JP3002448B1 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP3002448B1 JP3002448B1 JP10230208A JP23020898A JP3002448B1 JP 3002448 B1 JP3002448 B1 JP 3002448B1 JP 10230208 A JP10230208 A JP 10230208A JP 23020898 A JP23020898 A JP 23020898A JP 3002448 B1 JP3002448 B1 JP 3002448B1
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- processing apparatus
- electrode
- substrate processing
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Abstract
【要約】
【課題】電極間隔を可変にできると共に、プラズマ処理
効率に優れた基板処理装置を提供する。 【解決手段】カソード２４とアノード３３とにより平行
平板型の電極を構成する。アノード３３を昇降可能とす
る。アノード３３の全周囲に排気プレート５０を設け
る。排気プレート５０には複数の排気口５１を設ける。
排気プレート５０の外側の端部には、遮蔽部材としての
邪魔板５２を設ける。アノード３３を昇降させて電極間
隔を変更しても、排気プレート５０と邪魔板５２がアノ
ード３３と一緒に昇降するので、プラズマを内槽３０内
に閉じ込めることができプラズマ処理効率に優れる。ガ
スは、排気プレート５０の排気口５１を介して排気され
るので、反応ガスの流れがアノード３３の周囲に対して
均一となり、均一なプラズマ処理が可能となる。
効率に優れた基板処理装置を提供する。 【解決手段】カソード２４とアノード３３とにより平行
平板型の電極を構成する。アノード３３を昇降可能とす
る。アノード３３の全周囲に排気プレート５０を設け
る。排気プレート５０には複数の排気口５１を設ける。
排気プレート５０の外側の端部には、遮蔽部材としての
邪魔板５２を設ける。アノード３３を昇降させて電極間
隔を変更しても、排気プレート５０と邪魔板５２がアノ
ード３３と一緒に昇降するので、プラズマを内槽３０内
に閉じ込めることができプラズマ処理効率に優れる。ガ
スは、排気プレート５０の排気口５１を介して排気され
るので、反応ガスの流れがアノード３３の周囲に対して
均一となり、均一なプラズマ処理が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板処理装置に関
し、特に、ドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）装置等のプラズマを利用し
た基板処理装置に関するものである。
し、特に、ドライエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition ）装置等のプラズマを利用し
た基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のプラズマ処理装置として、図９に
示すような、対向電極の間隔を可変な構造のものが知ら
れている（特開平３−２０３３１７号公報参照）。この
プラズマ処理装置６は、反応室７２１と、反応室７２１
内を真空排気する排気手段７２２と、反応室７２１内に
反応ガスを導入するガス導入手段７２３と、反応室７２
１内に上下に対向して配置された下部電極７２４及び上
部電極７２５と、高周波電源７２６とを備えた基本構成
を有し、下部電極７２４を接地するとともにその上に被
加工物７３０を載置するようにし、上部電極７２５に高
周波電源７２６を接続するとともに昇降手段７２７にて
上下に位置調整可能に構成している。なお、７２８は被
加工物７３０を搬入、搬出するゲート、７２９は被加工
物７３０の移載手段である。
示すような、対向電極の間隔を可変な構造のものが知ら
れている（特開平３−２０３３１７号公報参照）。この
プラズマ処理装置６は、反応室７２１と、反応室７２１
内を真空排気する排気手段７２２と、反応室７２１内に
反応ガスを導入するガス導入手段７２３と、反応室７２
１内に上下に対向して配置された下部電極７２４及び上
部電極７２５と、高周波電源７２６とを備えた基本構成
を有し、下部電極７２４を接地するとともにその上に被
加工物７３０を載置するようにし、上部電極７２５に高
周波電源７２６を接続するとともに昇降手段７２７にて
上下に位置調整可能に構成している。なお、７２８は被
加工物７３０を搬入、搬出するゲート、７２９は被加工
物７３０の移載手段である。
【０００３】このような構成のプラズマ処理装置６によ
ると、プラズマ処理のプロセス条件に応じて上部電極７
２５を移動させ、下部電極７２４と上部電極７２５間の
ギャップを調整することによって、プロセス条件の最適
化を図ることができる。
ると、プラズマ処理のプロセス条件に応じて上部電極７
２５を移動させ、下部電極７２４と上部電極７２５間の
ギャップを調整することによって、プロセス条件の最適
化を図ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構造では、下電極の下方までプラズマが発生領域が
広がり、プラズマ処理効率が悪いという問題があった。
うな構造では、下電極の下方までプラズマが発生領域が
広がり、プラズマ処理効率が悪いという問題があった。
【０００５】従って、本発明の目的は、電極間隔を可変
にできると共に、プラズマ処理効率に優れた基板処理装
置を提供することにある。
にできると共に、プラズマ処理効率に優れた基板処理装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１によれば、処理
槽と、前記処理槽内に互いに対向して設けられた第１お
よび第２の電極とを備える基板処理装置であって、前記
第１の電極の全周囲であって少なくとも前記第１の電極
の外周と前記処理槽の側壁との間に設けられた仕切部材
と、 前記処理槽の前記側壁に沿って延在する遮蔽部材と
をさらに備え、前記仕切部材が前記第１の電極と共に移
動可能であって、前記第１の電極が移動することによっ
て前記第１および第２の電極間の間隔を変更可能である
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
槽と、前記処理槽内に互いに対向して設けられた第１お
よび第２の電極とを備える基板処理装置であって、前記
第１の電極の全周囲であって少なくとも前記第１の電極
の外周と前記処理槽の側壁との間に設けられた仕切部材
と、 前記処理槽の前記側壁に沿って延在する遮蔽部材と
をさらに備え、前記仕切部材が前記第１の電極と共に移
動可能であって、前記第１の電極が移動することによっ
て前記第１および第２の電極間の間隔を変更可能である
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【０００７】このようにすれば、第１および第２の電極
間隔が可変なので、同じ基板処理装置を使用して、異な
る種類のプラズマ処理をそれぞれの処理に応じて好適な
電極間隔に設定して行うことができる。また、第１の電
極の全周囲であって少なくとも第１の電極の外周と処理
槽の側壁との間に設けられた仕切部材を備えており、ま
たこの仕切部材が第１の電極と共に移動可能であるの
で、異なる種類のプラズマ処理に対してそれぞれ好適な
電極間隔にするべく第１の電極を適切な位置に移動させ
ても、第１の電極と仕切部材とにより、プラズマを第１
の電極と仕切部材に対して第２の電極側に閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率に
優れた基板処理装置が提供される。
間隔が可変なので、同じ基板処理装置を使用して、異な
る種類のプラズマ処理をそれぞれの処理に応じて好適な
電極間隔に設定して行うことができる。また、第１の電
極の全周囲であって少なくとも第１の電極の外周と処理
槽の側壁との間に設けられた仕切部材を備えており、ま
たこの仕切部材が第１の電極と共に移動可能であるの
で、異なる種類のプラズマ処理に対してそれぞれ好適な
電極間隔にするべく第１の電極を適切な位置に移動させ
ても、第１の電極と仕切部材とにより、プラズマを第１
の電極と仕切部材に対して第２の電極側に閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率に
優れた基板処理装置が提供される。
【０００８】請求項２によれば、前記仕切部材が排気口
を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置が提供される。
を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理
装置が提供される。
【０００９】このようにすれば、第１の電極の全周囲で
あって少なくとも第１の電極の外周と処理槽の側壁との
間に設けられた仕切部材の排気口を介して排気されるの
で、ガスの流れを第１の電極の周囲に対して均一なもの
とし易くなり、均一なプラズマ処理が可能となる。
あって少なくとも第１の電極の外周と処理槽の側壁との
間に設けられた仕切部材の排気口を介して排気されるの
で、ガスの流れを第１の電極の周囲に対して均一なもの
とし易くなり、均一なプラズマ処理が可能となる。
【００１０】請求項３によれば、前記仕切部材が前記第
１の電極に接触し、前記仕切部材と前記処理槽の前記側
壁との間の間隔が０．５ｍｍ乃至２ｍｍであることを特
徴とする請求項１または２記載の基板処理装置が提供さ
れる。
１の電極に接触し、前記仕切部材と前記処理槽の前記側
壁との間の間隔が０．５ｍｍ乃至２ｍｍであることを特
徴とする請求項１または２記載の基板処理装置が提供さ
れる。
【００１１】請求項４によれば、前記処理槽の前記側壁
が開口部を備え、前記遮蔽部材が、少なくとも前記開口
部に対応して設けられていることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
が開口部を備え、前記遮蔽部材が、少なくとも前記開口
部に対応して設けられていることを特徴とする請求項１
乃至３のいずれかに記載の基板処理装置が提供される。
【００１２】処理槽の側壁には、基板の搬入／搬出等の
ための開口部が設けられていることがあり、第１の電極
の位置によっては仕切部材の側方にそのような開口部が
位置する場合があり、その場合には、開口部を介してガ
スが仕切部材に対して第２の電極とは反対側に流れてし
まう場合があるが、このように遮蔽部材を設けると、こ
の遮蔽部材で開口部を塞ぐことができるので、たとえ処
理槽の側壁に開口部が設けられていても、プラズマを第
１の電極と仕切部材に対して第２の電極側に閉じ込める
ことが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増
大を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率
に優れた基板処理装置が提供される。また、仕切部材に
排気口が設けられている場合には、ガスの流れを第１の
電極の周囲に対して均一なものとでき、均一なプラズマ
処理が可能となる。
ための開口部が設けられていることがあり、第１の電極
の位置によっては仕切部材の側方にそのような開口部が
位置する場合があり、その場合には、開口部を介してガ
スが仕切部材に対して第２の電極とは反対側に流れてし
まう場合があるが、このように遮蔽部材を設けると、こ
の遮蔽部材で開口部を塞ぐことができるので、たとえ処
理槽の側壁に開口部が設けられていても、プラズマを第
１の電極と仕切部材に対して第２の電極側に閉じ込める
ことが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増
大を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率
に優れた基板処理装置が提供される。また、仕切部材に
排気口が設けられている場合には、ガスの流れを第１の
電極の周囲に対して均一なものとでき、均一なプラズマ
処理が可能となる。
【００１３】請求項５によれば、前記遮蔽部材が、前記
仕切部材の前記第２の電極とは反対側に設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基
板処理装置が提供される。
仕切部材の前記第２の電極とは反対側に設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基
板処理装置が提供される。
【００１４】請求項６によれば、前記仕切部材が複数の
排気口を前記第１の電極の周りに備え、前記基板処理装
置が、前記複数の排気口に連通する配管を備えているこ
とを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板
処理装置が提供される。
排気口を前記第１の電極の周りに備え、前記基板処理装
置が、前記複数の排気口に連通する配管を備えているこ
とを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板
処理装置が提供される。
【００１５】請求項７によれば、前記仕切部材の前記複
数の排気口のコンダクタンスを調整可能なコンダクタン
ス調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項
６記載の基板処理装置が提供される。
数の排気口のコンダクタンスを調整可能なコンダクタン
ス調整手段をさらに備えていることを特徴とする請求項
６記載の基板処理装置が提供される。
【００１６】請求項８によれば、前記処理槽が排気口を
備え、前記基板処理装置が、前記配管からの排気を前記
処理槽の前記排気口まで導出可能な排気管をさらに備え
ていることを特徴とする請求項６または７記載の基板処
理装置が提供される。
備え、前記基板処理装置が、前記配管からの排気を前記
処理槽の前記排気口まで導出可能な排気管をさらに備え
ていることを特徴とする請求項６または７記載の基板処
理装置が提供される。
【００１７】請求項９によれば、処理槽と、前記処理槽
内に互いに対向して設けられた第１および第２の電極と
を備える基板処理装置であって、前記第１の電極の全周
囲であって少なくとも前記第１の電極の外周と前記処理
槽の側壁との間に設けられた仕切部材をさらに備え、前
記仕切部材が前記第１の電極と共に移動可能であって、
前記第１の電極が移動することによって前記第１および
第２の電極間の間隔を変更可能であり、前記仕切部材が
複数の排気口を前記第１の電極の周りに備え、前記基板
処理装置が、前記複数の排気口に連通する配管を備えて
いることを特徴とする基板処理装置が提供される。請求
項１０によれば、前記仕切部材の前記複数の排気口のコ
ンダクタンスを調整可能なコンダクタンス調整手段をさ
らに備えていることを特徴とする請求項９記載の基板処
理装置が提供される。請求項１１によれば、前記処理槽
が排気口を備え、前記基板処理装置が、前記配管からの
排気を前記処理槽の前記排気口まで導出可能な排気管を
さらに備えていることを特徴とする請求項９または１０
記載の基板処理装置が提供される。
内に互いに対向して設けられた第１および第２の電極と
を備える基板処理装置であって、前記第１の電極の全周
囲であって少なくとも前記第１の電極の外周と前記処理
槽の側壁との間に設けられた仕切部材をさらに備え、前
記仕切部材が前記第１の電極と共に移動可能であって、
前記第１の電極が移動することによって前記第１および
第２の電極間の間隔を変更可能であり、前記仕切部材が
複数の排気口を前記第１の電極の周りに備え、前記基板
処理装置が、前記複数の排気口に連通する配管を備えて
いることを特徴とする基板処理装置が提供される。請求
項１０によれば、前記仕切部材の前記複数の排気口のコ
ンダクタンスを調整可能なコンダクタンス調整手段をさ
らに備えていることを特徴とする請求項９記載の基板処
理装置が提供される。請求項１１によれば、前記処理槽
が排気口を備え、前記基板処理装置が、前記配管からの
排気を前記処理槽の前記排気口まで導出可能な排気管を
さらに備えていることを特徴とする請求項９または１０
記載の基板処理装置が提供される。
【００１８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１９】（第１の実施の形態）本実施の形態では、
基板処理装置として、プラズマを利用したドライエッチ
ング装置を例にとって説明する。
基板処理装置として、プラズマを利用したドライエッチ
ング装置を例にとって説明する。
【００２０】半導体製造工程の１つに、基板上の薄膜を
エッチングするプラズマを用いたドライエッチング工程
がある。この工程においては、気密な処理槽に１対の平
行平板型の電極を相対向して設け、これらの電極の一方
の上に基板を載置し、この処理槽内に反応ガスを供給し
つつ、１対の電極間に高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガス分子をプラズマにより励起させて基板表
面の薄膜をエッチングを行う。
エッチングするプラズマを用いたドライエッチング工程
がある。この工程においては、気密な処理槽に１対の平
行平板型の電極を相対向して設け、これらの電極の一方
の上に基板を載置し、この処理槽内に反応ガスを供給し
つつ、１対の電極間に高周波電力を印加してプラズマを
発生させてガス分子をプラズマにより励起させて基板表
面の薄膜をエッチングを行う。
【００２１】図１は、本発明の第１の実施の形態のドラ
イエッチング装置を説明するための縦断面図であり、図
２は、図１のＸ１−Ｘ１線断面図である。
イエッチング装置を説明するための縦断面図であり、図
２は、図１のＸ１−Ｘ１線断面図である。
【００２２】本実施の形態のドライエッチング装置１は
処理槽（真空槽）２０を備えており、この真空槽２０
は、処理槽本体２１と天井蓋２２とを備えている。天井
蓋２２はその断面が凸字状となっており、中央に形成さ
れた凹部に絶縁体２３を介して上電極（カソード）２４
が設けられている。
処理槽（真空槽）２０を備えており、この真空槽２０
は、処理槽本体２１と天井蓋２２とを備えている。天井
蓋２２はその断面が凸字状となっており、中央に形成さ
れた凹部に絶縁体２３を介して上電極（カソード）２４
が設けられている。
【００２３】カソード２４は、カソードプレート２５と
シャワープレート２６と反応ガス導入管２８とを備えて
いる。カソードプレート２５とシャワープレート２６と
の間には中空部２７が形成されている。中空部２７には
反応ガス導入管２８が連通している。シャワープレート
２６には多数のガス分散孔２９が配設され、反応ガス導
入管２８より導入された反応ガスをガス分散孔２９によ
り内槽３０内に分散供給し、その結果、サセプタ３５上
に載置された基板（本実施の形態では液晶表示素子用ガ
ラス基板または半導体装置製造用半導体Ｓｉ基板）３６
上に反応ガスを均一に供給するようになっている。
シャワープレート２６と反応ガス導入管２８とを備えて
いる。カソードプレート２５とシャワープレート２６と
の間には中空部２７が形成されている。中空部２７には
反応ガス導入管２８が連通している。シャワープレート
２６には多数のガス分散孔２９が配設され、反応ガス導
入管２８より導入された反応ガスをガス分散孔２９によ
り内槽３０内に分散供給し、その結果、サセプタ３５上
に載置された基板（本実施の形態では液晶表示素子用ガ
ラス基板または半導体装置製造用半導体Ｓｉ基板）３６
上に反応ガスを均一に供給するようになっている。
【００２４】処理槽本体２１の底板２１２には外排気口
２１３が設けられている。処理槽本体２１の側壁２１１
には基板搬入／搬出口４８が設けられており、処理槽本
体２１の側壁２１５にはセンサ用開口４７が設けられて
おり、側壁２１５の外壁にはセンサ４９が取り付けられ
ており、センサ４９によってセンサ用開口４７を介して
プラズマの状態を確認できるようになっている。
２１３が設けられている。処理槽本体２１の側壁２１１
には基板搬入／搬出口４８が設けられており、処理槽本
体２１の側壁２１５にはセンサ用開口４７が設けられて
おり、側壁２１５の外壁にはセンサ４９が取り付けられ
ており、センサ４９によってセンサ用開口４７を介して
プラズマの状態を確認できるようになっている。
【００２５】処理槽本体２１内には、カソード２４と対
向して下電極（アノード）３３が設けられている。アノ
ード３３はアノードプレート３４とアノードプレート３
４上に設けられたサセプタ３５とを備えている。サセプ
タ３５の周囲のアノードプレート３４上には電極ホルダ
３７が設けられている。サセプタ３５上には基板３６が
載置される。アノードプレート３４には、抵抗加熱式ヒ
ータ線（図示せず。）が埋め込まれている。
向して下電極（アノード）３３が設けられている。アノ
ード３３はアノードプレート３４とアノードプレート３
４上に設けられたサセプタ３５とを備えている。サセプ
タ３５の周囲のアノードプレート３４上には電極ホルダ
３７が設けられている。サセプタ３５上には基板３６が
載置される。アノードプレート３４には、抵抗加熱式ヒ
ータ線（図示せず。）が埋め込まれている。
【００２６】カソード２４とアノード３３とによりいわ
ゆる平行平板型の電極を構成している。カソード２４に
は高周波電源４６が接続されており、アノード３３は接
地されており、カソード２４とアノード３３との間に高
周波電力を印加できるようになっている。アノードプレ
ート３４は昇降ロッド４２の上端に固着されており、昇
降ロッド４２を昇降させることによって昇降する。昇降
ロッド４２は、処理槽本体２１の底板２１２を気密かつ
昇降自在に貫通して設けられている。また、アノードプ
レート３４およびサセプタ３５を昇降自在に貫通して複
数のリフトピン４３が設けられている。これら複数のリ
フトピン４３をリフトピン支持部材１４３上に搭載し、
このリフトピン支持部材１４３を昇降させることによっ
てリフトピン４３を昇降させて基板３６を昇降させる。
ゆる平行平板型の電極を構成している。カソード２４に
は高周波電源４６が接続されており、アノード３３は接
地されており、カソード２４とアノード３３との間に高
周波電力を印加できるようになっている。アノードプレ
ート３４は昇降ロッド４２の上端に固着されており、昇
降ロッド４２を昇降させることによって昇降する。昇降
ロッド４２は、処理槽本体２１の底板２１２を気密かつ
昇降自在に貫通して設けられている。また、アノードプ
レート３４およびサセプタ３５を昇降自在に貫通して複
数のリフトピン４３が設けられている。これら複数のリ
フトピン４３をリフトピン支持部材１４３上に搭載し、
このリフトピン支持部材１４３を昇降させることによっ
てリフトピン４３を昇降させて基板３６を昇降させる。
【００２７】アノードプレート３４の周囲には排気プレ
ート５０を設けている。排気プレート５０の内周はアノ
ードプレート３４の外周に固着されている。排気プレー
ト５０には、図２に示すように、複数の排気口５１が設
けられている。排気プレート５０の外側と処理槽本体２
１の側壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を
０．５ｍｍ乃至２ｍｍとしている。
ート５０を設けている。排気プレート５０の内周はアノ
ードプレート３４の外周に固着されている。排気プレー
ト５０には、図２に示すように、複数の排気口５１が設
けられている。排気プレート５０の外側と処理槽本体２
１の側壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を
０．５ｍｍ乃至２ｍｍとしている。
【００２８】また、排気プレート５０の外側の端部に
は、遮蔽部材としての邪魔板５２が排気プレート５０の
全周にわたって設けられている。邪魔板５２は、排気プ
レート５０底面から下側に向かうと共に側壁２１１、２
１５に沿って延在している。邪魔板５２の外側と側壁２
１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍｍ乃
至２ｍｍとしている。
は、遮蔽部材としての邪魔板５２が排気プレート５０の
全周にわたって設けられている。邪魔板５２は、排気プ
レート５０底面から下側に向かうと共に側壁２１１、２
１５に沿って延在している。邪魔板５２の外側と側壁２
１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍｍ乃
至２ｍｍとしている。
【００２９】なお、本実施の形態においては、邪魔板５
２を全周にわたって設けたが、邪魔板５２は少なくとも
基板搬入／搬出口４８およびセンサ用開口４７に対応し
て設けることが好ましい。
２を全周にわたって設けたが、邪魔板５２は少なくとも
基板搬入／搬出口４８およびセンサ用開口４７に対応し
て設けることが好ましい。
【００３０】アノード３３、排気プレート５０、邪魔板
５２、カソード２４、絶縁体２３、天井蓋２２、排気槽
本体２１の側壁２１１、２１５により処理槽２０内に内
槽３０が構成され、その内部に内槽空間３０１が画成さ
れる。昇降ロッド４２によりアノード３３を昇降させ
て、アノード３３とカソード２４との距離、すなわち電
極間隔を変更しても、排気プレート５０と邪魔板５２が
アノードと一緒に昇降するので、内槽３０を閉じた状態
とすることができ、プラズマも内槽３０内に閉じ込める
ことができる。
５２、カソード２４、絶縁体２３、天井蓋２２、排気槽
本体２１の側壁２１１、２１５により処理槽２０内に内
槽３０が構成され、その内部に内槽空間３０１が画成さ
れる。昇降ロッド４２によりアノード３３を昇降させ
て、アノード３３とカソード２４との距離、すなわち電
極間隔を変更しても、排気プレート５０と邪魔板５２が
アノードと一緒に昇降するので、内槽３０を閉じた状態
とすることができ、プラズマも内槽３０内に閉じ込める
ことができる。
【００３１】このドライエッチング装置１を使用してエ
ッチングを行う場合には、アノード３３を下げた状態で
基板３６をサセプタ３５上に載置し、その後アノード３
３を上昇させ、プロセス条件に応じた電極間隔にし排気
プレート５０の排気口５１を介して排気槽本体２１の底
板２１２の外排気口２１３より排気しながら、反応ガス
導入管２８６から反応ガスを導入しガス分散孔２９によ
り反応ガスを分散供給して所定の圧力に制御しつつ、高
周波電源４６より、カソード２４、アノード３３間に高
周波電力を印加して、プラズマを発生させて、基板３６
上の薄膜のエッチングを行う。反応後のガスは排気プレ
ート５０の排気口５１を介しさらに外排気口２１３を経
て処理槽２０外に排出される。
ッチングを行う場合には、アノード３３を下げた状態で
基板３６をサセプタ３５上に載置し、その後アノード３
３を上昇させ、プロセス条件に応じた電極間隔にし排気
プレート５０の排気口５１を介して排気槽本体２１の底
板２１２の外排気口２１３より排気しながら、反応ガス
導入管２８６から反応ガスを導入しガス分散孔２９によ
り反応ガスを分散供給して所定の圧力に制御しつつ、高
周波電源４６より、カソード２４、アノード３３間に高
周波電力を印加して、プラズマを発生させて、基板３６
上の薄膜のエッチングを行う。反応後のガスは排気プレ
ート５０の排気口５１を介しさらに外排気口２１３を経
て処理槽２０外に排出される。
【００３２】本実施の形態においては、カソード２４と
アノード３３との間の電極間隔が可変なので、同じドラ
イエッチング装置１を使用して、異なる種類のプラズマ
処理をそれぞれの処理に応じて好適な電極間隔に設定し
て行うことができる。また、アノード３３の全周囲であ
って少なくともアノード３３の外周と処理槽２０の側壁
２１１、２１５の内壁２１６との間に設けられた仕切部
材としての排気プレート５０を備えており、またこの排
気プレート５０がアノードプレート３４に固着されてお
りアノード３３と共に移動可能であるので、異なる種類
のプラズマ処理に対してそれぞれ好適な電極間隔にする
べくアノード３３を適切な位置に移動させても、アノー
ド３３と排気プレート５０とにより、プラズマを内槽３
０内に閉じ込めることが可能となり、プラズマ密度の低
下と消費電力の増大を抑制または防止することができ、
プラズマ処理効率に優れ、生産性も向上する。
アノード３３との間の電極間隔が可変なので、同じドラ
イエッチング装置１を使用して、異なる種類のプラズマ
処理をそれぞれの処理に応じて好適な電極間隔に設定し
て行うことができる。また、アノード３３の全周囲であ
って少なくともアノード３３の外周と処理槽２０の側壁
２１１、２１５の内壁２１６との間に設けられた仕切部
材としての排気プレート５０を備えており、またこの排
気プレート５０がアノードプレート３４に固着されてお
りアノード３３と共に移動可能であるので、異なる種類
のプラズマ処理に対してそれぞれ好適な電極間隔にする
べくアノード３３を適切な位置に移動させても、アノー
ド３３と排気プレート５０とにより、プラズマを内槽３
０内に閉じ込めることが可能となり、プラズマ密度の低
下と消費電力の増大を抑制または防止することができ、
プラズマ処理効率に優れ、生産性も向上する。
【００３３】また、アノード３３の全周囲であって少な
くともアノード３３の外周と処理槽２０の側壁２１１、
２１５との間に設けられた排気プレート５０の排気口５
１を介して排気されるので、反応ガスの流れをアノード
３３の周囲に対して均一なものとでき、基板載置部に載
置された基板３６上のガスの流れが均一となり、その結
果、基板３６上の薄膜等のエッチングが均一となり、均
一なプラズマ処理が可能となり、歩留まりも向上する。
くともアノード３３の外周と処理槽２０の側壁２１１、
２１５との間に設けられた排気プレート５０の排気口５
１を介して排気されるので、反応ガスの流れをアノード
３３の周囲に対して均一なものとでき、基板載置部に載
置された基板３６上のガスの流れが均一となり、その結
果、基板３６上の薄膜等のエッチングが均一となり、均
一なプラズマ処理が可能となり、歩留まりも向上する。
【００３４】また、処理槽２０の側壁２１１には、基板
３６の搬入／搬出のための基板搬入／搬出口４８が設け
られており、また、側壁２１５には、センサ用開口４７
が設けられており、アノード３３の上下方向の位置によ
っては排気プレート５０の側方にそのような開口（基板
搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）が位置する場合
があり、その場合には、開口（基板搬入／搬出口４８や
センサ用開口４７）を介して反応ガスの一部が排気プレ
ート５０の下側に流れてしまうが、本実施の形態のよう
に、邪魔板５２を設けると、この邪魔板５２で開口（基
板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）を塞ぐことが
できるので、たとえ処理槽２０の側壁２１１、２１５に
開口（基板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）が設
けられていても、プラズマを内槽３０内に閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、優れたプラズマ処理
効率が得られる。そして、邪魔板１９を長くとること
で、様々なプロセス条件に応じた電極間隔を設定して
も、開口（基板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）
の存在によって影響を受けることなく、同一条件でプロ
セス排気を行うことができる。また、基板３６の搬入ま
たは搬出をするには、アノード３３を下降させるが、本
実施の形態のように、邪魔板５２を排気プレート５０の
下側に設けておけば、アノード３３の下降量が少なくて
済む。
３６の搬入／搬出のための基板搬入／搬出口４８が設け
られており、また、側壁２１５には、センサ用開口４７
が設けられており、アノード３３の上下方向の位置によ
っては排気プレート５０の側方にそのような開口（基板
搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）が位置する場合
があり、その場合には、開口（基板搬入／搬出口４８や
センサ用開口４７）を介して反応ガスの一部が排気プレ
ート５０の下側に流れてしまうが、本実施の形態のよう
に、邪魔板５２を設けると、この邪魔板５２で開口（基
板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）を塞ぐことが
できるので、たとえ処理槽２０の側壁２１１、２１５に
開口（基板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）が設
けられていても、プラズマを内槽３０内に閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、優れたプラズマ処理
効率が得られる。そして、邪魔板１９を長くとること
で、様々なプロセス条件に応じた電極間隔を設定して
も、開口（基板搬入／搬出口４８やセンサ用開口４７）
の存在によって影響を受けることなく、同一条件でプロ
セス排気を行うことができる。また、基板３６の搬入ま
たは搬出をするには、アノード３３を下降させるが、本
実施の形態のように、邪魔板５２を排気プレート５０の
下側に設けておけば、アノード３３の下降量が少なくて
済む。
【００３５】（第２の実施の形態）図３は、本発明の第
２の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図である。
２の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図である。
【００３６】第１の実施の形態においては、排気プレー
ト５０をアノードプレート３４の上面とほぼ一致させて
設け、排気プレート５０の下側に邪魔板５２を設けた
が、本実施の形態においては、排気プレート５３をアノ
ードプレート３４よりも下側になるように設け、邪魔板
は設けていない点が第１の実施の形態と異なるが、他の
点は同じである。
ト５０をアノードプレート３４の上面とほぼ一致させて
設け、排気プレート５０の下側に邪魔板５２を設けた
が、本実施の形態においては、排気プレート５３をアノ
ードプレート３４よりも下側になるように設け、邪魔板
は設けていない点が第１の実施の形態と異なるが、他の
点は同じである。
【００３７】排気プレート５３はアノードプレート３４
の全周囲に設けている。排気プレート５３はアノードプ
レート３４の外周に固着されている。排気プレート５３
には、図２に示すように、複数の排気口５１が設けられ
ている。排気プレート５３の外側と処理槽本体２１の側
壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍ
ｍ乃至２ｍｍとしている。
の全周囲に設けている。排気プレート５３はアノードプ
レート３４の外周に固着されている。排気プレート５３
には、図２に示すように、複数の排気口５１が設けられ
ている。排気プレート５３の外側と処理槽本体２１の側
壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍ
ｍ乃至２ｍｍとしている。
【００３８】（第３の実施の形態）図４は、本発明の第
３の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図である。
３の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図である。
【００３９】第１の実施の形態においては、排気プレー
ト５０をアノードプレート３４の上面をほぼ一致させて
設け、排気プレート５０の下側に邪魔板５２を設けた
が、本実施の形態においては、排気プレート５４をアノ
ードプレート３４の上面とほぼ一致させて設けるが、邪
魔板は設けていない点が第１の実施の形態と異なるが、
他の点は同様である。
ト５０をアノードプレート３４の上面をほぼ一致させて
設け、排気プレート５０の下側に邪魔板５２を設けた
が、本実施の形態においては、排気プレート５４をアノ
ードプレート３４の上面とほぼ一致させて設けるが、邪
魔板は設けていない点が第１の実施の形態と異なるが、
他の点は同様である。
【００４０】排気プレート５４はアノードプレート３４
の全周囲に設けている。排気プレート５４はアノードプ
レート３４の外周に固着されている。排気プレート５４
には、図２に示すように、複数の排気口５１が設けられ
ている。排気プレート５４の外側と処理槽本体２１の側
壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍ
ｍ乃至２ｍｍとしている。
の全周囲に設けている。排気プレート５４はアノードプ
レート３４の外周に固着されている。排気プレート５４
には、図２に示すように、複数の排気口５１が設けられ
ている。排気プレート５４の外側と処理槽本体２１の側
壁２１１、２１５の内壁２１６との間の間隔を０．５ｍ
ｍ乃至２ｍｍとしている。
【００４１】本実施の形態は、基板搬入／搬出口等の処
理槽２０の側壁２１１、２１５に設けられた開口が下側
に位置している場合に特に有効である。
理槽２０の側壁２１１、２１５に設けられた開口が下側
に位置している場合に特に有効である。
【００４２】（第４の実施の形態）本実施の形態では、
基板処理装置としてＳｉウェーハ用枚葉式プラズマＣＶ
Ｄ装置を例にとって説明する。
基板処理装置としてＳｉウェーハ用枚葉式プラズマＣＶ
Ｄ装置を例にとって説明する。
【００４３】図５は、本発明の第４の実施の形態の基板
処理装置を説明するための縦断面図であり、図６は、図
５のＸ２−Ｘ２線断面図であり、これらの図は、Ｓｉウ
ェーハ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置４におけるプロセス
チャンバの構造を示したものである。
処理装置を説明するための縦断面図であり、図６は、図
５のＸ２−Ｘ２線断面図であり、これらの図は、Ｓｉウ
ェーハ用枚葉式プラズマＣＶＤ装置４におけるプロセス
チャンバの構造を示したものである。
【００４４】本ユニットでは天井蓋１２２と処理槽本体
１２１とによって処理槽（真空槽）１２０を構成してい
る。一般的に天井蓋１２２、シャワープレート１２６、
温度調整板１２５から成るユニットを上電極１２４もし
くはカソード電極１２４といい、プラズマを発生させる
ために、高周波が印加され、反応性ガスが供給されるユ
ニットである。また、サセプタ１３５、ヒータ１３４か
ら成るユニットを下電極１３３もしくはアノード電極１
３３といい、ワーク１３６（本実施の形態では、Ｓｉウ
ェーハ）がサセプタ中心に載せられ、ヒータ１３４によ
って加熱されると共に一定の温度に均一に制御される。
このカソード電極１２４とアノード電極１３３の間でプ
ラズマを発生させ、ワーク１３６上に膜を生成する。
１２１とによって処理槽（真空槽）１２０を構成してい
る。一般的に天井蓋１２２、シャワープレート１２６、
温度調整板１２５から成るユニットを上電極１２４もし
くはカソード電極１２４といい、プラズマを発生させる
ために、高周波が印加され、反応性ガスが供給されるユ
ニットである。また、サセプタ１３５、ヒータ１３４か
ら成るユニットを下電極１３３もしくはアノード電極１
３３といい、ワーク１３６（本実施の形態では、Ｓｉウ
ェーハ）がサセプタ中心に載せられ、ヒータ１３４によ
って加熱されると共に一定の温度に均一に制御される。
このカソード電極１２４とアノード電極１３３の間でプ
ラズマを発生させ、ワーク１３６上に膜を生成する。
【００４５】プロセス時においては、反応ガス導入管１
２８から反応性ガスが処理槽１２０の中に供給される
が、この際には、多数の穴（ガス分散孔１２９）があい
た多孔板ともいえるシャワープレート１２６を通って、
均一な流量で処理槽１２０内に供給され、一定の圧力に
調節される。そして、一定の調圧時間が経過した後、高
周波が印加され、プロセスが開始する。ガスはシャワー
プレート１２６を通過した後、コンダクタンス調整板１
５１、排気プレート１５０を通って、ブロック配管１５
２内に入り、ブロック配管１５２の排気口１５３、ヒー
タベース２４０の排気口２４３、排気管２４４、処理槽
本体１２１の底板２２２の外排気口２３３および外排気
管２３４よりポンプ（図示せず。）へ向かって流れてい
く。
２８から反応性ガスが処理槽１２０の中に供給される
が、この際には、多数の穴（ガス分散孔１２９）があい
た多孔板ともいえるシャワープレート１２６を通って、
均一な流量で処理槽１２０内に供給され、一定の圧力に
調節される。そして、一定の調圧時間が経過した後、高
周波が印加され、プロセスが開始する。ガスはシャワー
プレート１２６を通過した後、コンダクタンス調整板１
５１、排気プレート１５０を通って、ブロック配管１５
２内に入り、ブロック配管１５２の排気口１５３、ヒー
タベース２４０の排気口２４３、排気管２４４、処理槽
本体１２１の底板２２２の外排気口２３３および外排気
管２３４よりポンプ（図示せず。）へ向かって流れてい
く。
【００４６】ガスをワーク１３６面に対して均等に流す
ために、排気プレート１５０上に載せてあるコンダクタ
ンス調整板１５１の穴１５５の径を変えることができる
ような構造となっている。排気プレート１５０には同一
径の穴１５５をあけておき、コンダクタンス調整板１５
１は異径の穴１５４の品を数種類用意しておき、最適な
ガス流をつくることが可能である。
ために、排気プレート１５０上に載せてあるコンダクタ
ンス調整板１５１の穴１５５の径を変えることができる
ような構造となっている。排気プレート１５０には同一
径の穴１５５をあけておき、コンダクタンス調整板１５
１は異径の穴１５４の品を数種類用意しておき、最適な
ガス流をつくることが可能である。
【００４７】また、排気プレート１５０やブロック配管
１５２と処理槽本体１２１の側壁２２１の内壁２２３と
の間の間隔を狭くすることでコンダクタンスの抑制を図
り、本部分からガスが流れていきづらくしてある。そう
することで処理槽本体１２１の側壁２２１、底面２２２
およびヒータベース２４０の下面に存在するヒータ１３
４の昇降機構１４２（特にベローズ）もしくはワーク１
３６の昇降を行うリフトピン昇降機構（図示せず。）へ
の生成物付着を防止している。また、ブロック配管１５
２は排気プレート１５０の複数の穴１５５に連通すると
共に、ブロック配管１５２からの排気は、ブロック配管
１５２の排気口１５３、ヒータベース２４０の排気口２
４３および排気管２４４を介して処理槽本体１２１の底
板２２２の外排気口２３３および外排気管２３４に直接
導出されるように構成されているので、処理槽１２０内
への排気ガスの流出が抑制される。
１５２と処理槽本体１２１の側壁２２１の内壁２２３と
の間の間隔を狭くすることでコンダクタンスの抑制を図
り、本部分からガスが流れていきづらくしてある。そう
することで処理槽本体１２１の側壁２２１、底面２２２
およびヒータベース２４０の下面に存在するヒータ１３
４の昇降機構１４２（特にベローズ）もしくはワーク１
３６の昇降を行うリフトピン昇降機構（図示せず。）へ
の生成物付着を防止している。また、ブロック配管１５
２は排気プレート１５０の複数の穴１５５に連通すると
共に、ブロック配管１５２からの排気は、ブロック配管
１５２の排気口１５３、ヒータベース２４０の排気口２
４３および排気管２４４を介して処理槽本体１２１の底
板２２２の外排気口２３３および外排気管２３４に直接
導出されるように構成されているので、処理槽１２０内
への排気ガスの流出が抑制される。
【００４８】ガスはブロック配管１５２内を通っていく
が、ヒータ１３４と隣接していることでヒータ１３４か
ら熱をもらい高温状態となるので、ブロック配管１５２
内での生成物付着が低減される。
が、ヒータ１３４と隣接していることでヒータ１３４か
ら熱をもらい高温状態となるので、ブロック配管１５２
内での生成物付着が低減される。
【００４９】コンダクタンス調整板１５１、排気プレー
ト１５０、ブロック配管１５２から成る均一排気ユニッ
トはヒータベース２４０上に設置されているため、下部
電極（アノード電極）１３３が上下可変式でも固定式で
も採用が可能で、搬送ポジション・プロセスポジション
といった下電極の位置問題に関係なく構成できる。
ト１５０、ブロック配管１５２から成る均一排気ユニッ
トはヒータベース２４０上に設置されているため、下部
電極（アノード電極）１３３が上下可変式でも固定式で
も採用が可能で、搬送ポジション・プロセスポジション
といった下電極の位置問題に関係なく構成できる。
【００５０】（第５の実施の形態）図７は、本発明の第
５の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図であり、図８は、図７のＸ３−Ｘ３線断面図である。
５の実施の形態の基板処理装置を説明するための縦断面
図であり、図８は、図７のＸ３−Ｘ３線断面図である。
【００５１】第４の実施の形態では、枚葉式のチャンバ
構造図を示したが、図７、図８に示す通り、複数枚方式
（図では水平２枚葉方式）にも本発明は適用可能であ
る。
構造図を示したが、図７、図８に示す通り、複数枚方式
（図では水平２枚葉方式）にも本発明は適用可能であ
る。
【００５２】以上第４、第５の実施の形態においては、
カソード１２４とアノード１３３との間の電極間隔が可
変なので、同じプラズマＣＶＤ装置４、５を使用して、
異なる種類のプラズマ処理をそれぞれの処理に応じて好
適な電極間隔に設定して行うことができる。また、アノ
ード１３３の全周囲であって少なくともアノード１３３
の外周と処理槽１２０の側壁２２１の内壁２２３との間
に設けられた仕切部材としての排気プレート１５０を備
えており、またこの排気プレート１５０がアノード１３
３と共に移動可能であるので、異なる種類のプラズマ処
理に対してそれぞれ好適な電極間隔にするべくアノード
１３３を適切な位置に移動させても、アノード１３３と
排気プレート１５０とにより、プラズマを閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率に
優れ、生産性も向上する。
カソード１２４とアノード１３３との間の電極間隔が可
変なので、同じプラズマＣＶＤ装置４、５を使用して、
異なる種類のプラズマ処理をそれぞれの処理に応じて好
適な電極間隔に設定して行うことができる。また、アノ
ード１３３の全周囲であって少なくともアノード１３３
の外周と処理槽１２０の側壁２２１の内壁２２３との間
に設けられた仕切部材としての排気プレート１５０を備
えており、またこの排気プレート１５０がアノード１３
３と共に移動可能であるので、異なる種類のプラズマ処
理に対してそれぞれ好適な電極間隔にするべくアノード
１３３を適切な位置に移動させても、アノード１３３と
排気プレート１５０とにより、プラズマを閉じ込めるこ
とが可能となり、プラズマ密度の低下と消費電力の増大
を抑制または防止することができ、プラズマ処理効率に
優れ、生産性も向上する。
【００５３】また、アノード１３３の全周囲であって少
なくともアノード１３３の外周と処理槽１２０の側壁２
２１との間に設けられた排気プレート１５０の穴１５５
およびコンダクタンス調整板１５１の穴１５４を介して
排気され、さらに、排気プレート１５０上面の各穴１５
５についている調整板１５１の穴１５４の径を変えるこ
とで排気速度の調整を図ることができるので、反応ガス
の流れをアノード３３の周囲に対して均一なものとで
き、サセプタ１３５に載置されたワーク１３６上のガス
の流れが均一となり、その結果、ワーク１３６上への薄
膜等成膜が均一となり、均一なプラズマ処理が可能とな
り、歩留まりも向上する。
なくともアノード１３３の外周と処理槽１２０の側壁２
２１との間に設けられた排気プレート１５０の穴１５５
およびコンダクタンス調整板１５１の穴１５４を介して
排気され、さらに、排気プレート１５０上面の各穴１５
５についている調整板１５１の穴１５４の径を変えるこ
とで排気速度の調整を図ることができるので、反応ガス
の流れをアノード３３の周囲に対して均一なものとで
き、サセプタ１３５に載置されたワーク１３６上のガス
の流れが均一となり、その結果、ワーク１３６上への薄
膜等成膜が均一となり、均一なプラズマ処理が可能とな
り、歩留まりも向上する。
【００５４】また、このように排気プレート１５０上面
での排気速度調整であるため、処理槽１２０の排気口２
３３の位置による影響は小さくなる。
での排気速度調整であるため、処理槽１２０の排気口２
３３の位置による影響は小さくなる。
【００５５】さらに、排気プレート１５０の下方に設置
したブロック配管１５２の中をガス流が流れ、排気管２
４４より外排気管２３４まで直接ガスが導出されるた
め、処理槽１２０内（特にヒータ１３４下方）での生成
物堆積および腐食が抑制される。
したブロック配管１５２の中をガス流が流れ、排気管２
４４より外排気管２３４まで直接ガスが導出されるた
め、処理槽１２０内（特にヒータ１３４下方）での生成
物堆積および腐食が抑制される。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば、電極間隔を可変にでき
ると共に、プラズマ処理効率に優れた基板処理装置が得
られる。
ると共に、プラズマ処理効率に優れた基板処理装置が得
られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置を説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の基板処理装置を説
明するための横断面図であり、図１のＸ１−Ｘ１線断面
図である。
明するための横断面図であり、図１のＸ１−Ｘ１線断面
図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の基板処理装置を説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の基板処理装置を説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の基板処理装置を説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態の基板処理装置を説
明するための横断面図であり、図５のＸ２−Ｘ２線断面
図である。
明するための横断面図であり、図５のＸ２−Ｘ２線断面
図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態の基板処理装置を説
明するための縦断面図である。
明するための縦断面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態の基板処理装置を説
明するための横断面図であり、図７のＸ３−Ｘ３線断面
図である。
明するための横断面図であり、図７のＸ３−Ｘ３線断面
図である。
【図９】従来のプラズマ処理装置の縦断面図である。
１〜３…ドライエッチング装置 ４、５…プラズマＣＶＤ装置 ２０、１２０…処理槽（真空槽） ２１、１２１…処理槽本体 ２１１、２１５、２２１…側壁 ２１３、２３３…外排気口 ２１６、２２３…内壁 ２２、１２２…天井蓋 ２４、１２４…上電極（カソード） ２５…カソードプレート ２６、１２６…シャワープレート ２８、１２８…反応ガス導入管 ３０…内槽 ３３、１３３…下電極（アノード） ３４…アノードプレート ３５、１３５…サセプタ ３６…基板 ３７…電極ホルダ ４７…センサ用開口 ４８…基板搬入／搬出口 ４９…センサ ５０、５３、５４、１５０…排気プレート ５１…排気口 ５２…邪魔板（遮蔽部材）
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−27398（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 C23C 16/50 C23F 4/00 H01L 21/205 H05H 1/46
Claims (11)
- 【請求項１】処理槽と、前記処理槽内に互いに対向して
設けられた第１および第２の電極とを備える基板処理装
置であって、 前記第１の電極の全周囲であって少なくとも前記第１の
電極の外周と前記処理槽の側壁との間に設けられた仕切
部材と、 前記処理槽の前記側壁に沿って延在する遮蔽部材と をさ
らに備え、 前記仕切部材が前記第１の電極と共に移動可能であっ
て、前記第１の電極が移動することによって前記第１お
よび第２の電極間の間隔を変更可能であることを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項２】前記仕切部材が排気口を備えていることを
特徴とする請求項１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】前記仕切部材が前記第１の電極に接触し、 前記仕切部材と前記処理槽の前記側壁との間の間隔が
０．５ｍｍ乃至２ｍｍであることを特徴とする請求項１
または２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】前記処理槽の前記側壁が開口部を備え、 前記遮蔽部材が、少なくとも前記開口部に対応して設け
られていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
に記載の基板処理装置。 - 【請求項５】前記遮蔽部材が、前記仕切部材の前記第２
の電極とは反対側に設けられていることを特徴とする請
求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項６】前記仕切部材が複数の排気口を前記第１の
電極の周りに備え、 前記基板処理装置が、前記複数の排気口に連通する配管
を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれ
かに記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 前記仕切部材の前記複数の排気口のコンダ
クタンスを調整可能なコンダクタンス調整手段をさらに
備えていることを特徴とする請求項６記載の基板処理装
置。 - 【請求項８】前記処理槽が排気口を備え、 前記基板処理装置が、前記配管からの排気を前記処理槽
の前記排気口まで導出可能な排気管をさらに備えている
ことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装
置。 - 【請求項９】処理槽と、前記処理槽内に互いに対向して
設けられた第１および第２の電極とを備える基板処理装
置であって、 前記第１の電極の全周囲であって少なくとも前記第１の
電極の外周と前記処理槽の側壁との間に設けられた仕切
部材をさらに備え、 前記仕切部材が前記第１の電極と共に移動可能であっ
て、前記第１の電極が移動することによって前記第１お
よび第２の電極間の間隔を変更可能であり、 前記仕切部材が複数の排気口を前記第１の電極の周りに
備え、 前記基板処理装置が、前記複数の排気口に連通する配管
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項１０】前記仕切部材の前記複数の排気口のコン
ダクタンスを調整可能なコンダクタンス調整手段をさら
に備えていることを特徴とする請求項９記載の基板処理
装置。 - 【請求項１１】前記処理槽が排気口を備え、 前記基板処理装置が、前記配管からの排気を前記処理槽
の前記排気口まで導出可能な排気管をさらに備えている
ことを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理装
置。
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