JP5479061B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
前記吸着装置の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分上に配置され当該部分の表面を保護するリング状の誘電体製のカバーを備え、前記吸着装置は前記試料載置面の外周縁部の一箇所に配置されその開き角度が90度以下であるV字型の切欠きを有し、前記カバーは前記試料載置面の外周側でこれを隙間を空けて囲む円弧状の内周縁とこの内周側に配置され前記V字型の切欠きの内側でその壁面に間隔を空けて嵌合するV字型の張り出しを備えた構成とする。
図5は、図1ないし図3に示す実施例にかかる静電吸着装置について、Vノッチの開き角α=90度の場合において、熱サイクルを賦課し、発生した異物(金属汚染を除く)および金属汚染量を測定した結果を示す。異物量および金属汚染量のいずれにおいても、許容値を大きく下回った。
以上説明したように本実施形態によれば、吸着装置の試料吸着面の外周部にV字型の切り欠きを設けて、前記切り欠き部と前記試料のノッチ部とを一致させて前記試料を前記静電チャックに載置するとともに、試料載置面の外周の試料載置面より低い部分の吸着装置外周部を保護するリング状のカバーを備え、該カバーは静電チャックの吸着面の外周に設けたV字型の切欠きに間隔を空けて嵌合するV字型の張り出しをリングの内周側に備えている。このため、保護カバーと吸着装置の接触による異物あるいは金属汚染の発生を抑制することができる。このため、長期にわたって連続運転することのできるプラズマ処理装置を提供することができる。
2 静電吸着装置
3 処理室
4 基材
5 冷媒流路
6 温調器
8 ヒータ電源
9 熱電対
10 制御機器
11 冷却ガス
12 ウエハ押上げ装置
101 蓋
102 真空チャンバ
103 シャワープレート
104 バルブ
105 真空ポンプ
106 絶縁部材
107 ガス導入孔
108 処理ガス
109 ガスだまり
110 貫通孔
111 アンテナ
112 整合器
113 スイッチ
114 高周波電源
115 コイル
116 高周波電源
117 整合器
118 保護カバー
201 セラミックス層
202 ヒータ
203 セラミックス層
204 吸着電極
205 セラミックス層
400 Vカット
401 V字型張り出し
500 ピン穴
501 回り止めピン
502 ピン穴
600 Dカット
601 カバー直線部
Claims (2)
- 所定の圧力に減圧排気される処理室と、
当該処理室内に配置され、金属製の基材の上部に試料を静電吸着して保持する静電チャックを備えた吸着装置と、
当該吸着装置の温度を調整する温度調整手段と、
前記吸着装置とこの吸着装置上に載置された試料の間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給手段と、
前記処理室内にプラズマを生成する手段を備え、生成されたプラズマを用いて前記吸着装置上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記吸着装置の試料載置面の外周の試料載置面より低い部分上に配置され当該部分の表面を保護するリング状の誘電体製のカバーを備え、
前記吸着装置は前記試料載置面の外周縁部の一箇所に配置されその開き角度が90度以下であるV字型の切欠きを有し、前記カバーは前記試料載置面の外周側でこれを隙間を空けて囲む円弧状の内周縁とこの内周側に配置され前記V字型の切欠きの内側でその壁面に間隔を空けて嵌合するV字型の張り出しを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記V字型の切欠きの曲率は、前記V字型の張り出しの曲率よりも小であることを特徴とするプラズマ処理装置。
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JP2009278646A JP5479061B2 (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009278646A JP5479061B2 (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | プラズマ処理装置 |
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JP2011124274A JP2011124274A (ja) | 2011-06-23 |
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Family
ID=44287908
Family Applications (1)
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JP2009278646A Active JP5479061B2 (ja) | 2009-12-08 | 2009-12-08 | プラズマ処理装置 |
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2009
- 2009-12-08 JP JP2009278646A patent/JP5479061B2/ja active Active
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