JPS63206484A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
- Publication number
- JPS63206484A JPS63206484A JP3818387A JP3818387A JPS63206484A JP S63206484 A JPS63206484 A JP S63206484A JP 3818387 A JP3818387 A JP 3818387A JP 3818387 A JP3818387 A JP 3818387A JP S63206484 A JPS63206484 A JP S63206484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- vacuum vessel
- electrode spacing
- cathode
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 244000007853 Sarothamnus scoparius Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、反応性イオンエツチング装置の改良に関する
。
。
近年ＩＣ，ＬＳＩの高性能化、高集積化に伴い半導体ウ
ェハ上に形成された酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜
、アルミニウム膜等の微細加工が要求されている。この
ため、加工制度の高い反応性イオンエツチング方法を利
用した装置が多く使用されている。
ェハ上に形成された酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜
、アルミニウム膜等の微細加工が要求されている。この
ため、加工制度の高い反応性イオンエツチング方法を利
用した装置が多く使用されている。
反応性イオンエツチング製置は、真空容器内を高真空（
例えば１〜５０Ｐａ）にした後、反応性ガスを導入し、
真空容器内に相対向して設けられた電極に高周波電圧（
例えば１３．５６Ｈｚ）を印加して電極間にグロー放電
によるガスプラズマを発生させ、ガスプラズマ中のイオ
ン衝撃による物理的反応と、活性ガスによる化学的反応
によって被エツチング膜をエツチングするものである。
例えば１〜５０Ｐａ）にした後、反応性ガスを導入し、
真空容器内に相対向して設けられた電極に高周波電圧（
例えば１３．５６Ｈｚ）を印加して電極間にグロー放電
によるガスプラズマを発生させ、ガスプラズマ中のイオ
ン衝撃による物理的反応と、活性ガスによる化学的反応
によって被エツチング膜をエツチングするものである。
しかるに従来の反応性イオンエツチング装置は、カソー
ドとアノードの電極間隔が固定となっている。もしくは
、電極間隔を変えることができるとしても、一度真空容
器を開けてマニュアルで調整しなければならなかった。
ドとアノードの電極間隔が固定となっている。もしくは
、電極間隔を変えることができるとしても、一度真空容
器を開けてマニュアルで調整しなければならなかった。
従って、エツチングを行なう場合、電極間隔は固定とな
り、特にマルチ（多段）ステップエツチングを用いる場
合、電極間隔を変えることができないという欠点があっ
た。
り、特にマルチ（多段）ステップエツチングを用いる場
合、電極間隔を変えることができないという欠点があっ
た。
また、被エツチング物の加工具合を変えるために電極間
隔を変えるにしても、一度真空容器内の真空を破って、
マニュアルで人が調整しなければならず非常に工数、時
間がかかるものとなり、特に量産エツチング装置では１
台の装置で様々な被エツチング物の加工を施さなければ
ならないにもかかわらず、電極間隔は一定にせざるを得
ないという欠点があった。
隔を変えるにしても、一度真空容器内の真空を破って、
マニュアルで人が調整しなければならず非常に工数、時
間がかかるものとなり、特に量産エツチング装置では１
台の装置で様々な被エツチング物の加工を施さなければ
ならないにもかかわらず、電極間隔は一定にせざるを得
ないという欠点があった。
本発明は、真空容器内に高周波電源と結合された金属円
板のカソードと対向して設けられた金属円板のアノード
と、エツチングガスの導入口および排気口とを有する反
応性イオンエツチング装置において、アノード又はカソ
ードの高さ、すなわち対向する電極の間隔を自動で任意
に変えることが可能な機構を設けたことを特徴とする。
板のカソードと対向して設けられた金属円板のアノード
と、エツチングガスの導入口および排気口とを有する反
応性イオンエツチング装置において、アノード又はカソ
ードの高さ、すなわち対向する電極の間隔を自動で任意
に変えることが可能な機構を設けたことを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例の断面図である。真空
容器１には絶縁部材６で電気的に絶縁された状態で一対
の電極であるアノード２とカソード３が相対向して設け
られている。カソード３には、整合器１３を介して高周
波電源１４が接続されている。又、アノード２は設置さ
れるとともに、電極間隔を変えるための電極間隔調整用
ステップモータ４が接続されている。真空容器ｌには、
その内部に反応性ガスを導入するガス導入管１６と真空
にするためのロタリーボンブ１１とメカニカルブースタ
ーポンプ１０に直結するガス排気ロアのメインバルブ２
０がある。ガス排気ロアのメインバルブ２０とメカニカ
ルブースターポンプ１０の間には真空容器１内の圧力を
一定圧力に保つための可変スロットバルブ９が設置され
ている。
容器１には絶縁部材６で電気的に絶縁された状態で一対
の電極であるアノード２とカソード３が相対向して設け
られている。カソード３には、整合器１３を介して高周
波電源１４が接続されている。又、アノード２は設置さ
れるとともに、電極間隔を変えるための電極間隔調整用
ステップモータ４が接続されている。真空容器ｌには、
その内部に反応性ガスを導入するガス導入管１６と真空
にするためのロタリーボンブ１１とメカニカルブースタ
ーポンプ１０に直結するガス排気ロアのメインバルブ２
０がある。ガス排気ロアのメインバルブ２０とメカニカ
ルブースターポンプ１０の間には真空容器１内の圧力を
一定圧力に保つための可変スロットバルブ９が設置され
ている。
このように構成されたエツチング装置によると、例えば
半導体ウェハ上に形成された被エツチング膜の上にフォ
トレジストを塗布し、所望するパタンのマスクを投影露
光装置を用いて焼き付けを行ない、現像後カソード３の
上に載置し、テーブル回転用ステップモータ１２により
カソード３を回転させながら、排気ロアより真空ポンプ
１０．１１で容器内を低圧（例えば１〜５０Ｐａ）にし
、ガス導入管１６から反応性ガスを供給し、アノード２
とカソード３の間に印加した高周波電圧によってプラズ
マ中のイオン衝撃、活性種の化学反応により被エツチン
グ膜をエツチングし所望するバタンを得る。
半導体ウェハ上に形成された被エツチング膜の上にフォ
トレジストを塗布し、所望するパタンのマスクを投影露
光装置を用いて焼き付けを行ない、現像後カソード３の
上に載置し、テーブル回転用ステップモータ１２により
カソード３を回転させながら、排気ロアより真空ポンプ
１０．１１で容器内を低圧（例えば１〜５０Ｐａ）にし
、ガス導入管１６から反応性ガスを供給し、アノード２
とカソード３の間に印加した高周波電圧によってプラズ
マ中のイオン衝撃、活性種の化学反応により被エツチン
グ膜をエツチングし所望するバタンを得る。
この場合、電極間隔調整用ステップモータ４により真空
容器１内は真空度を保ったまま、任意に電極間隔を設定
することにより異方性の強いエツチングや等方性のエツ
チングを行なう−というように必要に応じたエツチング
モードを選択することができる。
容器１内は真空度を保ったまま、任意に電極間隔を設定
することにより異方性の強いエツチングや等方性のエツ
チングを行なう−というように必要に応じたエツチング
モードを選択することができる。
なお、８は真空ゲージ、１５は温調器、１７はガスバブ
ル、１８はマスフロー、１９は反応ガス容器である。
ル、１８はマスフロー、１９は反応ガス容器である。
第２図は本発明の第２の実施例の縦断面図である。この
実施例では半導体ウェハの載置される下部電極が、カッ
プＡ２２とカップ８２３の様に、それぞれ独立して上下
に可動するため、同一エツチング内で、ウェハ載置位置
によって電極間隔が異なる、すなわち第１の実施例の場
合と同様に異方的なエツチングと等方的なエツチングが
同様に可能となる利点がある。
実施例では半導体ウェハの載置される下部電極が、カッ
プＡ２２とカップ８２３の様に、それぞれ独立して上下
に可動するため、同一エツチング内で、ウェハ載置位置
によって電極間隔が異なる、すなわち第１の実施例の場
合と同様に異方的なエツチングと等方的なエツチングが
同様に可能となる利点がある。
以上説明した様に本発明は、反応性イオンエツチングを
行なう真空容器内の電極に電極間隔調整用ステップモー
タを設置することにより、任意の電極間隔を真空容器内
の電極に電極間隔調整用ステップモータを設置すること
により、任意の電極間隔を真空容器内の真空度を保った
まま自動で設定することが可能になるため、必要に応じ
たエツチングモードを実現することごてきる効果がある
０例えば、電極間隔を狭くすると異方的なエツチングと
なり、電極間隔を広くするとより等方的でダメージの少
ないエツチングとなり得る。
行なう真空容器内の電極に電極間隔調整用ステップモー
タを設置することにより、任意の電極間隔を真空容器内
の電極に電極間隔調整用ステップモータを設置すること
により、任意の電極間隔を真空容器内の真空度を保った
まま自動で設定することが可能になるため、必要に応じ
たエツチングモードを実現することごてきる効果がある
０例えば、電極間隔を狭くすると異方的なエツチングと
なり、電極間隔を広くするとより等方的でダメージの少
ないエツチングとなり得る。
また、エツチングにおいてマルチ（多段）ステツブを用
いたエツチングが多用されているが、各ステップにおい
て電極間隔を変えてエンチングすることも可能となる。
いたエツチングが多用されているが、各ステップにおい
て電極間隔を変えてエンチングすることも可能となる。
このような効果により、デバイスに適切なエツチング条
件を得ることが可能となり、歩留りの向上及び品質の向
上が期待できる。
件を得ることが可能となり、歩留りの向上及び品質の向
上が期待できる。
第１図は本発明の第１の実施例な断面図、第２図は本発
明の第２の実施例の断面図である。 １・・・真空容器、２・・・アノード、３・・・カソー
ド、４・・・電極間隔調整用ステップモータ、５・・・
半導体ウェハ、６・・・絶縁部材、７・・・ガス排気口
、８・・・真空ゲージ、９・・・可変スロットバブル、
１０・・・メカニカルブースターポンプ、１１・・・ロ
ータリーポンプ、１２・・・テーブル回転用ステップモ
ータ、１３・・・整合器、１４・・・高周波電源、１５
・・・温調器、１６・・・ガス導入管、１７・・・ガス
バブル、１８・・・マスフロー、１９・・・反応性ガス
容器、２０・・・メインバルブ、２２・・・カップＡ、
２３・・・カップＢ。 箒 ｌ 酊
明の第２の実施例の断面図である。 １・・・真空容器、２・・・アノード、３・・・カソー
ド、４・・・電極間隔調整用ステップモータ、５・・・
半導体ウェハ、６・・・絶縁部材、７・・・ガス排気口
、８・・・真空ゲージ、９・・・可変スロットバブル、
１０・・・メカニカルブースターポンプ、１１・・・ロ
ータリーポンプ、１２・・・テーブル回転用ステップモ
ータ、１３・・・整合器、１４・・・高周波電源、１５
・・・温調器、１６・・・ガス導入管、１７・・・ガス
バブル、１８・・・マスフロー、１９・・・反応性ガス
容器、２０・・・メインバルブ、２２・・・カップＡ、
２３・・・カップＢ。 箒 ｌ 酊
Claims (1)
- 真空容器内に高周波電源と結合された金属性カソードと
それに対向してアース電位された金属性アノードとエッ
チングガスの導入口および排気口とを有する反応性イオ
ンエッチング装置において、前記カソードとアノードと
の間隔を自動的に調整する機構を設けたことを特徴とす
る反応性イオンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3818387A JPS63206484A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3818387A JPS63206484A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63206484A true JPS63206484A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12518268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3818387A Pending JPS63206484A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63206484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268886A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-26 | Fujitsu Ltd | プラズマドライエッチング方法 |
| US5997686A (en) * | 1992-07-27 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Process for setting a working rate distribution in an etching or plasma CVD apparatus |
| WO2002043100A3 (en) * | 2000-11-24 | 2002-08-15 | Secr Defence | Radio frequency ion source |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3818387A patent/JPS63206484A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01268886A (ja) * | 1988-04-18 | 1989-10-26 | Fujitsu Ltd | プラズマドライエッチング方法 |
| US5997686A (en) * | 1992-07-27 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Process for setting a working rate distribution in an etching or plasma CVD apparatus |
| WO2002043100A3 (en) * | 2000-11-24 | 2002-08-15 | Secr Defence | Radio frequency ion source |
| GB2389456A (en) * | 2000-11-24 | 2003-12-10 | Secr Defence | Radio frequency ion source |
| GB2389456B (en) * | 2000-11-24 | 2005-04-06 | Secr Defence | Radio frequency ion source |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8389416B2 (en) | Process for etching silicon with selectivity to silicon-germanium | |
| JP5219479B2 (ja) | 弾道電子ビーム促進プラズマ処理システムにおける均一性制御方法及びシステム | |
| US7416677B2 (en) | Exhaust assembly for plasma processing system and method | |
| JP5205378B2 (ja) | Ｒｆ変調によって弾道電子ビームの均一性を制御する方法及びシステム | |
| TWI404139B (zh) | A plasma etch method and a computer readable memory medium | |
| US7743731B2 (en) | Reduced contaminant gas injection system and method of using | |
| US20090095714A1 (en) | Method and system for low pressure plasma processing | |
| CN107039229A (zh) | 蚀刻方法 | |
| US7875555B2 (en) | Method for plasma processing over wide pressure range | |
| JPS6337193B2 (ja) | ||
| JPS63206484A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPH07335570A (ja) | プラズマ処理における基板温度制御方法 | |
| WO2004097909A2 (en) | Method and apparatus for deep trench silicon etch | |
| TWI759348B (zh) | 被處理體之處理方法 | |
| JP5479061B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4865951B2 (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH01258428A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH051072Y2 (ja) | ||
| JP7229033B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JPS6124817B2 (ja) | ||
| JPS62250639A (ja) | 反応性イオンエツチング装置 | |
| JPS634066A (ja) | バイアススパツタ装置 | |
| JPS62274725A (ja) | エツチング装置 | |
| JPS6175526A (ja) | 複数電極真空処理装置 | |
| JPH0245715B2 (ja) |