JPH1131680A - 基板のドライエッチング装置 - Google Patents
基板のドライエッチング装置Info
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- JPH1131680A JPH1131680A JP18481797A JP18481797A JPH1131680A JP H1131680 A JPH1131680 A JP H1131680A JP 18481797 A JP18481797 A JP 18481797A JP 18481797 A JP18481797 A JP 18481797A JP H1131680 A JPH1131680 A JP H1131680A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の加工済の面を電極に接触させることな
く、基板を均一に冷却することができる基板のドライエ
ッチング装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 減圧雰囲気下でプラズマにより基板の両
面のドライエッチングを行うドライエッチング装置にお
いて、真空チャンバ１内に絶縁体３を介して装着された
電極２の上面に凹部２ａを設け、この上面に基板１０を
載置する。凹部２ａに冷却ガス供給部８より冷却用ガス
を供給する管路が絶縁体３を貫通する第２の管路４ｂ
に、局部的な放電が発生しにくい形状を有する管路部材
５を装着する。これにより、基板１０のドライエッチン
グ加工済の表面を電極２に接触させて損傷させることな
く基板１０を均一に冷却することができ、また局部的な
放電を防止して下部電極２と上部電極２５の間の放電を
安定させ、良好なドライエッチングを行うことができ
る。
く、基板を均一に冷却することができる基板のドライエ
ッチング装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 減圧雰囲気下でプラズマにより基板の両
面のドライエッチングを行うドライエッチング装置にお
いて、真空チャンバ１内に絶縁体３を介して装着された
電極２の上面に凹部２ａを設け、この上面に基板１０を
載置する。凹部２ａに冷却ガス供給部８より冷却用ガス
を供給する管路が絶縁体３を貫通する第２の管路４ｂ
に、局部的な放電が発生しにくい形状を有する管路部材
５を装着する。これにより、基板１０のドライエッチン
グ加工済の表面を電極２に接触させて損傷させることな
く基板１０を均一に冷却することができ、また局部的な
放電を防止して下部電極２と上部電極２５の間の放電を
安定させ、良好なドライエッチングを行うことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板をプラズマに
よりエッチングする基板のドライエッチング装置に関す
るものである。
よりエッチングする基板のドライエッチング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ガラスなどからなる基板に微細加工を行
う方法としてドライエッチングが用いられている。ドラ
イエッチングは、減圧雰囲気中の電極上に基板を載置
し、電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、
この結果発生するイオンや電子を基板に衝突させてエッ
チングを行うものである。
う方法としてドライエッチングが用いられている。ドラ
イエッチングは、減圧雰囲気中の電極上に基板を載置
し、電極に高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、
この結果発生するイオンや電子を基板に衝突させてエッ
チングを行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ガラスなど
の基板では基板の表裏両面のドライエッチング加工を要
するものがある。このような基板では、一方の面を加工
した後に基板を反転して電極上に再び基板を載置して保
持する際に、加工済の面を電極に接触させないようにす
ることが望ましい。またドライエッチングを行うと基板
の温度は上昇する。殊にガラスなどの絶縁体では半導体
などの他の材質と比較して温度上昇しやすいため、基板
を冷却する必要があり、さらに基板に温度むらが生じる
とエッチング結果にばらつきを生じる原因となるので、
基板を均一に冷却することが求められる。
の基板では基板の表裏両面のドライエッチング加工を要
するものがある。このような基板では、一方の面を加工
した後に基板を反転して電極上に再び基板を載置して保
持する際に、加工済の面を電極に接触させないようにす
ることが望ましい。またドライエッチングを行うと基板
の温度は上昇する。殊にガラスなどの絶縁体では半導体
などの他の材質と比較して温度上昇しやすいため、基板
を冷却する必要があり、さらに基板に温度むらが生じる
とエッチング結果にばらつきを生じる原因となるので、
基板を均一に冷却することが求められる。
【０００４】そこで本発明は、基板の加工済の面を電極
に接触させることなく、基板を均一に冷却することがで
きる基板のドライエッチング装置を提供することを目的
とする。
に接触させることなく、基板を均一に冷却することがで
きる基板のドライエッチング装置を提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、接地された真空チャンバと、この真空チャン
バに絶縁体を介して装着され上面に基板を載置する電極
と、この電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、
前記電極の上面に形成された凹部と、基板を電極上に固
定する固定手段と、前記凹部に連通したガス供給路と、
このガス供給路を介して前記凹部に冷却ガスを供給する
冷却ガス供給部とを備え、前記ガス供給路が、前記電極
に形成された第１の管路と前記絶縁体を貫通する第２の
管路と、第２の管路を前記ガス供給部に接続する第３の
管路より成り、前記第２の管路により前記第１の管路と
前記第２の管路の間の局部的な放電を抑制するようにし
た。
グ装置は、接地された真空チャンバと、この真空チャン
バに絶縁体を介して装着され上面に基板を載置する電極
と、この電極に高周波電圧を印加する高周波電源部と、
前記電極の上面に形成された凹部と、基板を電極上に固
定する固定手段と、前記凹部に連通したガス供給路と、
このガス供給路を介して前記凹部に冷却ガスを供給する
冷却ガス供給部とを備え、前記ガス供給路が、前記電極
に形成された第１の管路と前記絶縁体を貫通する第２の
管路と、第２の管路を前記ガス供給部に接続する第３の
管路より成り、前記第２の管路により前記第１の管路と
前記第２の管路の間の局部的な放電を抑制するようにし
た。
【０００６】
【発明の実施の形態】上記構成の本発明によれば、電極
に形成された凹部上に基板を載置し、凹部内に冷却ガス
を供給して基板を冷却することにより、基板のドライエ
ッチング加工済面を電極に接触させることなく基板を均
一に冷却することができる。
に形成された凹部上に基板を載置し、凹部内に冷却ガス
を供給して基板を冷却することにより、基板のドライエ
ッチング加工済面を電極に接触させることなく基板を均
一に冷却することができる。
【０００７】次に、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。図１は本発明の一実施の形態の基板のドラ
イエッチング装置の正断面図、図２は同基板のドライエ
ッチング装置の部分斜視図、図３は同基板のドライエッ
チング装置の第２の管路の部分断面図、図４（ａ），
（ｂ），（ｃ）は同基板のドライエッチング装置の第２
の管路の拡大斜視図、図５、図６は同基板のドライエッ
チング装置の正断面図である。
て説明する。図１は本発明の一実施の形態の基板のドラ
イエッチング装置の正断面図、図２は同基板のドライエ
ッチング装置の部分斜視図、図３は同基板のドライエッ
チング装置の第２の管路の部分断面図、図４（ａ），
（ｂ），（ｃ）は同基板のドライエッチング装置の第２
の管路の拡大斜視図、図５、図６は同基板のドライエッ
チング装置の正断面図である。
【０００８】まず図１、図２を参照して基板のドライエ
ッチング装置の全体構造を説明する。図１において、１
は真空チャンバであり、円筒形の真空密容器である。真
空チャンバ１の底面には電極２が絶縁体３を介して装着
されている。電極２の上面には深さが数十ミクロン程度
の円形の凹部２ａが形成されている。電極２の上面に
は、基板１０が縁部を電極２に支持されて載置されてい
る。基板１０の中央部は凹部２ａによりわずかな隙間を
以て電極２と隔てられている。
ッチング装置の全体構造を説明する。図１において、１
は真空チャンバであり、円筒形の真空密容器である。真
空チャンバ１の底面には電極２が絶縁体３を介して装着
されている。電極２の上面には深さが数十ミクロン程度
の円形の凹部２ａが形成されている。電極２の上面に
は、基板１０が縁部を電極２に支持されて載置されてい
る。基板１０の中央部は凹部２ａによりわずかな隙間を
以て電極２と隔てられている。
【０００９】凹部２ａは電極２内に設けられた第１の管
路４ａと連通しており、第１の管路４ａは第２の管路４
ｂと連通している。第２の管路４ｂは絶縁体３を貫通し
て挿着された管路部材５に設けられている。第２の管路
４ｂは真空チャンバ１の外部に設けられた第３の管路４
ｃを介して冷却ガス供給部８と接続されている。冷却ガ
ス供給部８からヘリウムなどの冷却ガスを、第３の管路
４ｃ、第２の管路４ｂおよび第１の管路４ａを介して凹
部２ａ内に供給することにより、冷却ガスはドライエッ
チングによって温度が上昇した基板１０を冷却し、その
後基板１０と電極２の隙間より真空チャンバ１１内へ放
散される。
路４ａと連通しており、第１の管路４ａは第２の管路４
ｂと連通している。第２の管路４ｂは絶縁体３を貫通し
て挿着された管路部材５に設けられている。第２の管路
４ｂは真空チャンバ１の外部に設けられた第３の管路４
ｃを介して冷却ガス供給部８と接続されている。冷却ガ
ス供給部８からヘリウムなどの冷却ガスを、第３の管路
４ｃ、第２の管路４ｂおよび第１の管路４ａを介して凹
部２ａ内に供給することにより、冷却ガスはドライエッ
チングによって温度が上昇した基板１０を冷却し、その
後基板１０と電極２の隙間より真空チャンバ１１内へ放
散される。
【００１０】電極２の内部には空間２ｂが設けられてお
り、管路６ａ，６ｂを介して冷却部７と接続されてい
る。冷却部７から送られる冷却水が、管路６ａ，６ｂ、
空間２ｂ内を循環することにより、プラズマ放電により
温度が上昇した電極２を冷却する。電極２の上面には３
ヶ所に溝部２ｃが設けられており（図２参照）、溝部２
ｃには樹脂材料などの絶縁体よりなる基板の昇降爪１１
が嵌入している。昇降爪１１はロッド１２に結合されて
おり、ロッド１２を基板昇降手段１３によって上下動す
ることにより、電極２上に載置された基板１０を真空チ
ャンバ１１内で昇降する。
り、管路６ａ，６ｂを介して冷却部７と接続されてい
る。冷却部７から送られる冷却水が、管路６ａ，６ｂ、
空間２ｂ内を循環することにより、プラズマ放電により
温度が上昇した電極２を冷却する。電極２の上面には３
ヶ所に溝部２ｃが設けられており（図２参照）、溝部２
ｃには樹脂材料などの絶縁体よりなる基板の昇降爪１１
が嵌入している。昇降爪１１はロッド１２に結合されて
おり、ロッド１２を基板昇降手段１３によって上下動す
ることにより、電極２上に載置された基板１０を真空チ
ャンバ１１内で昇降する。
【００１１】図２において、電極２上には導電体である
カーボンよりなる円環状のスペーサ２０が配設されてい
る。スペーサ２０は３分割されており、溝部２ｃの部分
を除いて基板１０の周囲を囲んで配設されている。従っ
て、スペーサ２０は昇降爪１１の上下動作を妨げない。
２１は導電体であるカーボンよりなる円環状の基板の押
え部材であり、図２に示すように、昇降爪１１の位置に
対応して内側への突起部２１ａが３ヶ所に設けられてい
る。押え部材２１は、突起部２１ａの下面によって基板
１０を上方より電極２の上面に押し付ける。図２におい
て鎖線で示す基板１０は突起部２１ａと基板１０との位
置関係を示している。
カーボンよりなる円環状のスペーサ２０が配設されてい
る。スペーサ２０は３分割されており、溝部２ｃの部分
を除いて基板１０の周囲を囲んで配設されている。従っ
て、スペーサ２０は昇降爪１１の上下動作を妨げない。
２１は導電体であるカーボンよりなる円環状の基板の押
え部材であり、図２に示すように、昇降爪１１の位置に
対応して内側への突起部２１ａが３ヶ所に設けられてい
る。押え部材２１は、突起部２１ａの下面によって基板
１０を上方より電極２の上面に押し付ける。図２におい
て鎖線で示す基板１０は突起部２１ａと基板１０との位
置関係を示している。
【００１２】押え部材２１は３個のブロック２２を介し
て３基のシリンダ２４のロッド２３に結合されている。
従ってシリンダ２４のロッド２３が突没することによ
り、押え部材２１は真空チャンバ１内で上下動し、下降
状態で基板１０を電極２の上面に押し付けて固定する。
すなわち、押さえ部材２１、シリンダ２４は基板１０の
固定手段となっている。
て３基のシリンダ２４のロッド２３に結合されている。
従ってシリンダ２４のロッド２３が突没することによ
り、押え部材２１は真空チャンバ１内で上下動し、下降
状態で基板１０を電極２の上面に押し付けて固定する。
すなわち、押さえ部材２１、シリンダ２４は基板１０の
固定手段となっている。
【００１３】図１において、電極２は、高周波電源１６
と電気的に接続されており、高周波電源１６は真空チャ
ンバ１と共通の接地部１７に電気的に接地されている。
真空チャンバ１内の上部には上部電極２５が設けられて
おり、上部電極２５と電極２との間に高周波電圧が印加
される。真空チャンバ１にはパイプ１４，２６が設けら
れており、それぞれ真空排気部１５、プラズマガス供給
部２７に接続されている。真空排気部１５は真空チャン
バ１内を真空吸引して減圧する。プラズマガス供給部２
７は真空チャンバ１内にプラズマ発生用のガスを供給す
る。
と電気的に接続されており、高周波電源１６は真空チャ
ンバ１と共通の接地部１７に電気的に接地されている。
真空チャンバ１内の上部には上部電極２５が設けられて
おり、上部電極２５と電極２との間に高周波電圧が印加
される。真空チャンバ１にはパイプ１４，２６が設けら
れており、それぞれ真空排気部１５、プラズマガス供給
部２７に接続されている。真空排気部１５は真空チャン
バ１内を真空吸引して減圧する。プラズマガス供給部２
７は真空チャンバ１内にプラズマ発生用のガスを供給す
る。
【００１４】次に図３、図４を参照して管路部材５につ
いて説明する。管路部材５は、凹部２ａに冷却ガスを供
給する管路のうち、絶縁体３を貫通する第２の管路４ｂ
を形成するものである。ドライエッチング時には電極２
と真空チャンバ１との間には高周波電圧が印加される。
したがって、第１の管路４ａと第３の管路４ｃの間にも
同様に高周波電圧が印加されており、印加された高周波
電圧と管路４ａ，４ｃ間の間隔が放電の条件に適合して
いる場合には、第１の管路４ａと第３の管路４ｃの間に
放電が発生することがある。そしてこのような局部的な
放電が発生すると、電極２上面での放電が不安定とな
り、エッチング効果のばらつきの原因となる。このた
め、第２の管路４ｂの部分での放電の発生を抑制する目
的で、放電が発生しにくい形状の第２の管路４ｂが形成
された管路部材５を、絶縁体３を貫通して装着する。
いて説明する。管路部材５は、凹部２ａに冷却ガスを供
給する管路のうち、絶縁体３を貫通する第２の管路４ｂ
を形成するものである。ドライエッチング時には電極２
と真空チャンバ１との間には高周波電圧が印加される。
したがって、第１の管路４ａと第３の管路４ｃの間にも
同様に高周波電圧が印加されており、印加された高周波
電圧と管路４ａ，４ｃ間の間隔が放電の条件に適合して
いる場合には、第１の管路４ａと第３の管路４ｃの間に
放電が発生することがある。そしてこのような局部的な
放電が発生すると、電極２上面での放電が不安定とな
り、エッチング効果のばらつきの原因となる。このた
め、第２の管路４ｂの部分での放電の発生を抑制する目
的で、放電が発生しにくい形状の第２の管路４ｂが形成
された管路部材５を、絶縁体３を貫通して装着する。
【００１５】一般に、１０Ｔｏｒｒ程度の圧力下におい
てある空間で隔てられた２導体間に発生する放電は、２
導体間を継ぐ空間の長さが長い程、また空間の幅（管形
状の空間の場合では管径）が小さい程発生しにくい。し
たがって、２導体間を継ぐ空間を出来るだけ細長い形状
とすることにより、２導体間の放電を抑制することがで
きる。以下、具体例を説明する。
てある空間で隔てられた２導体間に発生する放電は、２
導体間を継ぐ空間の長さが長い程、また空間の幅（管形
状の空間の場合では管径）が小さい程発生しにくい。し
たがって、２導体間を継ぐ空間を出来るだけ細長い形状
とすることにより、２導体間の放電を抑制することがで
きる。以下、具体例を説明する。
【００１６】図３において、絶縁体３には管路部材５が
装着されている。管路部材５は耐熱性に優れたセラミッ
クなどより成り、第１の管路４ａと第３の管路４ｃを連
通させる。第２の管路４ｂの部分は、小径（ｄ）の貫通
孔となっている。３１は、管路部材５と、電極２、真空
チャンバ１をシールするＯ−リングである。管径ｄを、
冷却ガスの必要流量を確保するために必要な最小径に設
定することにより、電極２と真空チャンバ１の間の放電
を抑制することができる。
装着されている。管路部材５は耐熱性に優れたセラミッ
クなどより成り、第１の管路４ａと第３の管路４ｃを連
通させる。第２の管路４ｂの部分は、小径（ｄ）の貫通
孔となっている。３１は、管路部材５と、電極２、真空
チャンバ１をシールするＯ−リングである。管径ｄを、
冷却ガスの必要流量を確保するために必要な最小径に設
定することにより、電極２と真空チャンバ１の間の放電
を抑制することができる。
【００１７】また前記形状以外にも、図４の各図に示す
ような形状とすることにより、更に放電を抑制すること
ができる。図４（ａ）は、管路部材５ａに微小径を有す
る複数の貫通孔４１を設け、冷却ガスの流量を十分に確
保しながら管径を極力小さくすることにより、放電を抑
制するものである。図４（ｂ）は、管路部材５ｂを貫通
する開口４２を設け、その中に螺旋溝４４を有する円筒
部材４３を挿入したものである。このような形状とする
ことにより、螺旋溝４４の長さを大幅に増大させて放電
を抑制している。
ような形状とすることにより、更に放電を抑制すること
ができる。図４（ａ）は、管路部材５ａに微小径を有す
る複数の貫通孔４１を設け、冷却ガスの流量を十分に確
保しながら管径を極力小さくすることにより、放電を抑
制するものである。図４（ｂ）は、管路部材５ｂを貫通
する開口４２を設け、その中に螺旋溝４４を有する円筒
部材４３を挿入したものである。このような形状とする
ことにより、螺旋溝４４の長さを大幅に増大させて放電
を抑制している。
【００１８】図４（ｃ）は、管路部材５ｃとして、焼結
材などの多孔質材料を用いたものである。管路部材５ｃ
には管路は形成されず、冷却ガスは管路部材５ｃの内部
に存在する無数の微小孔部を介して供給される。このた
め、この場合の電極２と真空チャンバ１を継ぐ空間は、
幅がきわめて小さい微小空間が多数連通したものの集り
と見なすことができ、空間の幅を小さくし、かつ長さを
大きくする効果を併せたものとなることから、放電を抑
制する効果はきわめて大きい。
材などの多孔質材料を用いたものである。管路部材５ｃ
には管路は形成されず、冷却ガスは管路部材５ｃの内部
に存在する無数の微小孔部を介して供給される。このた
め、この場合の電極２と真空チャンバ１を継ぐ空間は、
幅がきわめて小さい微小空間が多数連通したものの集り
と見なすことができ、空間の幅を小さくし、かつ長さを
大きくする効果を併せたものとなることから、放電を抑
制する効果はきわめて大きい。
【００１９】このドライエッチング装置は上記のような
構成より成り、次に動作を各図を参照して説明する。図
５において、５０は搬送アームであり、基板１０を載せ
た状態で真空チャンバ１の開口部１ａを介して真空チャ
ンバ１内に進入し（矢印ａ参照）、次いで下降して（矢
印ｂ参照）上昇状態にある昇降爪１１上に基板１０（破
線で示す）を載置した後に、真空チャンバ１外に退去す
る（矢印ｃ参照）。この後、昇降爪１１は下降して基板
１０を電極２上に載置し、次いで基板押え部材２１が下
降して基板１０を電極２上に押しつけ、図１に示す状態
となる。
構成より成り、次に動作を各図を参照して説明する。図
５において、５０は搬送アームであり、基板１０を載せ
た状態で真空チャンバ１の開口部１ａを介して真空チャ
ンバ１内に進入し（矢印ａ参照）、次いで下降して（矢
印ｂ参照）上昇状態にある昇降爪１１上に基板１０（破
線で示す）を載置した後に、真空チャンバ１外に退去す
る（矢印ｃ参照）。この後、昇降爪１１は下降して基板
１０を電極２上に載置し、次いで基板押え部材２１が下
降して基板１０を電極２上に押しつけ、図１に示す状態
となる。
【００２０】次に真空排気部１５を駆動して真空チャン
バ１内を真空排気し、その後にプラズマガス供給部２７
より真空チャンバ１内にプラズマ発生用ガスを供給す
る。次いで高周波電源１６を駆動して電極２に高周波電
圧を印加すると、電極２と上部電極２５との間にプラズ
マが発生し、この結果発生したイオンや電子が基板１０
の表面に衝突することによりドライエッチングが行われ
る。このとき、電極２の凹部２ａには冷却ガス供給部８
より冷却ガスが供給される。これによりドライエッチン
グによって発生する熱で昇温した基板１０は冷却され
る。
バ１内を真空排気し、その後にプラズマガス供給部２７
より真空チャンバ１内にプラズマ発生用ガスを供給す
る。次いで高周波電源１６を駆動して電極２に高周波電
圧を印加すると、電極２と上部電極２５との間にプラズ
マが発生し、この結果発生したイオンや電子が基板１０
の表面に衝突することによりドライエッチングが行われ
る。このとき、電極２の凹部２ａには冷却ガス供給部８
より冷却ガスが供給される。これによりドライエッチン
グによって発生する熱で昇温した基板１０は冷却され
る。
【００２１】このとき、基板１０と電極２との間は数十
ミクロン程度のわずかな隙間であるため、この隙間内に
供給される冷却ガスの圧力分布は凹部２ａ内の各部分に
ついてほぼ均一となる。この結果、基板１０の表面から
冷却ガスに伝達される熱量も基板１０の各部でほぼ均一
であり、したがって基板１０の各部の温度は均一に保た
れる。
ミクロン程度のわずかな隙間であるため、この隙間内に
供給される冷却ガスの圧力分布は凹部２ａ内の各部分に
ついてほぼ均一となる。この結果、基板１０の表面から
冷却ガスに伝達される熱量も基板１０の各部でほぼ均一
であり、したがって基板１０の各部の温度は均一に保た
れる。
【００２２】また絶縁体３には管路部材５が装着されて
おり、十分な流量の冷却ガスを供給するとともに、冷却
用のガス供給路４ｂでの電極２と真空チャンバ１の間の
局部的な放電を抑制する。従って、凹部２ａには常に十
分な冷却ガスが供給されて上述の冷却効果を十分なもの
とするとともに、電極２と上部電極２５の間の放電が安
定し、良好なドライエッチングが行われる。
おり、十分な流量の冷却ガスを供給するとともに、冷却
用のガス供給路４ｂでの電極２と真空チャンバ１の間の
局部的な放電を抑制する。従って、凹部２ａには常に十
分な冷却ガスが供給されて上述の冷却効果を十分なもの
とするとともに、電極２と上部電極２５の間の放電が安
定し、良好なドライエッチングが行われる。
【００２３】次に、ドライエッチングが完了したなら
ば、図６に示すように搬入時と逆の動作順で基板１０が
搬出される。まず昇降爪１１が上昇して基板１０（破線
で示す）を上昇させた後（矢印ｄ参照）、搬送アーム５
０が基板１０の下方まで進入する（矢印ｅ参照）。次い
で搬送アーム５０は上昇して（矢印ｆ参照）基板１０を
搬送アーム５０上に載置した後に後退して（矢印ｇ参
照）基板１０を真空チャンバ１外に搬出し、ドライエッ
チングの１サイクルが終了する。
ば、図６に示すように搬入時と逆の動作順で基板１０が
搬出される。まず昇降爪１１が上昇して基板１０（破線
で示す）を上昇させた後（矢印ｄ参照）、搬送アーム５
０が基板１０の下方まで進入する（矢印ｅ参照）。次い
で搬送アーム５０は上昇して（矢印ｆ参照）基板１０を
搬送アーム５０上に載置した後に後退して（矢印ｇ参
照）基板１０を真空チャンバ１外に搬出し、ドライエッ
チングの１サイクルが終了する。
【００２４】本発明は上記実施の形態には限定されない
のであって、例えば基板１０は両面加工されるものに限
定されず、また管路部材５の形状も、要は第１の管路４
ａと第３の管路４ｃを連通し、かつ電極２と真空チャン
バ１を隔てる空間の幅を小さくし、間隔を大きくするよ
うなものであれば、他の形状であってもよい。
のであって、例えば基板１０は両面加工されるものに限
定されず、また管路部材５の形状も、要は第１の管路４
ａと第３の管路４ｃを連通し、かつ電極２と真空チャン
バ１を隔てる空間の幅を小さくし、間隔を大きくするよ
うなものであれば、他の形状であってもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、電極に形成された凹部
上に基板を載置し、凹部内に冷却ガスを供給して基板を
冷却することにより、基板のドライエッチング加工済の
表面を電極に接触させて損傷させることなく基板を均一
に冷却することができる。また、冷却用ガス供給路の絶
縁体部分に挿入される管路部材を放電が発生しにくい形
状のものとすることにより局部的な放電を抑制し、電極
と上部電極の間の放電を安定させて良好なドライエッチ
ングを行うことができる。
上に基板を載置し、凹部内に冷却ガスを供給して基板を
冷却することにより、基板のドライエッチング加工済の
表面を電極に接触させて損傷させることなく基板を均一
に冷却することができる。また、冷却用ガス供給路の絶
縁体部分に挿入される管路部材を放電が発生しにくい形
状のものとすることにより局部的な放電を抑制し、電極
と上部電極の間の放電を安定させて良好なドライエッチ
ングを行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図
グ装置の正断面図
【図２】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の部分斜視図
グ装置の部分斜視図
【図３】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の第２の管路の部分断面図
グ装置の第２の管路の部分断面図
【図４】（ａ）本発明の一実施の形態の基板のドライエ
ッチング装置の第２の管路の拡大斜視図 （ｂ）本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第２の管路の拡大斜視図 （ｃ）本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第２の管路の拡大斜視図
ッチング装置の第２の管路の拡大斜視図 （ｂ）本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第２の管路の拡大斜視図 （ｃ）本発明の一実施の形態の基板のドライエッチング
装置の第２の管路の拡大斜視図
【図５】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図
グ装置の正断面図
【図６】本発明の一実施の形態の基板のドライエッチン
グ装置の正断面図
グ装置の正断面図
１ 真空チャンバ ２ 電極 ２ａ 凹部 ３ 絶縁体 ４ａ 第１の管路 ４ｂ 第２の管路 ４ｃ 第３の管路 ５ 管路部材 ７ 冷却部 ８ 冷却ガス供給部 １０ 基板 ２１ 押え部材 ２４ シリンダ ２５ 上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】接地された真空チャンバと、この真空チャ
ンバに絶縁体を介して装着され上面に基板を載置する電
極と、この電極に高周波電圧を印加する高周波電源部
と、前記電極の上面に形成され、電極上に載置された基
板によって上方が閉塞される凹部と、基板を電極上に固
定する固定手段と、前記凹部に連通したガス供給路と、
このガス供給路を介して前記凹部に冷却ガスを供給する
冷却ガス供給部とを備え、前記ガス供給路が、前記電極
に形成された第１の管路と前記絶縁体を貫通する第２の
管路と、第２の管路を前記ガス供給部に接続する第３の
管路より成り、前記第２の管路により前記第１の管路と
前記第２の管路の間の局部的な放電を抑制することを特
徴とする基板のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18481797A JP3417259B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板のドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18481797A JP3417259B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板のドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131680A true JPH1131680A (ja) | 1999-02-02 |
| JP3417259B2 JP3417259B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=16159816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18481797A Expired - Fee Related JP3417259B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 基板のドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3417259B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007095985A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置用電極 |
| WO2008099789A1 (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-21 | Creative Technology Corporation | 静電チャック |
| JP2009218607A (ja) * | 2001-11-30 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びガス放電抑制部材 |
| JP2015023160A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US10141164B2 (en) | 2013-09-27 | 2018-11-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| WO2019244631A1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-12-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
| JP2020150248A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 日新イオン機器株式会社 | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP18481797A patent/JP3417259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20210021439A (ko) * | 2018-06-19 | 2021-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 적재대 및 기판 처리 장치 |
| JP2020150248A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 日新イオン機器株式会社 | 基板冷却装置および基板冷却方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3417259B2 (ja) | 2003-06-16 |
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