JP3036477B2 - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP3036477B2 JP3036477B2 JP9220625A JP22062597A JP3036477B2 JP 3036477 B2 JP3036477 B2 JP 3036477B2 JP 9220625 A JP9220625 A JP 9220625A JP 22062597 A JP22062597 A JP 22062597A JP 3036477 B2 JP3036477 B2 JP 3036477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shower plate
- plate
- inert gas
- wafer surface
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特にウェハ表面に多数の微細穴よりガスを流出し成
膜またはエッチング等の処置を行う半導体製造装置に関
する。
し、特にウェハ表面に多数の微細穴よりガスを流出し成
膜またはエッチング等の処置を行う半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の半導体製造装置は、反応
ガスをウェハ表面に供給し、ウェハ表面に均一な膜を生
成、もしくはエッチングすることを目的として用いられ
ている。
ガスをウェハ表面に供給し、ウェハ表面に均一な膜を生
成、もしくはエッチングすることを目的として用いられ
ている。
【０００３】図４に、従来の半導体製造装置の一例とし
て、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）
装置の反応室の断面図を示す。図４を参照すると、反応
室上蓋２内には、高周波を導通させるためのユニット
（以下「高周波導通板」という）５と、ガスを流出する
ための多数の微細穴が規則的に開いてるプレート（以下
「シャワープレート」という）３とが組み込まれてお
り、シャワープレート３は、サセプター８と平行に反応
室上蓋２内の高周波導通板５に固定されている。シャワ
ープレート３は、高周波発振器１６の電極を兼ね備えて
おり、グランド側にあたるサセプター８に向けて高周波
を発振する。サセプター８にはヒータ９が埋め込まれて
おり、サセプター８表面に置かれるウェハ１０の加熱を
行う。
て、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）
装置の反応室の断面図を示す。図４を参照すると、反応
室上蓋２内には、高周波を導通させるためのユニット
（以下「高周波導通板」という）５と、ガスを流出する
ための多数の微細穴が規則的に開いてるプレート（以下
「シャワープレート」という）３とが組み込まれてお
り、シャワープレート３は、サセプター８と平行に反応
室上蓋２内の高周波導通板５に固定されている。シャワ
ープレート３は、高周波発振器１６の電極を兼ね備えて
おり、グランド側にあたるサセプター８に向けて高周波
を発振する。サセプター８にはヒータ９が埋め込まれて
おり、サセプター８表面に置かれるウェハ１０の加熱を
行う。
【０００４】反応ガスは、マスフローコントローラ７に
て流量制御され、反応ガス導入管６を流れ、高周波導通
板５とシャワープレート３に狭窄された空間に流入す
る。流入した反応ガスは、緩衝板４により、前記空間中
を拡散しながら、シャワープレート３に多数開いている
微細穴より、反応室１内に流入する。
て流量制御され、反応ガス導入管６を流れ、高周波導通
板５とシャワープレート３に狭窄された空間に流入す
る。流入した反応ガスは、緩衝板４により、前記空間中
を拡散しながら、シャワープレート３に多数開いている
微細穴より、反応室１内に流入する。
【０００５】反応室１内に流入した反応ガスは、プラズ
マおよび熱により反応し、排気管１１へ流出する。な
お、図４において、１２は圧力調整器、１３は真空ポン
プ、１４は真空ゲージ、１５は湿度測定器である。
マおよび熱により反応し、排気管１１へ流出する。な
お、図４において、１２は圧力調整器、１３は真空ポン
プ、１４は真空ゲージ、１５は湿度測定器である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来技術は下記記載の問題点を有している。
来技術は下記記載の問題点を有している。
【０００７】第１の問題点は、シャワープレートの個体
差により、ウェハ表面に形成される膜の膜厚面内均一性
にバラツキが生じる、ということである。
差により、ウェハ表面に形成される膜の膜厚面内均一性
にバラツキが生じる、ということである。
【０００８】その理由は、シャワープレートの製造工程
における加工精度のバラツキにより、シャワープレート
の形状および寸法精度に相違がある、ためである。
における加工精度のバラツキにより、シャワープレート
の形状および寸法精度に相違がある、ためである。
【０００９】第２の問題点は、新品のシャワープレート
を用いてウェハ表面に成膜を行った場合、ウェハの中央
部が周辺部より厚くなる傾向があるが、同一のシャワー
プレートを長期間使用してウェハ表面に成膜を行うと、
ウェハに形成される膜はウェハ表面周辺部がウェハ中央
部より膜厚が厚くなり、膜厚面内均一性が悪化する傾向
がある、ということである。
を用いてウェハ表面に成膜を行った場合、ウェハの中央
部が周辺部より厚くなる傾向があるが、同一のシャワー
プレートを長期間使用してウェハ表面に成膜を行うと、
ウェハに形成される膜はウェハ表面周辺部がウェハ中央
部より膜厚が厚くなり、膜厚面内均一性が悪化する傾向
がある、ということである。
【００１０】その理由は、シャワープレートが長期間に
渡りサセプターに埋め込まれたヒータからの熱輻射およ
びプラズマに起因して熱変形が生じるためである。
渡りサセプターに埋め込まれたヒータからの熱輻射およ
びプラズマに起因して熱変形が生じるためである。
【００１１】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、ウェハ表面に形成
される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能とし、膜厚の
面内均一性が悪化した場合にも膜厚の面内均一性を改善
可能とする半導体製造装置を提供することにある。
なされたものであって、その目的は、ウェハ表面に形成
される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能とし、膜厚の
面内均一性が悪化した場合にも膜厚の面内均一性を改善
可能とする半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の半導体製造装置は、反応性ガスの供給口を有す
る高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間内
において、反応性ガスをウェハ表面に供給するために前
記シャワープレートに設けられた微細穴の流出口の直前
に、少なくとも１つ以上の不活性ガスの吹き出し口を具
備したことを特徴とする。
本発明の半導体製造装置は、反応性ガスの供給口を有す
る高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間内
において、反応性ガスをウェハ表面に供給するために前
記シャワープレートに設けられた微細穴の流出口の直前
に、少なくとも１つ以上の不活性ガスの吹き出し口を具
備したことを特徴とする。
【００１３】また、本発明においては、前記シャワープ
レートにおいて前記不活性ガスが吹き出る箇所の近傍の
前記微細穴の単位面積当たりの個数を、前記シャワープ
レートの他の部位よりも多く設けた、ことを特徴とす
る。
レートにおいて前記不活性ガスが吹き出る箇所の近傍の
前記微細穴の単位面積当たりの個数を、前記シャワープ
レートの他の部位よりも多く設けた、ことを特徴とす
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明の半導体製造装置は、その好ましい実施の
形態において、シャワープレート上部に不活性ガスを流
入するノズル（「不活性ガス吹出ノズル」という）を設
け、不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間で拡
散した反応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおい
て希釈し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応
ガスをシャワープレートの微細穴からウェハ表面に流出
し、このように、ウェハ表面で反応する反応ガスに濃度
差を付けることにより、ウェハ表面に形成される膜の成
膜速度をウェハ表面の特定エリアにおいて制御する手段
を備えたものである。
する。本発明の半導体製造装置は、その好ましい実施の
形態において、シャワープレート上部に不活性ガスを流
入するノズル（「不活性ガス吹出ノズル」という）を設
け、不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間で拡
散した反応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおい
て希釈し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応
ガスをシャワープレートの微細穴からウェハ表面に流出
し、このように、ウェハ表面で反応する反応ガスに濃度
差を付けることにより、ウェハ表面に形成される膜の成
膜速度をウェハ表面の特定エリアにおいて制御する手段
を備えたものである。
【００１５】本発明の実施の形態においては、ウェハ表
面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の特定エリ
アに対し、ウェハ表面の他のエリアと比べて希釈された
反応ガスをウェハ表面に流出することができる。このた
め、ウェハ表面に形成された膜の膜厚の面内均一性を調
整することができる。
面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の特定エリ
アに対し、ウェハ表面の他のエリアと比べて希釈された
反応ガスをウェハ表面に流出することができる。このた
め、ウェハ表面に形成された膜の膜厚の面内均一性を調
整することができる。
【００１６】
【実施例】上記した実施の形態について更に詳細に説明
すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に
説明する。図１は、本発明の一実施例をなすプラズマＣ
ＶＤ装置の反応室の断面図である。なお図１において、
図４と同一又は同等の要素には同一の参照番号が付され
ている。
すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に
説明する。図１は、本発明の一実施例をなすプラズマＣ
ＶＤ装置の反応室の断面図である。なお図１において、
図４と同一又は同等の要素には同一の参照番号が付され
ている。
【００１７】図１を参照すると、本実施例において、反
応室上蓋２内の高周波導通板５にシャワープレート３を
取り付け、高周波導通板５とシャワープレート３により
狭窄した空間を設ける。また、反応室上蓋２上部に、反
応ガスを流入するための反応ガス導入管６を接続する。
応室上蓋２内の高周波導通板５にシャワープレート３を
取り付け、高周波導通板５とシャワープレート３により
狭窄した空間を設ける。また、反応室上蓋２上部に、反
応ガスを流入するための反応ガス導入管６を接続する。
【００１８】高周波導通板５とシャワープレート３によ
り狭窄された空間に、反応ガスを前記空間内で拡散させ
るための緩衝板４を設け、その緩衝板４の中央部に、不
活性ガス吹出ノズル１７を取り付ける。
り狭窄された空間に、反応ガスを前記空間内で拡散させ
るための緩衝板４を設け、その緩衝板４の中央部に、不
活性ガス吹出ノズル１７を取り付ける。
【００１９】シャワープレート３には、ガスを反応室１
内に流出させるための多数の微細穴が設けられている。
またシャワープレート３は、導電性の材質で製作されて
おり、グランド側であるサセプター８に対して高周波を
発振する電極を兼ね備えている。
内に流出させるための多数の微細穴が設けられている。
またシャワープレート３は、導電性の材質で製作されて
おり、グランド側であるサセプター８に対して高周波を
発振する電極を兼ね備えている。
【００２０】またサセプター８には、ヒータ９が埋め込
まれており、サセプター８表面に置かれるウェハ１０を
加熱する。
まれており、サセプター８表面に置かれるウェハ１０を
加熱する。
【００２１】図２は、不活性ガス吹出ノズル１７の詳細
を示す断面図である。緩衝板４の中央部に取り付けられ
た不活性ガス吹出ノズル１７は、セラミック等の絶縁材
料で製作され、不活性ガス吹出ノズル１７の先端部の側
面周囲には複数の微細穴が開いている。
を示す断面図である。緩衝板４の中央部に取り付けられ
た不活性ガス吹出ノズル１７は、セラミック等の絶縁材
料で製作され、不活性ガス吹出ノズル１７の先端部の側
面周囲には複数の微細穴が開いている。
【００２２】不活性ガス吹出ノズル１７の上端部は、不
活性ガス導入管１８に挿入されており、マスフローコン
トローラ１９により流量制御された不活性ガスを流入す
る。
活性ガス導入管１８に挿入されており、マスフローコン
トローラ１９により流量制御された不活性ガスを流入す
る。
【００２３】次に、本実施例における反応室１内へのガ
スの流れについて説明する。反応ガス導入管６より反応
室上蓋２内に流入した反応ガスは、緩衝板４により高周
波導通板５とシャワープレート３で狭窄された空間に拡
散する。一方、流量制御した不活性ガスを不活性ガス吹
出ノズル１７よりシャワープレート３上面に流すことに
より、シャワープレート３中央部の反応ガス濃度は希釈
され、ウェハ１０中央部はウェハ１０表面周辺部と比べ
て成膜速度が遅くなり、ウェハ１０表面に形成される膜
厚を薄くすることが可能である。
スの流れについて説明する。反応ガス導入管６より反応
室上蓋２内に流入した反応ガスは、緩衝板４により高周
波導通板５とシャワープレート３で狭窄された空間に拡
散する。一方、流量制御した不活性ガスを不活性ガス吹
出ノズル１７よりシャワープレート３上面に流すことに
より、シャワープレート３中央部の反応ガス濃度は希釈
され、ウェハ１０中央部はウェハ１０表面周辺部と比べ
て成膜速度が遅くなり、ウェハ１０表面に形成される膜
厚を薄くすることが可能である。
【００２４】さらに、不活性ガスの流量をマスフローコ
ントローラ１９で調整することにより、ウェハ１０表面
に形成される膜の膜厚の面内均一性が悪い場合、および
長期間の使用により面内均一性が悪化した場合に、シャ
ワープレート３を交換せずに、膜厚の面内均一性を改善
できる。
ントローラ１９で調整することにより、ウェハ１０表面
に形成される膜の膜厚の面内均一性が悪い場合、および
長期間の使用により面内均一性が悪化した場合に、シャ
ワープレート３を交換せずに、膜厚の面内均一性を改善
できる。
【００２５】図３は、本発明の第二の実施例の構成を示
す図である。図３において、図１と同一の要素には同一
の参照番号が付されている。図３を参照すると、本発明
の第二の実施例においては、シャワープレート３に多数
設けられている微細穴を不活性ガス吹出ノズル１７下部
近傍に多数設け、ウェハ表１０面に流れるガスを制御し
やすくするようにしたものである。
す図である。図３において、図１と同一の要素には同一
の参照番号が付されている。図３を参照すると、本発明
の第二の実施例においては、シャワープレート３に多数
設けられている微細穴を不活性ガス吹出ノズル１７下部
近傍に多数設け、ウェハ表１０面に流れるガスを制御し
やすくするようにしたものである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハ表面に形成される膜の膜厚およびエッチレート等
の面内均一性を改善するという効果を奏する。
ウェハ表面に形成される膜の膜厚およびエッチレート等
の面内均一性を改善するという効果を奏する。
【００２７】その理由は、本発明においては、反応室に
流入する反応ガスをシャワープレートの特定エリアにお
いて流量調整した不活性ガスを混入させることにより、
ウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の
特定エリアで調整する機能を備えたことによる。
流入する反応ガスをシャワープレートの特定エリアにお
いて流量調整した不活性ガスを混入させることにより、
ウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の
特定エリアで調整する機能を備えたことによる。
【００２８】本発明によれば、不活性ガスの流量を調整
することにより、ウェハ表面に形成される膜の膜厚の面
内均一性が悪い場合、および長期間の使用により面内均
一性が悪化した場合に、シャワープレートを交換せず
に、膜厚の面内均一性を改善することができ、歩留り及
び信頼性を向上すると共に、生産性、操作性、及び作業
効率を特段に向上する。
することにより、ウェハ表面に形成される膜の膜厚の面
内均一性が悪い場合、および長期間の使用により面内均
一性が悪化した場合に、シャワープレートを交換せず
に、膜厚の面内均一性を改善することができ、歩留り及
び信頼性を向上すると共に、生産性、操作性、及び作業
効率を特段に向上する。
【図１】本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置反応室
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【図２】図１の不活性ガス吹出ノズル部の詳細を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２二の実施例のプラズマＣＶＤ装置
反応室の断面を示す図である。
反応室の断面を示す図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置反応室の断面を示す
図である。
図である。
１ 反応室 ２ 反応室上蓋 ３ シャワープレート ４ 緩衝板 ５ 高周波導通板 ６ 反応ガス導入管 ７ マスフローコントローラ ８ サセプター ９ ヒータ １０ ウェハ １１ 排気配管 １２ 圧力調整器 １３ 真空ポンプ １４ 真空ゲージ １５ 温度測定器 １６ 高周波発振器 １７ 不活性ガス吹出ノズル １８ 不活性ガス導入管 １９ マスフローコントローラ
Claims (6)
- 【請求項１】反応性ガスの供給口を有する高周波導通板
とシャワープレートに狭窄された空間内において、反応
性ガスをウェハ表面に供給するために前記シャワープレ
ートに設けられた微細穴の流出口の直前に、少なくとも
１つ以上の不活性ガスの吹き出し口を具備したことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記シャワープレートにおいて前記不活性
ガスが吹き出る箇所の近傍の前記微細穴の単位面積当た
りの個数を、前記シャワープレートの他の部位よりも多
く設けた、ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造
装置。 - 【請求項３】反応性ガスの供給口を有する高周波導通板
とシャワープレートに狭窄された空間の所定の領域にそ
の流量が調整可能な不活性ガスを混入させることによ
り、反応室のウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、
前記ウェハ表面の前記所定の領域で調整する手段を備え
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】反応室上蓋内の反応性ガスの供給口を有す
る高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間内
において前記シャワープレート上部に不活性ガスを流入
する不活性ガス吹出ノズルを設け、 前記不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
前記高周波導通板と前記シャワープレートにより区画さ
れる空間に拡散した反応ガスの濃度を、前記空間の前記
不活性ガス吹出ノズルが配置される領域で希釈し、前記
空間の他の領域と比べて希釈された反応ガスを前記シャ
ワープレートの微細穴から反応室のウェハ表面に流出さ
せ、前記ウェハ表面へ流出する反応ガスの濃度を、前記
ウェハ表面の特定領域で調整可能としたことを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項５】前記シャワープレートの微細穴が、前記不
活性ガス吹出ノズル下部近傍において前記シャワープレ
ートの他の領域の微細穴よりも単位面積あたり多く設け
られている、ことを特徴とする請求項４記載の半導体製
造装置。 - 【請求項６】前記高周波導通板と前記シャワープレート
により狭窄された空間に、反応ガスを前記空間内で拡散
させるための緩衝板を備え、前記緩衝板の中央部に、前
記不活性ガス吹出ノズルを設けたことを特徴とする請求
項４又は５記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220625A JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220625A JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154440A JPH1154440A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3036477B2 true JP3036477B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16753914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220625A Expired - Fee Related JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036477B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245192B1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| KR100406174B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
| US7103443B2 (en) * | 2001-06-29 | 2006-09-05 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
| FR2856057B1 (fr) * | 2003-06-13 | 2007-03-30 | Saint Gobain | Traitement par projection de panneaux poses sur un support barriere |
| JP4273932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2009-06-03 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマｃｖｄ装置 |
| JP5230225B2 (ja) | 2008-03-06 | 2013-07-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置 |
| US9484213B2 (en) | 2008-03-06 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Limited | Processing gas diffusing and supplying unit and substrate processing apparatus |
| KR101004927B1 (ko) * | 2008-04-24 | 2010-12-29 | 삼성엘이디 주식회사 | Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| CN102234791B (zh) * | 2010-05-05 | 2014-02-12 | 财团法人工业技术研究院 | 气体分布喷洒模块与镀膜设备 |
| JP6151745B2 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-06-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理システム、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| US11535936B2 (en) * | 2018-07-23 | 2022-12-27 | Lam Research Corporation | Dual gas feed showerhead for deposition |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9220625A patent/JP3036477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1154440A (ja) | 1999-02-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5895530A (en) | Method and apparatus for directing fluid through a semiconductor processing chamber | |
| JP3002448B1 (ja) | 基板処理装置 | |
| EP0763149B1 (en) | Method and apparatus for low temperature deposition of cvd and pecvd films | |
| KR100446875B1 (ko) | 진공 처리 장치 및 진공 처리 방법 | |
| US20050145170A1 (en) | Substrate processing apparatus and cleaning method therefor | |
| JP3036477B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH09330884A (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| US6120610A (en) | Plasma etch system | |
| JP2641351B2 (ja) | 可変分配率ガス流反応室 | |
| JPS63144513A (ja) | バレル型エピタキシヤル成長装置 | |
| TW202129800A (zh) | 用於沉積腔室的氣體分佈陶瓷加熱器 | |
| JPH04236425A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100302114B1 (ko) | 플라즈마를이용한반도체소자의제조장치 | |
| JP2913657B2 (ja) | 成膜方法、エッチング方法及びプラズマ装置 | |
| JPS6230329A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JP2003017477A (ja) | 半導体製造装置のプロセスチャンバ構造および半導体製造装置 | |
| JP3485505B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4680619B2 (ja) | プラズマ成膜装置 | |
| JP2002141290A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH08209349A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| TW202342806A (zh) | 具有加熱噴頭的噴頭組件 | |
| JPH02236283A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 | |
| TWI226081B (en) | Air-extracting system of an LPCVD reactor | |
| JPH0533525U (ja) | 枚葉式ｃｖｄ装置 | |
| JP2005256137A (ja) | 化学的気相成長装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000125 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |