JP2012507834A - 平面基板をプラズマ加工する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
Description
・加工される基板の表面と電極との間隔がdとなるよう、基板が電極と対向電極との間に配置され、
・電極と対向電極との間で容量性結合されたプラズマ放電を、DC自己バイアスの形成によって励起し、
・被加工表面領域と電極との間の、擬似中性のバルクプラズマを伴うプラズマ放電領域に少なくとも活性化可能なガス種が存在するようにし、このガス種を加工すべき基板の表面に打ち込む。
・間隔dがsから2.5sの間の範囲を有するようにし、ただしs=se+sgであり、seは電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、sgは対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、または
・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりdpを有するようにし、ただしdp<1/3d、dp<max(se+sg)またはdp<0.5sである。
・DC自己バイアスを有する容量的に結合されたプラズマ放電を、電極と対向電極との間の領域に励起する手段と、
・少なくとも活性化可能な定量のガス種を、擬似中性バルクプラズマを伴うプラズマ放電の領域に搬送する手段とを含み、
・電極と対向電極との間にある基板は、間隔dを以て基板の被加工表面領域と電極との間に配置されている。
・間隔dがsから2.5sの間の範囲を有するようにし、seは電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、sgは対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表す、または
・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりdpを有するようにし、ただしdp<1/3d、dp<max(se+sg)またはdp<0.5sである。
VAC(t) = (cos (2π/t +θ) + cos (4πft))
ただしf=13.56MHzs、θはVACの二つの高調波成分間の位相差であるとき、特許文献3では、電極と対向電極との間の電圧降下のモンテカルロシミュレーションが行われた。そこでは、接地された対向電極ではθ=0の場合、入力されたRF電圧によって形成されたDC自己バイアスのアースへの電圧降下が、基板表面においては電極におけるよりも小さいことが示された。このことは、基板表面に打ち込まれるイオンエネルギーが電極に打ち込まれるイオンエネルギーよりも小さいことに相当する。二つの高調周波数成分間の位相差がθ=π/2であるとき、この関係は反転する。この場合では、基板表面における電圧降下が電極における電圧降下よりも大きく、したがって基板表面に打ち込まれるイオンエネルギーは、電極に打ち込まれるイオンエネルギーよりも大きい。
3 基板
5 第1の電極
7 第2の電極、対向電極
9 プロセス室
11 真空室
13 ケーシング
15 パッキン
18 真空管路
19 被覆材料源
21 表面
23 チャネル
25 ガス出射プレート
27 閉鎖装置
29 ポンプチャネル
31 分離壁
33 ハウジング裏壁
34 ホルダ
35 閉鎖装置
37 接触個所
38 接触個所
39 二重矢印
41 移動ボルト
43 支承プレート
45 ハウジング壁
47 二重矢印
49 開口部
100 プラズマ装置
102 室壁
104 ガス入口
106 ガス出口開口部
108 電極
110 基板
112 対向電極
114 プラズマ
116 プラズマ縁部層
118 プラズマ縁部層
119 プラズマ縁部層
120 電圧供給システム
125 制御装置
126 プラズマ診断手段
Claims (18)
- プラズマ装置内で基板をプラズマ加工する方法であって、
・加工される基板の表面と電極との間隔がdとなるよう、基板を電極と対向電極との間に配置し、
・容量性結合されたプラズマ放電を、電極と対向電極との間にDC自己バイアスの形成によって励起し、
・被加工表面領域と電極との間の、擬似中性バルクプラズマを伴うプラズマ放電領域に、少なくとも活性化可能なガス種が存在するようにし、このガス種を加工すべき基板の表面に打ち込む方法において、
・プラズマ放電を励起し、該プラズマ放電では、
・seが電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、sgが対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、s=se+sgであるとすると、前記間隔dがsから2.5sの間の範囲を有するようにし、または
・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりdpを有するようにし、ただしdp<1/3d、dp<max(se+sg)またはdp<0.5sである方法。 - 電極と対向電極の間の擬似中性バルクプラズマの幾何重心の相対位置を、間隔dおよび/またはDC自己バイアスの値に依存して調整または変化する、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- DC自己バイアスなしのプラズマ放電では、前記幾何重心の位置を被加工表面の方向に移動する、ことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- プラズマ加工は、プラズマ被覆、表面修正、または基板のエッチングを含む、ことを特徴とする請求項1から3までのいずれか一項に記載の方法。
- ガス種の活性化を、好ましくは擬似中性バルクプラズマの領域におけるラジカル形成によって行う、ことを特徴とする請求項1から4までのいずれか一項に記載の方法。
- 活性化可能なガス種として、プラズマ中に層を形成するラジカルを形成する前駆ガスを使用する、ことを特徴とする請求項1から5までのいずれか一項に記載の方法。
- 活性化可能なガス種として、プラズマ中に反応ラジカルを形成する清浄ガスを使用する、ことを特徴とする請求項1から6までのいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一つの活性化可能なガス種を電極により、電極と対向電極の間の領域で搬送し、
該電極は、ガス用の多数の出射開口部を備えるガス分散装置を有している、ことを特徴とする請求項1から7までのいずれか一項に記載の方法。 - DC自己バイアスを形成するために、電極と対向電極に幾何的非対称性が設けられている、ことを特徴とする請求項1から8までのいずれか一項に記載の方法。
- DC自己バイアスを形成するために、好ましくは電極と対向電極が幾何的に対称である場合、所定の相対的位相関係にある少なくとも二つの高調波成分を備えるRF電圧を使用し、
少なくとも一つの比較的に高い周波数成分は、比較的に低い周波数成分の偶数次高調波である、ことを特徴とする請求項1から9までのいずれか一項に記載の方法。 - DC自己バイアスは、少なくとも二つの周波数成分間の相対的位相関係および/またはRF電圧の少なくとも二つの高調は周波数成分の振幅に依存して変化する、ことを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 少なくとも二つの高調周波数成分間の相対的位相関係に依存して、電極と対向電極におけるイオンエネルギーの比を調整する、ことを特徴とする請求項10または11に記載の方法。
- 基板をプラズマ加工する装置が、
・DC自己バイアスを有する容量的に結合されたプラズマ放電を、電極と対向電極との間の領域に励起する手段と、
・少なくとも活性化可能な定量のガス種を、擬似中性バルクプラズマを伴うプラズマ放電の領域に搬送する手段とを含み、
・電極と対向電極との間にある基板は、間隔dを以て基板の被加工表面領域と電極との間に配置されている装置において、
・プラズマ放電が調整されるように当該装置を制御する制御装置が設けられており、
・該プラズマ放電では、seが電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、sgが対向電極前方のプラズマ縁部層の厚さを表し、s=se+sgであるとすると、間隔dがsから2.5sの間の範囲を有し、または
・被加工表面領域と電極との間の擬似中性バルクプラズマが、線形の広がりdpを有し、ただしdp<1/3d、dp<max(se+sg)またはdp<0.5sである装置。 - 間隔dを調整するための装置が設けられている、ことを特徴とする請求項13に記載の装置。
- 電極は、ガス用の多数の出射開口部を備えるガス分散装置を有しており、
該電極により、少なくとも一つの活性化可能なガス種が当該電極と対向電極の間の領域で搬送される、ことを特徴とする請求項13または14に記載の装置。 - 制御装置は、DC自己バイアスを有するプラズマ放電をRF電圧により形成する手段を有し、
該RF電圧は、所定の相対的位相関係にある少なくとも二つの高調周波数成分を有し、
比較的高い周波数成分の少なくとも一つは比較的低い周波数成分の偶数次高調波である、ことを特徴とする請求項13から15までのいずれか一項に記載の装置。 - 制御装置は、
・所望のイオンエネルギーおよび/または被加工基板表面に印加する所望のイオン電流を入力する手段と、
・プラズマの電力密度を調整する制御手段と、
・イオンエネルギーおよび/またはプラズマのイオン流束を調整するためにRF電圧の高調波周波数成分の振幅および/または相対的位相関係を調整する手段と、
・RF電圧の高調波周波数成分の振幅および/または相対的位相関係を制御する手段とを有する、ことを特徴とする請求項13から16までのいずれか一項に記載の装置。 - 電極前方のプラズマ縁部層の厚さseと基板表面前方のプラズマ縁部層の厚さsgの値および/または擬似中性バルクプラズマの線形広がりdpの値を求めるためにプラズマ診断手段が設けられており、前記値は入力値として制御装置に供給される、ことを特徴とする請求項13から17のいずれか一項に記載の装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE102008055786.2 | 2008-11-04 | ||
DE102008055786 | 2008-11-04 | ||
PCT/EP2009/007905 WO2010051982A1 (de) | 2008-11-04 | 2009-11-04 | Verfahren und vorrichtung zur plasmabehandlung eines flachen substrats |
Publications (1)
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- 2009-11-04 JP JP2011535042A patent/JP2012507834A/ja active Pending
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