및 조정기
JP2017092435A (ja) * 2015-11-06 2017-05-25 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 消耗品のためのセンサおよびアジャスタ
KR102660512B1 (ko) * 2015-11-06 2024-04-23 램 리써치 코포레이션 소모품을 위한 센서 및 조정기
US11393710B2 (en) 2016-01-26 2022-07-19 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
US11342163B2 (en) 2016-02-12 2022-05-24 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
JP2017183701A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ エッジリング特性評価を実行するためのシステムおよび方法
US11011353B2 (en) 2016-03-29 2021-05-18 Lam Research Corporation Systems and methods for performing edge ring characterization
KR20180070493A (ko) * 2016-12-16 2018-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
KR102501697B1 (ko) 2016-12-16 2023-02-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
KR200496524Y1 (ko) 2017-02-01 2023-02-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
US10991556B2 (en) 2017-02-01 2021-04-27 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
KR20180002414U (ko) * 2017-02-01 2018-08-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에지 균일성 제어를 위한 조정가능한 연장되는 전극
KR102535916B1 (ko) * 2017-04-26 2023-05-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP7033926B2 (ja) 2017-04-26 2022-03-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20180120091A (ko) 2017-04-26 2018-11-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2018186263A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20190013362A (ko) * 2017-08-01 2019-02-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
KR102387979B1 (ko) * 2017-08-01 2022-04-18 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US11887879B2 (en) 2017-09-21 2024-01-30 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
KR102591950B1 (ko) * 2017-10-11 2023-10-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 포커스 링의 승강 제어 방법 및 포커스 링의 승강 제어 프로그램
KR20190040912A (ko) 2017-10-11 2019-04-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 포커스 링의 승강 제어 방법 및 포커스 링의 승강 제어 프로그램
JP2019071369A (ja) * 2017-10-11 2019-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、フォーカスリングの昇降制御方法およびフォーカスリングの昇降制御プログラム
JP2019186400A (ja) * 2018-04-11 2019-10-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
CN110364411A (zh) * 2018-04-11 2019-10-22 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、等离子体控制方法和存储介质
KR20190118974A (ko) 2018-04-11 2019-10-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
JP7055054B2 (ja) 2018-04-11 2022-04-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ制御方法、及びプラズマ制御プログラム
CN110491769A (zh) * 2018-05-15 2019-11-22 东京毅力科创株式会社 部件的驱动方法和处理装置
US11201037B2 (en) 2018-05-28 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11728143B2 (en) 2018-05-28 2023-08-15 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
KR20190141603A (ko) * 2018-06-14 2019-12-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교정 지그 및 교정 방법
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
TWI738004B (zh) * 2018-06-14 2021-09-01 美商應用材料股份有限公司 校準夾具和校準方法
JP2019220691A (ja) * 2018-06-14 2019-12-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 較正ジグ
KR102267396B1 (ko) * 2018-06-14 2021-06-18 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 교정 지그 및 교정 방법
CN111801776A (zh) * 2018-07-04 2020-10-20 东京毅力科创株式会社 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
JP7250449B2 (ja) 2018-07-04 2023-04-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP2020009839A (ja) * 2018-07-04 2020-01-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
JP2021536121A (ja) * 2018-09-04 2021-12-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials, Incorporated 移動するプロセスキットの浸食測定及び位置較正のための方法及び装置
JP2022160389A (ja) * 2018-09-04 2022-10-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 移動するプロセスキットの浸食測定及び位置較正のための方法及び装置
JP7340660B2 (ja) 2018-09-04 2023-09-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 移動するプロセスキットの浸食測定及び位置較正のための方法及び装置
JP7089632B2 (ja) 2018-09-04 2022-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 移動するプロセスキットの浸食測定及び位置較正のための方法及び装置
US11978647B2 (en) 2018-09-04 2024-05-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
KR20200038417A (ko) 2018-10-03 2020-04-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 두께 측정 방법
KR102676476B1 (ko) 2018-10-03 2024-06-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 두께 측정 방법
US11315766B2 (en) 2018-10-03 2022-04-26 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method for measuring thickness of ring member
JP2020087969A (ja) * 2018-11-15 2020-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、及びリング部材の形状測定方法
KR20200056942A (ko) 2018-11-15 2020-05-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 형상 측정 방법
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
KR20200089616A (ko) 2019-01-17 2020-07-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 링 부재의 위치 어긋남 측정 방법
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
KR20220049735A (ko) * 2020-10-15 2022-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 소모성 부품의 마모도 측정 방법
KR102585286B1 (ko) * 2020-10-15 2023-10-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 소모성 부품의 마모도 측정 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US6726799B2 (en) 2004-04-27
US20020072240A1 (en) 2002-06-13
KR20020045506A (ko) 2002-06-19
JP3388228B2 (ja) 2003-03-17
KR100846940B1 (ko) 2008-07-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3388228B2 (ja) プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
EP1599891B1 (en) Critical dimension variation compensation across a wafer by means of local wafer temperature control
KR101075048B1 (ko) 플라즈마 프로세스 챔버에서의 에지링 마모 보상용 장치 및방법
CN105810609B (zh) 半导体晶片处理期间控制边缘处理的可移动边缘耦合环
US8426317B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20080023569A (ko) 식각프로파일 변형을 방지하는 플라즈마식각장치
KR20020047258A (ko) 공간 분석 센서들을 이용하여 웨이퍼의 균일성을 제어하는방법 및 장치
KR20070054108A (ko) 스퍼터링 방법 및 스퍼터링 장치
US20190096735A1 (en) Wafer Table with Dynamic Support Pins
JP2019525857A (ja) グリーンシートセラミック上へのメタライゼーション材料の、サブミクロン均一性を有する高精度スクリーン印刷
CN114709145A (zh) 晶圆翘曲度优化方法、晶圆翘曲度优化装置和机台
KR100594272B1 (ko) 이동형 이온 빔 경사각 측정장치 및 그 장치를 이용한이온 빔 경사각 측정방법
JPH09286021A (ja) 半導体インゴットの切断方法
JP2006210372A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR100301069B1 (ko) 반도체 웨이퍼 식각방법 및 그 장치
US7674350B2 (en) Feature dimension control in a manufacturing process
CN102945784A (zh) 干法刻蚀均匀性优化装置及方法
JPH10280173A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
US6908774B2 (en) Method and apparatus for adjusting the thickness of a thin layer of semiconductor material
CN114930515A (zh) 基板转移方法以及基板转移装置
CN109065479B (zh) 硅刻蚀机及其操作方法
JPS6012735A (ja) エツチング装置
JP2000183033A (ja) 半導体製造方法及び半導体製造装置
JPH05304113A (ja) 枚葉式プラズマエッチング装置
JP3665027B2 (ja) プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100110

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110110

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120110

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees