JPS59144132A - 反応装置 - Google Patents
反応装置Info
- Publication number
- JPS59144132A JPS59144132A JP1735683A JP1735683A JPS59144132A JP S59144132 A JPS59144132 A JP S59144132A JP 1735683 A JP1735683 A JP 1735683A JP 1735683 A JP1735683 A JP 1735683A JP S59144132 A JPS59144132 A JP S59144132A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- foreign matter
- protection cylinder
- supporting plate
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ドライエツチング装置のような反応装置に関
する。
する。
一般に、ドライエツチング装置においては、反応室の内
面に異物が付着し、この異物がウェハ等の処理対象物に
再付着することがある。
面に異物が付着し、この異物がウェハ等の処理対象物に
再付着することがある。
そこで、従来のドライエツチング装置では、反応室を形
成する容器を装置から取り外して内面を清掃し、付着し
た異物を除去し処理対象物への再付着を防止することが
行われている。
成する容器を装置から取り外して内面を清掃し、付着し
た異物を除去し処理対象物への再付着を防止することが
行われている。
しかしながら、従来のドライエツチング装置にあっては
、反応容器と電極部分との分解組立作業が必要とされ、
作業時間がかかり、また、両者の再組立状態が悪いと、
リークが発生してしまうという欠点がある。
、反応容器と電極部分との分解組立作業が必要とされ、
作業時間がかかり、また、両者の再組立状態が悪いと、
リークが発生してしまうという欠点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、反応容
器と電極部分との分解組立作業なしに、異物除去作業を
実施することができる気体電気化学反応装置を提供する
ことにある。
器と電極部分との分解組立作業なしに、異物除去作業を
実施することができる気体電気化学反応装置を提供する
ことにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。
。
第１図は本発明をドライエツチング装置に適用した場合
の一実施例な示す縦断面図である。
の一実施例な示す縦断面図である。
本実施例において、このドライエツチング装置のベース
２は円盤状に形成されており、ペース２の上面中央には
処理対象物としてのウェハ１を載置される電極３が設け
られている。ベース２上の外周部には支持板４がシール
リング５を挟設されて載置されている。支持板４上には
反応室６を形成する反応容器７がシールリング８を挟設
されて載置され、かつ、適当なりランパ９により支持板
４に対し容易に分割組立可能に定着されている。
２は円盤状に形成されており、ペース２の上面中央には
処理対象物としてのウェハ１を載置される電極３が設け
られている。ベース２上の外周部には支持板４がシール
リング５を挟設されて載置されている。支持板４上には
反応室６を形成する反応容器７がシールリング８を挟設
されて載置され、かつ、適当なりランパ９により支持板
４に対し容易に分割組立可能に定着されている。
この反応容器７は上面壁を有するほぼ円筒形状に形成さ
れており、上面壁には電極ホルダ１０が適数のシールリ
ング１１を挟設されて嵌合されている。このホルダ１０
には反応ガスとしてのエツチングガス（例えば、ＣＦ４
、ＣＨＦ４等）を反応室６内に導入するための導入路
１２が形成されている。ホルダ１０の中心には電極ロッ
ド１３が挿通支持されており、このロッド１３の反応室
内下端には電極１４が固定的に吊持されている。この電
極１４はペース１２上の前記電極３と平行に対向されて
おり一対の平行平板電極が形成されても・る。両電極３
．１４間には高周波発振器１５が介設されており、この
発振器１５の電圧印加により電極間においてプラズマが
形成されるようになっている。
れており、上面壁には電極ホルダ１０が適数のシールリ
ング１１を挟設されて嵌合されている。このホルダ１０
には反応ガスとしてのエツチングガス（例えば、ＣＦ４
、ＣＨＦ４等）を反応室６内に導入するための導入路
１２が形成されている。ホルダ１０の中心には電極ロッ
ド１３が挿通支持されており、このロッド１３の反応室
内下端には電極１４が固定的に吊持されている。この電
極１４はペース１２上の前記電極３と平行に対向されて
おり一対の平行平板電極が形成されても・る。両電極３
．１４間には高周波発振器１５が介設されており、この
発振器１５の電圧印加により電極間においてプラズマが
形成されるようになっている。
前記反応容器７により形成された反応室６内には保護筒
１６が支持板４上に載置されて投げられており、この保
護筒１６は容器７０円周面に沿う円筒形状に形成されて
円周面を被覆するようになっている。この保護筒１６は
、例えば、石英ガラスやフッ素樹脂等のようなエツチン
グされにくく、かつ不純物を発生しにくい材料により形
成されている。
１６が支持板４上に載置されて投げられており、この保
護筒１６は容器７０円周面に沿う円筒形状に形成されて
円周面を被覆するようになっている。この保護筒１６は
、例えば、石英ガラスやフッ素樹脂等のようなエツチン
グされにくく、かつ不純物を発生しにくい材料により形
成されている。
次に作用を説明する。
平行平板電極３，１４間に発振器１５により高周波電圧
が印加されると、反応室６内にプラズマが形成され、こ
のプラズマにより、導入路１２から反応室６内に導入さ
れたガスの化学反応が引き起こされ、ウェハ１上にエツ
チング加工が施される。
が印加されると、反応室６内にプラズマが形成され、こ
のプラズマにより、導入路１２から反応室６内に導入さ
れたガスの化学反応が引き起こされ、ウェハ１上にエツ
チング加工が施される。
この反応時、エツチングかすや、反゛応生成物等の異物
１７が保護筒１６の内周面に付着するが、この保護筒１
６で被覆されているので、反応容器７の内面には異物１
７が殆ど付着しない。また、保護筒１６の内側表面は反
応室６内におけるエツチング反応により若干ではあるが
侵蝕されて粗面になってしまう。
１７が保護筒１６の内周面に付着するが、この保護筒１
６で被覆されているので、反応容器７の内面には異物１
７が殆ど付着しない。また、保護筒１６の内側表面は反
応室６内におけるエツチング反応により若干ではあるが
侵蝕されて粗面になってしまう。
保護筒１６への異物の堆積が所定値以上になると、反応
室６内から保護筒１６が取り出され清掃が行われ、異物
１７が除去される。
室６内から保護筒１６が取り出され清掃が行われ、異物
１７が除去される。
このとき、保護筒１６の脱装は電極部分の分解作業が実
施されることなしに実施される。すなわち、クランプ９
が外され、反応容器７と支持板４とが相対的に離間され
れば、保護筒１６は支持板４上から容易に取り上げるこ
とができる。
施されることなしに実施される。すなわち、クランプ９
が外され、反応容器７と支持板４とが相対的に離間され
れば、保護筒１６は支持板４上から容易に取り上げるこ
とができる。
保護筒１６の清掃は、例えば、保護筒を適当なエツチン
グ溶液に浸漬することにより行われる、この浸漬によれ
ば、保護筒１６の内面に付着堆積した異物１７が除去で
きるとともに、エツチング反応により侵蝕されて粗面に
なった内面が平滑化できろう ちなみに、この清掃作業の待ち時間を解消するため、保
護筒は複数用意しておくことが望ましく、保嘩筒脱装後
、清掃済の別の保護筒を直ちに組付けるようにするとよ
い。
グ溶液に浸漬することにより行われる、この浸漬によれ
ば、保護筒１６の内面に付着堆積した異物１７が除去で
きるとともに、エツチング反応により侵蝕されて粗面に
なった内面が平滑化できろう ちなみに、この清掃作業の待ち時間を解消するため、保
護筒は複数用意しておくことが望ましく、保嘩筒脱装後
、清掃済の別の保護筒を直ちに組付けるようにするとよ
い。
保護筒１６の再組付けは、保護筒１６が支持板４上に載
置された後、反応容器７が相対的に被せられ、クランプ
９により固定化されることにより行われる。
置された後、反応容器７が相対的に被せられ、クランプ
９により固定化されることにより行われる。
本実施例によれば、反応容器と電極部分との分解組立作
業を実施することなしに反応室の内面に付着した異物が
除去されるので、異物除去作業に浪費される時間が短縮
化され、作業性が向上され、また、反応容器と電極部分
との再組立時の誤差によるリークの発生が未然に回避で
きる。
業を実施することなしに反応室の内面に付着した異物が
除去されるので、異物除去作業に浪費される時間が短縮
化され、作業性が向上され、また、反応容器と電極部分
との再組立時の誤差によるリークの発生が未然に回避で
きる。
異物の除去は完全に行われるので、反応室内の発塵が低
減され、ウェハへ付着する異物が減り、外観歩留が向上
化される。
減され、ウェハへ付着する異物が減り、外観歩留が向上
化される。
第２図は本発明の他の実施例を示す一部切断正面図であ
り、前記実施例と異なる点は、保護筒１６Ａが天井壁部
１６ａを有し反応室６の側面ばかりでなく天井面６ａを
被覆した点と、保護筒１６Ａが適数箇所において縦割り
部１６ｂを形成されて分割構造に構成された点とにある
。
り、前記実施例と異なる点は、保護筒１６Ａが天井壁部
１６ａを有し反応室６の側面ばかりでなく天井面６ａを
被覆した点と、保護筒１６Ａが適数箇所において縦割り
部１６ｂを形成されて分割構造に構成された点とにある
。
保護筒１６Ａは分割構造に構成されているので、天井壁
部１６ａが上側電極１４の内方に突出していても、支持
板４上から径方向に抜き出して取り外すことができる。
部１６ａが上側電極１４の内方に突出していても、支持
板４上から径方向に抜き出して取り外すことができる。
天井壁部１６ａにより一反応室６の天井面への異物１７
の付着が防止できることはいうまでもない。
の付着が防止できることはいうまでもない。
なお、保護筒９反応容器、電極、電極保持部分等の形状
、構造等々は前記実施例に限定されるものではない。
、構造等々は前記実施例に限定されるものではない。
また、本発明はドライエツチング装置に限らず、例えば
プラズマＣＶＤ装置等のような他の気体電気化学反応装
置全般に適用することができる。
プラズマＣＶＤ装置等のような他の気体電気化学反応装
置全般に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、反応室内の異物
の除去作業が能率的に実施できる。
の除去作業が能率的に実施できる。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は本
発明の他の実施例を示す一部切断正面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ベース、３，１４・・・電Ｌ
４・・−支持板、５，８．１１・・・シールリング、
６・・・反応室、７・−・反応容器、９・・・クランパ
、１０・・・電極ホルダ、１２・・・ガス導入路、１５
・・・高周波発振器、１６．１６Ａ・・・保護筒。
発明の他の実施例を示す一部切断正面図である。 １・・・ウェハ、２・・・ベース、３，１４・・・電Ｌ
４・・−支持板、５，８．１１・・・シールリング、
６・・・反応室、７・−・反応容器、９・・・クランパ
、１０・・・電極ホルダ、１２・・・ガス導入路、１５
・・・高周波発振器、１６．１６Ａ・・・保護筒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応室内で化学反応を起こす気体電気化学反応装置
において、前記反応室内に保護筒を着脱自在に設けたこ
とを特徴とする反応装置。 ２、保＠筒が、分割構造に構成されたことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1735683A JPS59144132A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1735683A JPS59144132A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144132A true JPS59144132A (ja) | 1984-08-18 |
Family
ID=11941763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1735683A Pending JPS59144132A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144132A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210633A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 真空装置 |
| JPS63271936A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマプロセス装置 |
| JPH0237717A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| EP0418438A1 (en) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | The University Of Toronto Innovations Foundation | Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning or deposition of materials by D.C. glow discharge |
| JPH0410335U (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-29 | ||
| FR2702327A1 (fr) * | 1993-03-02 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de récupération d'une matière, notamment d'un métal, dans une source de plasma formé à partir de cette matière, et procédés de récupération du métal. |
| US5463298A (en) * | 1992-06-01 | 1995-10-31 | Nippondenso Co., Ltd. | Apparatus for detecting reference position of servo-controlled member |
| EP0732729A2 (en) * | 1995-03-16 | 1996-09-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| EP0814495A2 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-29 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP1735683A patent/JPS59144132A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61210633A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-18 | Hitachi Ltd | 真空装置 |
| JPS63271936A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマプロセス装置 |
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| EP0418438A1 (en) * | 1989-09-19 | 1991-03-27 | The University Of Toronto Innovations Foundation | Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning or deposition of materials by D.C. glow discharge |
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| FR2702327A1 (fr) * | 1993-03-02 | 1994-09-09 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de récupération d'une matière, notamment d'un métal, dans une source de plasma formé à partir de cette matière, et procédés de récupération du métal. |
| US6221782B1 (en) | 1994-12-15 | 2001-04-24 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| US6513452B2 (en) | 1994-12-15 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| EP0732729A3 (en) * | 1995-03-16 | 1997-03-26 | Hitachi Ltd | Plasma processing device and method |
| EP0732729A2 (en) * | 1995-03-16 | 1996-09-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US6815365B2 (en) | 1995-03-16 | 2004-11-09 | Hitachi, Ltd. | Plasma etching apparatus and plasma etching method |
| US7208422B2 (en) | 1995-03-16 | 2007-04-24 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing method |
| US7565879B2 (en) | 1995-03-16 | 2009-07-28 | Hitachi, Ltd | Plasma processing apparatus |
| EP0814495A2 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-29 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
| EP0814495A3 (en) * | 1996-06-20 | 1998-08-12 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chamber |
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