JPH10229058A - コーティング付き堆積チャンバ装置 - Google Patents

コーティング付き堆積チャンバ装置

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JPH10229058A
JPH10229058A JP36336097A JP36336097A JPH10229058A JP H10229058 A JPH10229058 A JP H10229058A JP 36336097 A JP36336097 A JP 36336097A JP 36336097 A JP36336097 A JP 36336097A JP H10229058 A JPH10229058 A JP H10229058A
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deposition
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JP36336097A
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Peijun Ding
ディング ペイジュン
Gongda Yao
ヤオ ゴングダ
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    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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Abstract

(57)【要約】 【課題】堆積チャンバ装置から剥離したターゲット材料
に起因するウエハの汚染発生を低減する。 【解決手段】半導体製造で用いられる装置の表面にコー
ティングを施して、薄い膜を堆積する。コーティング
は、堆積装置に影響を与える堆積材料の粒子により形成
された堆積層と、装置表面との間に、ブリッジを形づく
る点で有利である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造のための装置及び方法に関する。特に本発明は、上
面にホール、トレンチ又はステップを有する基板に材料
層をスパッタ堆積することに関し、この場合、堆積層が
基板表面を共形にカバーして、ホール、トレンチ及びス
テップ（即ち表面立体形状）のベースと側壁に沿って、
そして、基板全面に沿って、一様な厚さを示すものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】スパッタリングは、材料層を半導体基板
上に堆積する周知の方法の１つである。代表的なスパッ
タリング装置は、真空チャンバ内に収容されたターゲッ
トと基板支持ペデスタルとを有する。ターゲットは典型
的には、チャンバの頂部に装着され、電気的にチャンバ
壁から絶縁される。電圧源が、ターゲットをチャンバ壁
に対して負の電圧のに維持することにより真空チャンバ
内に収容されたガスを励起してプラズマとするための電
圧差を発生させる。プラズマイオンが生成してターゲッ
トの方へと向かい、プラズマイオンの運動量がターゲッ
ト原子に移動しターゲット原子を放出する（すなわちス
パッタする）。スパッタされたターゲット原子は、基板
の上に堆積し、その結果、薄膜を形成する。好ましく
は、この薄膜の厚さは非常に均一である必要がある。
【０００３】理想的には、堆積された膜の厚さは、表面
立体形状（トレンチ、ホール、バイア又はその他のアパ
ーチャ等）のベースと側壁に沿って、そして、基板全面
（フィールドとしても知られている）に対して、非常に
均一な厚さを示すべきである。
【０００４】均一な厚さの膜を提供する能力に対する限
界の１つに、スパッタリングに固有の幾何的な限界にお
けるものがある。表面立体形状は通常、基板の表面の中
に入り込んでいる（例えば、誘電体層中のバイア）た
め、隣接するフィールド面は立体形状の表面に陰をつく
りあるいは遮蔽してしまい、フィールドよりも立体形状
表面の方が堆積が薄くなってしまう。基板に実質的に非
垂直な経路で進行するターゲット原子はフィールド上に
堆積し、立体形状のベース又は下側側壁には堆積しな
い。
【０００５】バイア等の表面立体形状のベース上の膜層
の厚さを増加させるため、１つ以上の粒子スクリーニン
グ装置（プレートやコリメーター等）をターゲットと基
板の間で使用してもよい。そのようなスクリーニング装
置は、基板の表面に対して非垂直の経路で移動するター
ゲット粒子を遮蔽するよう設計される。この非垂直進行
粒子は、粒子スクリーニング装置の表面に衝突して、こ
れに堆積する。基板に垂直に進行する粒子の大部分は、
スクリーニング装置を通過し、立体形状のベース上に厚
い膜層を形成する。付加的なスクリーニング装置とし
て、チューブ又は複数の入れ小型薄肉チューブをターゲ
ットと基板の間に配置し、このチューブの直径が立体形
状の直径より実質的に大きくなるようにする。これらチ
ューブにより、ターゲットの一方のエッジからの粒子
が、それと円周上反対の位置の基板部分に到達すること
が妨げられるため、基板の特定の領域に堆積材料を提供
するターゲットの上の領域を効果的に確立する。このチ
ューブの寸法と配置をターゲット及び基板に向かい合う
ように与えれば、より均一な厚さの堆積層が得られるだ
ろう。スパッタリングが進むにつれ、粒子スクリーニン
グ装置の表面上に堆積した粒子が剥離し、基板上に落ち
これを汚染することがある。粒子がスクリーニング装置
のあらゆる部分から剥離するものの、スクリーニング装
置の下側の部分の上に堆積するターゲット粒子は特に、
スクリーニング装置に衝突したときのエネルギーが比較
的低いため、剥離しやすい。
【０００６】スクリーニングからの剥離のために汚染さ
れた基板の数を減らすための従来からの方法には、定期
的にターゲット材料をエッチして、ターゲット材料の蓄
積を除去することが含まれる。このような定期的なエッ
チングは、チャンバの停止時間を増加させ、スループッ
トを減じ、維持費を増加させる。さらに、エッチングは
補助的な装置を付加的に必要とし、これがシステム全体
のコストを増加させる。粒子スクリーニング装置の定期
的なエッチングに関連したチャンバ停止時間を避ける検
討では、粒子スクリーニング装置を逆さにして、装置の
下側のエッジ又は底部が装置の上側のエッジ又は頂部と
なるように行われた。スクリーニングデバイスの下面と
上面を切り換えれば、比較的連続な、強く付着された膜
がターゲットに面しているスクリーニングデバイスの表
面上に形成されるため、係る面が基板に面したとき、そ
の上に堆積されたあらゆる緩着粒子を固着する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一つ以上の基板を堆積
チャンバ内で処理した後、スクリーニングデバイスを繰
り返し逆にする必要がある。このスクリーニングデバイ
スの回転に要するチャンバ停止時間は、スクリーニング
デバイスにエッチングを行う場合よりも少ないものの、
スクリーニングデバイスの回転を反復することにより、
相当なチャンバ停止時間が発生する。更に、回転中に、
粒子がスクリーニングデバイスから脱落するだろう。あ
るいは、スクリーニングデバイスを回転するよりもむし
ろ、スクリーニングデバイスを定期的に交換してもよ
い。しかし、スクリーニングデバイスを交換すれば、停
止時間も発生し、ウエハコストが増大する。
【０００８】あいにく、剥離低減のための従来法では、
スクリーニングデバイスから粒子の剥離の頻度を低減す
るものの、剥離は基板汚染の大きな原因となっているま
まである。同様に、剥離低減のための従来法は、チャン
バ停止時間を必要とするため、ウエハスループットを下
げウエハコストを上昇させる。
【０００９】このように、半導体製造分野において、生
産性を低減せず又はウエハコストを増やすことなく、剥
離による基板汚染の頻度を更に低減する装置の必要性が
存在する。
【００１０】従って、本発明の目的は、堆積チャンバ装
置から剥離したターゲット材料に起因するウエハの汚染
発生を低減することにある。本発明の更なる目的は、タ
ーゲットの中間寿命でのスクリーニングデバイスのエッ
チングの必要性を排除し、また、粒子スクリーニング装
置の回転の必要性を排除して、生産性を増加させウエハ
コストを低減することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体製造
で用いられる装置の表面にコーティングを施して、薄い
膜を堆積する。コーティングは、堆積装置に影響を与え
る堆積材料の粒子により形成された堆積層と、装置表面
との間に、ブリッジを形づくる点で有利である。
【００１２】このコーティングは、コーティングに影響
を与える堆積粒子とコーティングとの間の付着性を促進
する特性を有する。同様に、このコーティングは、堆積
装置の表面とコーティングとの間の付着性を促進する特
性を有する。具体的に、本発明の特徴の１つでは、コー
ティングは低密度で、粗い表面を有し、ランダムな結晶
粒構造を有しており、その結晶粒界の向きが、堆積層の
結晶粒界の向きよりも、装置表面とコーティングとの界
面に対する平行度が高くなるようになっている。
【００１３】本発明は、上記の特性の１つ以上を有する
コーティングを使用することにより、堆積装置表面から
剥離する堆積材料によって汚染されるウエハの数を大き
く低減する。
【００１４】本発明の特徴の１つでは、コーティングは
スクリーニングデバイスの基板に面している部分だけに
施される。
【００１５】本発明の別の特徴では、コーティングの塗
布の前に、粒子スクリーニング装置の表面を荒れ加工す
ることにより、粒子スクリーニング装置とコーティング
の表面の間の付着性を更に増加させる。
【００１６】本発明の更なる特徴では、コーティングは
ターゲット材料を備えており、このため、各々異なる熱
膨張係数を有する２つの材料が、半導体デバイス製造装
置で要求される連続加熱冷却を経るときに生じる熱応力
が排除される。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明を使用するための
スパッタリングチャンバ１１の主要な部分の断面図であ
る。スパッタリングチャンバ１１は、スパッタリングタ
ーゲット１７と半導体基板１９の間に配置された粒子ス
クリーニング装置１５を有している。図１に示されるよ
うに、本発明の特徴１つでは、Avi Tepman らによる米
国特許第５，５２７，４３８号で説明されるように、粒
子スクリーニング装置１５は円筒状のチューブであり、
半導体基板１９から斜角で進行する粒子（すなわち、望
ましくない粒子）をブロックする。
【００１８】我々の発明を行うためのスパッタリングチ
ャンバ１１は概して、少くとも１つのガス入口２３を有
する真空チャンバ閉包壁２１と、排気ポンプ（図示せ
ず）に接続した排気出口２５とを有している。基板支持
ペデスタル２７はチャンバ１１の下側の端に配置され、
スパッタリングターゲット１７はチャンバ１１の上の端
に装着される。ターゲット１７は、閉包壁２１から電気
的に絶縁される。アースされた閉包壁２１に対してマイ
ナスの電圧がターゲット１７に維持されるよう、閉包壁
２１は接地されることが好ましい。操作に際し、基板１
９は、支持ペデスタル２７上に置かれる。
【００１９】堆積プロセスの間、ガス（典型的にはＡｒ
等の非反応性の化学種）はガス流入口２３を介して、質
量流量制御装置により制御された選択流量で、スパッタ
リングチャンバ１１に供給される。チャンバ圧力は、排
気口を介してポンプ輸送されるチャンバガスの流量を絞
ることにより制御される。
【００２０】ＤＣ電源により、閉包壁２１に関して負の
電圧をターゲット１７に印加し、チャンバガスをプラズ
マ状態に励起する。従来のマグネトロンスパッタリング
ソースは、ターゲット１７の上にマグネット（図示せ
ず）を用い、ターゲット１７のスパッタリング表面に隣
接した部分にプラズマイオンの濃度を増加させる。プラ
ズマからのイオンは、ターゲット１７に衝突して、ター
ゲット材料の原子及び大きい粒子をターゲット１７から
スパッタする。ターゲット１７からスパッタされた粒子
は、ターゲット１７から直線軌跡に沿って移動し、そし
て粒子の一部が、他の装置表面の上だけでなく、基板１
９と粒子スクリーニング装置１５の両方に衝突して、こ
れらの上に堆積する。このように、堆積層２９（図２参
照）が、粒子スクリーニング装置１５上に形成される。
【００２１】図２は、粒子スクリーニング装置１５の部
分的な断面図であり、堆積層２９がその上に形成されて
いるものである。粒子スクリーニング装置１５の上に形
成された堆積層２９は高温条件下でスパッタ堆積された
ものであるため、堆積層２９は高密度で、反射率の高い
層であり、粒子スクリーニング装置１５の表面に実質的
に垂直（すなわち直角）に配向する第１の結晶粒構造３
１を有している。
【００２２】代表的な堆積プロセスは、高温（約２００
℃〜５００℃）で行われる。補助的な加熱に加えて、堆
積装置は、スパッタリングプロセス自体によって、必然
的に加熱される（堆積装置の表面に衝突するエネルギー
の高い電子と、装置表面上に形成される堆積層の凝縮熱
とによる）。
【００２３】スパッタリングが終了する際、スパッタリ
ングチャンバ１１、粒子スクリーニング装置１５及びチ
ャンバ１１内のその他のあらゆる堆積装置が冷え始め
る。粒子スクリーニング装置１５と堆積された層２９の
冷却が進むにつれ、粒子スクリーニング装置の材料（例
えば、チタン、ステンレス鋼、銅その他）と堆積層（例
えば、アルミニウム、チタン、窒化チタンその他）の熱
膨張係数が異なるため、これらは異なる速度で収縮す
る。
【００２４】同様に、スパッタリングが再開して、粒子
スクリーニング装置１５及び堆積層２９が再び加熱され
るにつれ、これらは異なる速度で膨張する。収縮膨張速
度におけるこの差は、熱応力を発生させる。熱応力の結
果、粒子スクリーニング装置１５に強く付着していない
（例えば堆積層２９と粒子スクリーニング装置１５の結
晶粒構造の間の不整合のために及び／又は低い衝突エネ
ルギーのために）堆積層２９は、粒子スクリーニング装
置１５から剥離し、基板１９を汚染する。堆積層２９は
粒子スクリーニング装置１５のあらゆる部分から剥離す
るが、堆積層２９の下側部分は更にクラックと剥離を受
けやすい。粒子スクリーニング装置１５の下側部分に衝
突する粒子はほとんどないため、堆積層２９の下側部分
は、比較的薄いか又は不連続であり、そのため、剥離の
可能性が高い。
【００２５】図３は、本発明に従って作られた粒子スク
リーニング装置１５の部分的な断面図であり、堆積層２
９がその上に形成されている。図示のように、コーティ
ング３３が粒子スクリーニング装置１５の表面に付着し
ている。好ましい具体例では、コーティング３３は多孔
質層であり、堆積層２９の第１の結晶粒構造３１よりも
粒子スクリーニング装置１５表面に対する平行度の高い
第２の結晶粒組織３５を有し、粗い面ないし非均一面３
７を有している。これらの特性を実現するために、コー
ティング３３は、当業者に知られている従来からの方法
（フレームスプレー法、アークスプレー法、プラズマ溶
射等）により塗布されてもよい。更に、コーティング３
３は、堆積層２９と同等の熱膨張係数を有する材料を備
えている。好ましい具体例では、コーティング３３は、
ターゲット材料と同じ材料を備えており、例えば、ター
ゲット材料がアルミニウムの場合は、コーティング３３
はフレームスプレーによるアルミニウムか、あるいは、
アルミニウムを含むフレームスプレーコンポジット材料
である。
【００２６】コーティング３３が多孔性であるため、コ
ーティング３３内の原子が容易に再配置できるようにな
り、そのため、熱応力が軽減され、その結果、粒子スク
リーニング装置１５（例えば、チタン）の材料とコーテ
ィング３３（例えば、アルミニウム）の材料の間の熱膨
張の係数の差（すなわち、不整合）により、粒子スクリ
ーニング装置１５とコーティング３３は異なる速度で膨
張及び収縮をするようになる。熱応力の低減は、粒子ス
クリーニング装置１５へのコーティング３３の付着性を
増大し、コーティング３３のクラック発生の可能性を低
減する。コーティング３３の粗さないし非均一性は、コ
ーティング３３と堆積層２９の間の接触面積を増加させ
るためコーティング３３と堆積層２９の間の付着性を増
加させる。第２の結晶粒構造３５（コーティング３３
の）は、粒子スクリーニング装置１５とコーティング３
３の間の界面に対する平行度がより高く（即ち、堆積層
２９の第１の結晶粒構造３１より平行度が高い）である
ため、格子不整合が原因であることによる粒子スクリー
ニング装置１５と堆積層２９の間の固有応力を減らす。
このように、コーティング３３は、付着性を増大し、更
に、コーティング３３か堆積層２９が剥離する可能性を
低減する。このように、コーティング３３の密度、非均
一性及び／又は平行度の高い結晶粒構造は、コーティン
グ３３がない場合に生じる剥離の頻度を減らすのに十分
な程度である。更に、第２の結晶粒組織３５は、粒子ス
クリーニング装置１５とコーティング３３の間の付着性
を増加させるに十分ランダムであり、あるいは、これら
の界面に対して十分平行度が高い。好ましくは、コーテ
ィング３３は、アルミニウムであって、２．５〜２．７
グラム／ｃｍ3（アルミニウムの標準の密度よりおよそ
５パーセント小さい）の密度を有する。
【００２７】図４は、本発明の更なる特徴に従って作ら
れた粒子スクリーニング装置１５の部分的な断面図であ
り、そこでは、粒子スクリーニング装置１５の表面３９
をコーティング３３の塗布に先立ちビードブラスト（あ
るいは、当業者に既知の他の従来法）により荒れ加工し
た。表面３９を粗くすることにより接触面積を増やし、
したがって、粒子スクリーニング装置１５とコーティン
グ３３の間の付着性が増加した。コーティング３３が、
共形に表面３９をカバーすることが好ましい。このよう
に、表面３９を荒れ加工することにより、荒れ面３７の
粗さ又は非均一性も増加する。それゆえに、堆積層２９
はより強くコーティング３３に付着し、剥離によって汚
染されたウエハの数は更に減じられる。
【００２８】本発明の使用で、１枚のウエハを剥離によ
り汚染することなしに９００ＫｗＨのスパッタリング
（ターゲット消耗の尺度）が達成でき、他方、先行技術
方法では少なくとも６００ＫｗＨとなる時期で剥離が発
生した。それゆえに、本発明は、剥離のために汚染され
たウエハの数を大幅に減らす。更に本発明は、中間ター
ゲット寿命のために行われる堆積装置の変更、エッチン
グ及び／又は回転の必要性を排除し、そのため、スルー
プットを改善し、ウエハコストを低減する。
【００２９】ここに本発明の好ましい具体例を示し、詳
細に説明したが、様々な修正と改善は容易に当業者に明
らかになるだろう。たとえば、本発明の装置は主に粒子
スクリーニング装置として説明されたが、堆積チャンバ
内のあらゆる表面に対して本発明の使用で利益を得ても
よい。更に、本発明はアルミニウムのスパッタ堆積に関
して説明されたが、他の堆積方法及び代替的な堆積材料
にも等しく適用できる。従って、本発明は好ましい具体
例と関連して開示される一方、本発明の範囲内となる他
の具体例も存在できることは理解されなければならな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を使用するためのスパッタリングチャン
バの主要な部分の断面図による線図であり、粒子スクリ
ーニング装置を含んでいる図である。
【図２】堆積層がその上に形成されている図１の粒子ス
クリーニング装置の部分的な断面図である。
【図３】本発明に従って製作した、堆積層がその上に形
成されている粒子スクリーニング装置の部分的な断面図
である。
【図４】本発明に従って作られた粒子スクリーニング装
置の部分的な断面図であり、粒子スクリーニング装置の
表面をコーティングの塗布に先立ち荒れ加工したもので
ある。
【符号の説明】
１１…スパッタリングチャンバ、１５…粒子スクリーニ
ング装置、１７…スパッタリングターゲット、１９…半
導体基板、２１…閉包壁、２３…流入口、２５…排出
口、２９…堆積層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｈ０１Ｌ 21/02 Ｚ 21/203 21/203 Ｓ (72)発明者 ゴングダ ヤオ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フリーモント， ワインディング レーン 44875

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体製造において層の堆積のために用
    いられる装置であって、 第１の熱膨張係数を有する装置表面と、 前記装置表面の一部の上のコーティングと、を備え、 前記コーティングは第２の熱膨張係数を有し、 前記コーティングは、温度変化に際して生じる、第１の
    熱膨張係数と第２の熱膨張係数の間の不整合を、補償す
    るに十分多孔性である装置。
  2. 【請求項２】 前記コーティングの表面が非均一である
    請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】 前記装置表面に接触する前記コーティン
    グの表面が、前記装置表面に対して垂直度よりも平行度
    の方が高く配向するランダム結晶粒構造を有する請求項
    １に記載の装置。
  4. 【請求項４】 前記装置表面に接触する前記コーティン
    グの表面が、前記装置表面に対して垂直度よりも平行度
    の方が高く配向する結晶粒構造を有する請求項１に記載
    の装置。
  5. 【請求項５】 前記結晶粒構造が、前記装置表面に対し
    て実質的に垂直に配向する請求項４に記載の装置。
  6. 【請求項６】 前記装置が粒子スクリーニング装置を有
    する請求項１に記載の装置。
  7. 【請求項７】 前記コーティングとその上に形成された
    堆積層とが、同じ材料を備える請求項１に記載の装置。
  8. 【請求項８】 前記コーティングがコンポジット材料を
    備える請求項７に記載の装置。
  9. 【請求項９】 半導体製造において層の堆積のために用
    いられる装置であって、 装置表面と、 前記装置表面の一部の上のコーティングとを備え、 前記コーティングと前記コーティング上に堆積した堆積
    層との間の接着性を向上するため、前記コーティングが
    非均一な表面を有する装置。
  10. 【請求項１０】 前記装置表面に接触する前記コーティ
    ングの表面が、ランダム結晶粒構造を有する請求項９に
    記載の装置。
  11. 【請求項１１】 前記コーティングと前記堆積層とが、
    同じ材料を備える請求項９に記載の装置。
  12. 【請求項１２】 前記装置が粒子スクリーニング装置を
    有する請求項９に記載の装置。
  13. 【請求項１３】 半導体製造において層の堆積のために
    用いられる装置であって、 装置表面と、 前記装置表面の一部の上のコーティングと、 前記装置表面と前記コーティングとの間の界面とを備
    え、 前記界面が、前記装置表面と前記コーティングの表面と
    を備え、前記コーティングの前記表面が、前記装置表面
    に対して垂直度よりも平行度の方が高く配向する結晶粒
    構造を有する装置。
  14. 【請求項１４】 前記コーティングとその上に形成され
    た堆積層とが、同じ材料を備える請求項１３に記載の装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記装置が粒子スクリーニング装置を
    有する請求項１３に記載の装置。
  16. 【請求項１６】 前記装置がチューブ状のコリメータを
    備え、その一部が前記コリメータの下側部分を備える請
    求項１５に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 基板上に膜をスパッタ堆積するための
    装置であって、 チャンバ支持部材を包含するチャンバと、 ターゲット材料を備えるスパッタリングターゲットと、 前記スパッタリングターゲットをスパッタするための手
    段と、 不要なターゲット粒子を遮断するために前記スパッタリ
    ングターゲットと前記基板支持部材との間に配置される
    粒子スクリーニング装置であって、前記粒子スクリーニ
    ング装置は、 装置表面と、 ターゲット材料を備えるコーティングであって、前記コ
    ーティングは前記装置表面と該不要なターゲット粒子の
    間にブリッジを形成して該不要なターゲット粒子の剥離
    を低減する、前記コーティングとを備える前記粒子スク
    リーニング装置とを備える装置。
  18. 【請求項１８】 前記コーティングは、温度変化に際し
    て生じる、第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数の間の
    不整合を、補償するに十分多孔性である請求項１７に記
    載の装置。
  19. 【請求項１９】 前記コーティングの表面が非均一であ
    る請求項１７に記載の装置。
  20. 【請求項２０】 前記コーティングがランダム結晶粒構
    造を有する請求項１７に記載の装置。
  21. 【請求項２１】 前記コーティングが、前記装置表面に
    対する平行度について、前記コーティングの上に堆積し
    た堆積層の結晶粒構造のそれよりも高い平行度である配
    向を有する結晶粒構造を有する請求項１８に記載の装
    置。
  22. 【請求項２２】 前記装置表面が粗い請求項１７に記載
    の装置。
  23. 【請求項２３】 基板上にターゲット材料層を堆積する
    方法であって、 １つのターゲットと１つの基板を少なくとも有するスパ
    ッタ堆積チャンバを提供するステップと、 該基板から長い行程でターゲットを配置するステップ
    と、 該ターゲットをスパッタリングして、該基板上への堆積
    のためのターゲット粒子の流束を与えるステップと、 該基板と該ターゲットとの間に粒子スクリーニング装置
    を配置するステップとを有し、 該粒子スクリーニング装置は、自身の表面上にターゲッ
    ト材料を備える多孔性のコーティングを有する方法。
  24. 【請求項２４】 該コーティングが非均一な表面とラン
    ダム結晶粒構造とを有する請求項２３に記載の方法。
  25. 【請求項２５】 半導体製造において堆積層に用いるた
    めの装置の表面をコーティングするための方法であっ
    て、 堆積装置表面上に材料コーティングを塗布するステップ
    を備え、 該材料コーティングは、堆積装置表面の熱膨張係数と該
    材料コーティングの熱膨張係数との間の不整合を補償す
    るに十分多孔性である方法。
  26. 【請求項２６】 該材料コーティングに衝突する粒子の
    付着性を向上するように、該材料コーティングがランダ
    ム結晶粒構造を有し且つ粗い面を有する請求項２５に記
    載の方法。
  27. 【請求項２７】 該材料コーティングの塗布の前に、該
    堆積装置表面に荒れ加工を施すステップを更に備える請
    求項２５に記載の方法。
  28. 【請求項２８】 該材料コーティングの塗布の前に、該
    堆積装置表面にビードブラスト加工を施すステップを更
    に備える請求項２５に記載の方法。
JP36336097A 1996-11-26 1997-11-26 コーティング付き堆積チャンバ装置 Withdrawn JPH10229058A (ja)

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