JPH05304113A - 枚葉式プラズマエッチング装置 - Google Patents
枚葉式プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JPH05304113A JPH05304113A JP10717892A JP10717892A JPH05304113A JP H05304113 A JPH05304113 A JP H05304113A JP 10717892 A JP10717892 A JP 10717892A JP 10717892 A JP10717892 A JP 10717892A JP H05304113 A JPH05304113 A JP H05304113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lower electrode
- plasma etching
- upper electrode
- single wafer
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】枚葉式プラズマエッチング装置において、上部
電極と下部電極の間隔を一定に保つことにより半導体基
板面内及び間内を均一にエッチングする。 【構成】下部電極３に上部電極２と下部電極との間隔を
測定する測定器４を装着し、上部電極と下部電極との間
隔が設定値通りになる様に補正する機構を備える。 【効果】ウェハー一枚毎再現性よくバラツキも少なくエ
ッチングすることが出来る。
電極と下部電極の間隔を一定に保つことにより半導体基
板面内及び間内を均一にエッチングする。 【構成】下部電極３に上部電極２と下部電極との間隔を
測定する測定器４を装着し、上部電極と下部電極との間
隔が設定値通りになる様に補正する機構を備える。 【効果】ウェハー一枚毎再現性よくバラツキも少なくエ
ッチングすることが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は枚葉式プラズマエッチン
グ装置に関するものである。
グ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の枚葉式プラズマエッチング装置は
図２に示す様に、真空ポンプ７が接続されたエッチング
室１に、ガス流量制御部８および高周波電源９が接続さ
れた上部電極２とウェハークランプリング６によってウ
ェハー５がクランプされた下部電極３を有しており、上
部電極２と下部電極３との間隔を測定し補正する機構は
持たなかった。
図２に示す様に、真空ポンプ７が接続されたエッチング
室１に、ガス流量制御部８および高周波電源９が接続さ
れた上部電極２とウェハークランプリング６によってウ
ェハー５がクランプされた下部電極３を有しており、上
部電極２と下部電極３との間隔を測定し補正する機構は
持たなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の枚葉式
プラズマッチング装置は、エッチング室に上部電極と下
部電極を有するのみであるので、エッチング処理時半導
体基板（以下ウェハーと称す）がエッチングされるとと
もに上部電極板もエッチングされ、処理枚数の増加に従
い上部電極と下部電極との間隔が広がり、ウェハー面
内，ウェハー間内のエッチング量が不均一になり、歩留
低下を招くという問題があった。
プラズマッチング装置は、エッチング室に上部電極と下
部電極を有するのみであるので、エッチング処理時半導
体基板（以下ウェハーと称す）がエッチングされるとと
もに上部電極板もエッチングされ、処理枚数の増加に従
い上部電極と下部電極との間隔が広がり、ウェハー面
内，ウェハー間内のエッチング量が不均一になり、歩留
低下を招くという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の枚葉式プラズマ
エッチング装置は下部電極に上部電極と下部電極の間隔
を測定する測定器とその間隔が設定値通りになる様に補
正する機構を備えている。本発明によればエッチング処
理枚数の増加に従い上部電極と下部電極の間隔が広くな
る為、定期的に装置を止め、間隔を調整することなく、
測定器によって前記電極の間隔のズレを補正し一枚毎再
現性よくバラツキも少なくエッチングすることが出来
る。
エッチング装置は下部電極に上部電極と下部電極の間隔
を測定する測定器とその間隔が設定値通りになる様に補
正する機構を備えている。本発明によればエッチング処
理枚数の増加に従い上部電極と下部電極の間隔が広くな
る為、定期的に装置を止め、間隔を調整することなく、
測定器によって前記電極の間隔のズレを補正し一枚毎再
現性よくバラツキも少なくエッチングすることが出来
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の枚葉式プラズマエッチン
グ装置の断面模式図である。
る。図１は本発明の一実施例の枚葉式プラズマエッチン
グ装置の断面模式図である。
【０００６】エッチング室１には上部電極２と下部電極
３及び上部電極２と下部電極３の間隔を測定する非接触
式測定器４とを有し、下部電極３上に置かれたウェハー
５はウェハークランプリング６により、下部電極３に固
定される。またエッチング室１に真空ポンプ７とガス流
量制御部８とを接続し、上部電極２に高周波電源９を接
続している。又、上部電極２を駆動させるモーター１０
に上部電極２と下部電極３の間隔を指示する設定器１１
が取りつけられている。さらに間隔設定器１１で設定さ
れた設定値と測定器４で測定した値のズレをモーター１
０に指示する補正器１２がある。
３及び上部電極２と下部電極３の間隔を測定する非接触
式測定器４とを有し、下部電極３上に置かれたウェハー
５はウェハークランプリング６により、下部電極３に固
定される。またエッチング室１に真空ポンプ７とガス流
量制御部８とを接続し、上部電極２に高周波電源９を接
続している。又、上部電極２を駆動させるモーター１０
に上部電極２と下部電極３の間隔を指示する設定器１１
が取りつけられている。さらに間隔設定器１１で設定さ
れた設定値と測定器４で測定した値のズレをモーター１
０に指示する補正器１２がある。
【０００７】次に本発明の枚葉式プラズマエッチング装
置の動作について説明する。エッチング室１内にガス流
量制御部８によりガスを供給しながら真空ポンプ７でエ
ッチング室１内を真空に保ち、高周波電源９により高周
波電圧を上部電極２と下部電極３の間に印加し、この間
のガスをプラズマ化し、ウェハー５をエッチング加工す
る。エッチング終了後、間隔測定器４にて上部電極２と
下部電極３の間隔を測定し、設定値とのズレ分を補正器
１２にてモーターに補正をかけて、次のウェハーをエッ
チング加工する際に設定値通りエッチングする。
置の動作について説明する。エッチング室１内にガス流
量制御部８によりガスを供給しながら真空ポンプ７でエ
ッチング室１内を真空に保ち、高周波電源９により高周
波電圧を上部電極２と下部電極３の間に印加し、この間
のガスをプラズマ化し、ウェハー５をエッチング加工す
る。エッチング終了後、間隔測定器４にて上部電極２と
下部電極３の間隔を測定し、設定値とのズレ分を補正器
１２にてモーターに補正をかけて、次のウェハーをエッ
チング加工する際に設定値通りエッチングする。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、エッチン
グ室内の上部電極と下部電極との間隔が設定値通りにな
る様に測定器及び補正器を有ることにより間隔が一定に
なり、ウェハーを均一にエッチングするという効果があ
る。
グ室内の上部電極と下部電極との間隔が設定値通りにな
る様に測定器及び補正器を有ることにより間隔が一定に
なり、ウェハーを均一にエッチングするという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例を示す断面模式図。
【図２】従来技術の一例を示す断面模式図。
１ エッチング室 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 非接触式間隔測定器 ５ ウェハー ６ ウェハークランプリング ７ 真空ポンプ ８ ガス流量制御部 ９ 高周波電源 １０ 駆動モーター １１ 設定器 １２ 補正器
Claims (1)
- 【請求項１】 エッチング室内に上部電極と下部電極を
備えた枚葉式プラズマエッチング装置において、前記下
部電極に前記上部電極と前記下部電極との間隔を測定す
る測定器を装着し、前記上部電極と前記下部電極との間
隔が設定値通りになる様に補正する機構を備えることを
特徴とする枚葉式プラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10717892A JPH05304113A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 枚葉式プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10717892A JPH05304113A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 枚葉式プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05304113A true JPH05304113A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=14452450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10717892A Pending JPH05304113A (ja) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | 枚葉式プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05304113A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030020134A (ko) * | 2001-09-03 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 챔버용 간극 조절 확인장치 |
| JP2022511288A (ja) * | 2018-09-04 | 2022-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハ形態センサシステムにおける長距離容量性間隙測定 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265232A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH0452288A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
-
1992
- 1992-04-27 JP JP10717892A patent/JPH05304113A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0265232A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Nec Corp | ドライエッチング装置 |
| JPH0452288A (ja) * | 1990-06-21 | 1992-02-20 | Fujitsu Ltd | エッチング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030020134A (ko) * | 2001-09-03 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정 챔버용 간극 조절 확인장치 |
| JP2022511288A (ja) * | 2018-09-04 | 2022-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハ形態センサシステムにおける長距離容量性間隙測定 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980506 |