JPS59144132A - 反応装置 - Google Patents

反応装置

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Publication number
JPS59144132A
JPS59144132A JP1735683A JP1735683A JPS59144132A JP S59144132 A JPS59144132 A JP S59144132A JP 1735683 A JP1735683 A JP 1735683A JP 1735683 A JP1735683 A JP 1735683A JP S59144132 A JPS59144132 A JP S59144132A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction
foreign matter
protection cylinder
supporting plate
reaction chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP1735683A
Other languages
English (en)
Inventor
Shogo Kiyota
清田 省吾
Tetsujiro Kotani
小谷 哲二郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1735683A priority Critical patent/JPS59144132A/ja
Publication of JPS59144132A publication Critical patent/JPS59144132A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ドライエツチング装置のような反応装置に関
する。
一般に、ドライエツチング装置においては、反応室の内
面に異物が付着し、この異物がウェハ等の処理対象物に
再付着することがある。
そこで、従来のドライエツチング装置では、反応室を形
成する容器を装置から取り外して内面を清掃し、付着し
た異物を除去し処理対象物への再付着を防止することが
行われている。
しかしながら、従来のドライエツチング装置にあっては
、反応容器と電極部分との分解組立作業が必要とされ、
作業時間がかかり、また、両者の再組立状態が悪いと、
リークが発生してしまうという欠点がある。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、反応容
器と電極部分との分解組立作業なしに、異物除去作業を
実施することができる気体電気化学反応装置を提供する
ことにある。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
第1図は本発明をドライエツチング装置に適用した場合
の一実施例な示す縦断面図である。
本実施例において、このドライエツチング装置のベース
2は円盤状に形成されており、ペース2の上面中央には
処理対象物としてのウェハ1を載置される電極3が設け
られている。ベース2上の外周部には支持板4がシール
リング5を挟設されて載置されている。支持板4上には
反応室6を形成する反応容器7がシールリング8を挟設
されて載置され、かつ、適当なりランパ9により支持板
4に対し容易に分割組立可能に定着されている。
この反応容器7は上面壁を有するほぼ円筒形状に形成さ
れており、上面壁には電極ホルダ10が適数のシールリ
ング11を挟設されて嵌合されている。このホルダ10
には反応ガスとしてのエツチングガス(例えば、CF4
 、CHF4等)を反応室6内に導入するための導入路
12が形成されている。ホルダ10の中心には電極ロッ
ド13が挿通支持されており、このロッド13の反応室
内下端には電極14が固定的に吊持されている。この電
極14はペース12上の前記電極3と平行に対向されて
おり一対の平行平板電極が形成されても・る。両電極3
.14間には高周波発振器15が介設されており、この
発振器15の電圧印加により電極間においてプラズマが
形成されるようになっている。
前記反応容器7により形成された反応室6内には保護筒
16が支持板4上に載置されて投げられており、この保
護筒16は容器70円周面に沿う円筒形状に形成されて
円周面を被覆するようになっている。この保護筒16は
、例えば、石英ガラスやフッ素樹脂等のようなエツチン
グされにくく、かつ不純物を発生しにくい材料により形
成されている。
次に作用を説明する。
平行平板電極3,14間に発振器15により高周波電圧
が印加されると、反応室6内にプラズマが形成され、こ
のプラズマにより、導入路12から反応室6内に導入さ
れたガスの化学反応が引き起こされ、ウェハ1上にエツ
チング加工が施される。
この反応時、エツチングかすや、反゛応生成物等の異物
17が保護筒16の内周面に付着するが、この保護筒1
6で被覆されているので、反応容器7の内面には異物1
7が殆ど付着しない。また、保護筒16の内側表面は反
応室6内におけるエツチング反応により若干ではあるが
侵蝕されて粗面になってしまう。
保護筒16への異物の堆積が所定値以上になると、反応
室6内から保護筒16が取り出され清掃が行われ、異物
17が除去される。
このとき、保護筒16の脱装は電極部分の分解作業が実
施されることなしに実施される。すなわち、クランプ9
が外され、反応容器7と支持板4とが相対的に離間され
れば、保護筒16は支持板4上から容易に取り上げるこ
とができる。
保護筒16の清掃は、例えば、保護筒を適当なエツチン
グ溶液に浸漬することにより行われる、この浸漬によれ
ば、保護筒16の内面に付着堆積した異物17が除去で
きるとともに、エツチング反応により侵蝕されて粗面に
なった内面が平滑化できろう ちなみに、この清掃作業の待ち時間を解消するため、保
護筒は複数用意しておくことが望ましく、保嘩筒脱装後
、清掃済の別の保護筒を直ちに組付けるようにするとよ
い。
保護筒16の再組付けは、保護筒16が支持板4上に載
置された後、反応容器7が相対的に被せられ、クランプ
9により固定化されることにより行われる。
本実施例によれば、反応容器と電極部分との分解組立作
業を実施することなしに反応室の内面に付着した異物が
除去されるので、異物除去作業に浪費される時間が短縮
化され、作業性が向上され、また、反応容器と電極部分
との再組立時の誤差によるリークの発生が未然に回避で
きる。
異物の除去は完全に行われるので、反応室内の発塵が低
減され、ウェハへ付着する異物が減り、外観歩留が向上
化される。
第2図は本発明の他の実施例を示す一部切断正面図であ
り、前記実施例と異なる点は、保護筒16Aが天井壁部
16aを有し反応室6の側面ばかりでなく天井面6aを
被覆した点と、保護筒16Aが適数箇所において縦割り
部16bを形成されて分割構造に構成された点とにある
保護筒16Aは分割構造に構成されているので、天井壁
部16aが上側電極14の内方に突出していても、支持
板4上から径方向に抜き出して取り外すことができる。
天井壁部16aにより一反応室6の天井面への異物17
の付着が防止できることはいうまでもない。
なお、保護筒9反応容器、電極、電極保持部分等の形状
、構造等々は前記実施例に限定されるものではない。
また、本発明はドライエツチング装置に限らず、例えば
プラズマCVD装置等のような他の気体電気化学反応装
置全般に適用することができる。
以上説明したように、本発明によれば、反応室内の異物
の除去作業が能率的に実施できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第2図は本
発明の他の実施例を示す一部切断正面図である。 1・・・ウェハ、2・・・ベース、3,14・・・電L
 4・・−支持板、5,8.11・・・シールリング、
6・・・反応室、7・−・反応容器、9・・・クランパ
、10・・・電極ホルダ、12・・・ガス導入路、15
・・・高周波発振器、16.16A・・・保護筒。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、反応室内で化学反応を起こす気体電気化学反応装置
    において、前記反応室内に保護筒を着脱自在に設けたこ
    とを特徴とする反応装置。 2、保@筒が、分割構造に構成されたことを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の反応装置。
JP1735683A 1983-02-07 1983-02-07 反応装置 Pending JPS59144132A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210633A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Hitachi Ltd 真空装置
JPS63271936A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
JPH0237717A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置
EP0418438A1 (en) * 1989-09-19 1991-03-27 The University Of Toronto Innovations Foundation Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning or deposition of materials by D.C. glow discharge
JPH0410335U (ja) * 1990-05-18 1992-01-29
FR2702327A1 (fr) * 1993-03-02 1994-09-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif de récupération d'une matière, notamment d'un métal, dans une source de plasma formé à partir de cette matière, et procédés de récupération du métal.
US5463298A (en) * 1992-06-01 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Apparatus for detecting reference position of servo-controlled member
EP0732729A2 (en) * 1995-03-16 1996-09-18 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
EP0814495A2 (en) * 1996-06-20 1997-12-29 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chamber

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61210633A (ja) * 1985-03-15 1986-09-18 Hitachi Ltd 真空装置
JPS63271936A (ja) * 1987-04-28 1988-11-09 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマプロセス装置
JPH0237717A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Tokyo Electron Ltd 処理装置
EP0418438A1 (en) * 1989-09-19 1991-03-27 The University Of Toronto Innovations Foundation Method and apparatus for the plasma etching, substrate cleaning or deposition of materials by D.C. glow discharge
JPH0410335U (ja) * 1990-05-18 1992-01-29
US5463298A (en) * 1992-06-01 1995-10-31 Nippondenso Co., Ltd. Apparatus for detecting reference position of servo-controlled member
FR2702327A1 (fr) * 1993-03-02 1994-09-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif de récupération d'une matière, notamment d'un métal, dans une source de plasma formé à partir de cette matière, et procédés de récupération du métal.
US6221782B1 (en) 1994-12-15 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chamber
US5891350A (en) * 1994-12-15 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chambers
US6513452B2 (en) 1994-12-15 2003-02-04 Applied Materials Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chamber
EP0732729A3 (en) * 1995-03-16 1997-03-26 Hitachi Ltd Plasma processing device and method
EP0732729A2 (en) * 1995-03-16 1996-09-18 Hitachi, Ltd. Plasma processing apparatus and plasma processing method
US6815365B2 (en) 1995-03-16 2004-11-09 Hitachi, Ltd. Plasma etching apparatus and plasma etching method
US7208422B2 (en) 1995-03-16 2007-04-24 Hitachi, Ltd. Plasma processing method
US7565879B2 (en) 1995-03-16 2009-07-28 Hitachi, Ltd Plasma processing apparatus
EP0814495A2 (en) * 1996-06-20 1997-12-29 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chamber
EP0814495A3 (en) * 1996-06-20 1998-08-12 Applied Materials, Inc. Adjusting DC bias voltage in plasma chamber

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