JPS6323827B2 - - Google Patents
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- JPS6323827B2 JPS6323827B2 JP18966481A JP18966481A JPS6323827B2 JP S6323827 B2 JPS6323827 B2 JP S6323827B2 JP 18966481 A JP18966481 A JP 18966481A JP 18966481 A JP18966481 A JP 18966481A JP S6323827 B2 JPS6323827 B2 JP S6323827B2
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- Japan
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- film
- vacuum
- reactor
- plasma
- dust
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマCVD装置内から発生するゴ
ミ粉末を効率よく収集する機構を設けたプラズマ
CVD装置に関するものである。
ミ粉末を効率よく収集する機構を設けたプラズマ
CVD装置に関するものである。
薄膜製造法の一つとして近年脚光を浴びている
ものにプラズマCVD法がある。この方法は反応
室を高真空に減圧し原料ガスを反応室に供給した
後、直流又は高周波によるグロー放電で原料ガス
を分解し、反応室内に配置された基体上に薄膜を
形成する方法で、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。
ものにプラズマCVD法がある。この方法は反応
室を高真空に減圧し原料ガスを反応室に供給した
後、直流又は高周波によるグロー放電で原料ガス
を分解し、反応室内に配置された基体上に薄膜を
形成する方法で、例えば非晶質硅素膜の生成に応
用されている。
この方法で例えばシランガス（SiH4）を原料
ガスとして作成した非晶質硅素膜は、非晶質硅素
の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく、
高抵抗でかつ光導伝性が大きい為、電子写真用感
光体として有効である。
ガスとして作成した非晶質硅素膜は、非晶質硅素
の禁止帯中に存在する局在準位が比較的少なく、
高抵抗でかつ光導伝性が大きい為、電子写真用感
光体として有効である。
電子写真用の感光体を本方法で製造する場合、
非晶質感光層の受容電位を大きくする必要があ
り、非晶質膜の厚さは15〜20μm程度必要である。
非晶質感光層の受容電位を大きくする必要があ
り、非晶質膜の厚さは15〜20μm程度必要である。
一方通常のプラズマCVD装置では、目的とす
る円筒基体以外の対向電極、プラズマをとじ込め
る為の電気的シールド板、原料ガス導入管等プラ
ズマにさらされるすべての面に成膜される為、前
記の様に厚膜を数回製造するだけで外壁に付着し
た膜が、細片又は粉となつて、真空槽への外気導
入時又は、真空排気時に槽内の空気の流動によつ
て舞い上り、基体円筒にゴミとなつて付着する。
る円筒基体以外の対向電極、プラズマをとじ込め
る為の電気的シールド板、原料ガス導入管等プラ
ズマにさらされるすべての面に成膜される為、前
記の様に厚膜を数回製造するだけで外壁に付着し
た膜が、細片又は粉となつて、真空槽への外気導
入時又は、真空排気時に槽内の空気の流動によつ
て舞い上り、基体円筒にゴミとなつて付着する。
これらのゴミは感光体としての品質を劣化さ
せ、良品留止りを低下させる。
せ、良品留止りを低下させる。
この様なゴミを取り除く為、従来は反応炉を真
空槽より取り出し、分解して清掃する事を、毎成
膜時に行なう必要があつた。
空槽より取り出し、分解して清掃する事を、毎成
膜時に行なう必要があつた。
本発明は、これらの発生したゴミを反応炉を解
体する事なく、効率よく除去する機構を設けたプ
ラズマCVD装置である。
体する事なく、効率よく除去する機構を設けたプ
ラズマCVD装置である。
以下に本発明を図面に示す実施例装置に従つて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
図中４は反応炉を収容している真空槽である。
この真空槽は、バルブ１１を開く事により、真空
ポンプに接続されている真空排気口１２を通して
真空排気される。
この真空槽は、バルブ１１を開く事により、真空
ポンプに接続されている真空排気口１２を通して
真空排気される。
高周波又は直流高電圧により、基体円筒８及び
電極７の間にプラズマ放電を発生させる。電極７
は原料ガスの導入の役目も果しており、原料ガス
をプラズマ分解して基体８上に膜として堆積させ
る。
電極７の間にプラズマ放電を発生させる。電極７
は原料ガスの導入の役目も果しており、原料ガス
をプラズマ分解して基体８上に膜として堆積させ
る。
その場合円筒基体を回転軸３により回転させ、
ヒーター９により円筒基体の内部より加熱するの
が一般的である。
ヒーター９により円筒基体の内部より加熱するの
が一般的である。
更にプラズマを電気的にとじ込める為５，６，
１０で示す様なシールド板で覆う事が行なわれて
いる。
１０で示す様なシールド板で覆う事が行なわれて
いる。
本発明では、更に高圧ガスを配管２を通じ、ノ
ズル１６より炉の内部に噴出させ、シールド板、
及び電極に付着した不要な膜を取り除き、同時に
バルブ１３を開き、配管１４に取り付けられた真
空掃除器１５で、吸引して集塵する。この操作は
円筒基体を取り付ける前に行なう為、円筒にゴミ
がつく心配はない。然る後バルブ１及び１３を閉
じ、基体円筒を回転軸に取り付け、真空槽を密閉
しバルブ１１を開けて真空ポンプ１２により真空
排気される。
ズル１６より炉の内部に噴出させ、シールド板、
及び電極に付着した不要な膜を取り除き、同時に
バルブ１３を開き、配管１４に取り付けられた真
空掃除器１５で、吸引して集塵する。この操作は
円筒基体を取り付ける前に行なう為、円筒にゴミ
がつく心配はない。然る後バルブ１及び１３を閉
じ、基体円筒を回転軸に取り付け、真空槽を密閉
しバルブ１１を開けて真空ポンプ１２により真空
排気される。
以上の操作を毎成膜工程の終了時に行なう事に
より、円筒基体は常に清浄な状態で成膜される。
より、円筒基体は常に清浄な状態で成膜される。
一般に本実施例の様に、半導体の膜を形成する
様な場合、装置の反応炉部分を活性な不純物で汚
す事は、その反応炉により形成された膜の電気的
性質を著じるしくそこなう為、高圧気体として
は、窒素、アルゴンの様な不活性なガスを使う事
が望ましいが、清浄な空気を使用する事も可能で
ある。ノズルの噴出方向、数、取り付け場所は、
粉末の多く付着し易い所に向ける方が効果がある
が、吹き飛ばされた粉末が、効率よく、収塵口よ
り排出する様に気流の流れを考慮して決める必要
がある。
様な場合、装置の反応炉部分を活性な不純物で汚
す事は、その反応炉により形成された膜の電気的
性質を著じるしくそこなう為、高圧気体として
は、窒素、アルゴンの様な不活性なガスを使う事
が望ましいが、清浄な空気を使用する事も可能で
ある。ノズルの噴出方向、数、取り付け場所は、
粉末の多く付着し易い所に向ける方が効果がある
が、吹き飛ばされた粉末が、効率よく、収塵口よ
り排出する様に気流の流れを考慮して決める必要
がある。
本実施例では収塵機１５を、そなえているが、
取り去られた塵が、他に影響を与えぬ様な方法で
あれば良い。又、ノズル自体の構造も、多数の穴
のあいたシヤワー型式のノズルであつても良い。
取り去られた塵が、他に影響を与えぬ様な方法で
あれば良い。又、ノズル自体の構造も、多数の穴
のあいたシヤワー型式のノズルであつても良い。
本発明のプラズマCVD装置は以上の如く構成
する事により、従来人手を煩わしていた清掃作業
を大巾に簡略化し得ると同時に各工程を自動化す
る事も可能となる優れた機能を示すものである。
する事により、従来人手を煩わしていた清掃作業
を大巾に簡略化し得ると同時に各工程を自動化す
る事も可能となる優れた機能を示すものである。
図面は本発明における掃除機構を備えたプラズ
マCVD装置の実施例装置を示す図である。 １……バルブ、２……高圧配管、３……回転
軸、４……真空槽、５，６，１０……プラズマシ
ールド、７……電極兼原料ガス噴出器、８……円
筒基体、９……加熱ヒーター、１１，１３……バ
ルブ、１２……真空排気口、１４……収塵口、１
５……収塵機。
マCVD装置の実施例装置を示す図である。 １……バルブ、２……高圧配管、３……回転
軸、４……真空槽、５，６，１０……プラズマシ
ールド、７……電極兼原料ガス噴出器、８……円
筒基体、９……加熱ヒーター、１１，１３……バ
ルブ、１２……真空排気口、１４……収塵口、１
５……収塵機。
Claims (1)
- １ 反応炉内に高圧力気体の噴出口と吸入口を設
けそれらを同時に作動させ、反応炉内のゴミ粉末
を除去する事を可能ならしめたことを特徴とする
プラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18966481A JPS5889944A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18966481A JPS5889944A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5889944A JPS5889944A (ja) | 1983-05-28 |
| JPS6323827B2 true JPS6323827B2 (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=16245104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18966481A Granted JPS5889944A (ja) | 1981-11-26 | 1981-11-26 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5889944A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128930U (ja) * | 1982-02-22 | 1983-09-01 | 株式会社東芝 | 成膜装置 |
| JPS58192943U (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
| JPS60114573A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素被膜作製方法 |
| JPS63153274A (ja) * | 1987-11-26 | 1988-06-25 | Toshiba Corp | 成膜装置 |
| CH687987A5 (de) * | 1993-05-03 | 1997-04-15 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur Erhoehung der Beschichtungsrate in einem Plasmaentladungsraum und Plasmakammer. |
| JP5178342B2 (ja) * | 2008-06-23 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 堆積物除去方法及び堆積膜形成方法 |
| JP2011168870A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置及びメンテナンス方法 |
-
1981
- 1981-11-26 JP JP18966481A patent/JPS5889944A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5889944A (ja) | 1983-05-28 |
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