JPH02236283A - 薄膜形成装置および薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成装置および薄膜形成方法Info
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- JPH02236283A JPH02236283A JP5848589A JP5848589A JPH02236283A JP H02236283 A JPH02236283 A JP H02236283A JP 5848589 A JP5848589 A JP 5848589A JP 5848589 A JP5848589 A JP 5848589A JP H02236283 A JPH02236283 A JP H02236283A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装！の製造などで好適に実施される
薄膜形成装置および薄膜形成方法に関するものである． 〔従来の技術〕 典型的な先行技術は第４図に示されている．真空ボンプ
ｌにより真空俳気された真空チャンバ２内には、ヒータ
３によって加熱された基板ホルダ４が配置されており、
この基板ホルダ４の表面に成膜を施すべき基板５が固定
されている．基板ホルダ４に対向して、表面にマルチホ
ール６を形成した高周波電穫７が配設されており、この
高周波電極７には、高周波電ａ８から整合回路９を介し
て高周波電圧が印加される．成膜のための反応ガスは、
ガス供給源ｌＯからマスフローコントローラ１１および
弁ｌ２を介してガス導入口ｌ３に導かれ、このガス導入
口ｌ３から高周波電掻７内に形成したガス導入路ｌ４を
介して前記マルチホール６から真空チャンバ２内に供給
される。反応ガスの流量は前記マスフローコントローラ
１１により制御することができる．１５は絶縁体であっ
て、高周波電極７と、高周波電極を兼ねる前記基板ホル
ダ４との間を絶縁している。
薄膜形成装置および薄膜形成方法に関するものである． 〔従来の技術〕 典型的な先行技術は第４図に示されている．真空ボンプ
ｌにより真空俳気された真空チャンバ２内には、ヒータ
３によって加熱された基板ホルダ４が配置されており、
この基板ホルダ４の表面に成膜を施すべき基板５が固定
されている．基板ホルダ４に対向して、表面にマルチホ
ール６を形成した高周波電穫７が配設されており、この
高周波電極７には、高周波電ａ８から整合回路９を介し
て高周波電圧が印加される．成膜のための反応ガスは、
ガス供給源ｌＯからマスフローコントローラ１１および
弁ｌ２を介してガス導入口ｌ３に導かれ、このガス導入
口ｌ３から高周波電掻７内に形成したガス導入路ｌ４を
介して前記マルチホール６から真空チャンバ２内に供給
される。反応ガスの流量は前記マスフローコントローラ
１１により制御することができる．１５は絶縁体であっ
て、高周波電極７と、高周波電極を兼ねる前記基板ホル
ダ４との間を絶縁している。
高周波電極７と基板ホルダ４との間に印加される高周波
は、マルチホール６から真空チャンバ２内に導かれた反
応ガスを放電させてプラズマを生成させる．このプラズ
マ中のガスイオンなどの気相化学反応により、基板５の
表面への成膜が行われる。
は、マルチホール６から真空チャンバ２内に導かれた反
応ガスを放電させてプラズマを生成させる．このプラズ
マ中のガスイオンなどの気相化学反応により、基板５の
表面への成膜が行われる。
〔発明が解決しようとする課題］
上述のような先行技術では、基板５の表面に対する成膜
が行われるとともに、高周波電極７の表面にも膜が堆積
される．これによって、マルチホール６に目づまりが生
じ、このため反応ガスの供給が良好に行われなくなり、
反応ガスの流量などを適正に制御することができなくな
るおそれかある． また、真空チャンバ２の内壁面は大部分がプラズマにさ
らされることになり、したがってこの内壁面にも膜が形
成され、この内壁面の膜が剥離して基板５上に運ばれる
ことにより、この基板５の表面に多量のパーティクルが
生じるという問題もある． この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、成膜が
格段に良好に行われるようにした薄膜形成装置および薄
膜形成方法を提供することである。
が行われるとともに、高周波電極７の表面にも膜が堆積
される．これによって、マルチホール６に目づまりが生
じ、このため反応ガスの供給が良好に行われなくなり、
反応ガスの流量などを適正に制御することができなくな
るおそれかある． また、真空チャンバ２の内壁面は大部分がプラズマにさ
らされることになり、したがってこの内壁面にも膜が形
成され、この内壁面の膜が剥離して基板５上に運ばれる
ことにより、この基板５の表面に多量のパーティクルが
生じるという問題もある． この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、成膜が
格段に良好に行われるようにした薄膜形成装置および薄
膜形成方法を提供することである。
この発明のＦｊｌＷｉ形成装置は、基板ホルダと高周波
電極との間の空間を、前記基板ホルダおよび高周波電極
とともに包囲するガスカップと、前記高周波電極の側部
から前記包囲された空間に反応ガスを導入するガスノズ
ルと、 前記高周波電極およびガスカップを冷却する冷却手段と
を備えたことを特徴とする。
電極との間の空間を、前記基板ホルダおよび高周波電極
とともに包囲するガスカップと、前記高周波電極の側部
から前記包囲された空間に反応ガスを導入するガスノズ
ルと、 前記高周波電極およびガスカップを冷却する冷却手段と
を備えたことを特徴とする。
また、この発明の薄膜形成方法は、上記薄膜形成装置に
おいて基板を加熱するための加熱手段を設け、ｆｕｌｌ
４形成開始直後にはこの加熱手段による基板加熱のみを
行って前記基板表面における反応ガスの熱反応により成
膜を行い、その後は前記加熱手段による基板加熱と前記
高周波電圧の印加とを併用して反応ガスの気相化学反応
を進行させて成膜を行うことを特徴とする。
おいて基板を加熱するための加熱手段を設け、ｆｕｌｌ
４形成開始直後にはこの加熱手段による基板加熱のみを
行って前記基板表面における反応ガスの熱反応により成
膜を行い、その後は前記加熱手段による基板加熱と前記
高周波電圧の印加とを併用して反応ガスの気相化学反応
を進行させて成膜を行うことを特徴とする。
［作用〕
この発明薄膜形成装置によれば、基板ホルダと高周波電
極との間のプラズマが生成される空間は、前記基板ホル
ダおよび高周波電極ならびにガスカップにより包囲され
、しかも成膜を施すべき基板が配置される基板ホルダ以
外の前記高周波電極およびガスカップは冷華手段により
冷却される．これによって、成膜の対象でない部分であ
ってプラズマにさらされる部分の面積は、高周波電極と
ガスカップとの各表面の比較的小さい面積に限定される
とともに、これらが冷却されている結果として、これら
の表面で成膜が行われることが防がれるようになる．こ
のようにして、パーティクルの発生が抑えられる。
極との間のプラズマが生成される空間は、前記基板ホル
ダおよび高周波電極ならびにガスカップにより包囲され
、しかも成膜を施すべき基板が配置される基板ホルダ以
外の前記高周波電極およびガスカップは冷華手段により
冷却される．これによって、成膜の対象でない部分であ
ってプラズマにさらされる部分の面積は、高周波電極と
ガスカップとの各表面の比較的小さい面積に限定される
とともに、これらが冷却されている結果として、これら
の表面で成膜が行われることが防がれるようになる．こ
のようにして、パーティクルの発生が抑えられる。
また、反応ガスは前記高周波電極の側部に配置したガス
ノズルから、前記ガスカップなどによって包囲された空
間に導かれる。すなわち、ガスノズルはプラズマが生成
される空間を避けた位置に配置されているので、このガ
スノズルに膜が形成されることを防いで、このガスノズ
ルが目づまりしたりなどすることを防ぐことができる。
ノズルから、前記ガスカップなどによって包囲された空
間に導かれる。すなわち、ガスノズルはプラズマが生成
される空間を避けた位置に配置されているので、このガ
スノズルに膜が形成されることを防いで、このガスノズ
ルが目づまりしたりなどすることを防ぐことができる。
また、この発明の薄膜形成方法によれば、上述の薄膜形
成装置において基板を加熱する加熱手段が設けられ、こ
の基板に対する成膜形成開始直後には、高周波電圧の印
加を行わずに基板加熱のみによって成膜が行われる。こ
の成膜は基板表面での反応ガスの熱反応によって進行し
、したがってステップ力バレージの良好な膜が形成され
る。
成装置において基板を加熱する加熱手段が設けられ、こ
の基板に対する成膜形成開始直後には、高周波電圧の印
加を行わずに基板加熱のみによって成膜が行われる。こ
の成膜は基板表面での反応ガスの熱反応によって進行し
、したがってステップ力バレージの良好な膜が形成され
る。
この基板加熱のみによる成膜の後には、基板加熱ととも
に、前記尽板ホルダと高周波電極との間に高周波電圧が
印加され、これによって反応ガスが放電してプラズマが
生成し、このようにして活性化した反応ガスの気相化学
反応を進行させることによって成膜が進行するので、膜
の形成を高速に行うことができる． このようにして、全体としてステップ力バレージが良好
な膜を高速に形成することができるようになる． 〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例の薄膜形成装置の基本的な
構成を示す概念図である。この薄膜形成装置はいわゆる
枚葉処理型の平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、
真空チャンバ２ｌ内に互いに平行に配置した基板ホルダ
２２と高周波電極２３とを備えている．基板ホルダ２２
はヒータ２４により加熱されており、その表面には成膜
を施すべき基板２５が固定して配置される。この基板２
５はたとえばＭｏやＳＵＳやカーボンなどの導電性材料
でできている． 基板ホルダ２２および高周波電極２３に関連して、基板
ホルダ２２と高周波電極２３との間の空間をこれらとと
もに包囲するガスカップ２６が設けられている．前記包
囲された空間には、高周波電極２３の側部に設けたガス
ノズル２７から、反応ガスが導入される．ガスノズル２
７は、その吐出口２７ａが、ガスカップ２６の側壁に向
けられている． ガスカソプ２６などによって包囲された空間は、真空チ
ャンバ２ｌ内の空間が真空ポンプ２８によって俳気され
ることにより、ガスカップ２６と基板ホルダ２２との間
に生じている隙間２９から排気されて減圧される。この
実施例では、高周波電極２３はガスカップ２６とともに
、図示しない構成によって基板ホルダ２２に対して近接
／Ｍ反変位が自在であるようにされており、したがって
この高周波電極２３をガスカップ２６とともに変位させ
ることにより、隙間２９の大きさを変化させて、ガスカ
ップ２６などにより包囲された空間の圧力の調整を行う
ことができるとともに、高周波電極２３と基板ホルダ２
２との間の距離の調整が可能である． 前記高周波電極２３およびガスカップ２６は、これらに
形成された冷却水路３０．３１に供給される冷却水によ
り冷却されている．３２．３３は基板ホルダ２２と高周
波電極２３との間を絶縁するための絶縁体である． ガスノズル２７の吐出口２７ａから、ガスカップ２６の
側壁に向けて吐き出される反応ガスは、冷却されたガス
カップ２６の近傍と、ヒータ２４で加熱された基板ホル
ダ２２上の空間との間に生じている熱勾配により、第１
図において参照符号ｌ１で示すようにして基板２５上の
空間に導かれ、そして隙間２９を介して排気される。
に、前記尽板ホルダと高周波電極との間に高周波電圧が
印加され、これによって反応ガスが放電してプラズマが
生成し、このようにして活性化した反応ガスの気相化学
反応を進行させることによって成膜が進行するので、膜
の形成を高速に行うことができる． このようにして、全体としてステップ力バレージが良好
な膜を高速に形成することができるようになる． 〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例の薄膜形成装置の基本的な
構成を示す概念図である。この薄膜形成装置はいわゆる
枚葉処理型の平行平板型プラズマＣＶＤ装置であって、
真空チャンバ２ｌ内に互いに平行に配置した基板ホルダ
２２と高周波電極２３とを備えている．基板ホルダ２２
はヒータ２４により加熱されており、その表面には成膜
を施すべき基板２５が固定して配置される。この基板２
５はたとえばＭｏやＳＵＳやカーボンなどの導電性材料
でできている． 基板ホルダ２２および高周波電極２３に関連して、基板
ホルダ２２と高周波電極２３との間の空間をこれらとと
もに包囲するガスカップ２６が設けられている．前記包
囲された空間には、高周波電極２３の側部に設けたガス
ノズル２７から、反応ガスが導入される．ガスノズル２
７は、その吐出口２７ａが、ガスカップ２６の側壁に向
けられている． ガスカソプ２６などによって包囲された空間は、真空チ
ャンバ２ｌ内の空間が真空ポンプ２８によって俳気され
ることにより、ガスカップ２６と基板ホルダ２２との間
に生じている隙間２９から排気されて減圧される。この
実施例では、高周波電極２３はガスカップ２６とともに
、図示しない構成によって基板ホルダ２２に対して近接
／Ｍ反変位が自在であるようにされており、したがって
この高周波電極２３をガスカップ２６とともに変位させ
ることにより、隙間２９の大きさを変化させて、ガスカ
ップ２６などにより包囲された空間の圧力の調整を行う
ことができるとともに、高周波電極２３と基板ホルダ２
２との間の距離の調整が可能である． 前記高周波電極２３およびガスカップ２６は、これらに
形成された冷却水路３０．３１に供給される冷却水によ
り冷却されている．３２．３３は基板ホルダ２２と高周
波電極２３との間を絶縁するための絶縁体である． ガスノズル２７の吐出口２７ａから、ガスカップ２６の
側壁に向けて吐き出される反応ガスは、冷却されたガス
カップ２６の近傍と、ヒータ２４で加熱された基板ホル
ダ２２上の空間との間に生じている熱勾配により、第１
図において参照符号ｌ１で示すようにして基板２５上の
空間に導かれ、そして隙間２９を介して排気される。
基板ホルダ２２と高周波電極２３との間に高周波電源３
４から整合回路３５を介して高周波電圧が印加されると
、ガスノズル２７の吐出口２７ａから基板ホルダ２２と
高周波電極２３との間の空間に導かれた反応ガスの放電
が生じ、プラズマが生成される．このようにして、励起
され、またイオン化された反応ガスの気相化学反応によ
り、基板２５表面に膜が堆積される． ガスカップ２６などにより包囲された空間のガス圧の調
整は、高周波電極２３とともにこのガスカップ２６を変
位させて隙間２９の大きさを変化させることにより行う
ことができ、これによって成膜速度の調整が行われる．
また、高周波電極２３と基板ホルダ２２との間の距離の
調整により、基板２５の全表面にわたって均一な膜を形
成するための最通な条件を設定することが可能である。
４から整合回路３５を介して高周波電圧が印加されると
、ガスノズル２７の吐出口２７ａから基板ホルダ２２と
高周波電極２３との間の空間に導かれた反応ガスの放電
が生じ、プラズマが生成される．このようにして、励起
され、またイオン化された反応ガスの気相化学反応によ
り、基板２５表面に膜が堆積される． ガスカップ２６などにより包囲された空間のガス圧の調
整は、高周波電極２３とともにこのガスカップ２６を変
位させて隙間２９の大きさを変化させることにより行う
ことができ、これによって成膜速度の調整が行われる．
また、高周波電極２３と基板ホルダ２２との間の距離の
調整により、基板２５の全表面にわたって均一な膜を形
成するための最通な条件を設定することが可能である。
さらに高周波電極２３の断面形状をたとえば第２図＜１
）または（２）に簡略化して示すような形状に適宜選ぶ
ことにより、基板２５表面に形成される膜の面内均一性
をさらに向上することが可能である．上述のような構成
を有するこの実施例の薄膜形成装置では、高周波１ｔｉ
２３の側部にガスノズル２７を設けており、しかもこの
ガスノズル２７の吐出口２７ａは、高周波電極２３と基
板ホルダ２２との間のプラズマが生成される空間とは反
対側に向けられているので、この吐出口２７ａに膜が形
成されることが防がれ、したがってガスノズル２７の目
づまりが発生することはない． しかも、成膜対象部分（基板２５）以外でブラズマが生
成される空間に対向するのは高周波電極２３およびガス
カップ２６の各表面の比較的小面積の部分に限定されて
おり、またこれらは冷却されているので、これらの表面
に膜が形成されることが防がれ、この結果、パーティク
ルの発生を抑えて、基板２５表面に対する成膜を格段に
良好に行うことができるようになる． また、成膜開始直後には、高周波電極２３および基板ホ
ルダ２２との間に高周波電圧を印加しないようにして、
ヒータ２４による基板加熱のみで基板２５表面での反応
ガスの熱反応により盛膜を行うようにすれば、ステップ
カバレージの良好な膜が形成される．この基板加熱のみ
による成膜の後には、基板加熱とともに高周波電圧を印
加するようにすれば、全体として充分に高速な成膜が可
能である． この実施例の薄膜形成装置では、たとえば半導体装置に
おいて層間絶縁膜として用いられるＬＴＯ （Ｌｏｗ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ ） ｒＩｉ４，
Ｐ Ｓ Ｇ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ
Ｇｌａｓｓ） ｉｌｌ， Ｂ Ｓ Ｇ （ＢｏｒｏＳ
ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ） ＩＩＬ およびホウ素
添加ＰＳＧ膜や、電極材料として用いられる高融点金属
およびポリシリコンや、パッシヘーシジン材料であるシ
リコン酸化物，シリコン窒化物．およびシリコン窒化酸
化吻などの形成が可能である。
）または（２）に簡略化して示すような形状に適宜選ぶ
ことにより、基板２５表面に形成される膜の面内均一性
をさらに向上することが可能である．上述のような構成
を有するこの実施例の薄膜形成装置では、高周波１ｔｉ
２３の側部にガスノズル２７を設けており、しかもこの
ガスノズル２７の吐出口２７ａは、高周波電極２３と基
板ホルダ２２との間のプラズマが生成される空間とは反
対側に向けられているので、この吐出口２７ａに膜が形
成されることが防がれ、したがってガスノズル２７の目
づまりが発生することはない． しかも、成膜対象部分（基板２５）以外でブラズマが生
成される空間に対向するのは高周波電極２３およびガス
カップ２６の各表面の比較的小面積の部分に限定されて
おり、またこれらは冷却されているので、これらの表面
に膜が形成されることが防がれ、この結果、パーティク
ルの発生を抑えて、基板２５表面に対する成膜を格段に
良好に行うことができるようになる． また、成膜開始直後には、高周波電極２３および基板ホ
ルダ２２との間に高周波電圧を印加しないようにして、
ヒータ２４による基板加熱のみで基板２５表面での反応
ガスの熱反応により盛膜を行うようにすれば、ステップ
カバレージの良好な膜が形成される．この基板加熱のみ
による成膜の後には、基板加熱とともに高周波電圧を印
加するようにすれば、全体として充分に高速な成膜が可
能である． この実施例の薄膜形成装置では、たとえば半導体装置に
おいて層間絶縁膜として用いられるＬＴＯ （Ｌｏｗ
Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ ） ｒＩｉ４，
Ｐ Ｓ Ｇ（Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ
Ｇｌａｓｓ） ｉｌｌ， Ｂ Ｓ Ｇ （ＢｏｒｏＳ
ｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ） ＩＩＬ およびホウ素
添加ＰＳＧ膜や、電極材料として用いられる高融点金属
およびポリシリコンや、パッシヘーシジン材料であるシ
リコン酸化物，シリコン窒化物．およびシリコン窒化酸
化吻などの形成が可能である。
本件発明者は、上述のような装置により、以下に示す条
件で、直径６インチ（約１５．２ｃｍ）のウエハ（基板
２５）に対してＳｉｆｔ膜の形成を行っている．このと
き、反応ガスにはＳｉＨａと０２とを用いている。
件で、直径６インチ（約１５．２ｃｍ）のウエハ（基板
２５）に対してＳｉｆｔ膜の形成を行っている．このと
き、反応ガスにはＳｉＨａと０２とを用いている。
ガス流量 ＳｉＨ４： ２０ ｃｃＭＯ．
： ３７ ｃｃＭ ガス圧力 Ｑ，５ Ｔｏｒｒ高周波
電力 ５０ Ｗ成膜速度
１ ０００ 人／ｓｉｎこの例では、上記６インチ
のウエハ表面において観測される粒径０．３μｍ以上の
パーティクルは、２００個以下であることが確Ｌ召され
ている．第４図に示された従来の構成において同様の条
件で成膜を行うと、６インチのウエハ表面では通常数千
個以上のパーティクル（粒径が０．３μｍ以上のもの）
が観測される．このように、この実施例によれば、パー
ティクルの発生が格段に低減され、したがって成膜が良
好に行われることが理解される。
： ３７ ｃｃＭ ガス圧力 Ｑ，５ Ｔｏｒｒ高周波
電力 ５０ Ｗ成膜速度
１ ０００ 人／ｓｉｎこの例では、上記６インチ
のウエハ表面において観測される粒径０．３μｍ以上の
パーティクルは、２００個以下であることが確Ｌ召され
ている．第４図に示された従来の構成において同様の条
件で成膜を行うと、６インチのウエハ表面では通常数千
個以上のパーティクル（粒径が０．３μｍ以上のもの）
が観測される．このように、この実施例によれば、パー
ティクルの発生が格段に低減され、したがって成膜が良
好に行われることが理解される。
また、高周波電極２３の形状の最適化を行うことにより
６インチのウエハで面内均一性±２％が達成された． 第３図はこの発明の他の実施例の構成を簡略化して示す
概念図である．この第３図において、前述の第１図に示
された各部と同等の部分には同一の参照符号を付して示
す。この実栴例では、１つの真空チャンバ４０内に、複
数の基板ホルダ２２と高周波電極２３との対（この実施
例では３対）を収納し、それぞれに関連してガスカップ
２６を設けるようにしている．このような構成によって
も、前述の第１図に示された構成と同等の作用および効
果を達成することができる。
６インチのウエハで面内均一性±２％が達成された． 第３図はこの発明の他の実施例の構成を簡略化して示す
概念図である．この第３図において、前述の第１図に示
された各部と同等の部分には同一の参照符号を付して示
す。この実栴例では、１つの真空チャンバ４０内に、複
数の基板ホルダ２２と高周波電極２３との対（この実施
例では３対）を収納し、それぞれに関連してガスカップ
２６を設けるようにしている．このような構成によって
も、前述の第１図に示された構成と同等の作用および効
果を達成することができる。
以上のようにこの発明の薄膜形成装置によれば、成膜対
象（基板）以外の部分であってプラズマに直接さらされ
る部分の面積は、高周波電極とガスカップとの各表面の
比較的小さい面積に限定され、しかも、これらは冷却さ
れているので、基板表面以外の部分での成膜が防がれる
ようになり、したがってパーティクルの発生を抑えて、
基板に対する成膜を格段に良好に行うことができるよう
になる． また、反応ガスを導くガスノズルはプラズマが生成され
る空間を避けた位置に配置されるので、このガスノズル
に膜が形成されることを防いで、このガスノズｌレが目
づまりしたりなどすることを防ぐことができる。これに
よって、反応ガスの流れの制御を良好に行って、基板に
対する成膜を良好に行わせることができるようになる。
象（基板）以外の部分であってプラズマに直接さらされ
る部分の面積は、高周波電極とガスカップとの各表面の
比較的小さい面積に限定され、しかも、これらは冷却さ
れているので、基板表面以外の部分での成膜が防がれる
ようになり、したがってパーティクルの発生を抑えて、
基板に対する成膜を格段に良好に行うことができるよう
になる． また、反応ガスを導くガスノズルはプラズマが生成され
る空間を避けた位置に配置されるので、このガスノズル
に膜が形成されることを防いで、このガスノズｌレが目
づまりしたりなどすることを防ぐことができる。これに
よって、反応ガスの流れの制御を良好に行って、基板に
対する成膜を良好に行わせることができるようになる。
また、この発明のＦ！膜形成方法によれば、上述の薄膜
形成装置において基仮を加熱する加熱手段が設けられ、
この基板に対する成膜形成開始直後には、高周波電圧の
印加を行わずに基板加熱のみによって成膜が行われる。
形成装置において基仮を加熱する加熱手段が設けられ、
この基板に対する成膜形成開始直後には、高周波電圧の
印加を行わずに基板加熱のみによって成膜が行われる。
この成膜は基板表面での反応ガスの熱反応によって進行
し、したがってステンブカバレージの良好な膜が形成さ
れる．この基板加熱のみによる成膜の後には、基板加熱
とともに、前記基板ホルダと高周波電極との間に高周波
電圧が印加され、これによって膜の形成を高速に行うこ
とができる。このようにして、ステンブカバレージが良
好な膜を高速に形成することができるようになる。
し、したがってステンブカバレージの良好な膜が形成さ
れる．この基板加熱のみによる成膜の後には、基板加熱
とともに、前記基板ホルダと高周波電極との間に高周波
電圧が印加され、これによって膜の形成を高速に行うこ
とができる。このようにして、ステンブカバレージが良
好な膜を高速に形成することができるようになる。
第１図はこの発明の一実施例の薄膜形成装置の基本的な
構成を示す概念図、第２図は高周波電極２３の断面形状
の一例を示す簡略化した断面図、第３図はこの発明の他
の実施例の構成を簡略化して示す概念図、第４図は先行
技術の基本的な構成を示す概念図である．
構成を示す概念図、第２図は高周波電極２３の断面形状
の一例を示す簡略化した断面図、第３図はこの発明の他
の実施例の構成を簡略化して示す概念図、第４図は先行
技術の基本的な構成を示す概念図である．
Claims (2)
- （１）真空チャンバ内に反応ガスを導入し、互いに平行
に配置した基板ホルダと高周波電極との間に高周波電圧
を印加して前記反応ガスを放電させてプラズマを生成し
、前記基板ホルダ表面に配置した基板に対して成膜を施
す薄膜形成装置において、 前記基板ホルダと高周波電極との間の空間を、前記基板
ホルダおよび高周波電極とともに包囲するガスカップと
、 前記高周波電極の側部から前記包囲された空間に前記反
応ガスを導入するガスノズルと、前記高周波電極および
ガスカップを冷却する冷却手段とを備えたことを特徴と
する薄膜形成装置。 - （２）請求項（１）記載の薄膜形成装置において前記基
板を加熱するための加熱手段を設け、薄膜形成開始直後
にはこの加熱手段による基板加熱のみを行って前記基板
表面における反応ガスの熱反応により成膜を行い、その
後は前記加熱手段による基板加熱と前記高周波電圧の印
加とを併用して反応ガスの気相化学反応を進行させて成
膜を行うことを特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5848589A JPH07100867B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5848589A JPH07100867B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02236283A true JPH02236283A (ja) | 1990-09-19 |
| JPH07100867B2 JPH07100867B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=13085730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5848589A Expired - Fee Related JPH07100867B2 (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07100867B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04198480A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Canon Inc | 機能性堆積膜製造装置 |
| JP2008150681A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dialight Japan Co Ltd | 直流プラズマ成膜装置 |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP5848589A patent/JPH07100867B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04198480A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-17 | Canon Inc | 機能性堆積膜製造装置 |
| JP2008150681A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Dialight Japan Co Ltd | 直流プラズマ成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07100867B2 (ja) | 1995-11-01 |
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