JP2012178285A - 真空処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板Sが設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバ11を備える真空処理装置1において、基板設置部には、基板Sが載置される基板載置台13と、真空チャンバ11に設けられると共に排気手段に接続される排気口34と、基板載置台31の周囲を囲むシールド部材50とが設けられ、シールド部材50は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、排気手段側に形成された開口の総面積が、排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭い。
【選択図】図1
Description
11a 円筒状壁
11 真空チャンバ
12 プラズマ発生部
13 基板設置部
14 天板
15 シャワープレート
21〜23 磁場コイル
25 高周波アンテナコイル
26 高周波電源
27 コンデンサ
28 磁気中性線
31 基板載置台
32 ブロッキングコンデンサ
33 高周波電源
34 排気口
50 シールド部材
51 第1シールド部材
51a 壁面部
51b 上部フランジ
51c 下部フランジ
52 第2シールド部材
53 第3シールド部材
61 第1開口
62 第2開口
63 第3開口
S 基板
Claims (3)
- 基板が設置される基板設置部及びプラズマを形成するプラズマ形成部を備えた真空チャンバを備えた真空処理装置において、
前記基板設置部には、前記基板が載置される基板載置台と、真空チャンバに設けられると共に排気手段に接続される排気口と、前記基板載置台の周囲を囲むシールド部材とが設けられ、
前記シールド部材は、その周方向に複数の開口が離間して形成されており、
前記シールド部材の前記排気手段側に形成された開口の総面積が、前記シールド部材の前記排気手段とは逆側に形成された開口の総面積よりも狭いことを特徴とする真空処理装置。 - 前記排気手段側に形成された開口の総面積が、前記排気手段とは逆側に形成された開口の総面積の30〜90%であることを特徴とする請求項1記載の真空処理装置。
- 前記シールド部材は、アルミナ、シリコン、炭化シリコン、イットリア、カーボン及び石英から選ばれた少なくとも1種からなるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空処理装置。
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