JPS5889944A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents

プラズマｃｖｄ装置

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JPS5889944A
JPS5889944A JP18966481A JP18966481A JPS5889944A JP S5889944 A JPS5889944 A JP S5889944A JP 18966481 A JP18966481 A JP 18966481A JP 18966481 A JP18966481 A JP 18966481A JP S5889944 A JPS5889944 A JP S5889944A
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JP
Japan
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plasma
vacuum
electrodes
film
dust
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Application number
JP18966481A
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English (en)
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JPS6323827B2 (ja
Inventor
Osamu Kamiya
神谷　攻
Yasutomo Fujiyama
藤山　靖朋
Kyosuke Ogawa
小川　恭介
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプラズマＣＶＤ装置内から発生するゴミ粉末を
効率よく収集する機構を設けたプラズマＣＶＤ装置に関
するものである。
薄膜製造法の一つとして近年脚光を浴びているものにグ
ラダマＣＶＤ法がある。この方法は反応室を高真空に減
圧し原料ガスを反応室に供給した彼、直流又は高周波に
よるグロー放電で原料ガスを分解し、反応室内に配置さ
れた基体上に薄膜を形成する方法で、例えば非晶質硅素
膜の生成に応用されている。
この方法で例えばシランガス（８１Ｈ４）を原料ガスと
して作成した非晶質硅素膜は、非晶質硅素の禁止帯中に
存在する局在準位が比較的少なく、高抵抗でかつ光導仏
性が大きい為、電子写真用感光体として有効である。
電子写真用の感光体を本方法で製造する場合、非晶質感
光層の受容電位を大きくする必要があり、非晶質膜の厚
さは１５〜２０μｍ程度必要である。
一方通常のプラズマＣＶＤ装置では、目的とする円筒基
体以外の対向電極、プラズマをとじ込める為の電気的シ
ールド板、原料ガス導入管勢プラズマにさらされるすべ
ての面に成膜される為、前記の様に厚膜を数回製造する
だけで外壁に付着した膜が、細片又は粉とかって、真空
槽への外気導入時又は、真空排気時に槽内の空気の流動
に＼よって舞い上り、基体円筒にゴミとなって付着する
。
これらのゴミは感光体としての品質を劣化させ、良品留
止シを低下させる。
この様なゴミを取り除く為、従来は反応炉を真空槽よシ
取り出し、分解して清掃する事を、毎成膜時に行なう必
要があった。
本発明は、これらの発生したがミを反応炉を解体する事
なく、効率よく除去する機構を設けたグラズマＣ’ＶＤ
装置である。
以下に本発明を図面に示す実施例装置に従って詳細に説
明する。
図中４は反応炉を収容している真空槽である。
この真空槽は、パルプ１１を開く事により、真空ポンダ
に接続されている真空排タロ１２を通して真空排気され
る。
高絢波又は直流高電圧によシ、基体円筒８及び電極７０
間にプラズマ放電を発生させる。電極７は原料ガスの導
入の役目も果しておシ、原料ガスをプラズマ分解して基
体８上に膜として堆積させる。
その場合円筒基体を回転軸３により回転させ、ヒーター
９により円筒基体の内部よシ加熱するのが一毅的である
。
更にプラズマを電気的にとじ込める為５，６゜ｌＯで示
す様なシールド板で秒う事が行なわれている。
ノズル１６より炉の内部に噴出させ、シールド板、及び
電極に付着した不要な膜を取シ除き、同時にパルｆ１３
を開き、配管１４に取シ付けられた真空掃除器１５で、
吸引して集塵する。この操作は円筒基体を取シ付ける前
に行なう為、円筒にゴミがつく心配はない。然る徒バル
ブ１及び１３を閉じ、基体円筒を回転軸に摩り付け、真
空槽を密閉しパル２１１を開けて真空ポンプ１２により
真空排気される。
以上の操作を毎成膜工程の終了時に行なう事により、円
筒基体は常に清浄な状態で成膜される。
一般に本実施例の様に、半導体の膜を形成する様な場合
、装置の反応炉部分を活性な不純物で汚す事は、その反
応炉により形成された膜の電気的性質を著じるしくそこ
なう為、高圧気体としては、窒素、アルプンの様な不活
性なガスを使う事が望ましいが、清浄な空気を使用する
事も可能である。
ノズルの噴出方向、数、取シ付は場所は、粉末の多く付
着し易い所に向ける方が効果があるが、吹き飛ばされた
粉末が、効率よく、収裏口よシ排出する様に気流の流れ
を考慮して決める必要がある。
本実施例では収塵機１５を、そなえているが、取り去ら
れた塵が、他に影蕃を与えぬ様な方法であれば良い。又
、ノズル自体の構造も、多数の穴のあいたシャワー型式
のノズルであっても良い。
本発明のプラズマＣＶＤ装置は以上の如く構成する事に
より、従来人手を煩わしていた清掃作業を大巾に簡略化
し得ると同時に各工程を自動化する事も可能となる優れ
た機能を示すものである。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明における掃除機構を備えたプラズマＣＶＤ
装置の実施例装置を示す図である。 １・・・パルプ　　　　　　　２・・・高圧配管３・・
・回転軸　　　　　　　４・・・真空槽５　ｅ　６　ｅ
　１０・・・プラズマシールド７・・・電極兼原料ガス
噴出器

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 反応炉内に高圧力気体の噴出口と吸入口を設けそれらを
    同時−に作動させ、反応炉内のゴミ粉末を除去する事を
    可能ならしめたことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
JP18966481A 1981-11-26 1981-11-26 プラズマｃｖｄ装置 Granted JPS5889944A (ja)

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JPS5889944A true JPS5889944A (ja) 1983-05-28
JPS6323827B2 JPS6323827B2 (ja) 1988-05-18

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