KR101004927B1 - Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 - Google Patents

Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 CVD용 샤워 헤드는 유입되는 반응가스를 저장하고, 저장된 상기 반응가스를 반응챔버로 공급되도록 하는 헤드; 및 상기 헤드를 지지하도록 상기 헤드와 상기 반응챔버를 관통하여 결합되는 지지부재;를 포함한다.
샤워 헤드, 반응챔버, 서셉터, 반응가스, 화학 기상 증착

Description

ＣＶＤ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치{Showerhead and Chemical Vapor Deposition Apparatus Having the Same}
본 발명은 CVD용 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반응가스의 분사구조를 개선한 CVD용 샤워 헤드와 이를 갖는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
일반적으로 화학 기상 증착(CVD: Chemical Vapor Deposition)은 반응 챔버내로 공급된 반응가스가 가열된 웨이퍼의 상부표면에서 화학반응을 통하여 박막을 성장시키는 것이다. 이러한 박막 성장법은 액상 성장법에 비해서 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다.
일반적인 화학 기상 증착 장치는 소정 크기의 내부공간을 갖는 반응 챔버와, 그 내부공간에 설치되어 증착 대상물인 웨이퍼를 탑재하는 서셉터와, 상기 서셉터와 인접하도록 구비되어 소정의 열을 가하는 가열수단, 그리고 상기 서셉터가 탑재하는 웨이퍼로 반응가스를 분사하는 샤워 헤드를 포함하여 구성된다.
본 발명의 목적은 헤드가 온도차에 의한 열변형 및 자중에 의해 아래로 휘는 것을 방지할 수 있는 CVD용 샤워 헤드를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 헤드간의 조립공정을 단순화하고 조립에 소요되는 시간을 줄여 작업생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감할 수 있는 샤워 헤드를 제공하고자 한다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 서로 다른 반응가스가 혼합되는 길이를 단축하여 반응 챔버 높이를 낮추고 장치의 전체부피를 소형화할 수 있는 화학 기상 증착장치를 제공하고자 한다.
본 발명에 따른 CVD용 샤워 헤드는, 유입되는 반응가스를 저장하고, 저장된 상기 반응가스를 반응챔버로 공급되도록 하는 헤드; 및 상기 헤드를 지지하도록 상기 헤드와 상기 반응챔버를 관통하여 결합되는 지지부재;를 포함한다.
또한, 상기 헤드는 유입되는 반응가스를 저장하는 리저버; 및 상기 리저버 내의 반응가스를 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 분사부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 헤드는 제1반응가스를 저장하여 반응챔버로 분사하는 제1헤드; 및 제2반응가스를 저장하여 상기 반응챔버로 분사하는 제2헤드;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1헤드는 제1반응가스를 저장하는 제1 리저버와, 상기 제1 리저버 내의 제1반응가스가 반응챔버로 공급되도록 하는 적어도 하나의 제1분사부를 구비하며, 상기 제2헤드는 상기 제1분사부가 관통하는 소정 크기의 제2분사부와, 상기 제2분사부를 관통한 상기 제1분사부와 상기 제2분사부 사이에 형성되어 상기 반응챔버로 제2 리저버 내의 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 구비하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 가스유로는 상기 제2분사부의 내면과 상기 제1분사부의 외면 사이에 형성된 소정 크기의 간격을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1분사부는 상기 제1반응가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 가스관을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제2분사부는 상기 제1분사부가 관통하는 소정 크기의 홀을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1분사부의 중심과 상기 제2분사부의 중심이 서로 실질적으로 일치되도록 한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1분사부의 하단과 상기 제2분사부의 하단은 실질적으로 동일한 수평 레벨에 배치되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 상기 헤드가 걸림고정되는 하부 플랜지부; 상기 하부 플랜지부를 하단면에 구비하며, 중공형의 통구조를 가지는 몸체부; 및 상기 몸체부의 상단면에 구비되며, 상기 반응챔버의 외측 상단면에 걸림고정되는 상부 플랜지부;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 상기 헤드 및 상기 반응챔버의 중심과 실질적으로 대칭을 이루도록 적어도 하나 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반응챔버의 상부면에 구비되어 냉각수 유로를 형성하는 제3헤드; 및 상기 냉각수 유로로 외부의 냉각수가 유입되도록 상기 제3헤드를 관통하여 상기 지지부재의 내부에 배치되는 냉각수 유입관;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 반응챔버; 유입되는 반응가스를 저장하고, 저장된 상기 반응가스를 반응챔버로 공급되도록 하는 헤드; 및 상기 헤드를 지지하도록 상기 헤드와 상기 반응챔버를 관통하여 결합되는 지지부재;를 포함한다.
또한, 상기 헤드는 유입되는 반응가스를 저장하는 리저버; 및 상기 리저버 내의 반응가스를 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 분사부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 헤드는 제1반응가스를 저장하여 반응챔버로 분사하는 제1헤드; 및 제2반응가스를 저장하여 상기 반응챔버로 분사하는 제2헤드;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제1헤드는 제1반응가스를 저장하는 제1 리저버와, 상기 제1 리저버 내의 제1반응가스가 반응챔버로 공급되도록 하는 적어도 하나의 제1분사부를 구비하며, 상기 제2헤드는 상기 제1분사부가 관통하는 소정 크기의 제2분사부와, 상기 제2분사부를 관통한 상기 제1분사부와 상기 제2분사부 사이에 형성되어 상기 반응챔버로 제2 리저버 내의 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 구비하는 것 을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 상기 헤드가 걸림고정되는 하부 플랜지부; 상기 하부 플랜지부를 하단면에 구비하며, 중공형의 통구조를 가지는 몸체부; 및 상기 몸체부의 상단면에 구비되며, 상기 반응챔버의 외측 상단면에 걸림고정되는 상부 플랜지부;로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 지지부재는 상기 헤드 및 상기 반응챔버의 중심과 실질적으로 대칭을 이루도록 적어도 하나 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 반응챔버의 상부면에 구비되어 냉각수 유로를 형성하는 제3헤드; 및 상기 냉각수 유로로 외부의 냉각수가 유입되도록 상기 제3헤드를 관통하여 상기 지지부재의 내부에 배치되는 냉각수 유입관;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성의 본 발명에 의하면, 지지부재가 헤드와 반응챔버를 관통하여 결합됨으로써 상기 헤드를 지지하여 상기 헤드가 열변형 및 자중에 의해 아래로 휘는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제1헤드의 가스관과 제2헤드의 홀사이에 간격을 형성하도록 조립됨으로서 헤드간의 조립공정을 단순화하고 조립에 소요되는 시간을 줄일 수 있기 때문에 작업생산성을 향상시키고, 제조비용을 절감할 수 있다.
그리고, 서로 다른 반응가스가 혼합되는 길이를 단축함으로써 제2헤드와 서셉터간의 상하간격을 줄일 수 있기 때문에 반응챔버의 전체높이를 낮추어 장치의 소형화 설계를 가능하게 할 수 있고, 반응가스의 소모량을 줄임과 동시에 균일한 가스 유동흐름을 확보하여 균일한 품질의 성장층을 얻을 수 있다.
이하 본 발명에 대해서 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.
도 1(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치를 나타내는 단면도이고, 도 1(b)는 도 1(a)의 샤워 헤드를 확대한 단면도이며, 도 2는 도 1의 지지부재를 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 1의 샤워 헤드에 지지부재가 결합된 상태를 나타내는 저면도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 장치(100)는 도 1 내지 3에 도시한 바와 같이, 반응챔버(110), 서셉터(120), 가열수단(130) 및 샤워 헤드(200)를 포함한다.
상기 반응챔버(110)는 그 내부로 유입된 반응가스와 증착 대상물인 웨이퍼(2)간의 화학적 기상 반응이 이루어지도록 소정 크기의 내부공간을 제공하며, 내부면에는 고온 분위기를 견딜 수 있도록 단열재가 구비될 수도 있다.
이러한 반응챔버(110)에는 상기 웨이퍼(2)와의 화학적 기상 반응이 종료된 폐가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(119)를 구비한다.
상기 서셉터(120)는 상기 웨이퍼(2)가 탑재되는 포켓을 상부면에 적어도 하나 이상 함몰형성하여 상기 반응챔버(110)의 내부에 배치되는 웨이퍼 지지구조물이다.
이러한 상기 서셉터(120)는 그라파이트(graphite)를 소재로 하여 원반형태로 구비되며, 하부면 정중앙에는 미도시된 구동모터와 연결되는 회전축을 구비함으로써 상기 웨이퍼(2)가 탑재된 서셉터(120)는 상기 구동모터의 회전동력에 의해서 일 방향으로 대략 5 내지 50rpm의 균일속도로 일정하게 회전될 수 있는 것이다.
상기 가열수단(130)은 상기 웨이퍼(2)가 탑재되는 서셉터(120)의 하부면 근방에 배치되어 상기 서셉터(120)에 열을 제공하여 상기 웨이퍼(2)를 가열한다.
이러한 가열수단(130)은 전기히터, 고주파유도, 적외선방사, 레이저 등 중 어느 하나로 구비될 수 있다.
그리고, 상기 반응챔버(110)에는 상기 서셉터(120)의 외부면이나 상기 가열수단(130)에 근접하도록 배치되어 상기 반응챔버(110)의 내부 분위기 온도를 수시로 측정하고, 측정값을 근거로 하여 가열온도를 조절할 수 있도록 온도센서(미도시)를 구비하는 것이 바람직하다.
한편, 상기 샤워 헤드(200)는 상기 서셉터(120)에 탑재된 웨이퍼(2)상으로 적어도 한 종류 이상의 반응가스를 분사하여 상기 반응가스가 웨이퍼(2)에 고르게 접촉할 수 있도록 반응챔버(110)의 상부에 설치되는 구조물이며, 이러한 샤워 헤드(200)는 헤드(210) 및 지지부재(300)를 포함한다.
상기 헤드(210)는 외부로부터 반응가스(G)가 공급되는 공급라인(201)과 연결되어 유입된 상기 반응가스(G)가 내부공간에 채워져 저장하는 적어도 하나의 리저버(R)를 구비하는 구조물이다.
이러한 헤드(210)의 하부면에는 복수개의 분사부(215)를 구비하여 상기 분사부(215)를 통하여 상기 리저버(R) 내의 반응가스(G)가 반응챔버(110)의 내부로 분사되도록 한다.
그리고, 상기 지지부재(300)는 상기 헤드(210)와 상기 반응챔버(110)를 관통 하여 결합되어 상기 헤드(210)를 지지함으로써 상기 헤드(210)가 상기 반응챔버(110) 내의 고온 분위기에서 열변형 및 자중에 의해 아래로 휘는 것을 방지하도록 한다.
이때, 상기 헤드(210)와 반응챔버(110)는 상기 지지부재(300)가 관통결합될 수 있도록 소정 크기의 관통공(111,211)을 각각 구비하며, 상기 지지부재(300)가 결합된 상태에서 틈새가 형성되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
도 2를 참조하여 상기 지지부재(300)를 보다 상세히 설명한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지지부재(300)는 통구조의 몸체부(310) 상단면과 하단면에 상부 플랜지부(330) 및 하부 플랜지부(320)가 각각 구비되는 구조로 이루어진다.
상기 몸체부(310)는 소정 길이의 중공형의 통구조 형상을 가지며, 상기 헤드(210)와 반응챔버(110)의 관통공(111,211)에 끼워져 결합된다. 본 발명의 실시예에서는 상기 몸체부(310)가 원통형의 구조를 가지는 것으로 설명하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
여기서, 상기 몸체부(310)와 관통공(111,211)은 실질적으로 직경이 일치하도록 하여 틈새가 발생하지 않도록 하는 것이 바람직하며, 실링부재(미도시)를 통하여 밀봉을 하는 것도 가능하다.
상기 하부 플랜지부(320)는 상기 몸체부(310)의 하단면에 구비되며, 서셉터(120)와 마주하는 상기 헤드(210)의 하부면이 걸림고정되도록 상기 몸체부(310)의 외주면 방향으로 돌출형성되어 상기 몸체부(310)의 직경보다 큰 직경을 가지도 록 한다.
그리고, 상기 상부 플랜지부(330)는 상기 몸체부(310)의 상단면에 구비되며, 반응챔버(110)의 외측 상부면에 걸림고정되도록 상기 몸체부(310)의 외주면 방향으로 돌출되어 상기 몸체부(310)의 직경보다 큰 직경을 가지도록 한다.
따라서, 상기 헤드(210)와 상기 반응챔버(110)를 관통하여 결합되는 상기 지지부재(300)를 통해 상기 헤드(210)가 상기 반응챔버(110)에 걸림고정되도록 함으로써 상기 헤드(210)가 아래로 휘는 것을 방지하는 것이 가능하다.
이러한 지지부재(300)는 도 3에서와 같이 상기 헤드(210)의 중심축 또는 중심축을 기준으로 대칭을 이루며 복수개 구비하며, 도시된 실시예에 한하지 않고 상기 헤드(210) 및 상기 반응챔버(110)의 중심과 실질적으로 대칭을 이루도록 구비하는 것이 바람직하다.
한편, 도 4 내지 도 5는 본 발명에 따른 CVD용 샤워 헤드의 다른 실시예를 도시한 단면도인데, 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드(200')는 제1헤드(220)와 제2헤드(230)를 포함한다.
상기 제1헤드(220)는 제1반응가스(G1)가 공급되는 제1공급라인(202)과연결되어 상기 제1공급라인(202)을 통하여 제1반응가스(G1)가 내부공간에 채워져 저장되는 제1 리저버(R1)를 구비한다.
이러한 제1헤드(220)의 하부면에는 일정길이를 갖는 제1분사부(225)가 적어도 하나 구비되어 상기 제1분사부(225)를 통하여 상기 제1 리저버(R1) 내의 제1반응가스(G1)가 반응챔버(110)의 내부로 분사되도록 한다.
여기서, 상기 제1분사부(225)는 상기 제1반응가스(G1)를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 가스관(pipe)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
도 4 내지 도 5에서는 제1헤드(220)가 제1분사부(225)를 복수개 구비하여 상기 반응챔버(110)의 상부에 설치된 경우에 관하여 도시하고 있다.
상기 제2헤드(230)는 서셉터(120)와 마주하도록 상기 제1헤드(220)의 아래쪽에 배치되어 스페이서(204)에 의해 상기 제1헤드(220)와 상하 간격을 유지하면서 소정 크기의 내부공간을 가지는 제2 리저버(R2)를 형성한다.
이러한 제2 리저버(R2)는 제2공급라인(203)과 연통되며, 상기 제2공급라인(203)을 통해 유입된 제2반응가스(G2)가 상기 제2 리저버(R2)의 내부공간에 채워져 저장된다.
그리고, 도 5에서와 같이 상기 제2헤드(230)에는 소정 크기의 제2분사부(235)가 마련되어 상기 제1분사부(223)가 관통하여 삽입될 수 있도록 하며, 상기 제1분사부(225)의 외면과 상기 제2분사부(235)의 내면 사이에는 소정의 간격이 형성되도록 한다.
여기서, 상기 제2분사부(235)는 상기 제1분사부(225)의 가스관이 관통하는 소정 크기의 홀(hole)로 이루어지며, 상기 제1헤드(220)에 구비되는 제1분사부(225)의 형성 갯수와 동일한 갯수로 구비되는 것이 바람직하다.
즉, 상기 제2분사부(235)를 관통한 상기 제1분사부(225)와 상기 제2분사부(235) 사이에 소정의 간격이 형성되고, 그 간격은 상기 제2 리저버(R2) 내의 제2반응가스(G2)가 반응챔버(110)로 분사될 수 있도록 하는 가스유로(P)를 형성한다.
따라서, 상기 제1공급라인(202)을 통해 공급되어 제1 리저버(R1) 내에 저장된 제1반응가스(G1)는 제1분사부(225)의 가스관을 통해 반응챔버(110)의 내부로 분사되고, 상기 제2공급라인(203)을 통해 공급되어 제2 리저버(R2) 내에 저장된 제2반응가스(G2)는 상기 가스유로(P)를 통해 반응챔버(110)로 분사되며, 상기 제1분사부(225) 및 제2분사부(235)의 아래쪽 공간에서 서로 혼합된다.
바람직하게, 상기 제1분사부(225)의 중심과 상기 제2분사부(235)의 중심이 실질적으로 서로 일치되도록 함으로써 상기 가스유로(P)를 통한 제2반응가스(G2)의 분사가 보다 균일하게 이루어질 수 있도록 한다.
또한, 상기 제1분사부(225)의 하부단과 상기 제2분사부(235)의 하부단은 상기 제2헤드(230)의 하부면과 실질적으로 동일한 수평 레벨에 배치되도록 함으로써, 가스유로(P)를 통하여 분사되는 제2반응가스(G2)와 상기 제1분사부(225)를 통해 분사되는 제1반응가스(G1) 상호간의 혼합이 보다 원활하게 이루어질 수 있는 것이다.
상기 지지부재(300)는 상술한 도 1의 실시예에서와 마찬가지로 상기 제1헤드(220)와 제2헤드(230)의 각각에 구비된 관통공(221,231) 및 상기 반응챔버(110)에 구비된 관통공(111)을 관통하여 결합된다.
이 경우, 상기 지지부재(300)의 하부 플랜지부(320)에는 상기 제2헤드(230)의 하부면이 걸림고정되고, 상기 지지부재(300)의 몸체부(310)는 상기 제1헤드(220)를 관통하며, 상기 지지부재(300)의 상부 플랜지부(330)는 상기 반응챔버(110)의 외측 상부면에 걸림고정된다.
따라서, 상기 제1분사부(225)의 중심과 제2분사부(235)의 중심이 실질적으로 일치되도록 유지함은 물론 상기 제1헤드(220)와 제2헤드(230)가 아래로 휘는 것을 방지하는 것이 가능하다.
한편, 도 6은 본 발명에 따른 CVD용 샤워 헤드의 또 다른 실시예를 도시한 단면도인데, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드(200'')는 제1헤드(220), 제2헤드(230), 제3헤드(410) 및 냉각수 유입관(415)을 포함한다.
본 실시예에서 상기 제1헤드(220) 및 제2헤드(230)는 상기 도 4 내지 도 5에서 설명한 것과 동일하기 때문에 이하에서는 앞서 설명한 실시예와 중복되는 부분에 관한 설명은 생략하고 제3헤드(410) 및 냉각수 유입관(415)에 관한 구성을 위주로 설명한다.
도 6에서와 같이, 상기 제3헤드(냉각 헤드, 410)는 반응챔버(110)의 외측 상부면에 구비되어 상기 반응챔버(110)와의 사이에 소정 크기의 공간을 가지는 냉각수 유로(WF)를 형성한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서 상기 제3헤드는 상기 반응챔버(110)의 외측 상부면에 구비되는 것으로 설명하고 있으나 이에 한정하는 것은 아니며, 상기 제1헤드(220)와 반응챔버(110) 사이에 구비되어 지지부재(300)의 상부 플랜지부(330)가 걸림고정되는 경우 또한 가능하다.
그리고, 상기 냉각수 유입관(415)은 외부의 냉각수(W)가 상기 냉각수 유로(WF)에 유입되도록 상기 제3헤드(410) 및 냉각수 유로(WF)를 관통하여 상기 지지부재(300)의 내부에 배치된다.
이때, 상기 냉각수 유입관(415)은 실질적으로 상기 지지부재(300)의 내부중심에 위치하도록 하는 것이 바람직하며, 상기 지지부재(300)의 하단면과 이격되도록 하여 냉각수(W)가 상기 지지부재(300)로부터 냉각수 유로(WF)측으로 흘러 배출되도록 한다.
따라서, 반응챔버(110) 내의 고온 분위기에 의해 가열된 제1리저버(220) 내의 제1반응가스(G1)를 유입된 냉각수를 통해 냉각시키도록 하여 화학반응에 의한 기생증착(parasitic deposition)의 발생을 예방하는 것이 가능하다.
도 1(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1(b)는 도 1(a)의 샤워 헤드를 확대한 단면도이다.
도 2는 도 1의 지지부재를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1의 샤워 헤드에 지지부재가 결합된 상태를 나타내는 저면도이다.
도 4(a)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4(b)는 도 4(a)의 샤워 헤드를 확대한 단면도이다.
도 5는 도 4의 샤워 헤드가 분리된 상태를 나타내는 사시도이다.
도 6(a)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 CVD용 샤워 헤드를 나타내는 확대단면도이다.
도 6(b)는 도 6(a)의 지지부재에 냉각수 유입관이 결합된 상태를 나타내는 확대사시도이다.

Claims (19)

  1. 유입되는 반응가스를 저장하고, 저장된 상기 반응가스를 반응챔버로 공급되도록 하는 헤드;
    상기 헤드를 지지하도록 상기 헤드와 상기 반응챔버를 관통하여 결합되는 지지부재;
    상기 반응챔버의 상부면에 구비되어 냉각수 유로를 형성하는 냉각 헤드; 및
    상기 냉각수 유로로 외부의 냉각수가 유입되도록 상기 냉각 헤드를 관통하여 상기 지지부재의 내부에 배치되는 냉각수 유입관;
    을 포함하는 CVD용 샤워 헤드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 헤드는 유입되는 반응가스를 저장하는 리저버; 및
    상기 리저버 내의 반응가스를 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 분사부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 헤드는 제1반응가스를 저장하여 반응챔버로 분사하는 제1헤드; 및
    제2반응가스를 저장하여 상기 반응챔버로 분사하는 제2헤드;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1헤드는 제1반응가스를 저장하는 제1 리저버와, 상기 제1 리저버 내의 제1반응가스가 반응챔버로 공급되도록 하는 적어도 하나의 제1분사부를 구비하며,
    상기 제2헤드는 상기 제1분사부가 관통하는 소정 크기의 제2분사부와, 상기 제2분사부를 관통한 상기 제1분사부와 상기 제2분사부 사이에 형성되어 상기 반응챔버로 제2 리저버 내의 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 가스유로는 상기 제2분사부의 내면과 상기 제1분사부의 외면 사이에 형성된 간격을 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제1분사부는 상기 제1 가스를 분사하도록 적어도 하나의 가스분사공을 구비하는 가스관을 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2분사부는 상기 제1분사부가 관통하는 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제1분사부의 중심과 상기 제2분사부의 중심이 서로 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  9. 제4항에 있어서,
    상기 제1분사부의 하단과 상기 제2분사부의 하단은 동일한 수평 레벨에 배치되는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  10. 제1항에 있어서, 상기 지지부재는,
    상기 헤드가 걸림고정되는 하부 플랜지부;
    상기 하부 플랜지부를 하단면에 구비하며, 중공형의 통구조를 가지는 몸체부; 및
    상기 몸체부의 상단면에 구비되며, 상기 반응챔버의 외측 상단면에 걸림고정 되는 상부 플랜지부;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 지지부재는 상기 헤드 및 상기 반응챔버의 중심과 대칭을 이루도록 적어도 하나 구비되는 것을 특징으로 하는 CVD용 샤워 헤드.
  12. 삭제
  13. 반응챔버;
    유입되는 반응가스를 저장하고, 저장된 상기 반응가스를 반응챔버로 공급되도록 하는 헤드;
    상기 헤드를 지지하도록 상기 헤드와 상기 반응챔버를 관통하여 결합되는 지지부재;
    상기 반응챔버의 상부면에 구비되어 냉각수 유로를 형성하는 냉각 헤드; 및
    상기 냉각수 유로로 외부의 냉각수가 유입되도록 상기 냉각 헤드를 관통하여 상기 지지부재의 내부에 배치되는 냉각수 유입관;
    을 포함하는 화학 기상 증착 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 헤드는 유입되는 반응가스를 저장하는 리저버; 및
    상기 리저버 내의 반응가스를 상기 반응챔버로 공급되도록 하는 분사부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 헤드는 제1반응가스를 저장하여 반응챔버로 분사하는 제1헤드; 및
    제2반응가스를 저장하여 상기 반응챔버로 분사하는 제2헤드;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1헤드는 제1반응가스를 저장하는 제1 리저버와, 상기 제1 리저버 내의 제1반응가스가 반응챔버로 공급되도록 하는 적어도 하나의 제1분사부를 구비하며,
    상기 제2헤드는 상기 제1분사부가 관통하는 소정 크기의 제2분사부와, 상기 제2분사부를 관통한 상기 제1분사부와 상기 제2분사부 사이에 형성되어 상기 반응챔버로 제2 리저버 내의 제2반응가스가 공급되도록 하는 가스유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  17. 제13항에 있어서, 상기 지지부재는,
    상기 헤드가 걸림고정되는 하부 플랜지부;
    상기 하부 플랜지부를 하단면에 구비하며, 중공형의 통구조를 가지는 몸체부; 및
    상기 몸체부의 상단면에 구비되며, 상기 반응챔버의 외측 상단면에 걸림고정되는 상부 플랜지부;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 지지부재는 상기 헤드 및 상기 반응챔버의 중심과 대칭을 이루도록 적어도 하나 구비되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.
  19. 삭제
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