JPS63246814A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマＣＶ　Ｄ　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａ
ｐｏｒＤｉｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による薄膜形成装置
に関するものである。

従来の技術 近年、プラズマＣＶＤ装置は、半導体製造プロセスにと
って不可欠の装置となっているが、成長速度やメンテナ
ンス性の問題など、未だ課題は多いと言える。

以下、図面を参照しながら、従来のプラズマＣＶＤ装置
の一例について説明する。

第４図は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略図を示すもの
である◎第４図において、４０１は真空保持可能な反応
容器、４０２はヒータを内蔵する接地された試料台、４
０３は試料、４０４は高周波電力が印加される電極、４
０６は高周波電源、４０６は圧力調整機構、４０７は反
応ガス導入口、４０８は排気口である〇 以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置について、
以下、その動作について説明する。

まず、真空保持可能な反応容器４０１内を３０ｍＴｏｒ
ｒ以下まで排気した後、反応ガス導入し、圧力調整機構
４０６により１００−４００　ｍ　Ｔｏｒｒの所望の真
空度に調圧する。次に電極４０４に周波数５０　ＫＨｚ
　　の高周波電力を印加して試料を含む空間に低温プラ
ズマを発生させ、反応ガスを励起して、試料４０３上に
反応生成物を堆積させる。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記のような構成では反応生成物は試料
４０３上だけでなく、試料台４０２上、電極４０４上や
反応容器４０１の内壁にも付着してしまう。これらが多
量に付着すると、メンテナンスを行い、これらの付着物
を取り除くことが必要になる。しかし、通常よく行われ
ているノ１０ゲンガスを導入して行うプラズマクリーニ
ングでは、試料台上や電葎上の付着物は完全に取り除く
ことはできるが、反応容器内壁の付着物は完全に取り除
くことはできなかった。しかも、この反応容器内壁の付
着物は剥離しやすく、これが試料上に降って膜欠陥を生
じ、歩留り低下の原因になるという問題点を有していた
。更に、この付着物を取り除くためには、装置を長時間
停止して分解洗浄やブラッシング等のメンテナンスを行
っているので、装置の稼動率の低下を招くという問題点
も有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、反応容器内壁の付着物を簡
便にしかも完全に取り除くことのできる薄膜形成装置を
提供するものである。

問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために、本発明の薄膜形成装置は
、反応容器内壁を覆う可撓性のあるフィルム材を支持手
段で反応容器内壁に沿うように支持し、更に前記フィル
ム材を繰り出すローラと巻き取るローラとを反応容器内
に備えだものである。

作　　用 本発明は上記した構成によって、これまで反応容器内壁
に付着し、プラズマクリーニングによっても取り除くこ
とのできなかった反応生成物を、前記フィルム材上に堆
積させ、その後のクリーニングを真空破壊することなく
、このフィルム材を巻き替えることにより行うものであ
る。前記操作により、反応容器内壁の付着物が剥離して
、膜欠陥を引き起こすことを防止することが可能になる
。

実施例 以下、本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置について
、図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１
の実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の概略図、第２図
はそのＡ−Ａ断面図である。

第１図、第２図において、１ｏ１は真空保持可能な反応
容器、１０２はヒータを内蔵する接地された試料台、１
０３は試料、１０４は電極、１０６は高周波電源、１０
６は圧力調整機構、１０７は材質がアルミである厚さ０
．１鰭のフィルム材、１０８は反応ガス導入口、１０９
は排気口である。

２０６は前記フィルム材１０７を反応容器内壁を覆うよ
うに支持するフィルム支持棒、２０６はフィルム材１０
７の繰り出しローラ、２０７は巻き取りローラである。

以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装置について、
以下、第１図、及び第２図を用いてその動作を説明する
。

まず、真空保持可能な反応容器１ｏ１を３０ｍＴｏｒｒ
以下まで排気した後、ガス導入口１０８から反応ガスを
導入し、圧力調整機構１０６により１００〜４００ｍＴ
ｏｒｒ　　の所望の真空度に調圧する。次に、電極１０
４に周波数５０　ＫＨｚの高周波電力を印加して、試料
１０３を含む空間に低温プラズマを発生させ反応ガスを
励起して、試材１０３上に反応生成物を堆積させる。こ
の時、反応生成物は、試料上だけでなく、試料台１ｏ２
上、電極１０４上、フィルム材１０７上にも堆積する。

これらの付着物が多量に付着すると剥離して試料１０３
上に降り膜欠陥の原因となるので、通常、メンテナンス
としてクリーニングを行って、これらの堆積物を除去す
る工程が必要になる。ここで、電極１０４上と試料台１
ｏ２上の堆積物は（ＣＦＬ、＋０２）ガス等のハロゲン
ガスによるプラズマクリーニングにより取り除き、これ
では取り除くことのできないフィルム材１０７上の堆積
物は、真空破壊することなく、繰り出しローラ２０６と
巻き取りローラ２０７を動作させ、反応容器１０１の内
壁に沿うフィルム材１０７を巻き取り交換することによ
り、完全に取り除くことが可能になる。

以上のように、本実施例によれば、反応容器１ｏ１の内
壁をアルミ材から成るフィルム材１０７で覆い、これを
巻き取り移動させて交換する繰り出しローラ２０６と巻
き取りローラ２０７を反応容器１０１の内部に設けるこ
とにより、従来反応容器内壁に付着していた反応生成物
を、真空破壊することなく簡便に取り除くことができる
ので、フレークによる膜欠陥を防ぎ、また、メンテナン
ス性の向上により稼動率を増すことができる。

次に本発明の第２の実施例について第３図を参照しなが
ら説明する。同図において、１０２は試料台、１０３は
試料、２０６は繰り出しローラ、２０７は巻き取りロー
ラ、１０７はアルミ材から成るフィルム材、２０５はフ
ィルム支持棒で、以上は第１図および第２図の構成と同
様なものである。第２図の構成と異なるのは、接近した
２本の補助フィルム支持棒３０８を１本のフィルム支持
棒３０５の反応室径方向の内側に近接して設けた点であ
る。

上記のように構成されたプラズマＣＶＤ装置に　□つい
て、その動作は、第１の実施例と同様なものであるが、
接近した２本の補助フィルム支持棒３０８を１本のフィ
ルム支持棒２０５の反応室径方向の内側に近接して設け
たことにより、フィルム支持棒２０５がプラズマ空間に
晒される部分を最小限にすることができるので、反応生
成物がこれらフィルム支持棒２０５．３０８に堆積する
ことを防止できる。その結果、第１の実施例よりもさら
に、付着物の剥離による膜欠陥を防止することが可能に
なる。

なお、第１および第２の実施例において、可撓のあるフ
ィルム材はアルミ薄板としたが、ステンレス薄板として
もよい。また、薄膜形成温度が比較的低温の場合には、
例えば、ポリイミドなどの有機系高分子フィルムとして
もよい。

また、本発明はプラズマＣＶＤのみならず、スパッタリ
ングや蒸着等、各種薄膜形成装置についても適用可能で
ある。

発明の効果 以上のように本発明は、反応容器内壁を可撓性のあるフ
ィルム材で覆い、更に反応容器内に前記フィルム材を繰
り出すローラと巻き取るローラとを設けているので反応
容器内壁に付着していた反応生成物をこのフィルム材上
に堆積させ、このフィルム材を巻き取り交換することに
より真空破壊することなくクリーニングを行うことがで
きる。

従って、これまで反応容器内壁に付着していた反応生成
物を完全に取り除くことができ、フレークによる膜欠陥
や長いメンテナンス時間のための稼動率の低下を防ぐこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例におけるプラズマＣＶＤ
装置の概略図、第２図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図
は本発明の第２の実施例におけるプラズマＣＶＤ装置の
断面図、第４図は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略図で
ある。 １０１・・・・・・反応容器、１０７・・・・・フィル
ム材、２０６・・・・・・フィルム支持棒、２０６・・
・・・・繰り出しローラー、２ｏ７・・・・・・巻き取
りローラ、３０８・・・・・・補助フィルム支持棒。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）内部で薄膜形成を行う反応容器と、反応容器内壁
   を覆う可撓性のあるフィルム材と、前記フィルム材を反
   応容器内壁に沿うように支持する支持手段と、前記フィ
   ルム材を繰り出すローラと巻き取るローラとを備えた薄
   膜形成装置。
2. （２）支持手段が、反応容器内壁に沿って配設した複数
   のフィルム支持棒から成る特許請求の範囲第１項に記載
   の薄膜形成装置。
3. （３）支持手段が、反応容器内壁に沿って配設した複数
   フィルム支持棒と、各フィルム支持棒の反応容器径方向
   の内側に接近させてそれぞれ２本ずつ配置した補助フィ
   ルム支持棒とから成る特許請求の範囲第１項に記載の薄
   膜形成装置。