JPS63153274A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPS63153274A JPS63153274A JP29796887A JP29796887A JPS63153274A JP S63153274 A JPS63153274 A JP S63153274A JP 29796887 A JP29796887 A JP 29796887A JP 29796887 A JP29796887 A JP 29796887A JP S63153274 A JPS63153274 A JP S63153274A
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- JP
- Japan
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- suction
- fine powder
- amorphous silicon
- film formation
- film
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- Pending
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 12
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- 238000007788 roughening Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はたとえば電子写真用アモルファスシリコン感光
体の感光層を形成する成膜装置に関する。
体の感光層を形成する成膜装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、電子写真用感光体としてはＳ＠または８ｓ −Ｔ
Ｉ系、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ、有機光導電体（Ｑ、Ｐ。
Ｉ系、 ＣｄＳ 、 ＺｎＯ、有機光導電体（Ｑ、Ｐ。
Ｃ）などが用いられてき念が、Ｓ・、 ＣｄＳは耐摩性
、ＺｎＯ、ＯＰＣは耐湿性、寿命などの点で問題があっ
た。そこで、近時これらの問題をもたないアモルファス
シリコン（ａ−８１３感光体の開発が注目されてき友。
、ＺｎＯ、ＯＰＣは耐湿性、寿命などの点で問題があっ
た。そこで、近時これらの問題をもたないアモルファス
シリコン（ａ−８１３感光体の開発が注目されてき友。
このａ −８１感光体の成膜装置としてはたとえば第１
図および第２図に示すようなものが知られている。すな
わち、この装置はまず真空チャンバー１内を１０ ）
−ルの真空として、つ込で、パルプ２を開放してパス導
入管３から８１１（４あるいは８１Ｈ４とＢ２Ｈ６の混
合ガスをチキンパー１内に導入する。そして、接地した
導電性のト１ラム状の基板４を回転させ、ヒータ５によ
ってその温度を２００〜３００℃に設定しておく、導入
された５ｌ１４ま九は８１Ｈ４とＢ２Ｈ，の混合ガスは
ガス噴出口６・・・を有した対向電極７からドラム状の
基板４へ噴きつけられる。この状態でチャンバー１内の
圧力が０．１〜４トールに運すると１図示しないラジオ
フレクエンシー電源よシ対向電極７へ周反数１３、５６
ＭＨｚｍのＡＣパワーを１〜２０ｋＷ印加して８１ｆ
１４ｔたはａｌｌ（４と８２Ｈ，の混合ガスのプラズマ
状態を生じさせて＆−８１Ｍ＆の成膜を開始する。この
成膜時において、基板４に成膜されなかったＳ■４また
は５ＩＨ４と８．Ｈ，の混合ガスは排気管９を通り拡散
ポンプ１０およびロータリー＄７７”１１を介して図示
しない燃焼塔およびスフ２パーを通シ外気を排出される
。
図および第２図に示すようなものが知られている。すな
わち、この装置はまず真空チャンバー１内を１０ ）
−ルの真空として、つ込で、パルプ２を開放してパス導
入管３から８１１（４あるいは８１Ｈ４とＢ２Ｈ６の混
合ガスをチキンパー１内に導入する。そして、接地した
導電性のト１ラム状の基板４を回転させ、ヒータ５によ
ってその温度を２００〜３００℃に設定しておく、導入
された５ｌ１４ま九は８１Ｈ４とＢ２Ｈ，の混合ガスは
ガス噴出口６・・・を有した対向電極７からドラム状の
基板４へ噴きつけられる。この状態でチャンバー１内の
圧力が０．１〜４トールに運すると１図示しないラジオ
フレクエンシー電源よシ対向電極７へ周反数１３、５６
ＭＨｚｍのＡＣパワーを１〜２０ｋＷ印加して８１ｆ
１４ｔたはａｌｌ（４と８２Ｈ，の混合ガスのプラズマ
状態を生じさせて＆−８１Ｍ＆の成膜を開始する。この
成膜時において、基板４に成膜されなかったＳ■４また
は５ＩＨ４と８．Ｈ，の混合ガスは排気管９を通り拡散
ポンプ１０およびロータリー＄７７”１１を介して図示
しない燃焼塔およびスフ２パーを通シ外気を排出される
。
しかしながら、従来においてはドラム状の基板４へ成膜
しなかったａ −Ｓｉの微粉１２・・・が真空チャンバ
ー１や対向電！Ｍ７の壁面などに付着しこれがつぎに成
膜を行なうとき感光体の表面を荒すという不都合があっ
た。
しなかったａ −Ｓｉの微粉１２・・・が真空チャンバ
ー１や対向電！Ｍ７の壁面などに付着しこれがつぎに成
膜を行なうとき感光体の表面を荒すという不都合があっ
た。
［発明の目的］
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的
とするところは、成膜しないアモルファスシリコンの微
粉が成膜層の表面を荒すことのないようにした成膜装置
を提供しようとするものでおる。
とするところは、成膜しないアモルファスシリコンの微
粉が成膜層の表面を荒すことのないようにした成膜装置
を提供しようとするものでおる。
［発明の概要コ
本発明は成膜終了後に容器内に残留したアモルファスシ
リコンの微粉を吸引手段によって吸引除去するものであ
る。
リコンの微粉を吸引手段によって吸引除去するものであ
る。
［発明の実施例コ
以下、本発明の一実施例ｔ−第４図にもとづいて説明す
る０図中２１はペースで、このベース２１の上面部には
チャンバー２２が設置されている。上記チャンバー２２
内には円筒状の対向電極２３が設けられ、この対向電極
２３の内部にはガス通路２４が設けられているとともに
円周面には上記ガス通路２４に連通ずる噴出口２５・・
・が穿設されてｈる。また、上記チャンバー２２の内底
部にはターンテーブル２６が設けられ、このターンテー
ブル２６上にはヒータ２７が設けられているとともに被
成膜体としてのドラム状基板が載置されるようになって
いる。また、上記対向ｍ億２３のガス通路２４にはガス
導入管２９が接続され、このガス尋人管２９を介して５
１ｆ（４または８１１（４とＢ、Ｈ４の混合ガスが尋人
されるようになっている。
る０図中２１はペースで、このベース２１の上面部には
チャンバー２２が設置されている。上記チャンバー２２
内には円筒状の対向電極２３が設けられ、この対向電極
２３の内部にはガス通路２４が設けられているとともに
円周面には上記ガス通路２４に連通ずる噴出口２５・・
・が穿設されてｈる。また、上記チャンバー２２の内底
部にはターンテーブル２６が設けられ、このターンテー
ブル２６上にはヒータ２７が設けられているとともに被
成膜体としてのドラム状基板が載置されるようになって
いる。また、上記対向ｍ億２３のガス通路２４にはガス
導入管２９が接続され、このガス尋人管２９を介して５
１ｆ（４または８１１（４とＢ、Ｈ４の混合ガスが尋人
されるようになっている。
３０は上記ガス導入管２９を開閉するバルブである。ま
た、上記チャンバー２２内の天井部にはプロペラファン
３１が設けられ、成膜終了後に高速回転されるようにな
っている。
た、上記チャンバー２２内の天井部にはプロペラファン
３１が設けられ、成膜終了後に高速回転されるようにな
っている。
一方、上記チャンバー２２の内底部には排気管３２が接
続され、この排気管３２の中途部には排気の方向に沿っ
てパルｆ３３．拡散ポンプ３４およびロータリーポンプ
３５が装着されている。また、上記バルブ３３の排ガス
導入側には吸引手段４０ｔ−構成する吸入管３６が接続
されこの吸入管３６にはバルブ３７および吸引機３８が
接続されている。この吸入管３６のバルブ３７は吸引時
に開放されて排気時に閉塞されるようになっておシ、上
記排気管３２のバルブ３３は排気時に開放されて吸引時
に閉塞されるようになっている。
続され、この排気管３２の中途部には排気の方向に沿っ
てパルｆ３３．拡散ポンプ３４およびロータリーポンプ
３５が装着されている。また、上記バルブ３３の排ガス
導入側には吸引手段４０ｔ−構成する吸入管３６が接続
されこの吸入管３６にはバルブ３７および吸引機３８が
接続されている。この吸入管３６のバルブ３７は吸引時
に開放されて排気時に閉塞されるようになっておシ、上
記排気管３２のバルブ３３は排気時に開放されて吸引時
に閉塞されるようになっている。
しかして、上記チャンバー２２内にセットされたト・ラ
ム状基板２８の表面には第１図および第２図にもとづい
て説明し九と同様にしてａ −Ｓｌ ｉｆ；、光層ａが
成膜されることになるが、この成膜終了後には排気管３
２のバルブ３３が閉塞されるとともに吸入ｔ３６のバル
ブ３７が開放され、この状態から吸引機３８が作動され
、さらに、チャンｉ４−２２内のプロペラファン３］が
高速回転される。
ム状基板２８の表面には第１図および第２図にもとづい
て説明し九と同様にしてａ −Ｓｌ ｉｆ；、光層ａが
成膜されることになるが、この成膜終了後には排気管３
２のバルブ３３が閉塞されるとともに吸入ｔ３６のバル
ブ３７が開放され、この状態から吸引機３８が作動され
、さらに、チャンｉ４−２２内のプロペラファン３］が
高速回転される。
このプロペラ７アン３ノの回転によシチャンパー２２の
内壁面に付着しているａ−８１の微粉３９・・・が撹乱
され、とのａ −８１の微粉３９・・・は矢印で示すよ
うに排気管３２および吸入管３６を介して吸引機３８内
に吸引回収される。
内壁面に付着しているａ−８１の微粉３９・・・が撹乱
され、とのａ −８１の微粉３９・・・は矢印で示すよ
うに排気管３２および吸入管３６を介して吸引機３８内
に吸引回収される。
このように成膜後にチャンバー２２内に残留され九ａ−
８ｉの微粉を吸引手段４０によって１ｇ１Ｉ収するため
、つぎに成膜するときに従来のようにａ−８ｉの微粉３
９がａ−８ｉ悪感光ドラムの表面を荒すことは防止され
ることになる。
８ｉの微粉を吸引手段４０によって１ｇ１Ｉ収するため
、つぎに成膜するときに従来のようにａ−８ｉの微粉３
９がａ−８ｉ悪感光ドラムの表面を荒すことは防止され
ることになる。
［発明の効果コ
本発明は以上説明したように、成′ｔｉＸ終了後に容器
内に！！４留したアモルファスシリコンの微粉ヲ吸引手
段によって吸引除去するようにしたから、従来のように
容器内に残留したアモルファスシリコンの微粉がつぎに
成膜される被成膜体の表面を荒すことがなくアモルファ
スシリコン／ｉｗを良好に成膜できるという効果を奏す
るものである。
内に！！４留したアモルファスシリコンの微粉ヲ吸引手
段によって吸引除去するようにしたから、従来のように
容器内に残留したアモルファスシリコンの微粉がつぎに
成膜される被成膜体の表面を荒すことがなくアモルファ
スシリコン／ｉｗを良好に成膜できるという効果を奏す
るものである。
第１図は従来の成膜装置を示す縦断面図、第２図はその
横断面図、第３図は七の成膜終了時を示す説明図、第４
図は本発明の一実施例である成膜装置を示す縦断面図で
ある。 ２２・・・容器（チャンバー）、２８・・・被成膜体（
ｒ２Ａ状基板）、亀・・・アモルファスシリコン感光層
、３９・・・アモルファスシリコンの微ＩＬ４０・・・
吸引手段。 出願人代理人 弁理士 局 江 武 彦第１図 第２１５！１ 第４図
横断面図、第３図は七の成膜終了時を示す説明図、第４
図は本発明の一実施例である成膜装置を示す縦断面図で
ある。 ２２・・・容器（チャンバー）、２８・・・被成膜体（
ｒ２Ａ状基板）、亀・・・アモルファスシリコン感光層
、３９・・・アモルファスシリコンの微ＩＬ４０・・・
吸引手段。 出願人代理人 弁理士 局 江 武 彦第１図 第２１５！１ 第４図
Claims (1)
- 容器内に被成膜体を収容するとともに反応ガスを供給し
て前記被成膜体の表面にアモルファスシリコン感光層を
成膜するものにおいて、前記容器に連通されアモルファ
スシリコン感光層の成膜終了後に成膜に供せられなかっ
た反応ガスを排気させる排気系と、前記容器内に残留し
たアモルファスシリコンの微粉を吸引除去する吸引手段
とを具備したことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29796887A JPS63153274A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29796887A JPS63153274A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153274A true JPS63153274A (ja) | 1988-06-25 |
Family
ID=17853422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29796887A Pending JPS63153274A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153274A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889944A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29796887A patent/JPS63153274A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889944A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-28 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
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