JPH02294029A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH02294029A JPH02294029A JP11571489A JP11571489A JPH02294029A JP H02294029 A JPH02294029 A JP H02294029A JP 11571489 A JP11571489 A JP 11571489A JP 11571489 A JP11571489 A JP 11571489A JP H02294029 A JPH02294029 A JP H02294029A
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- JP
- Japan
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- gas
- semiconductor substrate
- substrates
- etching
- reaction chamber
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- Pending
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 31
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置に関し、特にドライエッチング
装置に関する。
装置に関する。
従来のドライエッチング装置は、第３図に示ずようにエ
ッチング室１の土壁に絶縁体９で接合された支持台２４
の上に半導体基板６を載置してエッチングを行うもので
あり、ガス排気管８はエッチング室１の土壁に設けた排
気孔３８によってエッチング室内に連通している。
ッチング室１の土壁に絶縁体９で接合された支持台２４
の上に半導体基板６を載置してエッチングを行うもので
あり、ガス排気管８はエッチング室１の土壁に設けた排
気孔３８によってエッチング室内に連通している。
上述した従来のドライエッチング装置は、半導体基板６
を支持する支持台２４に閘接した位置にφ−一の排気孔
３８を有するのみであるので半導体基板６に対しガスの
流れが均一でなく、半導体基板表面が均一にエッチング
されないという欠点がある。
を支持する支持台２４に閘接した位置にφ−一の排気孔
３８を有するのみであるので半導体基板６に対しガスの
流れが均一でなく、半導体基板表面が均一にエッチング
されないという欠点がある。
本発明の目的は、半導体基板表面を均一にエッチングす
ることができるドライエッチング装置を提供することに
ある。
ることができるドライエッチング装置を提供することに
ある。
本発明は、反応室内部を真空ポンプにより真空に保ち高
周波の電圧を印加しガス導入管により導入された反応カ
スを励起してプラズマを発生させ半導体基板表面をエッ
チング加工するプラズマエッチング装置において、半導
体基板を支持する支持台に複数のガス排気孔を設けたこ
とを特徴とする。排気孔は好ましくは支持台の半導体基
板載置部の周辺に設けるようにする。
周波の電圧を印加しガス導入管により導入された反応カ
スを励起してプラズマを発生させ半導体基板表面をエッ
チング加工するプラズマエッチング装置において、半導
体基板を支持する支持台に複数のガス排気孔を設けたこ
とを特徴とする。排気孔は好ましくは支持台の半導体基
板載置部の周辺に設けるようにする。
本発明によれば、半導体基板に対してガスの流れが均一
になり、半導体基板が均一にエッチングされる． 〔実施例〕 以下、本発明をその一実施例について図面を参照して説
明する。第１図において、エッチング室１内に上部電８
ｉ！（陰極）５を設け、これに向き合うように多数の孔
１８を持つ半導体基板支持台（陽ｆｉ）４を絶縁体９を
介して設置する。エッチング室１にはガス排気管８を介
して真空ボンブ３を設け、反対側にはガス流入管１０を
介してガス流量制御部２を接続し、また支持台４に高周
波電源７を接続してある． 本実施例において半導体基板支持台４には半導体基板６
の載置部の周辺に配置されるように複数のガス排気孔１
８を設け、ガス排気管８に連結させている。
になり、半導体基板が均一にエッチングされる． 〔実施例〕 以下、本発明をその一実施例について図面を参照して説
明する。第１図において、エッチング室１内に上部電８
ｉ！（陰極）５を設け、これに向き合うように多数の孔
１８を持つ半導体基板支持台（陽ｆｉ）４を絶縁体９を
介して設置する。エッチング室１にはガス排気管８を介
して真空ボンブ３を設け、反対側にはガス流入管１０を
介してガス流量制御部２を接続し、また支持台４に高周
波電源７を接続してある． 本実施例において半導体基板支持台４には半導体基板６
の載置部の周辺に配置されるように複数のガス排気孔１
８を設け、ガス排気管８に連結させている。
上記の実施例において、エッチング室１内にガス流量制
御部２によりガスを供給しながら、真空ボンプ３でエッ
チング室１内を真空に保ち、高周波電源７より高周波電
圧を半導体基板支持台４（陽極）、上部電極５（陰極》
間に印加し、この間のガスをプラズマ化し半導体基板６
表面をエッチングする。この時、半導体基板６の周辺に
複数のガス排気孔ｌ８を有することにより、ガスの流れ
が半導体基板６に対して均一となり、半導体基板６表面
が均一にエッチングされる。
御部２によりガスを供給しながら、真空ボンプ３でエッ
チング室１内を真空に保ち、高周波電源７より高周波電
圧を半導体基板支持台４（陽極）、上部電極５（陰極》
間に印加し、この間のガスをプラズマ化し半導体基板６
表面をエッチングする。この時、半導体基板６の周辺に
複数のガス排気孔ｌ８を有することにより、ガスの流れ
が半導体基板６に対して均一となり、半導体基板６表面
が均一にエッチングされる。
本発明の第二の実施例を第２図を参照して説明する。本
実施例においては、半導体基板支持台１４の周辺および
中央にガス排気孔２８を設ける。エッチング室１内にお
いてガス流量制御部２によりガスを供給しながら真空ボ
ンプ３でエッチング室内を真空に保ちエッチングの作業
を行なう時に、半導体基板支持台１４の周辺および中央
にガス排気孔２８を有することにより、半導体基板６に
対しガスの流れが均一となる。ガスの流れが第一の実施
例と同様に半導体基板６に対し均一になるので半導体基
板６表面が均一にエッチングさることは言うまでもない
。
実施例においては、半導体基板支持台１４の周辺および
中央にガス排気孔２８を設ける。エッチング室１内にお
いてガス流量制御部２によりガスを供給しながら真空ボ
ンプ３でエッチング室内を真空に保ちエッチングの作業
を行なう時に、半導体基板支持台１４の周辺および中央
にガス排気孔２８を有することにより、半導体基板６に
対しガスの流れが均一となる。ガスの流れが第一の実施
例と同様に半導体基板６に対し均一になるので半導体基
板６表面が均一にエッチングさることは言うまでもない
。
以上説明したように本発明によれば、反応室内部を真空
ボンブにより真空に保ち高周波の電圧を印加しガス導入
管により導入された反応ガスを励起してパラズマを発生
させ半導体基板表面をエッチング加工するプラズマエッ
チング装置において、半導体基板を支持する支持台に複
数のガス排気孔を設けたことにより、半導体基板表面に
対しガスの流れが均一になり、半導体基板表面が均一に
エッチングできる効果がある。
ボンブにより真空に保ち高周波の電圧を印加しガス導入
管により導入された反応ガスを励起してパラズマを発生
させ半導体基板表面をエッチング加工するプラズマエッ
チング装置において、半導体基板を支持する支持台に複
数のガス排気孔を設けたことにより、半導体基板表面に
対しガスの流れが均一になり、半導体基板表面が均一に
エッチングできる効果がある。
１・・・エッチング室、２・・・ガス流量制御部、３・
・・真空ポンプ、４，１４．２４・・・半導体基板支持
台（陽極）、５・・・上部電ｆｉ（陰ｆｆ！）、６・・
・半導体基板、７・・・高周波電源、８・・・ガス排気
管、９・・・絶縁体、１０・・・ガス流入管、１８，２
８．３８・・・ガス排気孔． 代理人 弁理士 内 原 費
・・真空ポンプ、４，１４．２４・・・半導体基板支持
台（陽極）、５・・・上部電ｆｉ（陰ｆｆ！）、６・・
・半導体基板、７・・・高周波電源、８・・・ガス排気
管、９・・・絶縁体、１０・・・ガス流入管、１８，２
８．３８・・・ガス排気孔． 代理人 弁理士 内 原 費
第１図および第２図は本発明の第一および第二の実施例
の一部断面模式的構成図であり、第３図は従来の一例の
一部断面模式的横成図である。 声 図 充 ？ 図
の一部断面模式的構成図であり、第３図は従来の一例の
一部断面模式的横成図である。 声 図 充 ？ 図
Claims (1)
- 反応室と、その内部を真空に保つ真空ポンプと、前記
反応室内部に設置され半導体基板を支持する支持台と、
高周波電圧印加手段と、反応ガスを前記反応室に導入す
るガス導入管とを有し、前記反応室内に導入された反応
ガスを励起してプラズマを発生させ前記半導体基板の表
面をエッチング加工するプラズマエッチング装置におい
て、前記支持台に複数のガス排気孔を設けたことを特徴
とするドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571489A JPH02294029A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11571489A JPH02294029A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294029A true JPH02294029A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14669361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11571489A Pending JPH02294029A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02294029A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5885358A (en) * | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| JP2006032344A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nordson Corp | 超高速均一プラズマ処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121234A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electronics Corp | Plasma processing and device thereof |
| JPS58190030A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 平行平板電極を有するプラズマエッチング装置 |
| JPS5921026A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6459916A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Kyushu Nippon Electric | Batch type reactive ion etching device |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP11571489A patent/JPH02294029A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57121234A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Matsushita Electronics Corp | Plasma processing and device thereof |
| JPS58190030A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Kokusai Electric Co Ltd | 平行平板電極を有するプラズマエッチング装置 |
| JPS5921026A (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-02 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6459916A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Kyushu Nippon Electric | Batch type reactive ion etching device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5746875A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US5885358A (en) * | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| JP2006032344A (ja) * | 2004-07-13 | 2006-02-02 | Nordson Corp | 超高速均一プラズマ処理装置 |
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