JPS62274725A - エツチング装置 - Google Patents
エツチング装置Info
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- JPS62274725A JPS62274725A JP11872086A JP11872086A JPS62274725A JP S62274725 A JPS62274725 A JP S62274725A JP 11872086 A JP11872086 A JP 11872086A JP 11872086 A JP11872086 A JP 11872086A JP S62274725 A JPS62274725 A JP S62274725A
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- Japan
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- vacuum vessel
- impedance
- electrode
- etching
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- Pending
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
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- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（発明の技術分野）
本発明はエツチング装置に関し、特にプラズマを電極内
に集中又は真空容器内に発散させるエツチング装置に係
わる。
に集中又は真空容器内に発散させるエツチング装置に係
わる。
（従来の技術）
従来、エツチング装置は、真空容器内に電極を設け、陰
極側に高周波を印加し、陽極側をアース電位に接続して
エツチングを行なっている。
極側に高周波を印加し、陽極側をアース電位に接続して
エツチングを行なっている。
ところで、均一なエツチングを行なうため、従来、■ガ
スの吹き出し形状や排気形状を変えて被処理体（半導体
基板）にガスが均等に流れるようにする事、■電極面積
をや構造を変えて電位分布を均一にする事、あるいは■
真空容器の構造を変える事等の手段が取られている。
スの吹き出し形状や排気形状を変えて被処理体（半導体
基板）にガスが均等に流れるようにする事、■電極面積
をや構造を変えて電位分布を均一にする事、あるいは■
真空容器の構造を変える事等の手段が取られている。
しかしながら、急激な進歩をとげている半導体産業では
半導体基板の大口径化が進んでいるため、エツチング装
置は何種類かの大きさの異なった被処理体を均一にエツ
チングしなければならない。
半導体基板の大口径化が進んでいるため、エツチング装
置は何種類かの大きさの異なった被処理体を均一にエツ
チングしなければならない。
従って、何種類かの被処理体を扱う度に、上記した■〜
■の条件、即ちガスの吹き出し形状や排気形状、電極面
積・構造、真空容器の構造を変える必要があった。
■の条件、即ちガスの吹き出し形状や排気形状、電極面
積・構造、真空容器の構造を変える必要があった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、構成部材の
形状、構造などを変えずに複数種の被処理体を均一にエ
ツチング可能なエツチング装置を提供することを目的と
する。
形状、構造などを変えずに複数種の被処理体を均一にエ
ツチング可能なエツチング装置を提供することを目的と
する。
［発明の構成１
（問題点を解決するための手段）
本発明は、プラズマの陽極降下電圧に着目したもので、
陽極にアースと該陽極間のインピーダンスが可変可能な
第１の抵抗部材を設けるとともに、真空容器にアースと
該容器間のインピーダンスが可変可能な第２の抵抗部材
を設けることを特徴とし、もってエツチング装置の構成
部材の形状、構造等を変えずに複数種の半導体基板を均
一にエツチング可能にしたものである。
陽極にアースと該陽極間のインピーダンスが可変可能な
第１の抵抗部材を設けるとともに、真空容器にアースと
該容器間のインピーダンスが可変可能な第２の抵抗部材
を設けることを特徴とし、もってエツチング装置の構成
部材の形状、構造等を変えずに複数種の半導体基板を均
一にエツチング可能にしたものである。
（作用）
本発明によれば、陽極及び真空容器に夫々設けた第１・
第２の抵抗部材を陽極、真空容器に対してスライドする
だけでインピーダンスを変え、これによりプラズマを対
向する陽極や陰極間に集中させたり、あるいは真空容器
内に発散させることができ、上記目的が達成できる。
第２の抵抗部材を陽極、真空容器に対してスライドする
だけでインピーダンスを変え、これによりプラズマを対
向する陽極や陰極間に集中させたり、あるいは真空容器
内に発散させることができ、上記目的が達成できる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図を参照して説明する。
図中の１は真空容器であり、その側壁にガス導入口２や
排気口３が設けられている。前記真空容器１の上部には
、空洞部４ａを有する対向電極（陽極）４が絶縁板５を
介して設けられている。
排気口３が設けられている。前記真空容器１の上部には
、空洞部４ａを有する対向電極（陽極）４が絶縁板５を
介して設けられている。
前記対向電極４には、該電極４を矢印へ方向に上下動さ
せる第１の上下駆動機構６が連結されている。同対向電
極４の空洞部４ａには、該電極４に一端が接触した第１
の抵抗部材７が設けられている。この抵抗部材７は、ア
ースと対向電極４間のインピーダンスをＯ〜５００Ωの
範囲で直線的に可変できるようになっている。前記抵抗
部材７には、該抵抗部材７を矢印Ｂ方向に上下動させる
第２の上下駆動機構８が連結されている。前記真空容器
１の上部側壁には第２の抵抗部材９が設けられている。
せる第１の上下駆動機構６が連結されている。同対向電
極４の空洞部４ａには、該電極４に一端が接触した第１
の抵抗部材７が設けられている。この抵抗部材７は、ア
ースと対向電極４間のインピーダンスをＯ〜５００Ωの
範囲で直線的に可変できるようになっている。前記抵抗
部材７には、該抵抗部材７を矢印Ｂ方向に上下動させる
第２の上下駆動機構８が連結されている。前記真空容器
１の上部側壁には第２の抵抗部材９が設けられている。
この抵抗部材９は、アースと真空容器１間のインピーダ
ンスを０〜５００Ωの範囲で直線的に可変できるように
なっている。この抵抗部材９には、該抵抗部材９を矢印
Ｃ方向に上下動させる第３の上下駆動機ｈ１１０が連結
されている。
ンスを０〜５００Ωの範囲で直線的に可変できるように
なっている。この抵抗部材９には、該抵抗部材９を矢印
Ｃ方向に上下動させる第３の上下駆動機ｈ１１０が連結
されている。
前記真空容器１の下部には、絶縁板１１を介して高周波
印加Ｉｔｓ（陽極）１２が設けられている。
印加Ｉｔｓ（陽極）１２が設けられている。
この高周波印加電極１２上には、半導体基板（ウェハ）
１３が載置されている。同型［！１２には、マツチング
回路１４、高周波電源１５が接続されている。また、電
極１２には、冷却用水の導入管１６、排出管１７が設け
られている。尚、図中の７ａ、９ａは、夫々第１・第２
の抵抗部材７．９のアース端子である。
１３が載置されている。同型［！１２には、マツチング
回路１４、高周波電源１５が接続されている。また、電
極１２には、冷却用水の導入管１６、排出管１７が設け
られている。尚、図中の７ａ、９ａは、夫々第１・第２
の抵抗部材７．９のアース端子である。
上記実施例によれば、対向Ｎ極４及び真空容器１に夫々
Ｏ〜５００Ωの範囲で直線的に可変可能な第１・第２の
抵抗部材７．９を設けた構造となっているため、抵抗部
材７．９を互いに上下に移動させて抵抗部材７．９のイ
ンピーダンス変えることにより、プラズマ１８を対向電
極４、高周波印加１ｔｆｌ１２間に集中させたり、ある
いは真空容器１内に発散させたりすることができる。従
って、ウェハ１３の径が変わった場合、従来の如く形状
、構造を変えることなく、上記インピーダンスを変える
だけでエツチング均一性を制御できる。
Ｏ〜５００Ωの範囲で直線的に可変可能な第１・第２の
抵抗部材７．９を設けた構造となっているため、抵抗部
材７．９を互いに上下に移動させて抵抗部材７．９のイ
ンピーダンス変えることにより、プラズマ１８を対向電
極４、高周波印加１ｔｆｌ１２間に集中させたり、ある
いは真空容器１内に発散させたりすることができる。従
って、ウェハ１３の径が変わった場合、従来の如く形状
、構造を変えることなく、上記インピーダンスを変える
だけでエツチング均一性を制御できる。
事実、従来技術（真空容器、対向Ｎ極を夫々アースする
）及び本発明を用いてウェハ上に形成した多結晶シリコ
ン層をＣ（１２ガスでエツチングしたところ、下記表に
示す結果を得た。但し、ウェハの径は４インチ、５イン
チ、６インチの場合について行なった。
）及び本発明を用いてウェハ上に形成した多結晶シリコ
ン層をＣ（１２ガスでエツチングしたところ、下記表に
示す結果を得た。但し、ウェハの径は４インチ、５イン
チ、６インチの場合について行なった。
上記表により、本発明によれば、４インチ、６インチの
ウェハをエツチングした場合、従来に対して４インチの
場合で±２％、６インチの場合では±６％均−性が向上
していることが明らかである。以上より、本発明が従来
技術と比べ優れていることが確認できる。
ウェハをエツチングした場合、従来に対して４インチの
場合で±２％、６インチの場合では±６％均−性が向上
していることが明らかである。以上より、本発明が従来
技術と比べ優れていることが確認できる。
なお、上記実施例では、半導体基板上の多結晶シリコン
層をエツチングする場合について述べたが、これに限定
されるものではない。また、被処理体が半導体基板の場
合について述べたが、これに限らない。
層をエツチングする場合について述べたが、これに限定
されるものではない。また、被処理体が半導体基板の場
合について述べたが、これに限らない。
また、前記上記実施例では、被処理体が前記陰極に接地
した場合について述べたが、前記陽極に被処理体を設置
しても同等の効果が得られる。
した場合について述べたが、前記陽極に被処理体を設置
しても同等の効果が得られる。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明によれば、構成部材の形状、構
造などを変えずに複数種の半導体基板等の被処理体を均
一にエツチング可能なエツチング装置を提供できる。
造などを変えずに複数種の半導体基板等の被処理体を均
一にエツチング可能なエツチング装置を提供できる。
図は本発明に係るエツチング装置の略断面図である。
１・・・真空容器、４・・・対向′Ｒ極（陽極）、７．
９・・・抵抗部材、１２・・・高周波印加電極、１３・
・・半導体基板（ウェハ）、１４・・・マツチング回路
、１５・・・高周波電源。
９・・・抵抗部材、１２・・・高周波印加電極、１３・
・・半導体基板（ウェハ）、１４・・・マツチング回路
、１５・・・高周波電源。
Claims (5)
- （１）真空容器内に陽極及び陰極を対向して設け、前記
陰極に高周波を印加して被処理体のエッチングを行なう
装置において、前記陽極にアースと該陽極間のインピー
ダンスが可変可能な第１の抵抗部材を設け、前記真空容
器にアースと該容器間のインピーダンスが可変可能な第
２の抵抗部材を設けることを特徴とするエッチング装置
。 - （２）前記真空容器と前記陽極が互いに絶縁されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエッチン
グ装置。 - （３）前記第１・第２の抵抗部材が０〜５００Ωの範囲
でインピーダンスを可変できることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のエッチング装置。 - （４）前記陽極が陰極に対して移動可能であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のエッチング装置。 - （５）前記真空容器又は陽極の一方が接地されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のエッチング
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11872086A JPS62274725A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11872086A JPS62274725A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274725A true JPS62274725A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14743415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11872086A Pending JPS62274725A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | エツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641150A1 (en) * | 1992-05-13 | 1995-03-01 | OHMI, Tadahiro | Process apparatus |
| US5688330A (en) * | 1992-05-13 | 1997-11-18 | Ohmi; Tadahiro | Process apparatus |
| JP2015026475A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440079A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS56100423A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-12 | Western Electric Co | Method and device for imporving characteristics of gas plasma reaction |
| JPS58202531A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 反応性スパツタエツチング装置 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP11872086A patent/JPS62274725A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440079A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-28 | Fujitsu Ltd | Plasma etching method |
| JPS56100423A (en) * | 1979-12-26 | 1981-08-12 | Western Electric Co | Method and device for imporving characteristics of gas plasma reaction |
| JPS58202531A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 反応性スパツタエツチング装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0641150A1 (en) * | 1992-05-13 | 1995-03-01 | OHMI, Tadahiro | Process apparatus |
| EP0641150A4 (en) * | 1992-05-13 | 1995-05-10 | Tadahiro Ohmi | TREATMENT DEVICE. |
| US5688330A (en) * | 1992-05-13 | 1997-11-18 | Ohmi; Tadahiro | Process apparatus |
| JP2015026475A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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