JP2001126995A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JP2001126995A JP2001126995A JP30954999A JP30954999A JP2001126995A JP 2001126995 A JP2001126995 A JP 2001126995A JP 30954999 A JP30954999 A JP 30954999A JP 30954999 A JP30954999 A JP 30954999A JP 2001126995 A JP2001126995 A JP 2001126995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- susceptor
- heating
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 163
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- 101001064460 Gallus gallus Ephrin type-B receptor 3 Proteins 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/205—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内
温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体
製造装置を提供する。 【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５
０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定
距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷ
を支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷ
との隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このと
き、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保
持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整さ
れ、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一
性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させること
ができる。
温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体
製造装置を提供する。 【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５
０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定
距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷ
を支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷ
との隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このと
き、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保
持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整さ
れ、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一
性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ（基
板）を保持し加熱するためのサセプタを有する半導体製
造装置に関するものである。
板）を保持し加熱するためのサセプタを有する半導体製
造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置には、シリコンウェハを
１枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。この枚
葉式半導体製造装置においては、通常、ウェハを１枚だ
け水平に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設
けられている。
１枚ずつ処理する枚葉式と称されるものがある。この枚
葉式半導体製造装置においては、通常、ウェハを１枚だ
け水平に支持するウェハ支持装置が処理チャンバ内に設
けられている。
【０００３】このようなウェハ支持装置は、一般にウェ
ハが載置されるサセプタ（基板保持台）を有して構成さ
れている。サセプタはランプなどの加熱手段によって加
熱され、このサセプタを介してウェハが加熱される。
ハが載置されるサセプタ（基板保持台）を有して構成さ
れている。サセプタはランプなどの加熱手段によって加
熱され、このサセプタを介してウェハが加熱される。
【０００４】また、ウェハ支持装置には、サセプタに載
置するウェハをサセプタに対して上下動させるためのリ
フト機構が設けられている。このリフト機構は、サセプ
タを貫通して延びる複数本のリフトピンを有しており、
これらのリフトピンの上端にウェハを載せ、リフトピン
を上下動させることで、ウェハを昇降させることができ
るようになっている。このようなリフト機構により、搬
送ロボットのブレードに載せて運ばれてきたウェハをサ
セプタ上に移載したり、あるいはその逆に、ウェハをサ
セプタから搬送ロボットに受け渡したりすることができ
る。
置するウェハをサセプタに対して上下動させるためのリ
フト機構が設けられている。このリフト機構は、サセプ
タを貫通して延びる複数本のリフトピンを有しており、
これらのリフトピンの上端にウェハを載せ、リフトピン
を上下動させることで、ウェハを昇降させることができ
るようになっている。このようなリフト機構により、搬
送ロボットのブレードに載せて運ばれてきたウェハをサ
セプタ上に移載したり、あるいはその逆に、ウェハをサ
セプタから搬送ロボットに受け渡したりすることができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記したようなウェハ
支持装置においては、サセプタ上に載置されるウェハの
面内温度分布の均一性を確保するため、保持台であると
ともにウェハの加熱に用いられるサセプタの面内温度を
均一にする必要がある。そのような温度分布調整の方法
としては、ランプ加熱の場合におけるランプからの加熱
光の照射条件調整など、サセプタへの加熱条件を調整す
ることによって温度均一性を得る方法がある。
支持装置においては、サセプタ上に載置されるウェハの
面内温度分布の均一性を確保するため、保持台であると
ともにウェハの加熱に用いられるサセプタの面内温度を
均一にする必要がある。そのような温度分布調整の方法
としては、ランプ加熱の場合におけるランプからの加熱
光の照射条件調整など、サセプタへの加熱条件を調整す
ることによって温度均一性を得る方法がある。
【０００６】しかしながら、光照射条件などによってサ
セプタへの加熱条件を調整することによる方法では、ウ
ェハ面内での充分な温度均一性を得るためには加熱調整
方法が複雑化してしまい、あるいは、加熱手段の配置や
位置関係などによる制限のため、充分な温度均一性を得
ることができないという問題がある。
セプタへの加熱条件を調整することによる方法では、ウ
ェハ面内での充分な温度均一性を得るためには加熱調整
方法が複雑化してしまい、あるいは、加熱手段の配置や
位置関係などによる制限のため、充分な温度均一性を得
ることができないという問題がある。
【０００７】例えば、サセプタからウェハへの熱伝導条
件はサセプタの中心部と周辺部とで異なる場合があるな
ど、様々な要因からウェハ面内での不均一な温度分布を
生じるが、そのようなウェハへの加熱条件をすべてサセ
プタへの加熱条件によって調整して、温度均一性を確保
することは困難である。ウェハ面内において温度が不均
一となると、成膜条件がウェハ面内において一様でなく
なるので、成膜される膜厚分布に不均一性が発生するこ
ととなる。
件はサセプタの中心部と周辺部とで異なる場合があるな
ど、様々な要因からウェハ面内での不均一な温度分布を
生じるが、そのようなウェハへの加熱条件をすべてサセ
プタへの加熱条件によって調整して、温度均一性を確保
することは困難である。ウェハ面内において温度が不均
一となると、成膜条件がウェハ面内において一様でなく
なるので、成膜される膜厚分布に不均一性が発生するこ
ととなる。
【０００８】本発明は、以上の問題点に鑑みてなされた
ものであり、処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面
内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導
体製造装置を提供することを目的とする。
ものであり、処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面
内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導
体製造装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、上記した
目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、サセプタ
上面のウェハ保持エリア内の面形状に凹凸構造を付加す
ることによってウェハ面内の温度分布を調整し、温度分
布を均一化して成膜される膜厚分布の均一性を向上させ
ることが可能であることを見出し、本発明に到達した。
目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、サセプタ
上面のウェハ保持エリア内の面形状に凹凸構造を付加す
ることによってウェハ面内の温度分布を調整し、温度分
布を均一化して成膜される膜厚分布の均一性を向上させ
ることが可能であることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】すなわち、本発明による半導体製造装置
は、処理チャンバと、処理チャンバ内に設置され上面側
の基板保持エリア内に被処理基板を保持して加熱するた
めのサセプタと、サセプタを介して被処理基板を加熱す
る加熱手段とを備える半導体製造装置であって、サセプ
タは、基板保持エリア内において、サセプタの上面の被
処理基板と対向する面部分である基板加熱面と、被処理
基板の裏面との間に、第１の距離の隙間を生じるように
基板支持部材によって被処理基板を支持するとともに、
基板加熱面上の所定の部位に、第１の距離とは異なる第
２の距離の隙間を生じる加熱調整部が形成されているこ
とを特徴とする。
は、処理チャンバと、処理チャンバ内に設置され上面側
の基板保持エリア内に被処理基板を保持して加熱するた
めのサセプタと、サセプタを介して被処理基板を加熱す
る加熱手段とを備える半導体製造装置であって、サセプ
タは、基板保持エリア内において、サセプタの上面の被
処理基板と対向する面部分である基板加熱面と、被処理
基板の裏面との間に、第１の距離の隙間を生じるように
基板支持部材によって被処理基板を支持するとともに、
基板加熱面上の所定の部位に、第１の距離とは異なる第
２の距離の隙間を生じる加熱調整部が形成されているこ
とを特徴とする。
【００１１】上記した半導体製造装置においては、半導
体ウェハやガラス基板といった処理対象の基板（被処理
基板）を保持するサセプタにおいて、被処理基板と基板
加熱面との間に隙間を設けて基板を保持することとして
いる。これによって、基板加熱面上の局所的な凹凸構造
や温度分布の不均一性などの基板の温度分布への影響が
低減される。
体ウェハやガラス基板といった処理対象の基板（被処理
基板）を保持するサセプタにおいて、被処理基板と基板
加熱面との間に隙間を設けて基板を保持することとして
いる。これによって、基板加熱面上の局所的な凹凸構造
や温度分布の不均一性などの基板の温度分布への影響が
低減される。
【００１２】さらに、サセプタの中心部と周辺部での熱
伝導条件の違いなど、様々な要因によって生じる温度及
び膜厚分布の不均一性について、上記したサセプタにお
いては、基板加熱面内に隙間の距離が異なる凹状または
凸状の加熱調整部を設けることによって、積極的に被処
理基板と基板加熱面との隙間の距離に分布を与えてい
る。これによって、基板加熱面の各部位における被処理
基板への加熱条件をそれぞれ設定及び調整して、均一な
成膜膜厚分布が得られるようにウェハなどの基板面内の
温度分布を均一化することが可能となる。
伝導条件の違いなど、様々な要因によって生じる温度及
び膜厚分布の不均一性について、上記したサセプタにお
いては、基板加熱面内に隙間の距離が異なる凹状または
凸状の加熱調整部を設けることによって、積極的に被処
理基板と基板加熱面との隙間の距離に分布を与えてい
る。これによって、基板加熱面の各部位における被処理
基板への加熱条件をそれぞれ設定及び調整して、均一な
成膜膜厚分布が得られるようにウェハなどの基板面内の
温度分布を均一化することが可能となる。
【００１３】また、基板加熱面の各部位において生じる
被処理基板の裏面との隙間の距離は、いずれも第１の距
離以下であるとともに、加熱調整部は、基板加熱面から
被処理基板側に突出した凸部であることを特徴とする。
被処理基板の裏面との隙間の距離は、いずれも第１の距
離以下であるとともに、加熱調整部は、基板加熱面から
被処理基板側に突出した凸部であることを特徴とする。
【００１４】必要とされる加熱条件から基準となる距離
として第１の距離を設定し、その基板加熱面でウェハへ
の加熱が充分でない部位について凸状の加熱調整部を設
けてウェハへの加熱を強めることによって、好適に基板
面内での温度分布を調整することができる。
として第１の距離を設定し、その基板加熱面でウェハへ
の加熱が充分でない部位について凸状の加熱調整部を設
けてウェハへの加熱を強めることによって、好適に基板
面内での温度分布を調整することができる。
【００１５】このとき、被処理基板の裏面から最も遠い
距離となる第１の距離は、１ｍｍ以下とすることが好ま
しい。基板と基板加熱面との隙間の距離を最大で１ｍｍ
とすることによって、隙間が大きくなりすぎることによ
る基板への加熱効率の低下を防止して、必要な加熱効率
を確保しつつ、充分な加熱分布調整を実現する構成とす
ることが可能である。
距離となる第１の距離は、１ｍｍ以下とすることが好ま
しい。基板と基板加熱面との隙間の距離を最大で１ｍｍ
とすることによって、隙間が大きくなりすぎることによ
る基板への加熱効率の低下を防止して、必要な加熱効率
を確保しつつ、充分な加熱分布調整を実現する構成とす
ることが可能である。
【００１６】また、基板を支持するための基板支持部材
としては、基板支持部材は、サセプタの上面に基板加熱
面の外周に沿って形成され、その上面側に被処理基板の
外縁下部が接することによって被処理基板を支持する基
板支持部とすることが好ましい。具体的には、サセプタ
上面に設けられた突起部分や段差部分を用いる構成が可
能である。さらに、基板支持部は、基板加熱面の外周の
全体に環状に形成されていることによって、基板支持部
による温度分布の不均一性の発生を抑制することができ
る。
としては、基板支持部材は、サセプタの上面に基板加熱
面の外周に沿って形成され、その上面側に被処理基板の
外縁下部が接することによって被処理基板を支持する基
板支持部とすることが好ましい。具体的には、サセプタ
上面に設けられた突起部分や段差部分を用いる構成が可
能である。さらに、基板支持部は、基板加熱面の外周の
全体に環状に形成されていることによって、基板支持部
による温度分布の不均一性の発生を抑制することができ
る。
【００１７】また、加熱調整部は、サセプタが回転駆動
されるときの基板加熱面上での回転中心位置を中心とし
て、回転中心位置を含む島状または回転中心位置を囲む
環状の円対称形状に形成されていることを特徴とする。
されるときの基板加熱面上での回転中心位置を中心とし
て、回転中心位置を含む島状または回転中心位置を囲む
環状の円対称形状に形成されていることを特徴とする。
【００１８】被処理基板での温度分布不均一性は、サセ
プタの構造及びサセプタを回転させつつ行われる加熱方
法からいって、ほぼ基板加熱面の中心位置（サセプタの
中心位置）に対して円対称に生じる場合が多い。このと
き、加熱調整部を回転中心位置に対して円対称形状（同
心円状）に形成することによって、基板面内での温度及
び膜厚分布を均一化することができる。
プタの構造及びサセプタを回転させつつ行われる加熱方
法からいって、ほぼ基板加熱面の中心位置（サセプタの
中心位置）に対して円対称に生じる場合が多い。このと
き、加熱調整部を回転中心位置に対して円対称形状（同
心円状）に形成することによって、基板面内での温度及
び膜厚分布を均一化することができる。
【００１９】また、加熱手段としては、サセプタの下面
に対向して配置された複数の加熱用ランプから構成する
ことができる。また、これ以外の構成からなる加熱手段
を用いても良い。
に対向して配置された複数の加熱用ランプから構成する
ことができる。また、これ以外の構成からなる加熱手段
を用いても良い。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面とともに本発明による
半導体製造装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
半導体製造装置の好適な実施形態について詳細に説明す
る。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号
を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比
率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００２１】図１は、本発明による半導体製造装置とし
て、エピタキシャル成長装置などの成膜装置を概略的に
示している。図示の成膜装置１０は被処理基板であるシ
リコンウェハ（図１には示さず）を１枚ずつ処理する枚
葉式である。なお、被処理基板としては、半導体ウェハ
及びガラス基板といった基板があるが、以下においては
シリコンウェハとした場合について説明する。
て、エピタキシャル成長装置などの成膜装置を概略的に
示している。図示の成膜装置１０は被処理基板であるシ
リコンウェハ（図１には示さず）を１枚ずつ処理する枚
葉式である。なお、被処理基板としては、半導体ウェハ
及びガラス基板といった基板があるが、以下においては
シリコンウェハとした場合について説明する。
【００２２】この成膜装置１０は、石英ガラスで構成さ
れた処理チャンバ１２を備え、この処理チャンバ１２内
にウェハ支持装置１４が設置される。処理チャンバ１２
の側部には処理ガスの導入口１６が形成され、これに対
向する位置には排気口１８が形成されている。また、処
理チャンバ１２の下側領域には、加熱手段として複数
本、例えば２０本のハロゲンランプ２０が放射状に配置
されている。
れた処理チャンバ１２を備え、この処理チャンバ１２内
にウェハ支持装置１４が設置される。処理チャンバ１２
の側部には処理ガスの導入口１６が形成され、これに対
向する位置には排気口１８が形成されている。また、処
理チャンバ１２の下側領域には、加熱手段として複数
本、例えば２０本のハロゲンランプ２０が放射状に配置
されている。
【００２３】上記構成の成膜装置１０において、ウェハ
支持装置１４によりウェハを支持した後、ハロゲンラン
プ２０を点灯してウェハを加熱するとともに、排気口１
８から排気を行いながら処理ガスを導入口１６から導入
すると、所定温度に加熱されたウェハの表面に沿って処
理ガスが層流状態で流れ、ウェハ上にシリコンの単結晶
がエピタキシャル成長する。供給する処理ガスとして
は、例えばＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2などのシ
リコンソースガス、ＰＨ3、ＡｓＨ3、Ｂ2Ｈ6などのドー
パントガス、及びＨ2、Ｎ2などのキャリアガスをガスパ
ネル（図示していない）内で混合したものが用いられ
る。また、処理チャンバ１２内の圧力は、排気管中のス
ロットルバルブの開度によって０．７ｋＰａ（５Ｔｏｒ
ｒ）〜８８ｋＰａ（６６０Ｔｏｒｒ）に調整される。
支持装置１４によりウェハを支持した後、ハロゲンラン
プ２０を点灯してウェハを加熱するとともに、排気口１
８から排気を行いながら処理ガスを導入口１６から導入
すると、所定温度に加熱されたウェハの表面に沿って処
理ガスが層流状態で流れ、ウェハ上にシリコンの単結晶
がエピタキシャル成長する。供給する処理ガスとして
は、例えばＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2などのシ
リコンソースガス、ＰＨ3、ＡｓＨ3、Ｂ2Ｈ6などのドー
パントガス、及びＨ2、Ｎ2などのキャリアガスをガスパ
ネル（図示していない）内で混合したものが用いられ
る。また、処理チャンバ１２内の圧力は、排気管中のス
ロットルバルブの開度によって０．７ｋＰａ（５Ｔｏｒ
ｒ）〜８８ｋＰａ（６６０Ｔｏｒｒ）に調整される。
【００２４】図１に示した成膜装置１０に適用されるウ
ェハ支持装置１４は、ウェハを保持する保持台としてサ
セプタ２２を備えている。サセプタ２２は、炭化シリコ
ンで被覆されたグラファイト材料からなる円盤状のもの
であり、処理チャンバ１２の下部に立設された石英ガラ
ス製の支持シャフト２４により、裏面側から三点で水平
に支持されている。このサセプタ２２は、ウェハを保持
するとともにウェハの加熱に用いられるものである。
ェハ支持装置１４は、ウェハを保持する保持台としてサ
セプタ２２を備えている。サセプタ２２は、炭化シリコ
ンで被覆されたグラファイト材料からなる円盤状のもの
であり、処理チャンバ１２の下部に立設された石英ガラ
ス製の支持シャフト２４により、裏面側から三点で水平
に支持されている。このサセプタ２２は、ウェハを保持
するとともにウェハの加熱に用いられるものである。
【００２５】図２は、サセプタ２２の構成を示す（ａ）
側面断面図、及び（ｂ）上面図である。また、図３は、
図２に示したサセプタ２２について、図２（ａ）での右
側部分を一部拡大して示す側面断面図である。なお、サ
セプタ２２で支持されるウェハＷについては、図２
（ａ）においては支持した状態で、図３においては点線
によって支持される位置を図示し、また、図２（ｂ）に
おいてはウェハＷを支持していない状態でサセプタ２２
の構造を示している。
側面断面図、及び（ｂ）上面図である。また、図３は、
図２に示したサセプタ２２について、図２（ａ）での右
側部分を一部拡大して示す側面断面図である。なお、サ
セプタ２２で支持されるウェハＷについては、図２
（ａ）においては支持した状態で、図３においては点線
によって支持される位置を図示し、また、図２（ｂ）に
おいてはウェハＷを支持していない状態でサセプタ２２
の構造を示している。
【００２６】サセプタ２２の上面側には、円盤状のサセ
プタ２２の中心軸Ａｘを中心として、ウェハＷを収容し
保持するための略円形のウェハ保持エリア（基板保持エ
リア）５０が設定されている。ウェハ保持エリア５０内
には、中心軸Ａｘを中心とした円形の凹部からなるウェ
ハ加熱面（基板加熱面）５２が形成されている。サセプ
タ２２のウェハ保持エリア５０外側の下面部分には、支
持シャフト２４によってサセプタ２２を支持するための
サセプタ支持部６０が設けられている。
プタ２２の中心軸Ａｘを中心として、ウェハＷを収容し
保持するための略円形のウェハ保持エリア（基板保持エ
リア）５０が設定されている。ウェハ保持エリア５０内
には、中心軸Ａｘを中心とした円形の凹部からなるウェ
ハ加熱面（基板加熱面）５２が形成されている。サセプ
タ２２のウェハ保持エリア５０外側の下面部分には、支
持シャフト２４によってサセプタ２２を支持するための
サセプタ支持部６０が設けられている。
【００２７】ウェハ加熱面５２の外周部分には、外周に
沿った環状の凸状段差部分が形成されている。この環状
の段差部分は、ウェハＷを支持するためのウェハ支持部
（基板支持部）５４である。ウェハＷをサセプタ２２の
ウェハ保持エリア５０内の所定位置に配置すると、ウェ
ハ加熱面５２外周に設けられたウェハ支持部５４の上面
側にウェハＷの外縁下部が接した状態でウェハＷが支持
される（図２（ａ）及び図３参照）。この支持状態にお
いて、ウェハＷの上面と、ウェハ保持エリア５０よりも
外側のサセプタ２２外周部分の上面とは、ほぼ同一面と
なる。これは、導入口１６から導入された処理ガスが層
流状態を維持して流れるようにするためである。
沿った環状の凸状段差部分が形成されている。この環状
の段差部分は、ウェハＷを支持するためのウェハ支持部
（基板支持部）５４である。ウェハＷをサセプタ２２の
ウェハ保持エリア５０内の所定位置に配置すると、ウェ
ハ加熱面５２外周に設けられたウェハ支持部５４の上面
側にウェハＷの外縁下部が接した状態でウェハＷが支持
される（図２（ａ）及び図３参照）。この支持状態にお
いて、ウェハＷの上面と、ウェハ保持エリア５０よりも
外側のサセプタ２２外周部分の上面とは、ほぼ同一面と
なる。これは、導入口１６から導入された処理ガスが層
流状態を維持して流れるようにするためである。
【００２８】また、ウェハ加熱面５２内の所定の位置に
は、ウェハＷをサセプタ２２に対して上下動させるため
のリフトピン４８（図１参照）が貫通するリフトピン貫
通孔５６が設けられている。本実施形態においては、図
２（ｂ）に示すように３個のリフトピン貫通孔５６が設
けられている。
は、ウェハＷをサセプタ２２に対して上下動させるため
のリフトピン４８（図１参照）が貫通するリフトピン貫
通孔５６が設けられている。本実施形態においては、図
２（ｂ）に示すように３個のリフトピン貫通孔５６が設
けられている。
【００２９】本実施形態におけるサセプタ２２は、ウェ
ハ加熱面５２内に加熱調整部として凸部５８を有してい
る。凸部５８は、中心軸Ａｘを中心とした円形の島状に
ウェハ加熱面５２から突出して形成されている。また、
そのウェハ加熱面５２からの突出高さは、ウェハ加熱面
５２からウェハ支持部５４の上面までの高さよりも低く
設定されている。
ハ加熱面５２内に加熱調整部として凸部５８を有してい
る。凸部５８は、中心軸Ａｘを中心とした円形の島状に
ウェハ加熱面５２から突出して形成されている。また、
そのウェハ加熱面５２からの突出高さは、ウェハ加熱面
５２からウェハ支持部５４の上面までの高さよりも低く
設定されている。
【００３０】ウェハＷの加熱・成膜時においては、ウェ
ハＷは回転するサセプタ２２上に保持され、下部に配列
されたハロゲンランプ２０によって加熱されたサセプタ
２２からの熱伝導、対流、輻射によって５００℃〜７０
０℃に加熱される。なお、サセプタ２２の中心軸Ａｘ
は、回転駆動されるサセプタ２２の回転中心軸と一致し
ている。
ハＷは回転するサセプタ２２上に保持され、下部に配列
されたハロゲンランプ２０によって加熱されたサセプタ
２２からの熱伝導、対流、輻射によって５００℃〜７０
０℃に加熱される。なお、サセプタ２２の中心軸Ａｘ
は、回転駆動されるサセプタ２２の回転中心軸と一致し
ている。
【００３１】ここで、リフトピン４８の上下動と、ウェ
ハＷの搬送及び支持の方法について説明しておく。リフ
トピン４８は、成膜装置１０のリフト機構によって上下
動されるようになっている。リフト機構は、図１に示す
ように、サセプタ支持シャフト２４の主軸を囲むように
配置された上下動可能なリフトチューブ４０と、このリ
フトチューブ４０を上下動させる駆動装置４２と、リフ
トチューブ４０から放射状に延びる３本のリフトアーム
４４と、リフトピン貫通孔５６によってサセプタ２２を
貫通して延びるとともにリフトアーム４４に伴って上下
動するリフトピン４８とを備えている。駆動装置４２を
制御してリフトチューブ４０及びリフトアーム４４を上
昇させると、リフトアーム４４の先端部でリフトピン４
８が押し上げられるようになっている。
ハＷの搬送及び支持の方法について説明しておく。リフ
トピン４８は、成膜装置１０のリフト機構によって上下
動されるようになっている。リフト機構は、図１に示す
ように、サセプタ支持シャフト２４の主軸を囲むように
配置された上下動可能なリフトチューブ４０と、このリ
フトチューブ４０を上下動させる駆動装置４２と、リフ
トチューブ４０から放射状に延びる３本のリフトアーム
４４と、リフトピン貫通孔５６によってサセプタ２２を
貫通して延びるとともにリフトアーム４４に伴って上下
動するリフトピン４８とを備えている。駆動装置４２を
制御してリフトチューブ４０及びリフトアーム４４を上
昇させると、リフトアーム４４の先端部でリフトピン４
８が押し上げられるようになっている。
【００３２】このような構成のウェハ支持装置１４にウ
ェハＷを支持させる場合、まず、搬送ロボット（図示し
ていない）を操作し、搬送ロボットのブレードに載置さ
れたウェハＷをサセプタ２２のウェハ保持エリア５０の
直上位置に配置する。次いで、リフト機構の駆動装置４
２を制御してリフトピン４８を上昇させる。この時、搬
送ロボットのブレードはリフトピン４８の上昇を妨げな
い形状及び配置となっている。リフトピン４８がブレー
ドよりも高い位置まで上昇すると、ウェハＷはブレード
からリフトピン４８に載り移り、３点のリフトピン４８
でウェハＷは支持される。
ェハＷを支持させる場合、まず、搬送ロボット（図示し
ていない）を操作し、搬送ロボットのブレードに載置さ
れたウェハＷをサセプタ２２のウェハ保持エリア５０の
直上位置に配置する。次いで、リフト機構の駆動装置４
２を制御してリフトピン４８を上昇させる。この時、搬
送ロボットのブレードはリフトピン４８の上昇を妨げな
い形状及び配置となっている。リフトピン４８がブレー
ドよりも高い位置まで上昇すると、ウェハＷはブレード
からリフトピン４８に載り移り、３点のリフトピン４８
でウェハＷは支持される。
【００３３】ウェハＷがリフトピン４８により支持され
たならば、搬送ロボットのブレードをサセプタ２２の上
方から処理チャンバ１２の外部に移動させ、リフトピン
４８を下降させる。リフトピン４８がリフトピン貫通孔
５６内に完全に下降されると、リフトピン４８の上面は
ウェハ加熱面５２よりも下方に位置する状態となり、ウ
ェハＷはサセプタ２２のウェハ支持部５４の上面と接触
して支持される。この後、上述したエピタキシャル成長
などの成膜プロセスが実行されることになる。
たならば、搬送ロボットのブレードをサセプタ２２の上
方から処理チャンバ１２の外部に移動させ、リフトピン
４８を下降させる。リフトピン４８がリフトピン貫通孔
５６内に完全に下降されると、リフトピン４８の上面は
ウェハ加熱面５２よりも下方に位置する状態となり、ウ
ェハＷはサセプタ２２のウェハ支持部５４の上面と接触
して支持される。この後、上述したエピタキシャル成長
などの成膜プロセスが実行されることになる。
【００３４】ウェハＷをサセプタ２２から持ち上げ、搬
送ロボットのブレードに移載させる場合は、上記とは逆
の手順でリフト機構及び搬送ロボットを操作すればよい
ことは、容易に理解されよう。
送ロボットのブレードに移載させる場合は、上記とは逆
の手順でリフト機構及び搬送ロボットを操作すればよい
ことは、容易に理解されよう。
【００３５】上記した実施形態によるサセプタ２２の効
果について、具体的な実施例とともに説明する。なお、
以下に述べる実施例及び各データにおいては、いずれも
ウェハ保持エリア５０の直径をφ２０２．５ｍｍ（φ
７．９７２ｉｎｃｈ）、ウェハ加熱面５２の直径をφ１
９５．０ｍｍ（φ７．６７７ｉｎｃｈ）、凸部５８の直
径をφ１０１．６ｍｍ（φ４．０００ｉｎｃｈ）とす
る。
果について、具体的な実施例とともに説明する。なお、
以下に述べる実施例及び各データにおいては、いずれも
ウェハ保持エリア５０の直径をφ２０２．５ｍｍ（φ
７．９７２ｉｎｃｈ）、ウェハ加熱面５２の直径をφ１
９５．０ｍｍ（φ７．６７７ｉｎｃｈ）、凸部５８の直
径をφ１０１．６ｍｍ（φ４．０００ｉｎｃｈ）とす
る。
【００３６】図２及び図３に示したサセプタ２２では、
ウェハ保持エリア５０内において、ウェハ加熱面５２の
外周に段差状に設けられたウェハ支持部５４によってウ
ェハＷを支持している。このとき、ウェハＷはウェハ加
熱面５２との間に第１の距離ｄ1の隙間を生じた状態
で、ウェハ支持部５４との接触部分によって支持される
（図３参照）。
ウェハ保持エリア５０内において、ウェハ加熱面５２の
外周に段差状に設けられたウェハ支持部５４によってウ
ェハＷを支持している。このとき、ウェハＷはウェハ加
熱面５２との間に第１の距離ｄ1の隙間を生じた状態
で、ウェハ支持部５４との接触部分によって支持される
（図３参照）。
【００３７】ウェハＷの加熱にサセプタ２２を用いた加
熱方式を採用した場合、熱伝導や対流がウェハの加熱メ
カニズムにおいて支配的となる高圧力領域では、サセプ
タ２２の中心部及び周辺部での熱伝導の違いや、サセプ
タ２２のウェハ保持エリア５０内での凹凸面形状などに
よってウェハＷの面内温度分布が著しく影響される。そ
のため、ウェハＷ面内の温度分布に不均一性を生じてし
まうという問題を生じる。ウェハＷの温度分布が不均一
になると、成膜条件がウェハＷ面内の各部位において一
様でなくなるので、成膜される膜厚分布において不均一
性が発生してしまう。
熱方式を採用した場合、熱伝導や対流がウェハの加熱メ
カニズムにおいて支配的となる高圧力領域では、サセプ
タ２２の中心部及び周辺部での熱伝導の違いや、サセプ
タ２２のウェハ保持エリア５０内での凹凸面形状などに
よってウェハＷの面内温度分布が著しく影響される。そ
のため、ウェハＷ面内の温度分布に不均一性を生じてし
まうという問題を生じる。ウェハＷの温度分布が不均一
になると、成膜条件がウェハＷ面内の各部位において一
様でなくなるので、成膜される膜厚分布において不均一
性が発生してしまう。
【００３８】このような問題に対して、サセプタ２２の
加熱条件、例として図１においてはハロゲンランプ２０
による加熱条件、を調整することによってウェハＷの温
度分布を調整することが考えられる。しかしながら、こ
の方法では加熱制御が複雑化し、あるいはハロゲンラン
プ２０の配置による制限などによって充分な温度均一性
を得ることができない。
加熱条件、例として図１においてはハロゲンランプ２０
による加熱条件、を調整することによってウェハＷの温
度分布を調整することが考えられる。しかしながら、こ
の方法では加熱制御が複雑化し、あるいはハロゲンラン
プ２０の配置による制限などによって充分な温度均一性
を得ることができない。
【００３９】一方、成膜時の圧力を下げることとする
と、加熱における熱伝導や対流の寄与が低減されて温度
均一性が向上される。しかしながら、この方法では成膜
速度が成膜時における処理チャンバ１２内の圧力（成膜
圧力）にほぼ比例するポリシリコン成膜等のプロセスに
おいて、成膜能力が大きく低下してしまう。
と、加熱における熱伝導や対流の寄与が低減されて温度
均一性が向上される。しかしながら、この方法では成膜
速度が成膜時における処理チャンバ１２内の圧力（成膜
圧力）にほぼ比例するポリシリコン成膜等のプロセスに
おいて、成膜能力が大きく低下してしまう。
【００４０】これに対して、本実施形態のサセプタ２２
においては、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に距離
ｄ1の隙間ができるように段差状のウェハ支持部５４に
よってウェハＷを支持するとともに、この隙間を利用
し、ウェハ加熱面５２の各部分での隙間距離に所定の変
化（分布）を与えることによって、ウェハＷ面内の温度
分布を調整することとしている。
においては、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に距離
ｄ1の隙間ができるように段差状のウェハ支持部５４に
よってウェハＷを支持するとともに、この隙間を利用
し、ウェハ加熱面５２の各部分での隙間距離に所定の変
化（分布）を与えることによって、ウェハＷ面内の温度
分布を調整することとしている。
【００４１】この温度分布の調整のため、サセプタ２２
のウェハ加熱面５２内にはウェハＷへの加熱条件を調整
する加熱調整部として、ウェハ加熱面５２からの突出高
さがウェハ加熱面５２からウェハ支持部５４の上面まで
の高さよりも低く設定された凸部５８が形成されてい
る。このとき、ウェハＷと凸部５８の上面との間は、ｄ
1＞ｄ2＞０を満たす第２の距離ｄ2の隙間となる。この
ように、ウェハ加熱面５２内にウェハＷとウェハ加熱面
５２の他の部分との距離ｄ1とは異なる距離の隙間が得
られる凸部５８を設けることによって、温度分布の調整
を実現している。
のウェハ加熱面５２内にはウェハＷへの加熱条件を調整
する加熱調整部として、ウェハ加熱面５２からの突出高
さがウェハ加熱面５２からウェハ支持部５４の上面まで
の高さよりも低く設定された凸部５８が形成されてい
る。このとき、ウェハＷと凸部５８の上面との間は、ｄ
1＞ｄ2＞０を満たす第２の距離ｄ2の隙間となる。この
ように、ウェハ加熱面５２内にウェハＷとウェハ加熱面
５２の他の部分との距離ｄ1とは異なる距離の隙間が得
られる凸部５８を設けることによって、温度分布の調整
を実現している。
【００４２】すなわち、サセプタ２２での温度分布の調
整に加えて、ウェハＷとウェハ加熱面５２との隙間と、
凸部５８などの加熱調整部の凹凸構造による隙間距離分
布によって、ウェハ保持エリア５０内の各部位でのサセ
プタ２２からウェハＷへの加熱条件をそれぞれ設定及び
調整して、ウェハＷ面内の温度分布の調整を実現する。
これによって、成膜効率を低下させることなく温度分布
及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることがで
きる。
整に加えて、ウェハＷとウェハ加熱面５２との隙間と、
凸部５８などの加熱調整部の凹凸構造による隙間距離分
布によって、ウェハ保持エリア５０内の各部位でのサセ
プタ２２からウェハＷへの加熱条件をそれぞれ設定及び
調整して、ウェハＷ面内の温度分布の調整を実現する。
これによって、成膜効率を低下させることなく温度分布
及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることがで
きる。
【００４３】このような温度分布の調整方法は、ハロゲ
ンランプ２０による加熱条件調整などと比べて調整が容
易である。また、ハロゲンランプ２０などの加熱機構に
対して必要とされる製造精度が緩和されるので、成膜装
置１０などの半導体製造装置の製造コストを低減するこ
とが可能である。
ンランプ２０による加熱条件調整などと比べて調整が容
易である。また、ハロゲンランプ２０などの加熱機構に
対して必要とされる製造精度が緩和されるので、成膜装
置１０などの半導体製造装置の製造コストを低減するこ
とが可能である。
【００４４】図４は、上記した実施形態によるサセプタ
２２を用いた成膜による膜厚分布を、従来のサセプタを
用いた成膜の場合と比較するグラフである。グラフの横
軸は中心からの距離（ｍｍ）を、また、縦軸は各位置に
おける膜厚（Å）を示している。なお、ここでは、ウェ
ハＷとウェハ加熱面５２または凸部５８との隙間の距離
をそれぞれｄ1＝１．０ｍｍ、ｄ2＝０．７ｍｍとする。
一方、従来のサセプタは、サセプタ２２においてｄ1＝
ｄ2＝０ｍｍとした場合に相当する。また、成膜圧力は
１６ｋＰａ（１２０Ｔｏｒｒ）、成膜温度は従来例で６
１６℃、本発明の実施例で６２０℃である。
２２を用いた成膜による膜厚分布を、従来のサセプタを
用いた成膜の場合と比較するグラフである。グラフの横
軸は中心からの距離（ｍｍ）を、また、縦軸は各位置に
おける膜厚（Å）を示している。なお、ここでは、ウェ
ハＷとウェハ加熱面５２または凸部５８との隙間の距離
をそれぞれｄ1＝１．０ｍｍ、ｄ2＝０．７ｍｍとする。
一方、従来のサセプタは、サセプタ２２においてｄ1＝
ｄ2＝０ｍｍとした場合に相当する。また、成膜圧力は
１６ｋＰａ（１２０Ｔｏｒｒ）、成膜温度は従来例で６
１６℃、本発明の実施例で６２０℃である。
【００４５】図４に示した従来例による膜厚分布データ
では、サセプタの中心部及び周辺部での熱伝導の違いや
ハロゲンランプによる加熱条件等によって、ウェハの外
周近傍で膜厚が厚く内側部分がやや薄い膜厚分布が得ら
れている。すなわち、ウェハの内側部分に対するサセプ
タからの加熱が充分でなく、そのために成膜される膜厚
が内側部分でやや低下している。
では、サセプタの中心部及び周辺部での熱伝導の違いや
ハロゲンランプによる加熱条件等によって、ウェハの外
周近傍で膜厚が厚く内側部分がやや薄い膜厚分布が得ら
れている。すなわち、ウェハの内側部分に対するサセプ
タからの加熱が充分でなく、そのために成膜される膜厚
が内側部分でやや低下している。
【００４６】これに対して、本実施形態の成膜装置１０
を用いた膜厚分布データでは、ウェハＷとウェハ加熱面
５２との隙間によって、成膜される膜厚は全体としてや
や薄くなっている。また、加熱が不充分であるために成
膜される膜厚が薄かった内側部分に対して、ウェハ加熱
面５２に凸部５８を形成してウェハＷへの加熱効率を高
めることによって、ウェハＷの温度分布を調整してい
る。この温度分布調整によって成膜条件が変化して、ウ
ェハＷの周辺部分と比較して内側部分の膜厚が厚い膜厚
分布が得られていることがわかる。
を用いた膜厚分布データでは、ウェハＷとウェハ加熱面
５２との隙間によって、成膜される膜厚は全体としてや
や薄くなっている。また、加熱が不充分であるために成
膜される膜厚が薄かった内側部分に対して、ウェハ加熱
面５２に凸部５８を形成してウェハＷへの加熱効率を高
めることによって、ウェハＷの温度分布を調整してい
る。この温度分布調整によって成膜条件が変化して、ウ
ェハＷの周辺部分と比較して内側部分の膜厚が厚い膜厚
分布が得られていることがわかる。
【００４７】このように、上記した実施形態によるサセ
プタ２２を有する成膜装置においては、ウェハＷとウェ
ハ加熱面５２との隙間と、その各部位での隙間距離分布
の設定によって、ウェハＷ面内の温度分布、及び得られ
る膜厚分布を調整することが可能である。
プタ２２を有する成膜装置においては、ウェハＷとウェ
ハ加熱面５２との隙間と、その各部位での隙間距離分布
の設定によって、ウェハＷ面内の温度分布、及び得られ
る膜厚分布を調整することが可能である。
【００４８】図４に示した実施例は、上記したようにウ
ェハ加熱面５２に凸部５８などの加熱調整部を設けるこ
とによる温度分布及び膜厚分布の調整について、その効
果を例示するものである。そのため、この実施例で得ら
れた膜厚分布においても、その全体の膜厚分布にはなお
不均一性が存在している。この不均一性については、得
られた膜厚分布に対応するようにウェハ加熱面５２の面
形状をさらに変形していくことによって解消させて、最
終的にウェハＷ面内全体での温度及び膜厚の均一化を達
成することが可能である。
ェハ加熱面５２に凸部５８などの加熱調整部を設けるこ
とによる温度分布及び膜厚分布の調整について、その効
果を例示するものである。そのため、この実施例で得ら
れた膜厚分布においても、その全体の膜厚分布にはなお
不均一性が存在している。この不均一性については、得
られた膜厚分布に対応するようにウェハ加熱面５２の面
形状をさらに変形していくことによって解消させて、最
終的にウェハＷ面内全体での温度及び膜厚の均一化を達
成することが可能である。
【００４９】図５は、ウェハＷとサセプタ２２との隙間
の距離ｄ（ｍｍ）に対する成膜される膜厚（Å）の変化
を示すグラフである。このデータにおいては、成膜温度
６２０℃、成膜圧力１６ｋＰａ（１２０Ｔｏｒｒ）、成
膜時間５９秒の成膜条件で成膜を行っている。また、成
膜に用いた処理ガスの流量は、ＳｉＨ4ガスが０．９ｌ
／ｍｉｎ（ｓｌｍ、standard l/min）、Ｈ2ガスが８．
９ｌ／ｍｉｎ（ｓｌｍ、standard l/min）である。
の距離ｄ（ｍｍ）に対する成膜される膜厚（Å）の変化
を示すグラフである。このデータにおいては、成膜温度
６２０℃、成膜圧力１６ｋＰａ（１２０Ｔｏｒｒ）、成
膜時間５９秒の成膜条件で成膜を行っている。また、成
膜に用いた処理ガスの流量は、ＳｉＨ4ガスが０．９ｌ
／ｍｉｎ（ｓｌｍ、standard l/min）、Ｈ2ガスが８．
９ｌ／ｍｉｎ（ｓｌｍ、standard l/min）である。
【００５０】図５では、ウェハ保持エリア５０内の回転
中心位置（ｒ＝０ｍｍ）、中心位置から２０ｍｍの位置
（ｒ＝２０ｍｍ）、中心位置から４０ｍｍの位置（ｒ＝
４０ｍｍ）の３つの位置における膜厚変化を示してあ
る。また、各データ点群Ａ、Ｂ、及びＣについては、デ
ータ点群Ａは、従来の平坦なサセプタにおいて０．１ｍ
ｍ程度の隙間が生じているものと仮定したときの膜厚、
データ点群Ｂは、凸部５８でのｄ2＝０．７ｍｍに相当
する隙間での膜厚、データ点群Ｃは、ウェハ加熱面５２
でのｄ1＝１．０ｍｍに相当する隙間での膜厚をそれぞ
れ示している。なお、各データ点を結んでいる線は、そ
れぞれ膜厚が距離に対して指数関数的に変化すると仮定
した曲線である。
中心位置（ｒ＝０ｍｍ）、中心位置から２０ｍｍの位置
（ｒ＝２０ｍｍ）、中心位置から４０ｍｍの位置（ｒ＝
４０ｍｍ）の３つの位置における膜厚変化を示してあ
る。また、各データ点群Ａ、Ｂ、及びＣについては、デ
ータ点群Ａは、従来の平坦なサセプタにおいて０．１ｍ
ｍ程度の隙間が生じているものと仮定したときの膜厚、
データ点群Ｂは、凸部５８でのｄ2＝０．７ｍｍに相当
する隙間での膜厚、データ点群Ｃは、ウェハ加熱面５２
でのｄ1＝１．０ｍｍに相当する隙間での膜厚をそれぞ
れ示している。なお、各データ点を結んでいる線は、そ
れぞれ膜厚が距離に対して指数関数的に変化すると仮定
した曲線である。
【００５１】これらのグラフから明らかなように、成膜
される膜厚は、隙間の距離ｄが変化していくのに伴って
なめらかに（例えば指数関数的に）変化する。したがっ
て、サセプタ２２を用いて得られた図４に示したような
膜厚分布から、図５に示した膜厚の変化データを参照し
てサセプタ２２の面形状の修正を行うことによって、各
位置において成膜される膜厚をさらに調整して、得られ
る膜厚分布を均一化させることが可能である。
される膜厚は、隙間の距離ｄが変化していくのに伴って
なめらかに（例えば指数関数的に）変化する。したがっ
て、サセプタ２２を用いて得られた図４に示したような
膜厚分布から、図５に示した膜厚の変化データを参照し
てサセプタ２２の面形状の修正を行うことによって、各
位置において成膜される膜厚をさらに調整して、得られ
る膜厚分布を均一化させることが可能である。
【００５２】また、図５の３つのグラフから、中心位置
からの距離にかかわらず、距離ｄに対して膜厚がほぼ同
じように変化していることがわかる。したがって、ウェ
ハ保持エリア５０内の各部位に対して、同様の隙間距離
の設定方法を適用してウェハ加熱面５２の面形状を決定
することができる。
からの距離にかかわらず、距離ｄに対して膜厚がほぼ同
じように変化していることがわかる。したがって、ウェ
ハ保持エリア５０内の各部位に対して、同様の隙間距離
の設定方法を適用してウェハ加熱面５２の面形状を決定
することができる。
【００５３】一般的な面形状の決定方法の例としては、
ウェハ及びウェハ加熱面の隙間の基準となる距離を決定
して基準面となるウェハ加熱面を設定し、調整したい膜
厚分布に対応した凹凸構造による加熱調整部を基準面に
付与して、最終的に用いるウェハ加熱面の形状を決定す
ることが考えられる。
ウェハ及びウェハ加熱面の隙間の基準となる距離を決定
して基準面となるウェハ加熱面を設定し、調整したい膜
厚分布に対応した凹凸構造による加熱調整部を基準面に
付与して、最終的に用いるウェハ加熱面の形状を決定す
ることが考えられる。
【００５４】ここで、温度及び膜厚分布の不均一性は、
通常ウェハ加熱面の中心位置に対して略円対称に生じる
場合が多い。その場合、加熱調整部はウェハ加熱面の中
心位置を中心として円対称形状（同心円状）の島状また
は環状に設定することが好ましい。ただし、局所的な不
均一性など円対称でない不均一部分が存在する場合に
は、それに対応した局所的な凹凸構造による加熱調整部
を形成しても良い。
通常ウェハ加熱面の中心位置に対して略円対称に生じる
場合が多い。その場合、加熱調整部はウェハ加熱面の中
心位置を中心として円対称形状（同心円状）の島状また
は環状に設定することが好ましい。ただし、局所的な不
均一性など円対称でない不均一部分が存在する場合に
は、それに対応した局所的な凹凸構造による加熱調整部
を形成しても良い。
【００５５】なお、従来のほぼ平坦なサセプタの場合、
リフトピン貫通孔５６の凹みに起因する局所的な温度分
布不均一性、及びそれによる膜厚分布変化を生じる場合
がある。これに対して、本実施形態のようにウェハＷと
ウェハ加熱面５２との間に隙間を設けることによって、
このような局所的な膜厚変化についても同時に低減する
ことができる。このような局所的な膜厚不均一性の低減
は、リフトピン貫通孔５６以外による場合も上記した隙
間によって同様に実現される。
リフトピン貫通孔５６の凹みに起因する局所的な温度分
布不均一性、及びそれによる膜厚分布変化を生じる場合
がある。これに対して、本実施形態のようにウェハＷと
ウェハ加熱面５２との間に隙間を設けることによって、
このような局所的な膜厚変化についても同時に低減する
ことができる。このような局所的な膜厚不均一性の低減
は、リフトピン貫通孔５６以外による場合も上記した隙
間によって同様に実現される。
【００５６】図６は、上記したサセプタ２２を用いた成
膜によるリフトピン貫通孔５６近傍での膜厚分布を、従
来のほぼ平坦なサセプタを用いた場合と比較するグラフ
である。グラフの横軸は膜厚の測定点番号を、また、縦
軸は測定された膜厚（Å）を示している。ここで、膜厚
の各測定点は図７に示す通りである。すなわち、サセプ
タ２２の３つのリフトピン貫通孔５６に対して、第１の
リフトピン貫通孔５６の位置を測定点３とした近傍の５
つの測定点１〜５、第２のリフトピン貫通孔５６の位置
を測定点８とした近傍の５つの測定点６〜１０、第３の
リフトピン貫通孔５６の位置を測定点１３とした近傍の
５つの測定点１１〜１５の計１５個所の測定点を、３つ
のリフトピン貫通孔５６を通る円周上に時計回りに配置
している。また、各リフトピン貫通孔５６近傍で隣り合
う測定点同士の間隔は、サセプタ２２の中心からみた角
度で２°である。
膜によるリフトピン貫通孔５６近傍での膜厚分布を、従
来のほぼ平坦なサセプタを用いた場合と比較するグラフ
である。グラフの横軸は膜厚の測定点番号を、また、縦
軸は測定された膜厚（Å）を示している。ここで、膜厚
の各測定点は図７に示す通りである。すなわち、サセプ
タ２２の３つのリフトピン貫通孔５６に対して、第１の
リフトピン貫通孔５６の位置を測定点３とした近傍の５
つの測定点１〜５、第２のリフトピン貫通孔５６の位置
を測定点８とした近傍の５つの測定点６〜１０、第３の
リフトピン貫通孔５６の位置を測定点１３とした近傍の
５つの測定点１１〜１５の計１５個所の測定点を、３つ
のリフトピン貫通孔５６を通る円周上に時計回りに配置
している。また、各リフトピン貫通孔５６近傍で隣り合
う測定点同士の間隔は、サセプタ２２の中心からみた角
度で２°である。
【００５７】これらのリフトピン貫通孔５６近傍におい
て、従来のサセプタを用いた成膜では、図６に示すよう
に局所的な膜厚低下を生じている。これに対して、ウェ
ハＷとウェハ加熱面５２との間に隙間を設けた上記のサ
セプタ２２を用いた成膜では、膜厚はいずれのリフトピ
ン貫通孔５６近傍でもほぼ一定であり、局所的な膜厚変
化を生じていない。このように、上記したようなサセプ
タ２２の構成によって、リフトピン貫通孔５６に起因す
る局所的な膜厚変化についても同時に低減することがで
きる。
て、従来のサセプタを用いた成膜では、図６に示すよう
に局所的な膜厚低下を生じている。これに対して、ウェ
ハＷとウェハ加熱面５２との間に隙間を設けた上記のサ
セプタ２２を用いた成膜では、膜厚はいずれのリフトピ
ン貫通孔５６近傍でもほぼ一定であり、局所的な膜厚変
化を生じていない。このように、上記したようなサセプ
タ２２の構成によって、リフトピン貫通孔５６に起因す
る局所的な膜厚変化についても同時に低減することがで
きる。
【００５８】ここで、ウェハＷとウェハ加熱面５２との
隙間距離ｄ1は１ｍｍ以下とすることが好ましい。隙間
距離が大きくなりすぎると、ウェハＷに対する加熱効率
が低下してしまうが、１ｍｍ以下の範囲であれば過度の
加熱効率低下を防止することができる。一方、局所的な
膜厚変化を抑制するためにはある程度の隙間距離が必要
であるので、膜厚に対する条件から、上記の距離範囲内
において好適な隙間距離、例えば１ｍｍ、を選択するこ
とが好ましい。
隙間距離ｄ1は１ｍｍ以下とすることが好ましい。隙間
距離が大きくなりすぎると、ウェハＷに対する加熱効率
が低下してしまうが、１ｍｍ以下の範囲であれば過度の
加熱効率低下を防止することができる。一方、局所的な
膜厚変化を抑制するためにはある程度の隙間距離が必要
であるので、膜厚に対する条件から、上記の距離範囲内
において好適な隙間距離、例えば１ｍｍ、を選択するこ
とが好ましい。
【００５９】そのようなサセプタとしては、例えば、必
要な加熱効率に基づいてウェハ裏面からの最大距離を設
定してそれを隙間距離とする面を設定し、その面上に、
加熱が不充分な部位についてウェハ側に突出した凸部を
形成することによってウェハ加熱面を構成したものがあ
る。これによって、ウェハ保持エリア５０内の全体で充
分な加熱効率を保ちつつ加熱分布調整を実現することが
できる。ただし、各部分での加熱条件によっては、その
一部に凹部を設ける構成とすることも可能である。
要な加熱効率に基づいてウェハ裏面からの最大距離を設
定してそれを隙間距離とする面を設定し、その面上に、
加熱が不充分な部位についてウェハ側に突出した凸部を
形成することによってウェハ加熱面を構成したものがあ
る。これによって、ウェハ保持エリア５０内の全体で充
分な加熱効率を保ちつつ加熱分布調整を実現することが
できる。ただし、各部分での加熱条件によっては、その
一部に凹部を設ける構成とすることも可能である。
【００６０】本発明による半導体製造装置は、上記した
実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能で
ある。例えば、上記実施形態の半導体製造装置はエピタ
キシャル成長装置などの成膜装置であるが、他の処理を
行うもの、例えばＣＶＤ装置等にも本発明は適用可能で
ある。また、ウェハ保持エリア５０内の面形状について
は、加熱調整部の凹凸構造を個々の装置に対応させて様
々に変形することは勿論であるが、ウェハ支持部につい
ても、上記実施形態のような外周全体に対して設けた環
状のものに限らず、その一部の複数位置に設けた段差状
または突起状のウェハ支持部としても良い。また、それ
以外の構成の基板支持部材を用いても良い。
実施形態に限られるものではなく、様々な変形が可能で
ある。例えば、上記実施形態の半導体製造装置はエピタ
キシャル成長装置などの成膜装置であるが、他の処理を
行うもの、例えばＣＶＤ装置等にも本発明は適用可能で
ある。また、ウェハ保持エリア５０内の面形状について
は、加熱調整部の凹凸構造を個々の装置に対応させて様
々に変形することは勿論であるが、ウェハ支持部につい
ても、上記実施形態のような外周全体に対して設けた環
状のものに限らず、その一部の複数位置に設けた段差状
または突起状のウェハ支持部としても良い。また、それ
以外の構成の基板支持部材を用いても良い。
【００６１】また、サセプタを加熱する加熱手段につい
ても、サセプタの下方に位置する加熱用ランプ群以外の
構成を用いても良い。
ても、サセプタの下方に位置する加熱用ランプ群以外の
構成を用いても良い。
【００６２】
【発明の効果】本発明による半導体製造装置は、以上詳
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、ウェハとウェハ加熱面との間に所定距離からなる隙
間を生じるようにサセプタを構成するとともに、ウェハ
加熱面に凹凸構造の加熱調整部を設けて隙間距離に一定
でない分布を与えることによって、ウェハの各部分に対
するサセプタからの加熱効率分布などの加熱条件を設定
して、ウェハ面内の温度分布及び成膜される膜厚分布を
調整することができる。
細に説明したように、次のような効果を得る。すなわ
ち、ウェハとウェハ加熱面との間に所定距離からなる隙
間を生じるようにサセプタを構成するとともに、ウェハ
加熱面に凹凸構造の加熱調整部を設けて隙間距離に一定
でない分布を与えることによって、ウェハの各部分に対
するサセプタからの加熱効率分布などの加熱条件を設定
して、ウェハ面内の温度分布及び成膜される膜厚分布を
調整することができる。
【００６３】このとき、ランプによるサセプタへの加熱
条件等によって温度分布調整を行う場合に比べて、容易
かつ低コストで温度分布調整を実現することができる。
特に、上記したサセプタ構造による温度分布調整では、
調整のための自由度が大きく様々な形状設計が可能であ
り、したがって、温度分布均一性を充分に向上させるこ
とが可能である。また、成膜圧力を下げる必要もないの
で、高い成膜効率を得ることができる。
条件等によって温度分布調整を行う場合に比べて、容易
かつ低コストで温度分布調整を実現することができる。
特に、上記したサセプタ構造による温度分布調整では、
調整のための自由度が大きく様々な形状設計が可能であ
り、したがって、温度分布均一性を充分に向上させるこ
とが可能である。また、成膜圧力を下げる必要もないの
で、高い成膜効率を得ることができる。
【図１】半導体製造装置である成膜装置の一実施形態を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【図２】図１に示した成膜装置に用いられるサセプタの
構成を示す（ａ）側面断面図、及び（ｂ）上面図であ
る。
構成を示す（ａ）側面断面図、及び（ｂ）上面図であ
る。
【図３】図２に示したサセプタを一部拡大して示す側面
断面図である。
断面図である。
【図４】図２に示したサセプタを用いた成膜による膜厚
分布を従来のサセプタを用いた場合と比較するグラフで
ある。
分布を従来のサセプタを用いた場合と比較するグラフで
ある。
【図５】ウェハとサセプタとの隙間の距離に対する膜厚
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図６】図２に示したサセプタを用いた成膜によるリフ
トピン貫通孔近傍での膜厚分布を従来のサセプタを用い
た場合と比較するグラフである。
トピン貫通孔近傍での膜厚分布を従来のサセプタを用い
た場合と比較するグラフである。
【図７】図６に示した膜厚測定に用いた測定点を示す上
面図である。
面図である。
１０…成膜装置、１２…処理チャンバ、１４…ウェハ支
持装置、１６…ガス導入口、１８…ガス排気口、２０…
ハロゲンランプ、２２…サセプタ、２４…支持シャフ
ト、４０…リフトチューブ、４２…駆動装置、４４…リ
フトアーム、４８…リフトピン、５０…ウェハ保持エリ
ア、５２…ウェハ加熱面、５４…ウェハ支持部、５６…
リフトピン貫通孔、５８…凸部、６０…サセプタ支持
部。
持装置、１６…ガス導入口、１８…ガス排気口、２０…
ハロゲンランプ、２２…サセプタ、２４…支持シャフ
ト、４０…リフトチューブ、４２…駆動装置、４４…リ
フトアーム、４８…リフトピン、５０…ウェハ保持エリ
ア、５２…ウェハ加熱面、５４…ウェハ支持部、５６…
リフトピン貫通孔、５８…凸部、６０…サセプタ支持
部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 祐二 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 中西 孝之 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 東海 暢男 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 (72)発明者 川居 一郎 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA02 AA06 CA04 CA12 GA02 GA06 GA12 JA03 KA23 5F045 AB02 AC01 AC05 AC15 AD09 AD10 AE23 AE25 AF03 DP04 DP28 EB02 EK13 EK14 EM02 EM06 EM09 EM10 EN04
Claims (7)
- 【請求項１】 処理チャンバと、前記処理チャンバ内に
設置され上面側の基板保持エリア内に被処理基板を保持
して加熱するためのサセプタと、前記サセプタを介して
前記被処理基板を加熱する加熱手段とを備える半導体製
造装置であって、 前記サセプタは、前記基板保持エリア内において、前記
サセプタの上面の前記被処理基板と対向する面部分であ
る基板加熱面と、前記被処理基板の裏面との間に、第１
の距離の隙間を生じるように基板支持部材によって前記
被処理基板を支持するとともに、前記基板加熱面上の所
定の部位に、前記第１の距離とは異なる第２の距離の隙
間を生じる加熱調整部が形成されている半導体製造装
置。 - 【請求項２】 前記基板加熱面の各部位において生じる
前記被処理基板の裏面との隙間の距離は、いずれも前記
第１の距離以下であるとともに、 前記加熱調整部は、前記基板加熱面から前記被処理基板
側に突出した凸部である請求項１記載の半導体製造装
置。 - 【請求項３】 前記第１の距離は、１ｍｍ以下である請
求項２記載の半導体製造装置。 - 【請求項４】 前記基板支持部材は、前記サセプタの上
面に前記基板加熱面の外周に沿って形成され、その上面
側に前記被処理基板の外縁下部が接することによって前
記被処理基板を支持する基板支持部である請求項１記載
の半導体製造装置。 - 【請求項５】 前記基板支持部は、前記基板加熱面の外
周の全体に環状に形成されている請求項４記載の半導体
製造装置。 - 【請求項６】 前記加熱調整部は、前記サセプタが回転
駆動されるときの前記基板加熱面上での回転中心位置を
中心として、前記回転中心位置を含む島状または前記回
転中心位置を囲む環状の円対称形状に形成されている請
求項１記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】 前記加熱手段は、前記サセプタの下面に
対向して配置された複数の加熱用ランプからなる請求項
１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30954999A JP4592849B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体製造装置 |
| DE60022221T DE60022221T2 (de) | 1999-10-29 | 2000-10-20 | Apparat für die bearbeitung von halbleitern |
| PCT/JP2000/007340 WO2001033617A1 (fr) | 1999-10-29 | 2000-10-20 | Appareil de fabrication de semiconducteurs |
| EP00969956A EP1235257B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-20 | Semiconductor-manufacturing apparatus |
| US10/111,555 US7393417B1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-20 | Semiconductor-manufacturing apparatus |
| KR1020027002513A KR20020031417A (ko) | 1999-10-29 | 2000-10-20 | 반도체 제조 장치 |
| TW089122599A TW460922B (en) | 1999-10-29 | 2000-10-26 | Semiconductor manufacturing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30954999A JP4592849B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001126995A true JP2001126995A (ja) | 2001-05-11 |
| JP4592849B2 JP4592849B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=17994361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30954999A Expired - Lifetime JP4592849B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | 半導体製造装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7393417B1 (ja) |
| EP (1) | EP1235257B1 (ja) |
| JP (1) | JP4592849B2 (ja) |
| KR (1) | KR20020031417A (ja) |
| DE (1) | DE60022221T2 (ja) |
| TW (1) | TW460922B (ja) |
| WO (1) | WO2001033617A1 (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2003086890A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| WO2007018157A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
| JP2007518249A (ja) * | 2003-08-01 | 2007-07-05 | エスゲーエル カーボン アクチエンゲゼルシャフト | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
| WO2009020023A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ |
| JP2009111296A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2010509780A (ja) * | 2006-11-15 | 2010-03-25 | マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
| JP2010114138A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法 |
| WO2010045237A3 (en) * | 2008-10-17 | 2010-07-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
| US7785419B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-08-31 | Sumco Corporation | Epitaxial apparatus |
| JP2011159680A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP2012216774A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
| CN103456672A (zh) * | 2013-09-04 | 2013-12-18 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 开放式销用支板 |
| US8787741B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation |
| JP2014207465A (ja) * | 2008-08-29 | 2014-10-30 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| JP2015070198A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 成長装置 |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| CN109390199A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底升降机构和包含衬底升降机构的反应器 |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443122B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조장치용 히터 어셈블리 |
| US20050284371A1 (en) * | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Mcfadden Robert S | Deposition apparatus for providing uniform low-k dielectric |
| KR100811389B1 (ko) * | 2006-03-24 | 2008-03-07 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 반도체 제조 장치와 히터 |
| US20080314319A1 (en) * | 2007-06-19 | 2008-12-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Susceptor for improving throughput and reducing wafer damage |
| US8404049B2 (en) * | 2007-12-27 | 2013-03-26 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial barrel susceptor having improved thickness uniformity |
| JP2009270143A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Nuflare Technology Inc | サセプタ、半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| US8042697B2 (en) * | 2008-06-30 | 2011-10-25 | Memc Electronic Materials, Inc. | Low thermal mass semiconductor wafer support |
| KR20130111029A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치 |
| US9401271B2 (en) | 2012-04-19 | 2016-07-26 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Susceptor assemblies for supporting wafers in a reactor apparatus |
| DE112014001376T5 (de) * | 2013-03-15 | 2015-11-26 | Applied Materials, Inc. | Suszeptorhalterungswelle mit Gleichförmigkeitsabstimmungslinsen für einen EPI-Prozess |
| TWI609991B (zh) * | 2013-06-05 | 2018-01-01 | 維克儀器公司 | 具有熱一致性改善特色的晶圓舟盒 |
| US20170032992A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-02 | Infineon Technologies Ag | Substrate carrier, a method and a processing device |
| JP6878212B2 (ja) * | 2017-09-07 | 2021-05-26 | 昭和電工株式会社 | サセプタ、ｃｖｄ装置及びエピタキシャルウェハの製造方法 |
| CN108962782A (zh) * | 2018-04-28 | 2018-12-07 | 盐城中自科技有限公司 | 一种晶片加热装置及晶片加热装置的制造方法 |
| JP6859426B2 (ja) | 2018-08-13 | 2021-04-14 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エッジリングの位置決めおよびセンタリング機構を組み込んだプラズマシース調整のための交換可能および／または折りたたみ式エッジリングアセンブリ |
| CN112420591B (zh) * | 2019-08-20 | 2022-06-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 加热板及控制晶圆表面温度的方法 |
| CN112786547B (zh) * | 2019-11-01 | 2023-10-13 | 神讯电脑(昆山)有限公司 | 散热架构 |
| WO2021120189A1 (zh) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 苏州晶湛半导体有限公司 | 一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备 |
| CN113818003A (zh) * | 2020-06-19 | 2021-12-21 | 拓荆科技股份有限公司 | 一种薄膜制备方法及设备 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215289A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61288416A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Toshiba Corp | 半導体基板加熱用サセプタ |
| JPS624315A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 気相成長装置用サセプタ |
| JPS6242416A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基板加熱用サセプタ |
| JPH0610140A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-18 | Fuji Film Micro Device Kk | 薄膜堆積装置 |
| JPH0758041A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH0758040A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置用サセプタ |
| JPH07326589A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-12-12 | Applied Materials Inc | 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス |
| JPH09125251A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JPH09235188A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶薄膜の製造方法および装置 |
| JPH10294287A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体ウェハの移載方法 |
| JPH1126387A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | ウェーハアダプタおよびその使用方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242501A (en) * | 1982-09-10 | 1993-09-07 | Lam Research Corporation | Susceptor in chemical vapor deposition reactors |
| DE69126724T2 (de) * | 1990-03-19 | 1998-01-15 | Toshiba Kawasaki Kk | Vorrichtung zur Dampfphasenabscheidung |
| US5645646A (en) * | 1994-02-25 | 1997-07-08 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| US5493987A (en) * | 1994-05-16 | 1996-02-27 | Ag Associates, Inc. | Chemical vapor deposition reactor and method |
| JPH0936049A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 気相成長装置およびこれによって製造された化合物半導体装置 |
| JPH09181155A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-07-11 | Applied Materials Inc | 堆積装置のサセプタ |
-
1999
- 1999-10-29 JP JP30954999A patent/JP4592849B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-20 US US10/111,555 patent/US7393417B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-20 KR KR1020027002513A patent/KR20020031417A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-20 WO PCT/JP2000/007340 patent/WO2001033617A1/ja active IP Right Grant
- 2000-10-20 EP EP00969956A patent/EP1235257B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-20 DE DE60022221T patent/DE60022221T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-26 TW TW089122599A patent/TW460922B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61215289A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-25 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61288416A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Toshiba Corp | 半導体基板加熱用サセプタ |
| JPS624315A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 気相成長装置用サセプタ |
| JPS6242416A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基板加熱用サセプタ |
| JPH0610140A (ja) * | 1992-06-24 | 1994-01-18 | Fuji Film Micro Device Kk | 薄膜堆積装置 |
| JPH0758041A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH0758040A (ja) * | 1993-08-20 | 1995-03-03 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 気相成長装置用サセプタ |
| JPH07326589A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-12-12 | Applied Materials Inc | 薄膜トランジスタ用シングルチャンバｃｖｄプロセス |
| JPH09125251A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-05-13 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JPH09235188A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶薄膜の製造方法および装置 |
| JPH10294287A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置および半導体ウェハの移載方法 |
| JPH1126387A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Mitsubishi Materials Shilicon Corp | ウェーハアダプタおよびその使用方法 |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2003086890A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| US9627244B2 (en) | 2002-12-20 | 2017-04-18 | Mattson Technology, Inc. | Methods and systems for supporting a workpiece and for heat-treating the workpiece |
| JP4669476B2 (ja) * | 2003-08-01 | 2011-04-13 | エスゲーエル カーボン ソシエタス ヨーロピア | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
| JP2007518249A (ja) * | 2003-08-01 | 2007-07-05 | エスゲーエル カーボン アクチエンゲゼルシャフト | 半導体製造時にウェハを支持するホルダ |
| WO2007018157A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置およびそれに用いる基板載置台 |
| US7785419B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-08-31 | Sumco Corporation | Epitaxial apparatus |
| JP2010509780A (ja) * | 2006-11-15 | 2010-03-25 | マトソン テクノロジー カナダ インコーポレイテッド | 熱処理中の被加工物を支持するシステムおよび方法 |
| WO2009020023A1 (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-12 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ |
| JP2009038294A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ |
| JP2009111296A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-05-21 | Sumco Corp | エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9070590B2 (en) | 2008-05-16 | 2015-06-30 | Mattson Technology, Inc. | Workpiece breakage prevention method and apparatus |
| JP2014207465A (ja) * | 2008-08-29 | 2014-10-30 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
| WO2010045237A3 (en) * | 2008-10-17 | 2010-07-22 | Memc Electronic Materials, Inc. | Support for a semiconductor wafer in a high temperature environment |
| JP2010114138A (ja) * | 2008-11-04 | 2010-05-20 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | サセプタ装置、エピタキシャルウェハの製造装置、および、エピタキシャルウェハの製造方法 |
| US8787741B2 (en) | 2009-04-28 | 2014-07-22 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Heat treatment method and heat treatment apparatus for heating substrate by light irradiation |
| JP2011159680A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP2012216774A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー |
| US9748132B2 (en) | 2011-04-01 | 2017-08-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrates |
| US10316412B2 (en) | 2012-04-18 | 2019-06-11 | Veeco Instruments Inc. | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems |
| US10167571B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-01-01 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier having provisions for improving heating uniformity in chemical vapor deposition systems |
| CN103456672A (zh) * | 2013-09-04 | 2013-12-18 | 沈阳拓荆科技有限公司 | 开放式销用支板 |
| JP2015070198A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 成長装置 |
| CN109390199A (zh) * | 2017-08-08 | 2019-02-26 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底升降机构和包含衬底升降机构的反应器 |
| JP2019036717A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-03-07 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 基材リフト機構及びこれを含む反応器 |
| JP7274268B2 (ja) | 2017-08-08 | 2023-05-16 | アーエスエム・イーぺー・ホールディング・ベスローテン・フェンノートシャップ | 基材リフト機構及びこれを含む反応器 |
| CN109390199B (zh) * | 2017-08-08 | 2023-10-03 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底升降机构和包含衬底升降机构的反应器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW460922B (en) | 2001-10-21 |
| US7393417B1 (en) | 2008-07-01 |
| EP1235257A4 (en) | 2002-10-29 |
| EP1235257B1 (en) | 2005-08-24 |
| EP1235257A1 (en) | 2002-08-28 |
| DE60022221T2 (de) | 2006-06-22 |
| KR20020031417A (ko) | 2002-05-01 |
| DE60022221D1 (de) | 2005-09-29 |
| JP4592849B2 (ja) | 2010-12-08 |
| WO2001033617A1 (fr) | 2001-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4592849B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP5604907B2 (ja) | 気相成長用半導体基板支持サセプタおよびエピタキシャルウェーハ製造装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| US10513797B2 (en) | Manufacturing method of epitaxial silicon wafer | |
| JP2003197532A (ja) | エピタキシャル成長方法及びエピタキシャル成長用サセプター | |
| KR20020026480A (ko) | 반도체 제조 장치에서의 웨이퍼 지지 장치 | |
| KR20060060735A (ko) | 실리콘 에피택셜 웨이퍼의 제조방법 및 실리콘 에피택셜웨이퍼 | |
| TWI613751B (zh) | 在反應器裝置中用於支撐晶圓之基座組件 | |
| JP6424726B2 (ja) | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | |
| JPWO2005111266A1 (ja) | 気相成長装置用サセプタ | |
| JP4300523B2 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| JP2000138281A (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
| JP2002151412A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP4868503B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| US7060944B2 (en) | Heat treatment device and heat treatment method | |
| JP5098873B2 (ja) | 気相成長装置用のサセプタ及び気相成長装置 | |
| JP2004119859A (ja) | サセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法 | |
| CN113604871B (zh) | 一种用于硅片的外延生长的基座支撑架、装置及方法 | |
| TW201929050A (zh) | 磊晶成長裝置及使用此裝置的半導體磊晶晶圓的製造方法 | |
| JP2001010894A (ja) | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 | |
| JP3357311B2 (ja) | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 | |
| WO2009093417A1 (ja) | サセプタ及び気相成長装置並びに気相成長方法 | |
| JP6551335B2 (ja) | サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 | |
| CN110429050B (zh) | 一种外延生长基座 | |
| JP2006041028A (ja) | サセプタ、およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| EP3305940A1 (en) | Susceptor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061026 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090714 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091013 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091016 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091208 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100915 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4592849 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |