JPH01258428A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH01258428A JPH01258428A JP8668488A JP8668488A JPH01258428A JP H01258428 A JPH01258428 A JP H01258428A JP 8668488 A JP8668488 A JP 8668488A JP 8668488 A JP8668488 A JP 8668488A JP H01258428 A JPH01258428 A JP H01258428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- cathode
- etching
- gas
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にプラズマ放電を利
用してエツチングを行なう半導体製造装置に関する。
用してエツチングを行なう半導体製造装置に関する。
近年ＩＣ，ＬＳＩの高性能化、高集積化に伴い、半導体
ウェハ上に形成された酸化シリコン膜、多結晶シリコン
膜、アルミニウム膜、高融点金属膜等の微細カリニが要
求されている。このため、加工精度の高い減圧装置であ
る反応性イオンエツチング装置が多く使用されている。
ウェハ上に形成された酸化シリコン膜、多結晶シリコン
膜、アルミニウム膜、高融点金属膜等の微細カリニが要
求されている。このため、加工精度の高い減圧装置であ
る反応性イオンエツチング装置が多く使用されている。
従来、この種の反応性イオンエツチング装置は、真空容
器内を高真空（例えば１〜１００ Ｐａ）にした後、エ
ツチングガスを導入し、真空容器内に相対向して設けら
れた電極に高周波（例えば１３．５６Ｈｔｌｚ）を印加
して電極間にグロー放電によるガスプラズマを発生させ
、ガスプラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と、活
性ガスによる化学的反応によって被エツチング膜をエツ
チングするようになっており、ウェハを載置する電極は
固定又はある−定の速度で回転する機構となっていた。
器内を高真空（例えば１〜１００ Ｐａ）にした後、エ
ツチングガスを導入し、真空容器内に相対向して設けら
れた電極に高周波（例えば１３．５６Ｈｔｌｚ）を印加
して電極間にグロー放電によるガスプラズマを発生させ
、ガスプラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と、活
性ガスによる化学的反応によって被エツチング膜をエツ
チングするようになっており、ウェハを載置する電極は
固定又はある−定の速度で回転する機構となっていた。
エツチングの均一性を良好にするには、被エツチング物
である半導体ウェハ上を通過するエツチングガスの流速
・流れの方向及び半導体ウェハ上にかかるプラズマ密度
が均一でなければならない。
である半導体ウェハ上を通過するエツチングガスの流速
・流れの方向及び半導体ウェハ上にかかるプラズマ密度
が均一でなければならない。
上述した従来の反応性イオンエツチング装置は半導体ウ
ェハをｔ１置する電極がエツチング中に固定する機構に
なっているので、半導体ウェハ上を通過するエツチング
ガスの流速・流れの方向及びプラズマ密度が不均一であ
る。また、該電極が回転しなとしても、ある一定の速度
であるため、種々のエツチング条件によって発生するさ
まざまなプラズマ状態において、良好なエツチングの均
一性を得るのにｉ１適な速度ではない、従って、半導体
ウェハ上のある部分で、エツチング不足による被エツチ
ング膜の残りが発生したり、あるいは過度のエツチング
によるアンダーカットや下地膜のやられが生じ、半導体
デバイスの歩留り及び信顆性を低下させるという欠点が
あった。
ェハをｔ１置する電極がエツチング中に固定する機構に
なっているので、半導体ウェハ上を通過するエツチング
ガスの流速・流れの方向及びプラズマ密度が不均一であ
る。また、該電極が回転しなとしても、ある一定の速度
であるため、種々のエツチング条件によって発生するさ
まざまなプラズマ状態において、良好なエツチングの均
一性を得るのにｉ１適な速度ではない、従って、半導体
ウェハ上のある部分で、エツチング不足による被エツチ
ング膜の残りが発生したり、あるいは過度のエツチング
によるアンダーカットや下地膜のやられが生じ、半導体
デバイスの歩留り及び信顆性を低下させるという欠点が
あった。
本発明の目的は前記課題を解消した半導体製造装置を提
供することにある。
供することにある。
上述した反応性イオンエツチング装置に対し、本発明は
、ウェハを載置する電極が任意の遠さで回転するという
相違点を有する。すなわち、任意の速さを設定できると
いうことは、さまざまなエツチング条件によって被エツ
チング物である半導体ウェハ上を通過するエツチングカ
スの流速・流れの方向及びプラズマ密度が変化するが、
その各々の状態に最も適合した（エツチングの均一性が
最良となる）電極回転速度を設定できるということであ
る。
、ウェハを載置する電極が任意の遠さで回転するという
相違点を有する。すなわち、任意の速さを設定できると
いうことは、さまざまなエツチング条件によって被エツ
チング物である半導体ウェハ上を通過するエツチングカ
スの流速・流れの方向及びプラズマ密度が変化するが、
その各々の状態に最も適合した（エツチングの均一性が
最良となる）電極回転速度を設定できるということであ
る。
上記目的を達成するため、本発明においては、真空容器
内にプラズマを発生させる電極と、真空容器内へのガス
の給排を行うガス導入口及びガス排気口と、真空容器内
の半導体ウェハを保持し回転する電極とを有する半導体
製造装置において、半導体ウェハを保持し回転する該電
極の回転速度を任意の速さに設定する制御機構を含むも
のである。
内にプラズマを発生させる電極と、真空容器内へのガス
の給排を行うガス導入口及びガス排気口と、真空容器内
の半導体ウェハを保持し回転する電極とを有する半導体
製造装置において、半導体ウェハを保持し回転する該電
極の回転速度を任意の速さに設定する制御機構を含むも
のである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。真空容器１
には絶縁部材５で電気的に絶縁された状態で一対の電極
であるアノード２とカソード３が相対向して設けられて
いる。カソード３は、整合器１３を介して高周波電源１
４に接続されるとともに、電極回転速度制御装置１１の
付いた電極回転用モータ１２が取り付けられている。ま
た、アノード２は接地されている。真空容器１内を真空
にするためにロータリーポンプ１０とメカニカルブース
ターポンプ９に直結されたガス排気ロアがある。エツチ
ングガスはガス導入口１６より真空容器１内に導がれる
。
には絶縁部材５で電気的に絶縁された状態で一対の電極
であるアノード２とカソード３が相対向して設けられて
いる。カソード３は、整合器１３を介して高周波電源１
４に接続されるとともに、電極回転速度制御装置１１の
付いた電極回転用モータ１２が取り付けられている。ま
た、アノード２は接地されている。真空容器１内を真空
にするためにロータリーポンプ１０とメカニカルブース
ターポンプ９に直結されたガス排気ロアがある。エツチ
ングガスはガス導入口１６より真空容器１内に導がれる
。
このように構成されたエツチング装置によると、例えば
半導体ウェハ上に形成された被エツチング膜の上にフォ
トレジストを塗布し、所望するパタンのマスクを投影露
光装置を用いて焼き付けを行ない、現像後カソード３上
に載置し、電極回転用モータ１２によりカソード３を回
転させながら、ガス排気ロアより真空ポンプ９．１０で
容器内を低圧（例えば１〜５０Ｐａ ）にし、ガス導入
口１６がら反応性ガスを供給しアノード２とカソード３
の間に印加した高周波電圧によってプラズマ中のイオン
の衝撃、活性種の化学反応により被エツチング膜をエツ
チングし所望するパタンを得る。
半導体ウェハ上に形成された被エツチング膜の上にフォ
トレジストを塗布し、所望するパタンのマスクを投影露
光装置を用いて焼き付けを行ない、現像後カソード３上
に載置し、電極回転用モータ１２によりカソード３を回
転させながら、ガス排気ロアより真空ポンプ９．１０で
容器内を低圧（例えば１〜５０Ｐａ ）にし、ガス導入
口１６がら反応性ガスを供給しアノード２とカソード３
の間に印加した高周波電圧によってプラズマ中のイオン
の衝撃、活性種の化学反応により被エツチング膜をエツ
チングし所望するパタンを得る。
この場合、電極回転速度制御装置１１により、カソード
３の回転速度を任意に設定する。
３の回転速度を任意に設定する。
なお、６は真空容器１の圧力を測定する真空ゲージ、８
は真空容器１内の圧力を一定に保つための可変スロット
ルバルブ、２０は真空容器１と真空ボン１９，１０をつ
なぐゲートバルブ、“１５はカソード３の温度をコント
ロールする温調器、１９はエツチングガス容器、１８は
ガス流量を一定に保つマスフローコントローラ、１７は
ガスバルブである。
は真空容器１内の圧力を一定に保つための可変スロット
ルバルブ、２０は真空容器１と真空ボン１９，１０をつ
なぐゲートバルブ、“１５はカソード３の温度をコント
ロールする温調器、１９はエツチングガス容器、１８は
ガス流量を一定に保つマスフローコントローラ、１７は
ガスバルブである。
以上説明したように本発明は、ウェハを載置する電極を
任意の速度で回転させるための電極回転速度制御装置の
付いた電極回転用モーターを設置することにより、さま
ざまなエツチングにおける多様なプラズマ状態が半導体
ウェハ上に生成されても、各々の場合における半導体ウ
ェハ上のエツチングガス流速・流れ方向及びプラズマ密
度を均一化するのに最適な電極回転速度を得ることが可
能となり、エツチングの均一性が向上する。したがって
本発明によれば、半導体デバイスの歩留り向上及び品質
の向上を図ることができる効果を有する。
任意の速度で回転させるための電極回転速度制御装置の
付いた電極回転用モーターを設置することにより、さま
ざまなエツチングにおける多様なプラズマ状態が半導体
ウェハ上に生成されても、各々の場合における半導体ウ
ェハ上のエツチングガス流速・流れ方向及びプラズマ密
度を均一化するのに最適な電極回転速度を得ることが可
能となり、エツチングの均一性が向上する。したがって
本発明によれば、半導体デバイスの歩留り向上及び品質
の向上を図ることができる効果を有する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
１・・・真空容器 ２・・・アノード３・・・
カソード ４・・・半導体ウェハ５・・・絶縁
部材 ６・・・真空ゲージ７・・・ガス排気口 ８・・・可変スロットルバルブ ９・・・メカニカルブースターポンプ １０・・・ロータリーポンプ １１・・・ｔｆｉ回転速度制御装置 １２・・・電極回転用モーター １３・・・整合器 １４・・・高周波電源１
５・・・温調器 １６・・・ガス導入口１７
・・・ガスバルブ １８・・・マスフローコントローラー １９・・・反応性ガス容器 ２０・・・ゲートバルブ
特許出願人 日本電気株式会社 第１図
カソード ４・・・半導体ウェハ５・・・絶縁
部材 ６・・・真空ゲージ７・・・ガス排気口 ８・・・可変スロットルバルブ ９・・・メカニカルブースターポンプ １０・・・ロータリーポンプ １１・・・ｔｆｉ回転速度制御装置 １２・・・電極回転用モーター １３・・・整合器 １４・・・高周波電源１
５・・・温調器 １６・・・ガス導入口１７
・・・ガスバルブ １８・・・マスフローコントローラー １９・・・反応性ガス容器 ２０・・・ゲートバルブ
特許出願人 日本電気株式会社 第１図
Claims (1)
- （１）真空容器内にプラズマを発生させる電極と、真空
容器内へのガスの給排を行うガス導入口及びガス排気口
と、真空容器内の半導体ウェハを保持し回転する電極と
を有する半導体製造装置において、半導体ウェハを保持
し回転する該電極の回転速度を任意の速さに設定する制
御機構を含むことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8668488A JPH01258428A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8668488A JPH01258428A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01258428A true JPH01258428A (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=13893832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8668488A Pending JPH01258428A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01258428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410335U (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-29 | ||
| US5980687A (en) * | 1997-05-20 | 1999-11-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus comprising a compensating-process-gas supply means in synchronism with a rotating magnetic field |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8668488A patent/JPH01258428A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0410335U (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-29 | ||
| US5980687A (en) * | 1997-05-20 | 1999-11-09 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus comprising a compensating-process-gas supply means in synchronism with a rotating magnetic field |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07142449A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH11283940A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH01258428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JP2978857B2 (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| TW202008464A (zh) | 電漿處理方法及電漿處理裝置 | |
| JP3222620B2 (ja) | 放電処理装置 | |
| JPS63206484A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JP3252542B2 (ja) | 圧電素子の周波数調整方法 | |
| JP2002164329A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS634066A (ja) | バイアススパツタ装置 | |
| JP7286026B1 (ja) | 内壁部材の再生方法 | |
| JPH0526331B2 (ja) | ||
| JPS62250639A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH0241167B2 (ja) | ||
| JP2002373883A (ja) | プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法および半導体装置 | |
| JP3251439B2 (ja) | エッチング方法 | |
| JPS59139629A (ja) | プラズマドライ処理装置 | |
| JP2002203790A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2024001648A (ja) | 基板処理方法、及び基板処理システム | |
| JPH05347279A (ja) | プラズマエッチング方法及び装置 | |
| JPH05129243A (ja) | ドライエツチング方法及び装置 | |
| JPS6329504A (ja) | バイアススパツタ方法 | |
| JPH0936098A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| JPH0382024A (ja) | 半導体装置の製造装置 |