JP2004165644A - プラズマ処理装置および方法 - Google Patents
プラズマ処理装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004165644A JP2004165644A JP2003346594A JP2003346594A JP2004165644A JP 2004165644 A JP2004165644 A JP 2004165644A JP 2003346594 A JP2003346594 A JP 2003346594A JP 2003346594 A JP2003346594 A JP 2003346594A JP 2004165644 A JP2004165644 A JP 2004165644A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- frequency
- frequency power
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】 試料を配置する基板電極115と該電極に対向するアンテナ電極103を設け、アンテナ電極103にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、該プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低い他の高周波電力を基板電極115とアンテナ電極103に逆位相となるように印加し、前記基板電極115とアンテナ電極103のいずれか一方の電極に常にアースとしての機能を持たせることを特徴とするプラズマ処理方法。
【選択図】図1
Description
Aligned Contact)に代表されるように、マスク選択比を向上させることが要求されている。また装置内での異物等の発生は歩留まりを低下させかつ装置の稼働率を低下させることから、異物発生量の少ない装置が要求されている。
コイル105が設けてある。アンテナ電極103はエッチングガスを流すための多孔構造となっており、ガス供給装置107が接続されている。また、真空容器101の下部には真空排気口106を介して真空排気装置(図示省略)が接続されている。
301は図4(a)と同様で、アンテナ電極103に、例えば、周波数13.56MHzのアンテナ電圧波形302を印加した場合には、アンテナ電極103側にはセルフバイアス電圧Vdcが生じ、常にプラズマ中のイオンが引き込まれる状態となり、時間t1では両電極側に向けて電流(i1,i2)が流れ逆方向となる。このため、両電極ともに処理容器102との間で電気回路が形成され、処理容器側から両電極側に向けて電流(i5)が流れる。また、時間t2では電流の方向はアンテナ電極103に向けて同方向となるが、アンテナ電極側の電流値と基板電極115側の電流値との差分(i6)が処理容器102側へ流れることになる。
Claims (6)
- 試料を配置する基板電極に対して、対向する電極を設け、前記対向する電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、前記両電極にそれぞれ前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低く逆位相となる他の高周波電力を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 試料を配置する基板電極に対して、対向する電極を設け、前記対向する電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、前記両電極にそれぞれ前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低い他の高周波電力を印加し、両電極側でプラズマ中を流れる電流の方向を同じにし、同一方向の電流の向きを交互に変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。
- 試料を配置する基板電極に対して、対向する電極を設け、前記対向する電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、前記両電極にそれぞれ前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低く逆位相となる他の高周波電力を印加し、両電極のいずれか一方の電極を常にアース電極として機能させ、プラズマから見て真空容器がアースとなるのを抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 試料を配置する基板電極に対して、対向する電極を設け、前記対向する電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、前記両電極にそれぞれ前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低い他の高周波電力を印加し、前記両電極に印加されるそれぞれの高周波電圧によるバイアス電圧の正電圧の値を下げ、プラズマポテンシャルを低くしてアースに接地された真空容器内壁との電位差を小さく、プラズマ中のイオンによる前記真空容器内壁面の衝撃を抑制することを特徴とするプラズマ処理方法。
- 内部を所定の減圧雰囲気に制御される容器と、前記容器内に設けられ試料を配置可能な基板電極と前記基板電極に対向する対向電極と、前記対向電極に接続され前記容器内にプラズマを生成するための高周波電力を印加するプラズマ生成電源と、前記基板電極および対向電極にそれぞれ接続され前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数の低い高周波電力を印加する複数のバイアス電源と、前記複数のバイアス電源の高周波電圧の位相を制御する位相制御器とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
- 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、前記処理室内へガスを供給するガス供給装置と、前記処理室内の設けられ被処理材を載置可能な基板電極と、前記処理室内で前記基板電極に対向して設けられプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極と、前記アンテナ電極に接続されたプラズマ生成用の第1の高周波電源と、前記基板電極へ接続された第2の高周波電源と、前記アンテナ電極へ接続された第3の高周波電源と、前記第2の高周波電源および前記第3の高周波電源によって印加する高周波電圧の位相を逆位相に制御する位相制御器を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346594A JP2004165644A (ja) | 2000-09-12 | 2003-10-06 | プラズマ処理装置および方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000276667 | 2000-09-12 | ||
JP2003346594A JP2004165644A (ja) | 2000-09-12 | 2003-10-06 | プラズマ処理装置および方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001275893A Division JP3621900B2 (ja) | 2000-09-12 | 2001-09-12 | プラズマ処理装置および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004165644A true JP2004165644A (ja) | 2004-06-10 |
JP2004165644A5 JP2004165644A5 (ja) | 2008-10-23 |
Family
ID=32827310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003346594A Pending JP2004165644A (ja) | 2000-09-12 | 2003-10-06 | プラズマ処理装置および方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004165644A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
JP2007035949A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009088389A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61202438A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Ulvac Corp | グロ−放電安定化方法 |
JPH0936098A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2000223480A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置 |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003346594A patent/JP2004165644A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61202438A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-08 | Ulvac Corp | グロ−放電安定化方法 |
JPH0936098A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2000223480A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027496A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
JP4758159B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2011-08-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマエッチング装置および微粒子除去方法 |
JP2007035949A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009088389A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019024090A (ja) | Dcバイアス変調による、粒子発生抑制装置 | |
JP3174981B2 (ja) | ヘリコン波プラズマ処理装置 | |
JP3776856B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR100652982B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 장치 | |
JP5205378B2 (ja) | Rf変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム | |
JP3691784B2 (ja) | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 | |
US20050155711A1 (en) | Plasma processing apparatus and method with controlled biasing functions | |
US5753066A (en) | Plasma source for etching | |
JP2008147659A (ja) | 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム | |
JP2006203210A (ja) | 半導体プラズマ処理装置及び方法 | |
JP3621900B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JPH10261498A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP7001456B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH08255782A (ja) | プラズマ表面処理装置 | |
JP3563054B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JP4653395B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2004165644A (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JP2003077904A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP3599670B2 (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
JPH1167725A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
JP4384295B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100733241B1 (ko) | 플라즈마 에칭 장치 | |
JP3687474B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4527833B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
JP4324541B2 (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080909 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080909 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110208 |