JP3123530B2 - 減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法 - Google Patents
減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法Info
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- JP3123530B2 JP3123530B2 JP11004606A JP460699A JP3123530B2 JP 3123530 B2 JP3123530 B2 JP 3123530B2 JP 11004606 A JP11004606 A JP 11004606A JP 460699 A JP460699 A JP 460699A JP 3123530 B2 JP3123530 B2 JP 3123530B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜に適した半導
体の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法に関する。
体の薄膜形成装置及びその薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の薄膜形成技術としてＣＶＤ（化
学気相堆積法）がある。ＣＶＤ技術の中でも緻密で高品
質な膜を形成する手段としてＬＰＣＶＤ（減圧化学気相
堆積法）がある。
学気相堆積法）がある。ＣＶＤ技術の中でも緻密で高品
質な膜を形成する手段としてＬＰＣＶＤ（減圧化学気相
堆積法）がある。
【０００３】また、近年では、ガラス基板上に回路を形
成する技術として、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ・ＴＦＴが開発
されている。ガラス基板は、使用可能な温度範囲で良質
の薄膜を得る手段として注目を集めている。
成する技術として、低温ｐｏｌｙ−Ｓｉ・ＴＦＴが開発
されている。ガラス基板は、使用可能な温度範囲で良質
の薄膜を得る手段として注目を集めている。
【０００４】半導体におけるシリコンウェハの大口径化
及び大型ガラス基板への成膜という状況の変化に伴い、
ＬＰＣＶＤチャンバーを形成する石英製チューブも大型
化している。
及び大型ガラス基板への成膜という状況の変化に伴い、
ＬＰＣＶＤチャンバーを形成する石英製チューブも大型
化している。
【０００５】このように、大型化したＬＰＣＶＤを維持
運営する際に問題となるのが、装置の処理能力をいかに
上げるかということである。このような状況は、装置が
大型化すればするほど装置のメンテナンス作業が大がか
りになる。また、メンテナンス頻度を下げるという意味
でも装置の処理能力を上げるということが非常に重要に
なっている。
運営する際に問題となるのが、装置の処理能力をいかに
上げるかということである。このような状況は、装置が
大型化すればするほど装置のメンテナンス作業が大がか
りになる。また、メンテナンス頻度を下げるという意味
でも装置の処理能力を上げるということが非常に重要に
なっている。
【０００６】従来の減圧化学気相堆積装置の一例を、図
８に示す。
８に示す。
【０００７】図８において、減圧化学気相堆積装置であ
るＣＶＤチャンバー内の中央には、石英製のボート１０
が配設されている。ボート１０の周囲には、インナーチ
ューブ１１及びアウターチューブ１２が配設されてい
る。インナーチューブ１１の内側には、原料ガスを供給
するインジェクター１３が配設されている。
るＣＶＤチャンバー内の中央には、石英製のボート１０
が配設されている。ボート１０の周囲には、インナーチ
ューブ１１及びアウターチューブ１２が配設されてい
る。インナーチューブ１１の内側には、原料ガスを供給
するインジェクター１３が配設されている。
【０００８】このような構成では、図９に示すように、
インナーチューブ１１及びアウターチューブ１２が固定
された状態で、成膜が行われる。
インナーチューブ１１及びアウターチューブ１２が固定
された状態で、成膜が行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の減圧化学気相堆積装置では、成膜時において、イン
ナーチューブ１１及びアウターチューブ１２が固定され
ているため、インジェクター３の近傍のインナーチュー
ブ１１の内壁に膜が厚く堆積してしまう。これは、イン
ジェクター１３の近傍でのインナーチューブ１１内壁へ
の膜の堆積レートが他の部分と比べて速くなるためであ
る。
来の減圧化学気相堆積装置では、成膜時において、イン
ナーチューブ１１及びアウターチューブ１２が固定され
ているため、インジェクター３の近傍のインナーチュー
ブ１１の内壁に膜が厚く堆積してしまう。これは、イン
ジェクター１３の近傍でのインナーチューブ１１内壁へ
の膜の堆積レートが他の部分と比べて速くなるためであ
る。
【００１０】この場合、インジェクター１３の近傍のイ
ンナーチューブ１１の内壁に堆積した膜に、応力に起因
するクラックが発生する可能性が非常に高くなる。
ンナーチューブ１１の内壁に堆積した膜に、応力に起因
するクラックが発生する可能性が非常に高くなる。
【００１１】このため、インナーチューブ１１の内壁の
他の部分の累積膜厚が小さいにも拘らず、装置メンテナ
ンス（インナーチューブ１１の洗浄）の頻度が高くなっ
てしまうという問題がある。
他の部分の累積膜厚が小さいにも拘らず、装置メンテナ
ンス（インナーチューブ１１の洗浄）の頻度が高くなっ
てしまうという問題がある。
【００１２】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであり、インナーチューブ内壁の堆積膜厚の不均
一性を改善し、メンテナンス頻度を減少させることがで
きる減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法を提供する
ことができるようにするものである。
たものであり、インナーチューブ内壁の堆積膜厚の不均
一性を改善し、メンテナンス頻度を減少させることがで
きる減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法を提供する
ことができるようにするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の減圧化
学気相堆積装置は、成膜する基板を搭載する石英製のボ
ートと、ボートを搭載する石英製のテーブルと、ボート
及びテーブルの周囲に配設されたインナーチューブと、
インナーチューブの周囲に配設されたアウターチューブ
と、ボート、テーブル及びインナーチューブを成膜時に
回転させるインナーリングと、インナーリングを回転自
在に保持するとともに、アウターチューブを固定保持す
るマニホールドと、インナーチューブ内に原料ガスを供
給する石英製のインジェクターとを備えることを特徴と
する。また、ボート、テーブル及びインナーチューブ
は、インナーリングによって同一方向に回転するように
することができる。また、インナーリングによる回転速
度は、２〜１０ｒｐｍの範囲とするようにすることがで
きる。また、インナーチューブは、成膜終了後毎に、所
定の角度回転するようにすることができる。また、イン
ナーチューブとインジェクターとの間には、インジェク
ター遮蔽部材が配設されているようにすることができ
る。請求項６に記載の減圧化学気相堆積装置の成膜方法
は、成膜する基板を回転させる第１の工程と、成膜時
に、基板を覆うインナーチューブを回転させる第２の工
程と、インナーチューブ内に原料ガスを供給する第３の
工程とを備えるようにすることができる。また、第１及
び第２の工程には、基板及びインナーチューブを同一方
向に回転させる第４の工程が含まれるようにすることが
できる。また、第１及び第２又は第３の工程には、基板
及びインナーチューブの回転速度を、２〜１０ｒｐｍの
範囲とする第５の工程が含まれるようにすることができ
る。また、第２の工程には、成膜終了後毎に、所定の角
度回転させる工程が含まれるようにすることができる。
また、第３、第４又は第５の工程には、インナーチュー
ブの内側にインジェクター遮蔽部材を配設させた状態で
原料ガスを供給する工程が含まれるようにすることがで
きる。本発明に係る減圧化学気相堆積装置及びその成膜
方法は、成膜時に、成膜する基板を搭載する石英製のボ
ートと、ボートを搭載する石英製のテーブルと、ボート
及びテーブルの周囲に配設されたインナーチューブとを
回転させることで、インナーチューブ内壁への不均一な
成膜に起因する応力の発生を防止するようにする。
学気相堆積装置は、成膜する基板を搭載する石英製のボ
ートと、ボートを搭載する石英製のテーブルと、ボート
及びテーブルの周囲に配設されたインナーチューブと、
インナーチューブの周囲に配設されたアウターチューブ
と、ボート、テーブル及びインナーチューブを成膜時に
回転させるインナーリングと、インナーリングを回転自
在に保持するとともに、アウターチューブを固定保持す
るマニホールドと、インナーチューブ内に原料ガスを供
給する石英製のインジェクターとを備えることを特徴と
する。また、ボート、テーブル及びインナーチューブ
は、インナーリングによって同一方向に回転するように
することができる。また、インナーリングによる回転速
度は、２〜１０ｒｐｍの範囲とするようにすることがで
きる。また、インナーチューブは、成膜終了後毎に、所
定の角度回転するようにすることができる。また、イン
ナーチューブとインジェクターとの間には、インジェク
ター遮蔽部材が配設されているようにすることができ
る。請求項６に記載の減圧化学気相堆積装置の成膜方法
は、成膜する基板を回転させる第１の工程と、成膜時
に、基板を覆うインナーチューブを回転させる第２の工
程と、インナーチューブ内に原料ガスを供給する第３の
工程とを備えるようにすることができる。また、第１及
び第２の工程には、基板及びインナーチューブを同一方
向に回転させる第４の工程が含まれるようにすることが
できる。また、第１及び第２又は第３の工程には、基板
及びインナーチューブの回転速度を、２〜１０ｒｐｍの
範囲とする第５の工程が含まれるようにすることができ
る。また、第２の工程には、成膜終了後毎に、所定の角
度回転させる工程が含まれるようにすることができる。
また、第３、第４又は第５の工程には、インナーチュー
ブの内側にインジェクター遮蔽部材を配設させた状態で
原料ガスを供給する工程が含まれるようにすることがで
きる。本発明に係る減圧化学気相堆積装置及びその成膜
方法は、成膜時に、成膜する基板を搭載する石英製のボ
ートと、ボートを搭載する石英製のテーブルと、ボート
及びテーブルの周囲に配設されたインナーチューブとを
回転させることで、インナーチューブ内壁への不均一な
成膜に起因する応力の発生を防止するようにする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１５】（第１の実施の形態）図１は、本発明の減
圧化学気相堆積装置の第１の実施の形態を示す正面図、
図２は、図１の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
圧化学気相堆積装置の第１の実施の形態を示す正面図、
図２は、図１の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
【００１６】図１において、減圧化学気相堆積装置であ
るＣＶＤチャンバー内の中央には、石英製のボート１及
びテーブル２が配設されている。これらボート１及びテ
ーブル２の周囲には、インナーチューブ３が配設されて
いる。
るＣＶＤチャンバー内の中央には、石英製のボート１及
びテーブル２が配設されている。これらボート１及びテ
ーブル２の周囲には、インナーチューブ３が配設されて
いる。
【００１７】インナーチューブ３は、高さ１０ｃｍ程度
のＳＵＳ製のインナーリング４に載置されている。イン
ナーリング４には、図示しないモータ駆動又はベルト駆
動等による回転機構が設けられており、インナーチュー
ブ３と共に回転することが可能となっている。
のＳＵＳ製のインナーリング４に載置されている。イン
ナーリング４には、図示しないモータ駆動又はベルト駆
動等による回転機構が設けられており、インナーチュー
ブ３と共に回転することが可能となっている。
【００１８】インナーリング４は、マニホールド５に載
置されている。インナーチューブ３の周囲には、アウタ
ーチューブ６が配設されている。インナーチューブ３の
内側には、石英製のインジェクター７が配置されてい
る。
置されている。インナーチューブ３の周囲には、アウタ
ーチューブ６が配設されている。インナーチューブ３の
内側には、石英製のインジェクター７が配置されてい
る。
【００１９】インジェクター７は、インナーチューブ３
の回転時において、回転せずに定位置に収っている。イ
ンジェクター７には、縦方向に一定の間隔で図示しない
ガス噴出孔が設けられている。これにより、ボート１内
に縦に搭載された図示しない基板の各段に均一にガスが
供給されるようになっている。
の回転時において、回転せずに定位置に収っている。イ
ンジェクター７には、縦方向に一定の間隔で図示しない
ガス噴出孔が設けられている。これにより、ボート１内
に縦に搭載された図示しない基板の各段に均一にガスが
供給されるようになっている。
【００２０】そして、成膜時には、ボート１、テーブル
２及びインナーチューブ３が同一方向に２〜１０ｒｐｍ
の速度で回転する。
２及びインナーチューブ３が同一方向に２〜１０ｒｐｍ
の速度で回転する。
【００２１】次に、このような構成の減圧化学気相堆積
装置の動作を、図２を用いて説明する。
装置の動作を、図２を用いて説明する。
【００２２】まず、成膜する基板はボート１内に搭載さ
れている。成膜中は、ボート１、テーブル２及びインナ
ーチューブ３が回転する。原料ガスは、インジェクター
７の図示しないガス噴出孔から供給される。
れている。成膜中は、ボート１、テーブル２及びインナ
ーチューブ３が回転する。原料ガスは、インジェクター
７の図示しないガス噴出孔から供給される。
【００２３】これにより、インナーチューブ３の内壁に
は均一に膜が堆積する。この結果、インナーチューブ３
の内壁への不均一な堆積膜に起因する応力発生が最小限
に抑えられる。このため、インナーチューブ３の洗浄が
必要となる累積膜厚の増加が可能となり、装置メンテナ
ンスの頻度を低くすることができる。
は均一に膜が堆積する。この結果、インナーチューブ３
の内壁への不均一な堆積膜に起因する応力発生が最小限
に抑えられる。このため、インナーチューブ３の洗浄が
必要となる累積膜厚の増加が可能となり、装置メンテナ
ンスの頻度を低くすることができる。
【００２４】（第２の実施の形態）図３は、本発明の減
圧化学気相堆積装置の第２の実施の形態を示す正面図、
図４は、図３の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。なお、以下に説明する図におい
て、図１及び図２と共通する部分には同一符号を付し重
複する説明を省略する。
圧化学気相堆積装置の第２の実施の形態を示す正面図、
図４は、図３の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。なお、以下に説明する図におい
て、図１及び図２と共通する部分には同一符号を付し重
複する説明を省略する。
【００２５】図３に示すインジェクター７とインナーチ
ューブ３との間には、インジェクター遮蔽部材８が設け
られている。また、図３に示すインナーチューブ３は、
インナーリング４に固定されている。
ューブ３との間には、インジェクター遮蔽部材８が設け
られている。また、図３に示すインナーチューブ３は、
インナーリング４に固定されている。
【００２６】次に、このような構成の減圧化学気相堆積
装置の動作を、図４を用いて説明する。
装置の動作を、図４を用いて説明する。
【００２７】まず、成膜する基板はボート１内に搭載さ
れている。成膜中は、ボート１及びテーブル２は、同方
向に回転する。このとき、インナーチューブ３は、固定
されているため回転しない。
れている。成膜中は、ボート１及びテーブル２は、同方
向に回転する。このとき、インナーチューブ３は、固定
されているため回転しない。
【００２８】この状態で、原料ガスがインジェクター７
から供給される。このとき、インジェクター遮蔽部材８
により、インジェクター７近傍のインナーチューブ３の
内壁へのガスの到達が減少する。
から供給される。このとき、インジェクター遮蔽部材８
により、インジェクター７近傍のインナーチューブ３の
内壁へのガスの到達が減少する。
【００２９】このため、インジェクター遮蔽部材８によ
り遮蔽されたインナーチューブ３の内壁への局部的な膜
堆積が防止される。この結果、インナーチューブ３の内
壁への不均一な堆積膜に起因するような応力発生が最小
限に抑えられる。そのため、インナーチューブ３の洗浄
に必要となる累積膜厚の増加が可能となる。
り遮蔽されたインナーチューブ３の内壁への局部的な膜
堆積が防止される。この結果、インナーチューブ３の内
壁への不均一な堆積膜に起因するような応力発生が最小
限に抑えられる。そのため、インナーチューブ３の洗浄
に必要となる累積膜厚の増加が可能となる。
【００３０】（第３の実施の形態）図５は、本発明の減
圧化学気相堆積装置の第３の実施の形態を示す正面図、
図６は、図５の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図、図７は、図５の減圧化学気相堆積装置に
よる成膜方法を説明するための工程図である。
圧化学気相堆積装置の第３の実施の形態を示す正面図、
図６は、図５の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図、図７は、図５の減圧化学気相堆積装置に
よる成膜方法を説明するための工程図である。
【００３１】図５に示す減圧化学気相堆積装置は、図１
の減圧化学気相堆積装置と同じ構成である。ただし、図
５の減圧化学気相堆積装置では、成膜時に、ＣＶＤチャ
ンバー内のボート１及びテーブル２が同方向に回転し、
成膜後は、インナーチューブ３が３０〜４５度ずつ同一
方向に回転するようになっている。
の減圧化学気相堆積装置と同じ構成である。ただし、図
５の減圧化学気相堆積装置では、成膜時に、ＣＶＤチャ
ンバー内のボート１及びテーブル２が同方向に回転し、
成膜後は、インナーチューブ３が３０〜４５度ずつ同一
方向に回転するようになっている。
【００３２】このような構成の減圧化学気相堆積装置の
動作を、図６及び図７を用いて説明する。
動作を、図６及び図７を用いて説明する。
【００３３】まず、成膜中は、図６及び図７（ａ）に示
すように、ボート１及びテーブル２が回転する。原料ガ
スは、インジェクター７から供給される。
すように、ボート１及びテーブル２が回転する。原料ガ
スは、インジェクター７から供給される。
【００３４】成膜が終了すると、図７（ｂ）に示すよう
に、インジェクター７の近傍のインナーチューブ３に膜
が堆積する。
に、インジェクター７の近傍のインナーチューブ３に膜
が堆積する。
【００３５】成膜後は、図７（ｃ）に示すように、イン
ナーリング４及びインナーチューブ３が３０〜４５度回
転する。
ナーリング４及びインナーチューブ３が３０〜４５度回
転する。
【００３６】以降、図７（ａ）〜（ｃ）が繰返されるこ
とで、図７（ｄ）に示すように、成膜時に発生するイン
ナーチューブ３の内壁への不均一な膜堆積が緩和され
る。この結果、インナーチューブ３の内壁への不均一な
堆積膜に起因する応力発生が最小限に抑えられるため、
インナーチューブ３の洗浄が必要となる累積膜厚の増加
が可能となる。
とで、図７（ｄ）に示すように、成膜時に発生するイン
ナーチューブ３の内壁への不均一な膜堆積が緩和され
る。この結果、インナーチューブ３の内壁への不均一な
堆積膜に起因する応力発生が最小限に抑えられるため、
インナーチューブ３の洗浄が必要となる累積膜厚の増加
が可能となる。
【００３７】
【発明の効果】以上の如く本発明に係る減圧化学気相堆
積装置及びその成膜方法によれば、成膜時に、成膜する
基板を搭載する石英製のボートと、ボートを搭載する石
英製のテーブルと、ボート及びテーブルの周囲に配設さ
れたインナーチューブとを回転させることで、インナー
チューブ内壁への不均一な成膜に起因する応力の発生を
防止するようにしたので、インナーチューブ内壁の堆積
膜厚の不均一性が改善されることから、メンテナンス頻
度を減少させることができる。
積装置及びその成膜方法によれば、成膜時に、成膜する
基板を搭載する石英製のボートと、ボートを搭載する石
英製のテーブルと、ボート及びテーブルの周囲に配設さ
れたインナーチューブとを回転させることで、インナー
チューブ内壁への不均一な成膜に起因する応力の発生を
防止するようにしたので、インナーチューブ内壁の堆積
膜厚の不均一性が改善されることから、メンテナンス頻
度を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の減圧化学気相堆積装置の第１の実施の
形態を示す正面図である。
形態を示す正面図である。
【図２】図１の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図３】本発明の減圧化学気相堆積装置の第２の実施の
形態を示す正面図である。
形態を示す正面図である。
【図４】図３の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図５】本発明の減圧化学気相堆積装置の第３の実施の
形態を示す正面図である。
形態を示す正面図である。
【図６】図５の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
【図７】図５の減圧化学気相堆積装置による成膜方法を
説明するための工程図である。
説明するための工程図である。
【図８】従来の減圧化学気相堆積装置の一例を示す正面
図である。
図である。
【図９】図８の減圧化学気相堆積装置の動作を説明する
ための平面図である。
ための平面図である。
１ ボート ２ テーブル ３ インナーチューブ ４ インナーリング ５ マニホールド ６ アウターチューブ ７ インジェクター ８ インジェクター遮蔽部材
Claims (10)
- 【請求項１】 成膜する基板を搭載する石英製のボート
と、 前記ボートを搭載する石英製のテーブルと、 前記ボート及びテーブルの周囲に配設されたインナーチ
ューブと、 前記インナーチューブの周囲に配設されたアウターチュ
ーブと、 前記ボート、テーブル及びインナーチューブを成膜時に
回転させるインナーリングと、 前記インナーリングを回転自在に保持するとともに、前
記アウターチューブを固定保持するマニホールドと、 前記インナーチューブ内に原料ガスを供給する石英製の
インジェクターとを備えることを特徴とする減圧化学気
相堆積装置。 - 【請求項２】 前記ボート、テーブル及びインナーチュ
ーブは、前記インナーリングによって同一方向に回転す
ることを特徴とする請求項１に記載の減圧化学気相堆積
装置。 - 【請求項３】 前記インナーリングによる回転速度は、
２〜１０ｒｐｍの範囲とされていることを特徴とする請
求項１又は２に記載の減圧化学気相堆積装置。 - 【請求項４】 前記インナーチューブは、成膜終了後毎
に、所定の角度回転することを特徴とする請求項１に記
載の減圧化学気相堆積装置。 - 【請求項５】 前記インナーチューブとインジェクター
との間には、インジェクター遮蔽部材が配設されている
ことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の減圧化
学気相堆積装置。 - 【請求項６】 成膜する基板を回転させる第１の工程
と、 成膜時に、前記基板を覆うインナーチューブを回転させ
る第２の工程と、 前記インナーチューブ内に原料ガスを供給する第３の工
程とを備えることを特徴とする減圧化学気相堆積装置の
成膜方法。 - 【請求項７】 前記第１及び第２の工程には、前記基板
及びインナーチューブを同一方向に回転させる第４の工
程が含まれることを特徴とする請求項６に記載の減圧化
学気相堆積装置の成膜方法。 - 【請求項８】 前記第１及び第２又は第３の工程には、
前記基板及びインナーチューブの回転速度を、２〜１０
ｒｐｍの範囲とする第５の工程が含まれることを特徴と
する請求項６又は７に記載の減圧化学気相堆積装置の成
膜方法。 - 【請求項９】 前記第２の工程には、成膜終了後毎に、
所定の角度回転させる工程が含まれることを特徴とする
請求項６に記載の減圧化学気相堆積装置の成膜方法。 - 【請求項１０】 前記第３、第４又は第５の工程には、
前記インナーチューブの内側にインジェクター遮蔽部材
を配設させた状態で前記原料ガスを供給する工程が含ま
れることを特徴とする請求項６〜８の何れかに記載の減
圧化学気相堆積装置の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004606A JP3123530B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11004606A JP3123530B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000208418A JP2000208418A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3123530B2 true JP3123530B2 (ja) | 2001-01-15 |
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ID=11588716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11004606A Expired - Fee Related JP3123530B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 減圧化学気相堆積装置及びその成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123530B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109338333B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-08-14 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种管式lpcvd真空反应室 |
-
1999
- 1999-01-11 JP JP11004606A patent/JP3123530B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000208418A (ja) | 2000-07-28 |
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