JPH1154440A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH1154440A JPH1154440A JP22062597A JP22062597A JPH1154440A JP H1154440 A JPH1154440 A JP H1154440A JP 22062597 A JP22062597 A JP 22062597A JP 22062597 A JP22062597 A JP 22062597A JP H1154440 A JPH1154440 A JP H1154440A
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- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】多数の微細穴を有するシャワープレートから反
応ガスをウエハ表面に流出することによりウエハ表面に
形成される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能にする半
導体製造装置の提供。 【解決手段】シャワープレート３上部に不活性ガスを流
入する不活性ガス吹出ノズル１７を設け、不活性ガスの
流量をコントロールすることにより、高周波導通板５と
シャワープレート３により狭窄された空間に拡散した反
応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおいて希釈
し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応ガスを
シャワープレート３の微細穴からウエハ１０表面に流出
し、ウエハ１０表面で反応する反応ガスに濃度差を付け
ることにより、ウエハ１０表面に形成される膜の成膜速
度をウエハ１０表面の特定エリアにおいて制御する。
応ガスをウエハ表面に流出することによりウエハ表面に
形成される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能にする半
導体製造装置の提供。 【解決手段】シャワープレート３上部に不活性ガスを流
入する不活性ガス吹出ノズル１７を設け、不活性ガスの
流量をコントロールすることにより、高周波導通板５と
シャワープレート３により狭窄された空間に拡散した反
応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおいて希釈
し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応ガスを
シャワープレート３の微細穴からウエハ１０表面に流出
し、ウエハ１０表面で反応する反応ガスに濃度差を付け
ることにより、ウエハ１０表面に形成される膜の成膜速
度をウエハ１０表面の特定エリアにおいて制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特にウェハ表面に多数の微細穴よりガスを流出し成
膜またはエッチング等の処置を行う半導体製造装置に関
する。
し、特にウェハ表面に多数の微細穴よりガスを流出し成
膜またはエッチング等の処置を行う半導体製造装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の半導体製造装置は、反応
ガスをウェハ表面に供給し、ウェハ表面に均一な膜を生
成、もしくはエッチングすることを目的として用いられ
ている。
ガスをウェハ表面に供給し、ウェハ表面に均一な膜を生
成、もしくはエッチングすることを目的として用いられ
ている。
【０００３】図４に、従来の半導体製造装置の一例とし
て、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）
装置の反応室の断面図を示す。図４を参照すると、反応
室上蓋２内には、高周波を導通させるためのユニット
（以下「高周波導通板」という）５と、ガスを流出する
ための多数の微細穴が規則的に開いてるプレート（以下
「シャワープレート」という）３とが組み込まれてお
り、シャワープレート３は、サセプター８と平行に反応
室上蓋２内の高周波導通板５に固定されている。シャワ
ープレート３は、高周波発振器１６の電極を兼ね備えて
おり、グランド側にあたるサセプター８に向けて高周波
を発振する。サセプター８にはヒータ９が埋め込まれて
おり、サセプター８表面に置かれるウェハ１０の加熱を
行う。
て、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）
装置の反応室の断面図を示す。図４を参照すると、反応
室上蓋２内には、高周波を導通させるためのユニット
（以下「高周波導通板」という）５と、ガスを流出する
ための多数の微細穴が規則的に開いてるプレート（以下
「シャワープレート」という）３とが組み込まれてお
り、シャワープレート３は、サセプター８と平行に反応
室上蓋２内の高周波導通板５に固定されている。シャワ
ープレート３は、高周波発振器１６の電極を兼ね備えて
おり、グランド側にあたるサセプター８に向けて高周波
を発振する。サセプター８にはヒータ９が埋め込まれて
おり、サセプター８表面に置かれるウェハ１０の加熱を
行う。
【０００４】反応ガスは、マスフローコントローラ７に
て流量制御され、反応ガス導入管６を流れ、高周波導通
板５とシャワープレート３に狭窄された空間に流入す
る。流入した反応ガスは、緩衝板４により、前記空間中
を拡散しながら、シャワープレート３に多数開いている
微細穴より、反応室１内に流入する。
て流量制御され、反応ガス導入管６を流れ、高周波導通
板５とシャワープレート３に狭窄された空間に流入す
る。流入した反応ガスは、緩衝板４により、前記空間中
を拡散しながら、シャワープレート３に多数開いている
微細穴より、反応室１内に流入する。
【０００５】反応室１内に流入した反応ガスは、プラズ
マおよび熱により反応し、排気管１１へ流出する。な
お、図４において、１２は圧力調整器、１３は真空ポン
プ、１４は真空ゲージ、１５は湿度測定器である。
マおよび熱により反応し、排気管１１へ流出する。な
お、図４において、１２は圧力調整器、１３は真空ポン
プ、１４は真空ゲージ、１５は湿度測定器である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来技術は下記記載の問題点を有している。
来技術は下記記載の問題点を有している。
【０００７】第１の問題点は、シャワープレートの個体
差により、ウェハ表面に形成される膜の膜厚面内均一性
にバラツキが生じる、ということである。
差により、ウェハ表面に形成される膜の膜厚面内均一性
にバラツキが生じる、ということである。
【０００８】その理由は、シャワープレートの製造工程
における加工精度のバラツキにより、シャワープレート
の形状および寸法精度に相違がある、ためである。
における加工精度のバラツキにより、シャワープレート
の形状および寸法精度に相違がある、ためである。
【０００９】第２の問題点は、新品のシャワープレート
を用いてウェハ表面に成膜を行った場合、ウェハの中央
部が周辺部より厚くなる傾向があるが、同一のシャワー
プレートを長期間使用してウェハ表面に成膜を行うと、
ウェハに形成される膜はウェハ表面周辺部がウェハ中央
部より膜厚が厚くなり、膜厚面内均一性が悪化する傾向
がある、ということである。
を用いてウェハ表面に成膜を行った場合、ウェハの中央
部が周辺部より厚くなる傾向があるが、同一のシャワー
プレートを長期間使用してウェハ表面に成膜を行うと、
ウェハに形成される膜はウェハ表面周辺部がウェハ中央
部より膜厚が厚くなり、膜厚面内均一性が悪化する傾向
がある、ということである。
【００１０】その理由は、シャワープレートが長期間に
渡りサセプターに埋め込まれたヒータからの熱輻射およ
びプラズマに起因して熱変形が生じるためである。
渡りサセプターに埋め込まれたヒータからの熱輻射およ
びプラズマに起因して熱変形が生じるためである。
【００１１】したがって本発明は、上記問題点に鑑みて
なされたものであって、その目的は、ウェハ表面に形成
される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能とし、膜厚の
面内均一性が悪化した場合にも膜厚の面内均一性を改善
可能とする半導体製造装置を提供することにある。
なされたものであって、その目的は、ウェハ表面に形成
される膜の膜厚の面内均一性の調整を可能とし、膜厚の
面内均一性が悪化した場合にも膜厚の面内均一性を改善
可能とする半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の半導体製造装置は、反応ガスをウェハ表面に供
給する微細穴の流出口の直前に、少なくとも１つ以上の
不活性ガスの吹き出し口を具備したことを特徴とする。
本発明の半導体製造装置は、反応ガスをウェハ表面に供
給する微細穴の流出口の直前に、少なくとも１つ以上の
不活性ガスの吹き出し口を具備したことを特徴とする。
【００１３】また、本発明においては、前記不活性ガス
が吹き出る箇所近傍における前記微細穴の配置が他の部
位よりも密である、ことを特徴とする。
が吹き出る箇所近傍における前記微細穴の配置が他の部
位よりも密である、ことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について説明
する。本発明の半導体製造装置は、その好ましい実施の
形態において、シャワープレート上部に不活性ガスを流
入するノズル（「不活性ガス吹出ノズル」という）を設
け、不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間で拡
散した反応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおい
て希釈し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応
ガスをシャワープレートの微細穴からウェハ表面に流出
し、このように、ウェハ表面で反応する反応ガスに濃度
差を付けることにより、ウェハ表面に形成される膜の成
膜速度をウェハ表面の特定エリアにおいて制御する手段
を備えたものである。
する。本発明の半導体製造装置は、その好ましい実施の
形態において、シャワープレート上部に不活性ガスを流
入するノズル（「不活性ガス吹出ノズル」という）を設
け、不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
高周波導通板とシャワープレートに狭窄された空間で拡
散した反応ガスの濃度を、前記空間の特定エリアにおい
て希釈し、前記空間の他エリアと比べて希釈された反応
ガスをシャワープレートの微細穴からウェハ表面に流出
し、このように、ウェハ表面で反応する反応ガスに濃度
差を付けることにより、ウェハ表面に形成される膜の成
膜速度をウェハ表面の特定エリアにおいて制御する手段
を備えたものである。
【００１５】本発明の実施の形態においては、ウェハ表
面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の特定エリ
アに対し、ウェハ表面の他のエリアと比べて希釈された
反応ガスをウェハ表面に流出することができる。このた
め、ウェハ表面に形成された膜の膜厚の面内均一性を調
整することができる。
面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の特定エリ
アに対し、ウェハ表面の他のエリアと比べて希釈された
反応ガスをウェハ表面に流出することができる。このた
め、ウェハ表面に形成された膜の膜厚の面内均一性を調
整することができる。
【００１６】
【実施例】上記した実施の形態について更に詳細に説明
すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に
説明する。図１は、本発明の一実施例をなすプラズマＣ
ＶＤ装置の反応室の断面図である。なお図１において、
図４と同一又は同等の要素には同一の参照番号が付され
ている。
すべく、本発明の実施例について図面を参照して以下に
説明する。図１は、本発明の一実施例をなすプラズマＣ
ＶＤ装置の反応室の断面図である。なお図１において、
図４と同一又は同等の要素には同一の参照番号が付され
ている。
【００１７】図１を参照すると、本実施例において、反
応室上蓋２内の高周波導通板５にシャワープレート３を
取り付け、高周波導通板５とシャワープレート３により
狭窄した空間を設ける。また、反応室上蓋２上部に、反
応ガスを流入するための反応ガス導入管６を接続する。
応室上蓋２内の高周波導通板５にシャワープレート３を
取り付け、高周波導通板５とシャワープレート３により
狭窄した空間を設ける。また、反応室上蓋２上部に、反
応ガスを流入するための反応ガス導入管６を接続する。
【００１８】高周波導通板５とシャワープレート３によ
り狭窄された空間に、反応ガスを前記空間内で拡散させ
るための緩衝板４を設け、その緩衝板４の中央部に、不
活性ガス吹出ノズル１７を取り付ける。
り狭窄された空間に、反応ガスを前記空間内で拡散させ
るための緩衝板４を設け、その緩衝板４の中央部に、不
活性ガス吹出ノズル１７を取り付ける。
【００１９】シャワープレート３には、ガスを反応室１
内に流出させるための多数の微細穴が設けられている。
またシャワープレート３は、導電性の材質で製作されて
おり、グランド側であるサセプター８に対して高周波を
発振する電極を兼ね備えている。
内に流出させるための多数の微細穴が設けられている。
またシャワープレート３は、導電性の材質で製作されて
おり、グランド側であるサセプター８に対して高周波を
発振する電極を兼ね備えている。
【００２０】またサセプター８には、ヒータ９が埋め込
まれており、サセプター８表面に置かれるウェハ１０を
加熱する。
まれており、サセプター８表面に置かれるウェハ１０を
加熱する。
【００２１】図２は、不活性ガス吹出ノズル１７の詳細
を示す断面図である。緩衝板４の中央部に取り付けられ
た不活性ガス吹出ノズル１７は、セラミック等の絶縁材
料で製作され、不活性ガス吹出ノズル１７の先端部の側
面周囲には複数の微細穴が開いている。
を示す断面図である。緩衝板４の中央部に取り付けられ
た不活性ガス吹出ノズル１７は、セラミック等の絶縁材
料で製作され、不活性ガス吹出ノズル１７の先端部の側
面周囲には複数の微細穴が開いている。
【００２２】不活性ガス吹出ノズル１７の上端部は、不
活性ガス導入管１８に挿入されており、マスフローコン
トローラ１９により流量制御された不活性ガスを流入す
る。
活性ガス導入管１８に挿入されており、マスフローコン
トローラ１９により流量制御された不活性ガスを流入す
る。
【００２３】次に、本実施例における反応室１内へのガ
スの流れについて説明する。反応ガス導入管６より反応
室上蓋２内に流入した反応ガスは、緩衝板４により高周
波導通板５とシャワープレート３で狭窄された空間に拡
散する。一方、流量制御した不活性ガスを不活性ガス吹
出ノズル１７よりシャワープレート３上面に流すことに
より、シャワープレート３中央部の反応ガス濃度は希釈
され、ウェハ１０中央部はウェハ１０表面周辺部と比べ
て成膜速度が遅くなり、ウェハ１０表面に形成される膜
厚を薄くすることが可能である。
スの流れについて説明する。反応ガス導入管６より反応
室上蓋２内に流入した反応ガスは、緩衝板４により高周
波導通板５とシャワープレート３で狭窄された空間に拡
散する。一方、流量制御した不活性ガスを不活性ガス吹
出ノズル１７よりシャワープレート３上面に流すことに
より、シャワープレート３中央部の反応ガス濃度は希釈
され、ウェハ１０中央部はウェハ１０表面周辺部と比べ
て成膜速度が遅くなり、ウェハ１０表面に形成される膜
厚を薄くすることが可能である。
【００２４】さらに、不活性ガスの流量をマスフローコ
ントローラ１９で調整することにより、ウェハ１０表面
に形成される膜の膜厚の面内均一性が悪い場合、および
長期間の使用により面内均一性が悪化した場合に、シャ
ワープレート３を交換せずに、膜厚の面内均一性を改善
できる。
ントローラ１９で調整することにより、ウェハ１０表面
に形成される膜の膜厚の面内均一性が悪い場合、および
長期間の使用により面内均一性が悪化した場合に、シャ
ワープレート３を交換せずに、膜厚の面内均一性を改善
できる。
【００２５】図３は、本発明の第二の実施例の構成を示
す図である。図３において、図１と同一の要素には同一
の参照番号が付されている。図３を参照すると、本発明
の第二の実施例においては、シャワープレート３に多数
設けられている微細穴を不活性ガス吹出ノズル１７下部
近傍に多数設け、ウェハ表１０面に流れるガスを制御し
やすくするようにしたものである。
す図である。図３において、図１と同一の要素には同一
の参照番号が付されている。図３を参照すると、本発明
の第二の実施例においては、シャワープレート３に多数
設けられている微細穴を不活性ガス吹出ノズル１７下部
近傍に多数設け、ウェハ表１０面に流れるガスを制御し
やすくするようにしたものである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハ表面に形成される膜の膜厚およびエッチレート等
の面内均一性を改善するという効果を奏する。
ウェハ表面に形成される膜の膜厚およびエッチレート等
の面内均一性を改善するという効果を奏する。
【００２７】その理由は、本発明においては、反応室に
流入する反応ガスをシャワープレートの特定エリアにお
いて流量調整した不活性ガスを混入させることにより、
ウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の
特定エリアで調整する機能を備えたことによる。
流入する反応ガスをシャワープレートの特定エリアにお
いて流量調整した不活性ガスを混入させることにより、
ウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、ウェハ表面の
特定エリアで調整する機能を備えたことによる。
【００２８】本発明によれば、不活性ガスの流量を調整
することにより、ウェハ表面に形成される膜の膜厚の面
内均一性が悪い場合、および長期間の使用により面内均
一性が悪化した場合に、シャワープレートを交換せず
に、膜厚の面内均一性を改善することができ、歩留り及
び信頼性を向上すると共に、生産性、操作性、及び作業
効率を特段に向上する。
することにより、ウェハ表面に形成される膜の膜厚の面
内均一性が悪い場合、および長期間の使用により面内均
一性が悪化した場合に、シャワープレートを交換せず
に、膜厚の面内均一性を改善することができ、歩留り及
び信頼性を向上すると共に、生産性、操作性、及び作業
効率を特段に向上する。
【図１】本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置反応室
の断面を示す図である。
の断面を示す図である。
【図２】図１の不活性ガス吹出ノズル部の詳細を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の第２二の実施例のプラズマＣＶＤ装置
反応室の断面を示す図である。
反応室の断面を示す図である。
【図４】従来のプラズマＣＶＤ装置反応室の断面を示す
図である。
図である。
１ 反応室 ２ 反応室上蓋 ３ シャワープレート ４ 緩衝板 ５ 高周波導通板 ６ 反応ガス導入管 ７ マスフローコントローラ ８ サセプター ９ ヒータ １０ ウェハ １１ 排気配管 １２ 圧力調整器 １３ 真空ポンプ １４ 真空ゲージ １５ 温度測定器 １６ 高周波発振器 １７ 不活性ガス吹出ノズル １８ 不活性ガス導入管 １９ マスフローコントローラ
Claims (5)
- 【請求項１】反応ガスをウェハ表面に供給する微細穴の
流出口の直前に、少なくとも１つ以上の不活性ガスの吹
き出し口を具備したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記不活性ガスが吹き出る箇所の近傍にお
ける前記微細穴の配置が他の部位よりも密である、こと
を特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】シャワープレートの所定の領域にその流量
が調整可能な不活性ガスを混入させることにより、反応
室のウェハ表面に流出する反応ガスの濃度を、前記ウェ
ハ表面の前記所定の領域で調整する手段を備えたことを
特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】反応室上蓋内の高周波導通板に取り付けら
れたシャワープレート上部に不活性ガスを流入する不活
性ガス吹出ノズルを設け、 前記不活性ガスの流量をコントロールすることにより、
前記高周波導通板と前記シャワープレートにより区画さ
れる空間に拡散した反応ガスの濃度を、前記空間の前記
不活性ガス吹出ノズルが配置される領域で希釈し、前記
空間の他の領域と比べて希釈された反応ガスを前記シャ
ワープレートの微細穴から反応室のウェハ表面に流出さ
せ、前記ウェハ表面へ流出する反応ガスの濃度を、前記
ウェハ表面の特定領域で調整可能としたことを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項５】前記シャワープレートの微細穴が、前記不
活性ガス吹出ノズル下部近傍において前記シャワープレ
ートの他の領域の微細穴よりも密に設けられた、ことを
特徴とする請求項３記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220625A JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220625A JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154440A true JPH1154440A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3036477B2 JP3036477B2 (ja) | 2000-04-24 |
Family
ID=16753914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220625A Expired - Fee Related JP3036477B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3036477B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003159A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| KR100406174B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
| JP2004531906A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
| US20090266911A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| CN102234791A (zh) * | 2010-05-05 | 2011-11-09 | 财团法人工业技术研究院 | 气体分布喷洒模块与镀膜设备 |
| US8307781B2 (en) | 2003-11-07 | 2012-11-13 | Shimadzu Corporation | Surface wave excitation plasma CVD system |
| US9177839B2 (en) | 2008-03-06 | 2015-11-03 | Tokyo Electron Limited | Cover part, process gas diffusing and supplying unit, and substrate processing apparatus |
| US9484213B2 (en) | 2008-03-06 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Limited | Processing gas diffusing and supplying unit and substrate processing apparatus |
| KR20170016771A (ko) * | 2015-08-04 | 2017-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP9220625A patent/JP3036477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001003159A1 (en) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6432831B2 (en) | 1999-06-30 | 2002-08-13 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| KR100406174B1 (ko) * | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
| JP2004531906A (ja) * | 2001-06-29 | 2004-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体処理のための方向付けられたガスの射出装置 |
| JP2006527308A (ja) * | 2003-06-13 | 2006-11-30 | サン−ゴバン グラス フランス | 障壁支持体上に配置されたパネルの吹付け処理 |
| US8307781B2 (en) | 2003-11-07 | 2012-11-13 | Shimadzu Corporation | Surface wave excitation plasma CVD system |
| US9177839B2 (en) | 2008-03-06 | 2015-11-03 | Tokyo Electron Limited | Cover part, process gas diffusing and supplying unit, and substrate processing apparatus |
| US9484213B2 (en) | 2008-03-06 | 2016-11-01 | Tokyo Electron Limited | Processing gas diffusing and supplying unit and substrate processing apparatus |
| US8308865B2 (en) * | 2008-04-24 | 2012-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| US20090266911A1 (en) * | 2008-04-24 | 2009-10-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Showerhead for chemical vapor deposition and chemical vapor deposition apparatus having the same |
| CN102234791A (zh) * | 2010-05-05 | 2011-11-09 | 财团法人工业技术研究院 | 气体分布喷洒模块与镀膜设备 |
| KR20170016771A (ko) * | 2015-08-04 | 2017-02-14 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 |
| CN106449468A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置、衬底处理系统及半导体器件的制造方法 |
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