JPH0936098A

JPH0936098A - プラズマエッチング装置

Info

Publication number: JPH0936098A
Application number: JP20385395A
Authority: JP
Inventors: Asao Yamashita; 朝夫山下
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Priority date: 1995-07-18
Filing date: 1995-07-18
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体ウエハＷの中央部のエッチング速度を
高めることができ、半導体ウエハＷのエッチング処理の
均一性を高めることができるプラズマエッチング装置を
提供する。【構成】本プラズマエッチング装置は、処理室１内の
底面に配設され且つ半導体ウエハを保持する下部電極
と、この下部電極に対向して配設され且つ下部電極２で
保持された半導体ウエハＷに向けてエッチング用ガスを
供給する上部電極３とを備え、両電極２、３に１３.５
６ＭＨzの高周波電力をそれぞれ１８０°の位相差を付
けて印加し、エッチング用ガスをプラズマ化して半導体
ウエハＷにエッチング処理を施すプラズマエッチング装
置において、上部電極３の下部電極２との対向面２Ｃの
ガス供給部２Ｄに、この対向面２Ｃから下部電極２に接
近するに連れて縮径するロート状のガス供給筒３Ｅを取
り付けたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程には、プラズマを用いて
半導体ウエハに配線用溝やコンタクトホール等を形成し
たり余分な配線等を除去したりするエッチング工程や、
レジスト膜等を除去したりするアッシング工程などがあ
る。これらの工程では種々の反応性のエッチング用ガス
をプラズマ発生手段によりプラズマ化して種々の活性種
を生成させ、これらの活性種をそれぞれの目的に応じて
半導体ウエハ表面の化学組成物と反応させ、揮発性の反
応生成物として排気するようにしてある。このような工
程では従来から例えば平行平板式電極等の種々のプラズ
マ発生手段が用いられている。その中でも平行平板式の
プラズマエッチング装置は、大口径の半導体ウエハの処
理が可能であり、しかも装置構成も比較的簡単なことか
ら、数多く採用されている。

【０００３】平行平板式電極のプラズマエッチング装置
は、例えば図４に示すように、処理室１内で半導体ウエ
ハＷを保持する下部電極２と、この下部電極２と隙間を
介して平行に対向する上部電極３とを備え、例えば上部
電極３の下部電極２との対向面に形成されたガス供給孔
３Ａから反応性ガスを分散供給しながら例えば下部電極
２に高周波電力を印加し、これら両電極２、３間でプラ
ズマを発生させ、このプラズマにより半導体ウエハＷの
エッチング処理などを行うようにしてある。尚、同図に
おいて、４はフォーカスリングである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プラズマ処理装置の場合には、一般に、エッチング処理
の均一性に優れているが、最近のように半導体ウエハが
大口径化すると共に高集積化し、配線構造がハーフミク
ロン、サブミクロンと超微細化して来ると、どうしても
半導体ウエハ全面での均一処理が難しくなり、特に半導
体ウエハの周縁部のエッチング速度が中央部よりも速く
なる傾向があって、被処理体全面での均一処理が難しく
なるという課題があった。そして、この傾向は例えば高
周波電力、ガス流量、ガス圧等のプロセスパラメータを
種々変化させても上述の課題は解消できないという課題
があった。

【０００５】一方、例えば特開昭６０−１２３０３３号
公報において、プラズマ処理の均一性を向上させたプラ
ズマ処理装置が提案されている。このプラズマ処理装置
は、半導体ウエハを保持する下部電極と対向する上部電
極の対向面に円筒状の突起物を設け、円筒状突起物から
反応性ガスを供給することにより、エッチング処理の均
一性を向上させたものである。しかしながら、このプラ
ズマ処理装置の場合には、確かにエッチング処理の均一
性を高めることができるが、プラズマを発生させた場
合、そのプラズマが円筒状の突起物内でもプラズマを生
成し、これが上部電極の中空内にまで及び、上部電極の
消耗を促進するという課題があった。上部電極の中空内
へプラズマが及ばないようにするために、突起物の基端
部に多孔質のプレートを設け、中空電極内にプラズマが
到達しないようにすることもできるが、多孔質プレート
でプラズマを遮断すると、今度は多孔質プレートによる
圧力損失が大きくなってガス流量の制御が難しく、ひい
ては所望のガス量で処理室内へエッチング用ガスを供給
できなくなるという課題があった。

【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、半導体ウエハ等の被処理体の中央部のエッ
チング速度を高めることができ、被処理体のエッチング
処理の均一性を高めることができるプラズマエッチング
装置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
のプラズマエッチング装置は、処理室内に配設され且つ
被処理体を保持する第１電極と、この第１電極に対向し
て配設され且つ第１電極で保持された被処理体に向けて
エッチング用ガスを供給する第２電極とを備え、両電極
の少なくとも一方に高周波電力を印加し、エッチング用
ガスをプラズマ化して上記被処理体にエッチング処理を
施すプラズマエッチング装置において、第２電極の第１
電極との対向面のガス供給部に、この対向面から第１電
極に接近するに連れて縮径するガス供給筒を取り付けた
ことを特徴とするものである。

【０００８】また、本発明の請求項２に記載のプラズマ
エッチング装置は、処理室内の底面に配設され且つ被処
理体を保持する下部電極と、この下部電極に対向して配
設され且つ下部電極で保持された被処理体に向けてエッ
チング用ガスを供給する上部電極とを備え、両電極の少
なくとも一方に高周波電力を印加し、エッチング用ガス
をプラズマ化して上記被処理体にエッチング処理を施す
プラズマエッチング装置において、上部電極の下面のガ
ス供給部に、この下面から下部電極に接近するに連れて
縮径するガス供給筒を取り付けたことを特徴とするもの
でる。

【０００９】また、本発明の請求項３に記載のプラズマ
エッチング装置は、請求項１または請求項２に記載の発
明において、上記被処理体のエッチング対象物質が高沸
点金属であることを特徴とするものである。

【００１０】また、本発明の請求項４に記載のプラズマ
エッチング装置は、請求項１〜請求項３に記載の発明に
おいて、上記ガス供給筒が絶縁性材料により形成されて
いることを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明の請求項１に記載の発明によれば、処理
室内の第１、第２電極の少なくとも一方に高周波電力を
印加した状態で第２電極のガス供給筒からエッチング用
ガスを供給する。この時、ガス供給筒はエッチング用ガ
スを被処理体の中央部へ集束して供給することができ
る。そのため、被処理体の中央部では常にその周縁部よ
りガス圧が高くなって第１、第２電極間の放電によりエ
ッチング用ガスがプラズマ化した時に被処理体の中央部
がその周縁部よりプラズマ密度が高く、被処理体の中央
部のエッチング速度がその周縁部より高くなり、中央部
のエッチングを周辺部よりも促進することができる。従
って、被処理体の周縁部の方がエッチング速度が高くな
る従来の傾向を改善することができる。また、ガス供給
筒は第１電極に近づくほどガス供給口が絞り込まれてい
るため、ガス供給筒内でのプラズマ生成を防止すること
ができる。

【００１２】また、本発明の請求項２に記載の発明によ
れば、例えば処理室内の下部電極及び／または上部電極
に高周波電力を印加した状態で上部電極のガス供給筒か
らエッチング用ガスを供給する。この時、ガス供給筒は
エッチング用ガスを被処理体の中央部へ集束して供給す
ることができる。そのため、処理体の中央部では常にそ
の周縁部よりガス圧が高くなって下部電極と上部電極間
の放電によりプラズマ化した時に被処理体の中央部がそ
の周縁部よりプラズマ密度が高く、被処理体の中央部の
エッチング速度がその周縁部より高くなり、中央部のエ
ッチングを周辺部よりも促進することができる。従っ
て、被処理体の周縁部の方がエッチング速度が高くなる
従来の傾向を改善することができる。また、ガス供給筒
は下部電極に近づくほどガス供給口が絞り込まれている
ため、ガス供給筒内でのプラズマ生成を防止することが
できる。

【００１３】また、本発明の請求項３に記載の発明によ
れば、請求項１または請求項２に記載の発明において、
上記被処理体のエッチング対象物質が高沸点金属であれ
ば、タングステンシリサイト等の高沸点金属であっても
被処理体全面で均一なエッチング処理を施すことができ
る。

【００１４】また、本発明の請求項４に記載の発明によ
れば、請求項１〜請求項３に記載の発明において、上記
ガス供給筒が絶縁性材料により形成されているため、放
電作用に電気的影響を及ぼすことなく、プラズマを円滑
に発生させることができる。

【００１５】

【実施例】以下、図１〜図３に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例のプラズマエッチング装置
は、図１に示すように、所定の真空度を保持できる気密
構造を有する処理室１と、この処理室１内の底面に配設
され且つ半導体ウエハＷを保持する下部電極２と、この
下部電極２に対向して配設され且つ下部電極２で保持さ
れた半導体ウエハＷに向けてエッチング用ガスを供給す
る上部電極３とを備え、下部電極２及び上部電極３に高
周波電力をそれぞれ印加し、エッチング用ガスをプラズ
マ化して半導体ウエハＷにエッチング処理を施すように
構成されている。

【００１６】処理室１は、表面がアルマイト処理された
アルミニウムにより略円筒状に形成され、しかも接地さ
れている。処理室１周面には排気用ノズル１Ａが取り付
けられている。この排気用ノズル１Ａには図示しない真
空ポンプが排気管を介して接続され、真空ポンプにより
処理室１内を真空排気して所定の真空度例えば１０ｍＴ
ｒに維持するようにしてある。そして、処理室１内には
図示しない搬出入口を介して半導体ウエハＷを搬入、搬
出するようにしてある。

【００１７】下部電極２は、アルミニウムなどにより円
柱状に形成され、セラミック等の絶縁部材（図示せず）
を介して処理室１底面に配設され、その軸心が処理室１
の軸心と一致している。更に、下部電極２内にはリング
状の冷媒室２Ａが形成され、この冷媒室２Ａに冷媒配管
２Ｂを介して例えばパーフルオロポリエーテル等の冷媒
を矢印で示すように循環させて下部電極２を冷却し、図
示しないセラミック製のヒータとで下部電極２を所定温
度に適宜調整し、もって半導体ウエハＷを所定の温度に
調整するようにしてある。そして、下部電極２上面の外
周縁部にはフォーカスリング４が配設され、このフォー
カスリング４によりその周囲へプラズマが極力広がらな
いようにしてある。また、下部電極２の上面には静電チ
ャック２Ｃが配設され、この静電チャック２Ｃにより半
導体ウエハＷを静電吸着するようにしてある。また、静
電チャック２Ｃには直流電源２Ｄが接続され、この直流
電源２Ｄにより静電チャック２Ｃに高電圧を印加し、そ
の時のクーロン力により半導体ウエハＷを吸着するよう
にしてある。更に、図示してないが、半導体ウエハＷの
裏面にはヘリウムガスを所定の圧力で流し、下部電極２
からの熱伝達性を高めるようにしてある。

【００１８】一方、上部電極３は、偏平な中空円盤構造
として表面にアルマイト処理が施されたアルミニウム等
の導電性材料により形成されているそして、この上部電
極３は処理室１天面の中央に形成された孔に絶縁部材
（図示せず）を介して装着されている。また、上部電極
３の上面３Ａにはエッチング用ガスを受給する受給配管
３Ｂが接続され、また、下部電極２との対向する下面３
Ｃの中央部には受給配管３Ｂからのエッチング用ガスを
処理室１内へ分散供給するガス供給孔３Ｄが均等に分散
して形成されている。そして、上部電極３の中央部には
ガス供給筒３Ｅが取り付けられ、このガス供給筒３Ｅの
基端でガス供給孔３Ｄを囲んでいる。

【００１９】ガス供給筒３Ｅは、石英等の絶縁材料によ
り下面３Ｃから下部電極２に接近するに連れて縮径する
ロート状を呈するように形成されている。このようにガ
ス供給筒３Ｅの先端を半導体ウエハＷに近づけると共
に、その先端ほど口径を小さくすることにより、エッチ
ング用ガスを絞り込んで半導体ウエハＷの中心部に集束
させて半導体ウエハＷの中心部のエッチング用ガスの圧
力をその周りの圧力よりも高くし、後述のように半導体
ウエハＷの中央部分のエッチング速度をその周辺よりも
促進するようにしてある。また、このようにガス供給筒
３Ｅを先細形状とすることによりガス供給筒３Ｅ内でプ
ラズマを生成しないようにしてある。そして、このガス
供給筒３Ｅの基端の口径Ｄ₁と先端の口径Ｄ₂の比（Ｄ₁
／Ｄ₂）及びガス供給筒３Ｅの突出長Ｌ₁と両電極の距離
Ｌ₂の比（Ｌ₁／Ｌ₂）を適宜調整することにより半導体
ウエハＷの中央部と周縁部とのエッチング速度を同程度
に揃えて半導体ウエハＷ全面を均一にエッチング処理で
きるようにしてある。

【００２０】また、下部電極２には高周波電源５がマッ
チング回路６を介して接続され、この高周波電源５によ
りマッチング回路６を介して下部電極２に例えば１３.
５６ＭＨｚの高周波電力を印加するようにしてある。一
方、上部電極３には高周波電源７がマッチング回路８を
介して接続され、この高周波電源７によりマッチング回
路８を介して上部電極３に例えば１３.５６ＭＨｚの高
周波電力を印加するようにしてある。更に、各電極２、
３とそれぞれのマッチング回路６、８間には各電極２、
３に印加する高周波電流の位相を検出する位相検出器
９、１０が接続されている。そして、各位相検出器９、
１０は、それぞれの検出値を位相コントローラ１１へ送
信するようにしてある。位相コントローラ１１には上下
の各電極２、３の高周波電源５、７が接続されており、
位相コントローラ１１を用いて両高周波電源５、７それ
ぞれからの電流の位相差を例えば１８０°に制御するよ
うにしてある。

【００２１】このように下部電極２に印加される高周波
電流の位相と上部電極に印加される高周波電流の位相と
が１８０°の位相差を作ることにより、プラズマインピ
ーダンスの変化とは関係なく、例えば上部電極３から下
部電極２へ電流が流れ込もうとした時、後者の位相は前
者の位相に対して電流が流れ込み易い関係にあって、上
部電極３から下部電極２へ電流が効率良く流れ込み、そ
の結果両電極２、３間で発生するプラズマの密度が高く
なると共に異方性の高いエッチングを行うことができ
る。

【００２２】次に動作について説明する。半導体ウエハ
Ｗを下部電極２上に載置すると、静電チャック２Ｃによ
り半導体ウエハＷを吸着保持する。その後、真空ポンプ
が駆動して処理室１内を所定の真空度になるまで真空排
気する。処理室１内が所定の真空度に達したらエッチン
グ用ガスを流量制御しながら受給配管３Ｂを介して上部
電極３内へ供給する。

【００２３】上部電極３内に供給されたエッチング用ガ
スはガス供給孔３Ｄから処理室１内へ流入する。この
時、ガス供給筒３Ｅによりエッチング用ガスを絞り込む
ため、エッチング用ガスはガス供給筒３Ｅ内の方がその
外側より圧力が高くなって半導体ウエハＷの中央部へ噴
出し、その中央部から周辺へ分散して処理室１内全体へ
広がる。従って、半導体ウエハＷの中央部の方がその周
辺よりもガス圧が高くなっている。そして、処理室１内
でのエッチング用ガスの圧力は例えば１０ｍＴｒに設定
維持する。

【００２４】このような状態下で位相コントローラ１１
により高周波電源５、７の電流の位相差を１８０°に制
御しながら高周波電力を下部電極２及び上部電極３に印
加すると、ガス供給筒３Ｅから供給されたエッチング用
ガスは両電極２、３間での放電によりプラズマを生成
し、このプラズマ中のラジカル種、イオン種からなる活
性種により半導体ウエハＷ表面のエッチング対象物質例
えばタングステンシリサイト（ＷＳｉ₂）等の金属膜、
シリコン酸化膜等の絶縁膜や合成高分子樹脂などからな
るレジスト膜などにエッチング処理を施す。また、上述
のように下部電極２に電流が流れ込み易い状態になって
いるため、その電極上の半導体ウエハＷに対するイオン
種も流れ込み易く、異方性のエッチング処理を施すこと
ができる。

【００２５】両電極２、３間でプラズマを生成する際、
上述したようにエッチング用ガスの圧力は半導体ウエハ
Ｗの中央部がその周辺よりも高いため、その中央部のプ
ラズマ密度がその周辺よりも高くなって半導体ウエハＷ
の中央部のエッチング速度がその周辺よりも高くなる。
従って、上述のようなガス供給筒３Ｅを有しない装置で
あれば半導体ウエハＷの周縁部のエッチング速度が大き
くなる傾向にあったが、本実施例では、ガス供給筒３Ｅ
を上部電極３に取り付けたため、半導体ウエハＷの中央
部のエッチング速度を高めて、半導体ウエハＷ全面のエ
ッチング速度を均すことができる。

【００２６】次に、具体的な試験例を挙げて本実施例の
プラズマエッチング装置によるエッチング作用について
説明する。試験例１本試験例では次のプロセス条件でタングステンシリサイ
ト膜が形成された６インチの半導体ウエハＷにエッチン
グ処理を施した。その結果、図２の（ａ）で示す結果が
得られた。従って、同図に示す結果からも明らかなよう
に、本試験例によれば半導体ウエハＷの中央部ほど周縁
部よりもエッチング速度が高くなっていることが判る。
尚、本試験例では半導体ウエハＷの中央部のエッチング
速度が周縁部よりも高くなっているが、この傾向はガス
供給筒の口径比（Ｄ₁／Ｄ₂）やその突出長と電極間の距
離との関係（Ｌ₁／Ｌ₂）を適宜調整することにより解消
できる。［プロセス条件］（１）処理室内の圧力：１０ｍＴｒ（２）下部電極の高周波電力：２００Ｗ上部電極の高周波電力：２００Ｗ（３）両電極に印加する高周波電流の位相差：１８０° （４）下部電極と上部電極との間の距離Ｌ₂：１５０ｍ
ｍ（５）ガス供給筒先端の口径Ｄ₁：１０ｍｍ基端の口径Ｄ₂：１００ｍｍ突出長Ｌ₁：７０ｍｍ（６）エッチング用ガスの流量塩素ガス流量：９０ｓｃｃｍ酸素ガス流量：１０ｓｃｃｍ（７）静電チャックの印加電圧：１.５ＫＶ（８）半導体ウエハ裏面へ供給するヘリウムガス流量：１ｓｃｃｍ圧力：３ｍＴｒ

【００２７】試験例２本試験例では半導体ウエハＷの表面に施されたレジスト
膜にエッチング処理を施したもので、プロセス条件は試
験例１と同様であり、その結果は図３の（ａ）で示す結
果が得られた。同図に示す結果からも明らかなように、
本試験例においても試験例１と同様の傾向を示すことが
判った。

【００２８】比較試験例１本試験例は試験例１と比較するための試験であり、試験
例１で用いたガス供給筒を取り外した以外は全て試験例
１のプロセス条件に即して半導体ウエハＷのタングステ
ンシリサイト膜にエッチングを施し、その結果を図２の
（ｂ）で示した。同図に示す結果によれば、ロート状の
ガス供給筒を取り外すと、半導体ウエハＷの周縁部のエ
ッチング速度が中央部よりも高く、図４に示す従来の平
行平板式電極と同様の傾向を示すことが判った。

【００２９】比較試験例２本試験例は試験例２と比較するための試験であり、試験
例２で用いたガス供給筒を取り外した以外は全て試験例
２のプロセス条件に即して半導体ウエハＷのレジスト膜
にエッチングを施し、その結果を図３の（ｂ）で示し
た。同図に示す結果からも明らかなように、本試験例に
おいても比較試験例１と同様の傾向を示すことが判っ
た。

【００３０】以上説明したように本実施例によれば、下
部電極２と上部電極３からなる平行平板式の電極を備え
たプラズマエッチング装置において、上部電極３の下面
３Ｃのガス供給孔３Ｄに、この下面３Ｃから下部電極２
に接近するに連れて縮径するロート状のガス供給筒３Ｅ
を取り付けたため、ガス供給筒３Ｅによりエッチング用
ガスを絞り込んで半導体ウエハＷの中央部に近い位置か
らエッチング用ガスを供給して半導体ウエハＷの中央部
の方がその周辺よりもガス圧を高くすることができる。
そのためエッチング処理時には、半導体ウエハＷの中央
部のプラズマ密度がその周辺よりも高くなって半導体ウ
エハＷの中央部のエッチング速度がその周辺よりも高く
することができる。このことは試験例１及び試験例２で
示す結果からも明かである。

【００３１】尚、本実施例ではタングステンシリサイト
膜及びレジスト膜についてのみ試験例を示したが、本発
明のプラズマエッチング装置は配線用あるいは電極用の
他の金属膜（モリブデンシリサイト等の他の高沸点金属
膜を含む）あるいはシリコン酸化膜等の絶縁膜等につい
ても適用することができる。

【００３２】また、本発明のガス供給筒は他のプラズマ
処理装置についても適用することができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明の請求項１及び請求項３〜請求項
４に記載の発明によれば、被処理体を保持する第１電極
と対向する第２電極の第１電極との対向面のガス供給部
に、この対向面から第１電極に接近するに連れて縮径す
るガス供給筒を取り付けたため、半導体ウエハ等の被処
理体の中央部のエッチング速度を高めることができ、被
処理体のエッチング処理の均一性を高めることができる
プラズマエッチング装置を提供することができる。

【００３４】また、本発明の請求項２〜請求項４に記載
の発明によれば、被処理体を保持する下部電極と対向す
る上部電極の下部電極との対向面のガス供給部に、この
対向面から上部電極に接近するに連れて縮径するガス供
給筒を取り付けたため、半導体ウエハ等の被処理体の中
央部のエッチング速度を高めることができ、被処理体の
エッチング処理の均一性を高めることができるプラズマ
エッチング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の平行平板式プラズマエッチング装置の
一実施例を示す概念図である。

【図２】（ａ）は図１に示すプラズマエッチング装置を
用いて半導体ウエハのタングステンシリサイド膜にエッ
チング処理を施した時の半導体ウエハ中心からの距離と
エッチング速度との関係を示すグラフ、同図（ｂ）は図
１に示すプラズマエッチング装置からガス供給筒を取り
外したプラズマエッチング装置を用いてエッチング処理
を施した時の同図（ａ）に相当するグラフである。

【図３】（ａ）は図１に示すプラズマエッチング装置を
用いて半導体ウエハのフォトレジスト膜にエッチング処
理を施した時の半導体ウエハ中心からの距離とエッチン
グ速度との関係を示すグラフ、同図（ｂ）は図１に示す
プラズマエッチング装置からガス供給筒を取り外したプ
ラズマエッチング装置を用いてエッチング処理を施した
時の同図（ａ）に相当するグラフである。

【図４】従来の平行平板式プラズマエッチング装置の一
例を示す概念図である。

【符号の説明】

１処理室２下部電極（第１電極）３上部電極（第２電極）３Ｃ下面（第１電極の対向面）３Ｄガス供給孔３Ｅガス供給筒５高周波電源７高周波電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内に配設され且つ被処理体を保持
する第１電極と、この第１電極に対向して配設され且つ
第１電極で保持された被処理体に向けてエッチング用ガ
スを供給する第２電極とを備え、両電極の少なくとも一
方に高周波電力を印加し、エッチング用ガスをプラズマ
化して上記被処理体にエッチング処理を施すプラズマエ
ッチング装置において、第２電極の第１電極との対向面
のガス供給部に、この対向面から第１電極に接近するに
連れて縮径するガス供給筒を取り付けたことを特徴とす
るプラズマエッチング装置。
【請求項２】処理室内の底面に配設され且つ被処理体
を保持する下部電極と、この下部電極に対向して配設さ
れ且つ下部電極で保持された被処理体に向けてエッチン
グ用ガスを供給する上部電極とを備え、両電極の少なく
とも一方に高周波電力を印加し、エッチング用ガスをプ
ラズマ化して上記被処理体にエッチング処理を施すプラ
ズマエッチング装置において、上部電極の下面のガス供
給部に、この下面から下部電極に接近するに連れて縮径
するガス供給筒を取り付けたことを特徴とするプラズマ
エッチング装置。
【請求項３】上記被処理体のエッチング対象物質が高
沸点金属であることを特徴とする請求項１または請求項
２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】上記ガス供給筒が絶縁性材料により形成
されていることを特徴とする請求項１〜請求項３に記載
のプラズマエッチング装置。