JPH0610140A - 薄膜堆積装置 - Google Patents
薄膜堆積装置Info
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- JPH0610140A JPH0610140A JP16635892A JP16635892A JPH0610140A JP H0610140 A JPH0610140 A JP H0610140A JP 16635892 A JP16635892 A JP 16635892A JP 16635892 A JP16635892 A JP 16635892A JP H0610140 A JPH0610140 A JP H0610140A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はサセプタを備えた薄膜堆積装置に関
し、下地上に堆積した薄膜の面内膜厚不均一を抑制する
ことのできる薄膜堆積装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 複数の同心状段差部を有し、その最上段部分
に半導体ウエファを載置するためのサセプタと、前記サ
セプタを載架するためのボートと、上記サセプタ、半導
体ウエファおよびボートを収納するための反応管と、当
該反応管にガスを供給し、かつ強制排気するための手段
とを含むように構成する。
し、下地上に堆積した薄膜の面内膜厚不均一を抑制する
ことのできる薄膜堆積装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 複数の同心状段差部を有し、その最上段部分
に半導体ウエファを載置するためのサセプタと、前記サ
セプタを載架するためのボートと、上記サセプタ、半導
体ウエファおよびボートを収納するための反応管と、当
該反応管にガスを供給し、かつ強制排気するための手段
とを含むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤを利用した薄膜堆
積装置に関し、特にサセプタを備えた薄膜堆積装置に関
する。
積装置に関し、特にサセプタを備えた薄膜堆積装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｓｉテクノロジーを中心とするマ
イクロエレクトロニクスが急速な発展を遂げている。そ
の結果は、ＬＳＩとして各産業分野の制御機器類に応用
されている。ＬＳＩの大規模化、高密度化に伴って超微
細加工や多層配線化が要求され、このため、薄膜堆積、
リソグラフィ、ドライエッチング、不純物ドーピング、
メタライゼーション等の要素技術が重視されている。
イクロエレクトロニクスが急速な発展を遂げている。そ
の結果は、ＬＳＩとして各産業分野の制御機器類に応用
されている。ＬＳＩの大規模化、高密度化に伴って超微
細加工や多層配線化が要求され、このため、薄膜堆積、
リソグラフィ、ドライエッチング、不純物ドーピング、
メタライゼーション等の要素技術が重視されている。
【０００３】特に、素子間分離や配線分離、容量成分形
成には、絶縁膜の形成、加工が必要である。微細寸法の
制御、均一性、均質性の点で、いわゆるドライプロセ
ス、気相プロセス、低温低圧プロセスの絶え間ない開発
が続けられている。
成には、絶縁膜の形成、加工が必要である。微細寸法の
制御、均一性、均質性の点で、いわゆるドライプロセ
ス、気相プロセス、低温低圧プロセスの絶え間ない開発
が続けられている。
【０００４】Ｓｉウエファ上に低温で均質な薄膜を堆積
させる技術として重要視されているのが、プラズマＣＶ
Ｄ法である。この方法は、減圧状態で反応ガスを導入
し、Ｓｉウエファ近傍に設置された電極間にＲＦ電力を
供給してグロー放電させ、そのエネルギを反応ガスに付
与して分解、化合させ薄膜を生成するものである。
させる技術として重要視されているのが、プラズマＣＶ
Ｄ法である。この方法は、減圧状態で反応ガスを導入
し、Ｓｉウエファ近傍に設置された電極間にＲＦ電力を
供給してグロー放電させ、そのエネルギを反応ガスに付
与して分解、化合させ薄膜を生成するものである。
【０００５】ガス反応に要するエネルギの大半が、グロ
ー放電で供給されるため、膜堆積が１００〜４００℃の
低温下でも生じ、従って不純物拡散等の恐れがある金属
配線の層間絶縁等によく用いられている。
ー放電で供給されるため、膜堆積が１００〜４００℃の
低温下でも生じ、従って不純物拡散等の恐れがある金属
配線の層間絶縁等によく用いられている。
【０００６】ところで、プラズマＣＶＤ法を量産工程に
応用する場合、多数枚のウエファを１回に処理できるこ
とが好ましい。通常は、利便性を考慮して横型反応管を
用い、その長手方向に複数枚のＳｉウエファを縦に載置
して、ウエファ間に配置された電極板間にＲＦ電力を投
入する。ここで、Ｓｉウエファをサセプタ上に固定し、
そのサセプタを平行電極として用いることができる。
応用する場合、多数枚のウエファを１回に処理できるこ
とが好ましい。通常は、利便性を考慮して横型反応管を
用い、その長手方向に複数枚のＳｉウエファを縦に載置
して、ウエファ間に配置された電極板間にＲＦ電力を投
入する。ここで、Ｓｉウエファをサセプタ上に固定し、
そのサセプタを平行電極として用いることができる。
【０００７】サセプタの表裏面にＳｉウエファを載架
し、Ｓｉウエファを載架したサセプタを複数枚一軸方向
にボートに載せ、反応管内に格納する。サセプタの材質
は導電性材料、たとえばカーボンからなる。このサセプ
タを交互に一対のＲＦ電極に接続するようにする。
し、Ｓｉウエファを載架したサセプタを複数枚一軸方向
にボートに載せ、反応管内に格納する。サセプタの材質
は導電性材料、たとえばカーボンからなる。このサセプ
タを交互に一対のＲＦ電極に接続するようにする。
【０００８】図２は、ボート１５に載せた複数枚のサセ
プタ１３を示す。従来用いられてきたサセプタ１３は、
ほぼ円形であり、図示したように中央部に比較的大きな
貫通孔１２を有しているものが多い。これは、ハンドリ
ングの利便性を考慮した形状であり、市販されているサ
セプタには貫通孔のないものもある。サセプタの平坦部
にＳｉウエファがほぼ密着して配置される。
プタ１３を示す。従来用いられてきたサセプタ１３は、
ほぼ円形であり、図示したように中央部に比較的大きな
貫通孔１２を有しているものが多い。これは、ハンドリ
ングの利便性を考慮した形状であり、市販されているサ
セプタには貫通孔のないものもある。サセプタの平坦部
にＳｉウエファがほぼ密着して配置される。
【０００９】サセプタは１個所外側に延在した部分１７
を有し、ＲＦ電極１８、１９の一方に接続することがで
きる。サセプタを交互にＲＦ電極１８、１９に接続する
ことにより、反応管内に多数対の平行電極が形成され
る。両端を除き、各サセプタの表裏両面にＳｉウエファ
を載置する。
を有し、ＲＦ電極１８、１９の一方に接続することがで
きる。サセプタを交互にＲＦ電極１８、１９に接続する
ことにより、反応管内に多数対の平行電極が形成され
る。両端を除き、各サセプタの表裏両面にＳｉウエファ
を載置する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図２で、典型例を示し
た従来のサセプタ１３を用いた場合、大面積のウエファ
上に絶縁膜を堆積すると、膜厚が面内で不均一分布する
ことが多かった。たとえば、図２で示した中央部に貫通
孔（直径約５０ｍｍ）１２を有する直径約６インチのサ
セプタ１３を用いて６インチウエファ上にＳｉＯ2 を堆
積した場合の膜厚分布を図３（Ａ）に示す。
た従来のサセプタ１３を用いた場合、大面積のウエファ
上に絶縁膜を堆積すると、膜厚が面内で不均一分布する
ことが多かった。たとえば、図２で示した中央部に貫通
孔（直径約５０ｍｍ）１２を有する直径約６インチのサ
セプタ１３を用いて６インチウエファ上にＳｉＯ2 を堆
積した場合の膜厚分布を図３（Ａ）に示す。
【００１１】図３（Ａ）のＳｉＯ2 膜は、反応ガスをテ
トラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）と酸素の混合ガ
ス（流量比でＴＥＯＳ：Ｏ2 ＝１：１０）とし、全圧を
０．９Ｔｏｒｒ、Ｓｉウエファ温度を３１０℃として、
プラズマＣＶＤを行った時のデータである。ＳｉＯ2 の
膜厚は１２００Ａに設定した。なお、データはＳｉウエ
ファ周辺部より１０ｍｍ内側に入った位置から内側部で
測定されたものである。
トラエトキシオルソシラン（ＴＥＯＳ）と酸素の混合ガ
ス（流量比でＴＥＯＳ：Ｏ2 ＝１：１０）とし、全圧を
０．９Ｔｏｒｒ、Ｓｉウエファ温度を３１０℃として、
プラズマＣＶＤを行った時のデータである。ＳｉＯ2 の
膜厚は１２００Ａに設定した。なお、データはＳｉウエ
ファ周辺部より１０ｍｍ内側に入った位置から内側部で
測定されたものである。
【００１２】図３（Ａ）は、中央部が凹み、最大約４％
の膜厚分布ができていることを示している。この膜厚分
布は、混合ガスの流量比や全圧、Ｓｉウエファ温度を変
えると変化するが、均一な膜厚分布はなかなか得られな
い。
の膜厚分布ができていることを示している。この膜厚分
布は、混合ガスの流量比や全圧、Ｓｉウエファ温度を変
えると変化するが、均一な膜厚分布はなかなか得られな
い。
【００１３】そこで、中央部での膜厚減少を解決するた
め、中央部に貫通孔１２を設けない平板状６インチ円形
サセプタを作製した。図３（Ｂ）は、Ｓｉウエファ上に
Ｓｉ−Ｎ膜をプラズマＣＶＤさせた時の堆積膜の膜厚分
布を示す。反応ガスは、ＳｉＨ4 と窒素の混合ガスを用
いて、Ｓｉウエファ温度は３２０℃とした。得られたＳ
ｉ−Ｎ膜の膜厚は約９０００Ａに設定した。
め、中央部に貫通孔１２を設けない平板状６インチ円形
サセプタを作製した。図３（Ｂ）は、Ｓｉウエファ上に
Ｓｉ−Ｎ膜をプラズマＣＶＤさせた時の堆積膜の膜厚分
布を示す。反応ガスは、ＳｉＨ4 と窒素の混合ガスを用
いて、Ｓｉウエファ温度は３２０℃とした。得られたＳ
ｉ−Ｎ膜の膜厚は約９０００Ａに設定した。
【００１４】図３（Ｂ）のデータは、図３（Ａ）の場合
同様Ｓｉウエファ周辺部より１０ｍｍ内側に入った位置
から内側部で測定したものである。図３（Ａ）の場合と
は逆に、中央部が凸状となり、膜厚分布の不均一は４．
９％に達することが示されている。この場合も、反応ガ
スモル比や全圧、Ｓｉウエファ温度を変えれば、膜厚分
布を変えることができるが、ウエファ全面にわたって均
一な膜厚を得ることは困難である。
同様Ｓｉウエファ周辺部より１０ｍｍ内側に入った位置
から内側部で測定したものである。図３（Ａ）の場合と
は逆に、中央部が凸状となり、膜厚分布の不均一は４．
９％に達することが示されている。この場合も、反応ガ
スモル比や全圧、Ｓｉウエファ温度を変えれば、膜厚分
布を変えることができるが、ウエファ全面にわたって均
一な膜厚を得ることは困難である。
【００１５】このような堆積膜の膜厚面内不均一は、Ｓ
ｉウエファ全面にわたって熱、ＲＦエネルギおよびガス
濃度が均一に付与されないために生じたものと考えられ
る。このような、堆積膜の膜圧の面内不均一は、Ｓｉウ
エファ上に形成されたＬＳＩの特性に重大な影響を与え
る。たとえば、絶縁耐圧不良や素子動作電圧のばらつ
き、動作速度の低下等の悪影響が生じる。
ｉウエファ全面にわたって熱、ＲＦエネルギおよびガス
濃度が均一に付与されないために生じたものと考えられ
る。このような、堆積膜の膜圧の面内不均一は、Ｓｉウ
エファ上に形成されたＬＳＩの特性に重大な影響を与え
る。たとえば、絶縁耐圧不良や素子動作電圧のばらつ
き、動作速度の低下等の悪影響が生じる。
【００１６】本発明の目的は、下地上に堆積した薄膜の
面内膜厚不均一を抑制することのできる薄膜堆積装置を
提供することである。
面内膜厚不均一を抑制することのできる薄膜堆積装置を
提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜堆積装置
は、複数の同心状段差部を有し、その最上段部分に半導
体ウエファを載置するためのサセプタと、前記サセプタ
を載架するためのボートと、上記サセプタ、半導体ウエ
ファおよびボートを収納するための反応管と、当該反応
管にガスを供給し、かつ強制排気するための手段とを含
む。
は、複数の同心状段差部を有し、その最上段部分に半導
体ウエファを載置するためのサセプタと、前記サセプタ
を載架するためのボートと、上記サセプタ、半導体ウエ
ファおよびボートを収納するための反応管と、当該反応
管にガスを供給し、かつ強制排気するための手段とを含
む。
【００１８】好ましくは、前記サセプタはＳｉコートさ
れたカーボンを主成分とする導電性素材で構成される。
れたカーボンを主成分とする導電性素材で構成される。
【００１９】
【作用】本発明のサセプタによって、１枚の半導体ウエ
ファの面内各部で均熱性が改善され、またＲＦ電力エネ
ルギも均等密度で供給されるようになる。
ファの面内各部で均熱性が改善され、またＲＦ電力エネ
ルギも均等密度で供給されるようになる。
【００２０】ＳｉＣコートされたカーボンは、絶縁皮膜
を設けた良導電体であり、洗浄等の取扱い性にも優れて
いる。以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明
する。
を設けた良導電体であり、洗浄等の取扱い性にも優れて
いる。以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明
する。
【００２１】
【実施例】図１は、本発明の実施例であるサセプタの形
状を示す図である。サセプタ３はカーボンとタールの混
合成型焼結体の表層にＳｉＣを被覆した材質からなる。
状を示す図である。サセプタ３はカーボンとタールの混
合成型焼結体の表層にＳｉＣを被覆した材質からなる。
【００２２】サセプタ３はほぼ円形であり、その外周よ
り内側に向かって円心円状に数段の段差が設けられ、次
第に低くなっている。各段差に番号ｉを付し、その高さ
をＤｉ，幅をＷｉとすると、Ｄｉは１〜１．５ｍｍ、Ｗ
ｉは２０〜３０ｍｍに保つのが適当である。
り内側に向かって円心円状に数段の段差が設けられ、次
第に低くなっている。各段差に番号ｉを付し、その高さ
をＤｉ，幅をＷｉとすると、Ｄｉは１〜１．５ｍｍ、Ｗ
ｉは２０〜３０ｍｍに保つのが適当である。
【００２３】段差数は、円形サセプタ３の直径にもよる
が、６インチウエファを対象とする場合、たとえばほぼ
６から８段、 Σ（ｉ＝１〜ｎ）Ｄｉ≒８ｍｍ とする。
が、６インチウエファを対象とする場合、たとえばほぼ
６から８段、 Σ（ｉ＝１〜ｎ）Ｄｉ≒８ｍｍ とする。
【００２４】但し、段差の幅および高さは実際に膜堆積
を行なって最適化するのが好ましい。サセプタ３の直径
は、載置する半導体ウエファの直径にほぼ合わせるのが
普通である。
を行なって最適化するのが好ましい。サセプタ３の直径
は、載置する半導体ウエファの直径にほぼ合わせるのが
普通である。
【００２５】従って、たとえば６インチウエファの場合
は１５５ｍｍ程度となる。サセプタ３の直径は、半導体
ウエファの直径より大きくても構わないが、小さいと堆
積膜の膜厚がウエファ外周部位で薄くなるので好ましく
ない。
は１５５ｍｍ程度となる。サセプタ３の直径は、半導体
ウエファの直径より大きくても構わないが、小さいと堆
積膜の膜厚がウエファ外周部位で薄くなるので好ましく
ない。
【００２６】引き上げ法で作られた結晶から切り出され
た半導体ウエファは、円形であるが、角形インゴットか
ら切り出された角形ウエファを処理する場合は、角形サ
セプタ（図示せず）を用いることもできる。この場合、
段差は外周形状、すなわち角形に合わせた形状で設けら
れる。この場合も段差は同心状に形成する。
た半導体ウエファは、円形であるが、角形インゴットか
ら切り出された角形ウエファを処理する場合は、角形サ
セプタ（図示せず）を用いることもできる。この場合、
段差は外周形状、すなわち角形に合わせた形状で設けら
れる。この場合も段差は同心状に形成する。
【００２７】半導体ウエファは、図１のサセプタ３の外
周部を含む最上段２、幅Ｗｉの位置に裏面を密着させて
載置される。サセプタ３の段差は、表裏面同じ状態で設
けられており、裏面にも半導体ウエファを載置すること
ができる。
周部を含む最上段２、幅Ｗｉの位置に裏面を密着させて
載置される。サセプタ３の段差は、表裏面同じ状態で設
けられており、裏面にも半導体ウエファを載置すること
ができる。
【００２８】各段の深さは均一とするのが作製上好まし
いが、装置パラメータ等により円周方向の膜厚分布が生
じる時は同一段内で深さを変化させてもよい。図示した
サセプタ３においては、中央部（最も低い位置）の幅Ｗ
ｏの部分に貫通孔が設けられていないが、この部分を貫
通孔としてもよい。貫通孔を設けておくと、薄膜堆積前
の反応管内の真空排気過程で、サセプタ段差部分のガス
抜きが確実になる。また、排気後ガスを供給すると、載
置された半導体ウエファがサセプタの第１段目に引きつ
けられ、密着性がよくなるという利点がある。
いが、装置パラメータ等により円周方向の膜厚分布が生
じる時は同一段内で深さを変化させてもよい。図示した
サセプタ３においては、中央部（最も低い位置）の幅Ｗ
ｏの部分に貫通孔が設けられていないが、この部分を貫
通孔としてもよい。貫通孔を設けておくと、薄膜堆積前
の反応管内の真空排気過程で、サセプタ段差部分のガス
抜きが確実になる。また、排気後ガスを供給すると、載
置された半導体ウエファがサセプタの第１段目に引きつ
けられ、密着性がよくなるという利点がある。
【００２９】図示したサセプタ３の段差部１の作用は、
主として半導体ウエファの当該部位の温度を低下させる
ことである。図３のデータから、サセプタ中の孔は堆積
速度を低下させることが明らかである。孔でなくてもサ
セプタとウエファが離れれば同様の効果が期待できる。
すなわち、半導体ウエファが当該部位においてサセプタ
３と密着していないと、サセプタ３からの熱伝導が抑制
され、またＲＦ電力の投入密度が低下すると考えられ
る。
主として半導体ウエファの当該部位の温度を低下させる
ことである。図３のデータから、サセプタ中の孔は堆積
速度を低下させることが明らかである。孔でなくてもサ
セプタとウエファが離れれば同様の効果が期待できる。
すなわち、半導体ウエファが当該部位においてサセプタ
３と密着していないと、サセプタ３からの熱伝導が抑制
され、またＲＦ電力の投入密度が低下すると考えられ
る。
【００３０】この効果は、サセプタとウエファの距離に
応じて変化すると考えられる。従って、成長速度抑制効
果は、段差が大きいほど、すなわち外周部から中心部の
段差へ向かうほど大きくなる。
応じて変化すると考えられる。従って、成長速度抑制効
果は、段差が大きいほど、すなわち外周部から中心部の
段差へ向かうほど大きくなる。
【００３１】全く段差のない平板状サセプタを用いた場
合、図３（Ｂ）に示すように、ウエファ上の成長速度は
中央部で最も高く、周辺部へいく程低下する。従って、
図１に示した段差サセプタ３は、その成長速度勾配を打
ち消すように設けられており、そのため堆積膜厚の平坦
化を図ることができる。
合、図３（Ｂ）に示すように、ウエファ上の成長速度は
中央部で最も高く、周辺部へいく程低下する。従って、
図１に示した段差サセプタ３は、その成長速度勾配を打
ち消すように設けられており、そのため堆積膜厚の平坦
化を図ることができる。
【００３２】このような段差を持つサセプタは容易に機
械加工で作製することができる。段差は旋盤加工等の機
械加工でも形成できるがカーボンの型押しと同時に形成
してもよい。
械加工で作製することができる。段差は旋盤加工等の機
械加工でも形成できるがカーボンの型押しと同時に形成
してもよい。
【００３３】図４に、図１のサセプタ３を用いた薄膜堆
積装置の構成を概略的に示す。図４（Ａ）はボートの上
面図、図４（Ｂ）は全体の側面図である。図において、
一対のＲＦ電極６は石英製ボート５上に設置されてい
る。ＰＦ電極６の材質は、たとえばサセプタ３と同じ導
電体である。
積装置の構成を概略的に示す。図４（Ａ）はボートの上
面図、図４（Ｂ）は全体の側面図である。図において、
一対のＲＦ電極６は石英製ボート５上に設置されてい
る。ＰＦ電極６の材質は、たとえばサセプタ３と同じ導
電体である。
【００３４】図示した例においては、サセプタ３の表裏
両面上にＳｉウエファ４が載置されている。反応管７
は、通常透明石英管で形成される。反応管７は、電気炉
９内に挿入されている。ここでは横型反応管を用いた
が、いわゆるバレル型反応管を用いることもできる。
両面上にＳｉウエファ４が載置されている。反応管７
は、通常透明石英管で形成される。反応管７は、電気炉
９内に挿入されている。ここでは横型反応管を用いた
が、いわゆるバレル型反応管を用いることもできる。
【００３５】Ｓｉ酸化膜を堆積する場合は、たとえば、
反応ガスＡとしてＴＥＯＳを、また反応ガスＢとしてＯ
2 を用いる。ＴＥＯＳとＯ2 の流量比は１：１０とす
る。反応管７は真空ポンプによって強制排気しているの
で、内圧は約０．９Ｔｏｒｒに保つ。電気炉９によって
６インチＳｉウエファ４の温度は３１０℃に保持する。
反応ガスＡとしてＴＥＯＳを、また反応ガスＢとしてＯ
2 を用いる。ＴＥＯＳとＯ2 の流量比は１：１０とす
る。反応管７は真空ポンプによって強制排気しているの
で、内圧は約０．９Ｔｏｒｒに保つ。電気炉９によって
６インチＳｉウエファ４の温度は３１０℃に保持する。
【００３６】一対のＲＦ電極６にＲＦ電源から高周波の
電力を投入すると、隣接サセプタ間で酸素ガス放電が起
きる。この結果、ＴＥＯＳは、プラズマ中で分解し、活
性化した酸素と反応してＳｉウエファ４上にＳｉ酸化膜
を堆積させる。
電力を投入すると、隣接サセプタ間で酸素ガス放電が起
きる。この結果、ＴＥＯＳは、プラズマ中で分解し、活
性化した酸素と反応してＳｉウエファ４上にＳｉ酸化膜
を堆積させる。
【００３７】反応ガスＡ、Ｂを適当に変えれば、上記し
たＳｉ酸化膜以外にもＳｉＮやＳｉを堆積することがで
きる。段差部１の形状、分布はウエファの大きさと厚み
によって最も適正なものを選択する。装置の特性によっ
ては、最上段を外周から少し内側に入った位置に形成し
てもよい。ウエファは外周部でのみサセプタと接するの
で不要な応力を受けることが少ない。
たＳｉ酸化膜以外にもＳｉＮやＳｉを堆積することがで
きる。段差部１の形状、分布はウエファの大きさと厚み
によって最も適正なものを選択する。装置の特性によっ
ては、最上段を外周から少し内側に入った位置に形成し
てもよい。ウエファは外周部でのみサセプタと接するの
で不要な応力を受けることが少ない。
【００３８】以上の実施例では、薄膜堆積装置をプラズ
マＣＶＤに用いる場合について述べたが、これに限定さ
れるものではない。段差部によって温度分布を調整する
ことが可能なため、上述のサセプタは他の膜形成プロセ
スにも適用することができる。
マＣＶＤに用いる場合について述べたが、これに限定さ
れるものではない。段差部によって温度分布を調整する
ことが可能なため、上述のサセプタは他の膜形成プロセ
スにも適用することができる。
【００３９】以上、実施例に沿って本発明を説明した
が、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえ
ば、種々の改良、変更、組み合わせ等が可能なことは当
業者に自明であろう。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえ
ば、種々の改良、変更、組み合わせ等が可能なことは当
業者に自明であろう。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエファ上に堆積する薄膜の膜厚を面内で均一にする効
果がある。
ウエファ上に堆積する薄膜の膜厚を面内で均一にする効
果がある。
【００４１】この結果、当該薄膜を層間絶縁や機能領域
として用いるＬＳＩの歩留まりおよび信頼性を向上させ
ることができる。
として用いるＬＳＩの歩留まりおよび信頼性を向上させ
ることができる。
【図１】本発明の実施例によるサセプタの形状を示す図
である。
である。
【図２】従来例のサセプタ（ボート載置）の斜視図であ
る。
る。
【図３】従来のサセプタおよび参考例のサセプタを用い
て堆積した薄膜の面内膜厚分布データを示す概念図であ
る。図３（Ａ）は、従来例のサセプタを用いたＳｉウエ
ファ上のＳｉＯ2 膜の膜厚分布、図３（Ｂ）は、参考例
のサセプタを用いたＳｉウエファ上のＳｉ−Ｎ膜の膜厚
分布を示す。
て堆積した薄膜の面内膜厚分布データを示す概念図であ
る。図３（Ａ）は、従来例のサセプタを用いたＳｉウエ
ファ上のＳｉＯ2 膜の膜厚分布、図３（Ｂ）は、参考例
のサセプタを用いたＳｉウエファ上のＳｉ−Ｎ膜の膜厚
分布を示す。
【図４】本発明の実施例による薄膜堆積装置の構成を示
す概略図である。
す概略図である。
１ 段差 ２ 最上段 ３ サセプタ ４ 半導体ウエファ ５ ボート ６ ＲＦ電極 ７ 反応管 ８ ＲＦ電力印加手段（ＲＦ電源） ９ 電気炉 １２ 中央部貫通孔 １３ サセプタ １５ ボート １８、１９ ＲＦ電極
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の同心状段差部（２）を有し、その
最上段部分に半導体ウエファ（４）を載置するためのサ
セプタ（３）と、 前記サセプタ（３）を載架するためのボート（５）と、 上記サセプタ（３）、半導体ウエファ（４）およびボー
ト（５）を収納するための反応管（７）と、 当該反応管（７）にガスを供給し、かつ強制排気するた
めの手段とを含む薄膜堆積装置。 - 【請求項２】 前記サセプタはＳｉＣコートされたカー
ボンを主成分とする導電性素材で形成されている請求項
１記載の薄膜堆積装置。 - 【請求項３】 複数の同心状段差部（２）を有し、その
最上段部分に半導体ウエファ（４）を載置するためのサ
セプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635892A JPH0610140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16635892A JPH0610140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜堆積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0610140A true JPH0610140A (ja) | 1994-01-18 |
Family
ID=15829912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16635892A Withdrawn JPH0610140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 薄膜堆積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610140A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6165907A (en) * | 1996-05-20 | 2000-12-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma etching method and plasma etching apparatus |
| JP2001126995A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Applied Materials Inc | 半導体製造装置 |
| KR100520914B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-10-11 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 웨이퍼처리부재 |
| WO2010024943A3 (en) * | 2008-08-29 | 2010-06-17 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with varying thermal resistance |
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| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16635892A patent/JPH0610140A/ja not_active Withdrawn
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| US10526705B2 (en) | 2011-11-04 | 2020-01-07 | Aixtron Se | Methods for controlling the substrate temperature using a plurality of flushing gases |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
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