JPH0237717A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、処理装置に関する６ （従来の技術） 文字・数字・図形・画像等を電気的手段を利用して表示
する表示装置として、軽量小型、低消費電力、長乃命化
等の見地から、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓ
ｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ　：液晶表示）装置が実用され
ている。

上記ＬＣＤの製造には、半導体ウェハ製造技術が用いら
れ、蒸着した透明導電膜を選択的にエツチングすること
により電極パターンが形成される。

上記エツチングにおいては１品質の安定性・生産性・経
済性の面で優れているウェットエツチングが行なわれて
いる。

しかし、セグメント表示するＬＣＤの場合、上記ｆｆｉ
極パターンの精度は３００〜５００−程度であるが、Ｔ
Ｖ両画像どをマトリクス表示するＬＣＤの場合はｆｆｉ
極パターンの精度をｌＯ〜２０μｓに設定する場合があ
る。更に、近年上記電極パターンの微細化が進み、上記
ウェットエツチングでは上記電極パターンの微細化に対
応することが困難となって来ており、上記ウェットエツ
チングに代わりドライエツチングが注目されている。ド
ライエツチングは減圧処理室内に対向配置された電極の
一方に上記ＬＣＤ用ガラス基板を設置し、上記電極間に
電力を印加することにより、導入したエツチングガスを
プラズマ化し、このプラズマ化したエツチングガスによ
り電極パターンを形成するものである。

上記エツチング時には、上記処理室内を減圧状態で処理
を行なうため、常に処理室内の排気をしている。この排
気は、上記処理室下部に設けられた排気孔から排気され
ている。この時、上記処理室内の下方中央部には、上記
ＬＣＤ基板を設置した電極が設けられているため、この
電極周囲の下方の一箇所酸いは複数個所に上記排気孔が
設けられ、上記排気が行なわれている。

（発明が解決しようとする課Ｍ） しかしながら上記従来の技術では、排気孔が電極周囲下
方の１１１ｉ所或いは複数箇所に設けられ。

この排気孔から処理室内の排気が行なわれるため、上記
電極周囲の各点で排気速度が一定とならず。

ばらつきがある、これは、上記処理室内下方中央部に電
極が設けられているため、上記排気孔を上記電極周囲下
方に配置しなければならず、これにより上記排気速度の
ばらつきが発生する。この排気速度のばらつきにより、
上記電極に設置したしＣＤ基板表面に供給する処理ガス
例えばエツチングガスが均一に排気されず、その結果上
記ＬＣＤ基板のエツチング均一性が低下してしまう問題
があった。

本発明は上記点に対処してなされたもので、処理室内の
排気を均一にすることにより被処理体の均一処理を行な
うことが可能な処理装置を提供しようとするものである
。

（発明の構成〕 （課題を解決するための手段） 本発明は、処理室内に設けられた設置板周囲から上記処
理室内のガスを排気状態で、上記設置板に設置された被
処理体を処理する装置において。

上記設置板周囲からの排気が均一に行なわれる如く開孔
率を設定した整流体を上記設置板周囲に設けたことを特
徴とする処理装置を得るものである。

（作用効果） 即ち、本発明は、処理室内に設けられた設置板周囲から
の排気が均一に行なわれる如く開孔率を設定した整流体
を上記設置板周囲に設けたことにより、上記被処理体表
面に供給された処理ガスが均一に拡散して排気されるた
め、上記被処理体表面での上記処理ガスの流れが均一と
なり、そのため、上記被処理体の処理を均一に行なうこ
とができる。更に、上記被処理体の処理を均一に行なえ
るため、処理の終点制御が精度良く容易に行なえ、部分
的な処理の過剰や不足等による不良の発生を防止するこ
とができる。

（実　施　例） 以下、本発明装置をＬＣＤ基板のエツチング処理工程に
適用した一実施例につき、図面を参照して説明する。

まず、エツチング装置の構成を説明する。

エツチング処理が行なわれる処理室のは、材質例えばア
ルミニウム製で、耐腐食対策例えば表面にアルミナの被
膜が形成されている。この処理室■は、立方体形状で、
メンテナンスを容易にする等の理由から上記処理室■上
面が開閉可能とされている。更に、上記処理室（ト）の
側壁には開口■が設けられており、この開口■を開閉可
能とする開閉８１構■が、上記処理室の側壁の外面に設
けられている。この開閉機構■が上記開口■を閉じるこ
とにより、上記処理室ω内を気密に設置可能としている
。また、上記処理室ω内の下方には、昇降機構（イ）に
連設した下部電極■が昇降自在に設けられ、この昇降に
対応して材質例えばスチレンススチール製のベローズ０
により気密が保たれている。

上記下部電極■は１例えばアルミニウム製で表面にアル
マイト処理を施しである平板状に形成されている。この
下部な極■の上面には、被処理体例えばＬＣＤＣＤ基板
膜置可能となっており、このＬＣＤ基板の設置を容易と
するために、上記下部電極０表面に出没自在なりフタ−
ビン（図示せず）が設けられている。また、上記ＬＣＤ
基板をプラズマ処理例えばプラズマエツチングする際に
発生させる放電即ちグロー放電を、上記、ＬＣＤ基板表
面に集中させるため、上記下部型ｊ＠（ハ）の上面周縁
部には、上記ＬＣＤ基板■の外周形状とほぼ同形状の開
口を有する絶縁材質からなるフォーカス体■が設けられ
ている。更に、上記下部電極■下面も絶縁体０で覆われ
、この下部電極■はアース（１０）されている。

また、上記処理室（υ内の上方即ち上記下部電極■の対
向位置には、導電性材質例えばグラファイト製の上部ｆ
ｆｉ極（１１）が設けられている。この上部電極（１１
）は、上記ＬＣＤ基板０表面と同形状を露出させ、それ
以外の部分に絶縁体（１２）を覆設して、上記上部電極
（１１）の露出下面と上記下部電極■上面のみにグロー
放電が発生する如く構成されている。上記絶縁体（１２
）は、上記上部型１！　（１１）を支持し、上記処理室
■側壁上端に固定可能となっている。また、上記上部電
極（１１）には電源（１３）が接続しており、上記上部
電極（１１）及び下部電極０間で放電可能とされている
。この場合、下部電極■側が接地され、この下部電極■
に上記ＬＣＤ基板■を載置するため、ラジカルによりエ
ツチングされるプラズマエツチングモードに設定されて
いるが、イオンによりエツチングされるＲＩＥ　（リア
クティブ・イオン・エツチング）モードにも対応する如
く、下部電極■に電源を接続し、上記電極（１１）を接
地することもできる。また、上記上部電極（１１）には
、所定の口径の孔（図示せず）が複数個形成されており
、この孔からプラズマ処理用反応ガス例えばエツチング
ガスを流通可能としている。

このエツチングガスは、上記上部電極（１１）上部に設
けられた空間（１４）に接続したガス供給管（１５）か
ら供給される如く構成されている。このガス供給管（１
５）は１図示しないガス供給源に連設し、上記空間（１
４）内へ所定の処理ガスを所定量で供給可能とされてい
る。上記空間（１４）内に供給さ九た処理ガスを上記Ｌ
ＣＤ基板０表面に均一に供給するために、上記空間（１
４）内には複数枚のバッフル（１６）が設けられている
。このバッフル（１６）には、複数個の開孔が形成され
ており、上記処理ガスが上記開孔を有するバッフル（１
６）を複数枚通過することにより広面積に均一に拡散さ
れるようになっている。

また、上記処理室ωの下方周縁部には、上記処理室ω内
のガスが均一に排気される如く、各点で異なる所定の開
孔率に設定した整流体（１７）が、取付台（１８）に着
脱自在に設けられている。このような整流体（１７）を
介して上記処理室（ト）内のガスを排気する排気管（１
９）が接続し、この排気管（１９）は図示しない排気機
構例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプ等に連設
している。上記整流体（１７）は、第２図に示すように
、排気管（１９）が接続している側の一辺が最も排気さ
れやすいため、その−辺に設けた整流体（１７ａ）に複
数の開孔（２０ａ）を設け、この開孔率を例えば２０％
に設定する。そして、上記排気管（１９）から多少隔れ
、上記整流体（１７ａ）に直交する辺に設けた整流体（
１７ｂ）　（１７ｃ）に複数の開孔（２０ｂ）　（２０
ｃ）を設け、この開孔率を例えば３０％に設定する。更
に、上記排気管（１９）から最遠で、上記整流体（１７
ａ）の対向辺に設けた整流体（１７ｄ）に複数の開孔（
２０ｄ）を設け、　この開孔率を４０％に設定する。こ
のように、上記排気管（１９）から隔れるごとに、上記
整流体（１７）単位で孔径を変えて開孔率を高くしてい
る。

また、上記上部電極（１１）及び下部電極０間に放電を
発生させる場合、高圧電極である上部電極（１１）と接
地電極である下部電極■との間のみならず、上記上部電
極（１１）及び上記処理室■内壁凸部間にも放電が発生
してしまう、そのため、上記処理室の内壁凸部例えば処
理室■側壁に形成された開口■のエッチに着脱自在な絶
縁体（２１）が取着されている。この絶縁体（２１）は
、上記開口■エッヂを覆うように断面り字型の角型リン
グ形状で、低誘電率の絶縁材質例えばテフロン或いはセ
ラミックで形成されており、この絶縁体（２１）のＬ字
型突出部を上記開口■に嵌合可能となっている。このよ
うにしてエツチング装置が構成されている。

次に、上述したエツチング装置の動作作用を説明する。

まず、処理室■内を所定の減圧状態に設定し。

処理室■側壁に形成されている開口■を開閉機構■の動
作により開け、図示しない搬送機構例えばハンドリング
アームにより、被処理体例えばＬＣＤＣＤ基板上記処理
室ω内へ搬入する。上記開閉機構■により上記開口■を
開けても、上記処理室■の圧力を保持可能とするために
、上記開口■の外部空間をロードロツタ室としておく、
そして、上記ＬＣＤ基板■を下部電極０表面の予め定め
られた位置に設置する。この時、上記ＬＣＤ基板の設置
を容易に行なえるように、リフタービン（図示せず）に
より中継している。そして、上記ハンドリングアームを
処理室ω内から搬出した後、上記開口■を閉じ、処理室
■内部を気密に設定する。

そして、上記下部電極■を昇降機構に）により上昇させ
、上記ＬＣＤ基板０表面と上部電極（１１）表面との間
隔を所定の間隔に設定する。この後、上記上部電極（１
１）及び下部電極０間に電源（１３）により電力を印加
し、グロー放電を発生させる。これと同時に、ガス供給
１９Ｘ（図示せず）から所定の処理ガス即ちエツチング
ガスをガス供給管（１５）を介して空間（１４）に流入
する。そして、この空間（１４）内に流入されたガスは
、上記空間（１４）内に設けられているバッフル（１６
）により広範囲に拡散され、上記上部電極（１１）に形
成されている複数の開孔から上記ＬＣＤ基板表面に供給
する。ここで、この供給されたエツチングガスが上記グ
ロー放電によりプラズマ化され、これにより発生したラ
ジカルにより、上記ＬＣＤ基板０表面に被着している例
えばα−５Ｌ膜、ＳｉＮｘ膜、ＡＱ膜等を選択的に除去
する。

この時、上記放電により上記電極（１１）及び下部電極
■が加熱されてしまうため、上記上部電極（１１）及び
下部電極■は夫々冷却されている。これは、上部電極（
１１）が加熱されると、電極やその他の電極部構成部品
が破損してしまうことや、熱輻射によりレジストにダメ
ージを与えること等がある。

また、上記下部電極■が加熱されると、この下部電極０
表面に設定されたしＣＤ基板■が加熱され、特に、この
ＬＣＤ基板０表面に被着されたレジストが１８０℃付近
で変異し、必要度上にキユアリングしたり、選択比が悪
くなる等の問題があるため、夫々冷却を必要としている
。そして、エツチング廃ガス等は、上記処理室■内下方
周縁部に設けられた整流体（１７）を介して排気管（１
９）より排気される。この排気は、上記各整流体（１７
ａ）　（１７ｂ）　（１７ｃ）（１７ｄ）の開孔率の設
定により均一に行なわれる。

そのため、上記エツチングガスが上記ＬＣＤ基板表面に
均一に供給及び拡散され、処理の均−性例えばエツチン
グ均一性が向上する。上記整流体（１７）は、所望する
処理条件に柔軟に対応できるように、夫々を分割構造に
しておくことが望ましい。

上記実施例では、整流体の開孔率を、孔径を変えて設定
した実施例について説明したが、これに限定するもので
はなく、例えば同一の孔径で密度を変えて上記開孔率を
設定しても同一の効果を得ることができる。また、上記
開孔率を一辺の整流体単位で設定したが、これに限定す
るものではなく、上記排気管との距離と比例させて孔径
或いは密度を変化させてもよい。更に上記整流体を分割
的に構成せずに、一体的に構成してもよい。更に、上記
整流体は、板状体に複数の開孔を設けたものに限らず、
ポーラス材を使用したものでもよい。

また、上記実施例では、被処理体としてＬＣＤ基板を例
に上げて説明したが、これに限定するものではなく例え
ば半導体ウェハでも同様な効果が得られる。更に、被処
理体の処理としてエツチング処理について説明したが、
これに限定するものではなく１例えばＣＶＤ処理・アッ
シング処理・スパッタ処理・イオン注入処理等、ガスを
排気状統で処理するものであれば何れでも適用すること
ができる。

以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内に設け
られた設置板周囲からの排気が均一に行なわれる如く開
孔率を設定した整流体を上記設置板周囲に設けたことに
より、上記被処理体表面に供給された処理ガスが均一に
拡散して排気されるため、上記被処理体表面での上記処
理ガスの流れが均一となり、そのため、上記被処理体の
処理を均一に行なうことができる６更に、上記被処理体
の処理を均一に行なえるため、処理の終点制御が精度良
く容易に行なえ１部分的な処理の過剰や不足等による不
良の発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのエツチ
ング装置の構成図、第２図は第１図の整流体説明図であ
る。 １・・・処理室　　　　　　１７・・・整流体１８・・
・取付台　　　　　　１９・・・排気管２０・・・開孔

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 処理室内に設けられた設置板周囲から上記処理室内のガ
   スを排気状態で、上記設置板に設置された被処理体を処
   理する装置において、上記設置板周囲からの排気が均一
   に行なわれる如く開孔率を設定した整流体を上記設置板
   周囲に設けたことを特徴とする処理装置。