CN113818003A - 一种薄膜制备方法及设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。

Description

一种薄膜制备方法及设备
技术领域
本申请涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种薄膜制备方法及设备。
背景技术
无定形碳膜在集成电路制造工艺中具有广泛的应用，例如可以作为硬掩模层，也可以作为深紫外光刻的抗反射层，因此，无定形碳膜层的制备也受到了广泛的关注。目前，可以通过热分解含烃化合物的方式得到无定形碳膜，然而现有技术中得到的碳膜，其折射率和消光系数往往不够均匀，膜层质量不高。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供一种薄膜制备方法及设备，提高碳膜的折射率和消光系数的均匀性，提高膜层质量。
为实现上述目的，本申请有如下技术方案：
本申请实施例提供了一种薄膜制备设备，包括：
位于反应腔室中的衬底支撑件；
位于所述衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱；在所述绝缘柱置入所述凹槽中时，所述绝缘柱的上表面突出所述衬底支撑件的上表面；所述绝缘柱为多个，用于固定衬底；所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，所述待测膜层为预先在所述反应腔室中形成在测试衬底表面上的膜层。
可选的，所述绝缘柱突出所述衬底支撑件的高度范围为0.01～0.5mm。
可选的，所述绝缘柱的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述衬底支撑件的材料为铝。
可选的，所述薄膜制备设备还包括：
所述衬底支撑件外围的绝缘环。
可选的，所述衬底支撑件沿径向包括内部结构和外部结构，所述内部结构和所述外部结构为一体结构，且所述内部结构的上表面高于所述外部结构的上表面；所述绝缘环位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构。
可选的，绝缘环沿径向分为突出部分和本体部分，所述突出部分位于靠近所述衬底支撑件的一侧的上部且突出本体部分之外，在所述绝缘环置于所述衬底支撑件外围时，所述突出部分位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构，所述绝缘环的本体部分环绕所述衬底支撑件的外部部分的侧壁。
可选的，所述衬底支撑件的内部结构的直径与所述衬底直径的比值范围为0.9～0.995，所述绝缘环的内径与所述衬底直径的比值范围为0.91～1.1。
可选的，所述绝缘环的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅。
本申请实施例还提供了一种薄膜制备方法，利用所述的薄膜制备设备，包括：
预先在测试衬底表面上形成待测膜层；所述待测膜层在反应腔室中形成；
利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度；
将确定出的高度对应的绝缘柱置于所述衬底支撑件的凹槽中，在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。
可选的，所述衬底上形成的薄膜为碳膜，所述利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱的高度，包括：
对多个所述绝缘柱进行高度确定；对每个绝缘柱进行高度确定具体为：
若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率大于或等于第一预设折射率，和/或，消光系数大于或等于第一预设消光系数，则减小所述绝缘柱的高度；
若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率小于或等于第二预设折射率，和/或，消光系数小于或等于第二预设消光系数，则增加所述绝缘柱的高度。
可选的，所述在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积，包括：
向所述反应腔通入工艺气体和/或惰性气体，利用所述衬底支撑件对固定于所述绝缘柱上的衬底进行预设时间的加热处理；
对所述反应腔室中的气体进行射频处理，以在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。
可选的，所述预设时间范围为10～100s。
本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，具体的，可以根据预先得到的待测膜层的折射率和/或消光系数来调节绝缘柱的高度，这样可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种薄膜制备设备的结构示意图；
图2为图1中的薄膜制备设备沿AA向的剖视图；
图3为本申请实施例提供的另一种薄膜制备设备的结构示意图；
图4为本申请实施例中调整高度后的绝缘柱的示意图；
图5为本申请实施例中调整绝缘柱前后的折射率的分布差异示意图；
图6为本申请实施例中调整绝缘柱前后的消光系数的分布差异示意图；
图7为本申请实施例提供的一种薄膜制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
无定形碳膜在集成电路制造工艺中具有广泛的应用，例如可以作为硬掩模层，也可以作为深紫外光刻的抗反射层，因此，无定形碳膜层的制备也受到了广泛的关注。目前，可以通过热分解含烃化合物的方式得到无定形碳膜，然而现有技术中得到的碳膜，其折射率和消光系数往往不够均匀，膜层质量不高。
基于以上技术问题，本申请实施例提供了一种薄膜制备方法及设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，具体的，可以根据预先得到的待测膜层的折射率和/或消光系数来调节绝缘柱的高度，这样可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。
为了更好的理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合附图对具体的实施例进行详细的描述。
参考图1和图2所示，为本申请实施例提供的一种薄膜制备设备的结构示意图，其中，图2所示为图1中的薄膜制备设备沿AA向的剖视图，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件110，以及位于衬底支撑件110上表面凹槽中的绝缘柱111。
反应腔室是可以是等离子体反应腔室，其中可以包括衬底支撑件110，衬底支撑件110用于固定衬底，从而实现衬底上表面的薄膜的沉积。衬底支撑件110的材料可以是铝，也可以是其他材料，可以通电作为下电极，与上电极相对，产生电场，这样等离子体在电场的作用下可以向衬底支撑件110上固定的衬底表面移动，从而对衬底表面进行处理。
衬底支撑件110上表面可以具有凹槽，在凹槽中可以设置绝缘柱111，绝缘柱111和衬底支撑件110可以是分立设置的，绝缘柱111可以从衬底支撑件110凹槽中取出。绝缘柱111可以为多个，在绝缘柱111置入凹槽中时，凹槽底部可以为绝缘柱111提供支撑，绝缘柱111的高度可以高于凹槽深度，这样在绝缘柱111置于凹槽中时，绝缘柱111的上表面可以高于衬底支撑件110的上表面，衬底可以固定在绝缘柱111上，脱离衬底支撑件110表面，以防止衬底支撑件110中的金属粒子扩散至衬底中。
参考图1所示，绝缘柱111的数量可以为9个，当然，图1仅为示例性说明，事实上，绝缘柱111也可以是其他数量。绝缘柱111的材料可以为以下材料中的一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅。本申请实施例中，绝缘柱111的材料可以为陶瓷，即绝缘柱111可以为陶瓷柱。
置于凹槽中的绝缘柱111突出衬底支撑件110的高度根据凹槽的深度和绝缘柱111的高度确定，具体实施时，可以将绝缘柱111设置为可配置的，在确定凹槽中的绝缘柱111的高度后，可以将相应高度的绝缘柱111置于该凹槽中，以调整该凹槽上方的衬底在该位置的高度，即调整该位置的衬底和衬底支撑件110之间的距离。即，绝缘柱111的高度可以确定衬底的局部高度或整体高度，具体的，单个或相邻的多个绝缘柱111的高度可以确定衬底的局部高度，而所有的绝缘柱111的高度可以确定衬底的整体高度。
对于绝缘柱111的配置可以具体为，将某一高度的绝缘柱111替换为另一高度的绝缘柱111，实现绝缘柱111的高度的变换。
在本申请实施例中，可以预先在反应腔室中形成在测试衬底表面上的膜层作为待测膜层，待测膜层与衬底上将要形成的膜层可以一致，这样待测膜层的折射率和/或消光系数的分布，与利用该反应腔室在衬底上将要形成的膜层的折射率和/或消光系数的分布相关，若待测膜层的折射率和/或消光系数的分布不均匀，则利用该反应腔室在衬底上形成的膜层的也不均匀，因此可以对衬底的固定位置进行调整。
参考图3所示，为本申请实施例提供的另一种薄膜制备设备的结构示意图，测试衬底130固定于绝缘柱111上，基于对待测衬底130上形成的待测膜层的折射率和/或消光系数，可以对绝缘柱111的高度进行调节，从而调整衬底和衬底支撑件110之间的距离分布。举例来说，衬底上形成的薄膜可以为碳膜，则可以对多个绝缘柱111进行高度确定，对每个绝缘柱111进行高度确定可以具体为：若待测膜层位于绝缘柱111上方的待测膜层的折射率大于或等于第一预设折射率，和/或，消光系数大于或等于第一预设消光系数，则可以减小绝缘柱111的高度；若待测膜层位于绝缘柱111上方的待测膜层的折射率小于或等于第二预设折射率，和/或，消光系数小于或等于第二预设消光系数，则可以增加绝缘柱111的高度。其中，第二预设消光系数可以小于第一预设消光系数，第二预设折射率可以小于第一预设折射率。第一预设消光系数、第二预设消光系数、第一预设折射率和第二预设折射率可以是预先确定的固定值，也可以是根据待测膜层的实际消光系数或折射率确定的变量。
也就是说，减小绝缘柱111的高度，从而减小衬底和衬底支撑件110之间的距离，减小衬底和衬底支撑件110之间的阻抗，有利于得到具有更小的消光系数以及更小的折射率的碳膜；而增大绝缘柱111的高度，从而增大衬底140和衬底支撑件110之间的距离，增大衬底140和衬底支撑件110之间的阻抗，有利于得到具有更大的消光系数以及更大的折射率的碳膜。具体的，置于凹槽中的绝缘柱111突出衬底支撑件110的高度范围可以为0.01～0.5mm，这样可以保证绝缘柱111对衬底140的固定能力，也可以使衬底140和衬底支撑件110之间的合适的阻抗。
参考图4所示，为本申请实施例中调整高度后的绝缘柱的示意图，衬底140被固定在绝缘柱111上后，其高度分布不同于待测衬底130的高度分布，其右侧更高，左侧更低，其消光系数以及折射率的分布也更优于待测衬底130。
参考图5所示，为本申请实施例中调整绝缘柱前后的折射率的分布差异示意图，其横坐标为陶瓷柱的状态，分为调整前和调整后，纵坐标为标准化的折射率的分布差异(Normalized RI range)，由图可知，对于193nm波长的光而言，调整后的折射率的分布差异(RI range@193nm)有了明显的下降，其中的折射率差异为折射率的最大值与最小值的差值。
参考图6所示，为本申请实施例中调整绝缘柱前后的消光系数的分布差异示意图，其横坐标为陶瓷柱的状态，分为调整前和调整后，纵坐标为标准化的消光系数的分布差异(Normalized EC range)，由图可知，对于193nm波长的光而言，其消光系数的分布差异(ECrange@193nm)有了明显的下降，其中消光系数差异为消光系数的最大值和最小值的差值。
参考图1所示，本申请实施例提供的薄膜制备设备还可以包括衬底支撑件110外围的绝缘环120，绝缘环120的材料可以为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅。绝缘环120下方可以设置有金属结构，在金属结构通电后，可以对衬底上方的等离子体产生影响，优化衬底边缘的沉积质量。
为了便于说明衬底支撑件110和绝缘环120之间的相对位置关系，可以将衬底支撑件110沿径向分为内部结构112和外部结构113，内部结构112和外部结构113为一体结构，且内部结构112的上表面高于外部结构113的上表面，即衬底支撑件110的边缘存在台阶结构。绝缘环120可以位于衬底支撑件110的外部结构上方，并环绕内部结构112的侧壁，绝缘环120的上表面可以高于衬底支撑件110的上表面，从而对衬底支撑件110上的衬底的固定位置进行限制，防止衬底偏移。
具体的，绝缘环120还可以沿径向分为突出部分122和本体部分121，突出部分122位于靠近衬底支撑件110的一侧的上部且突出本体部分121之外，在绝缘环120置于衬底支撑件110外围时，突出部分122位于衬底支撑件110的外部结构上方，并环绕内部结构112的侧壁，绝缘环120的本体部分121包围衬底支撑件110的外部结构113的侧壁，参考图1和图2所示，突出部分122的上表面可以高于衬底支撑件110的内部结构112的上表面，以对衬底支撑件110上的衬底的固定位置进行限制，防止衬底偏移。突出部分122可以和衬底支撑件110的内部结构的侧壁接触，也可以不接触。
衬底支撑件110的内部结构的直径与所述衬底直径的比值范围为0.9～0.995，绝缘环120的突出部分的内径范围同样会对其上的衬底上的膜层的折射率和消光系数产生影响，通常，需要减小绝缘环120的突出部分的面积，即增大绝缘环120的突出部分的内径范围。作为一种示例，绝缘环120的内径与所述衬底直径的比值范围为0.91～1.1。
本申请实施例提供了一种薄膜制备设备，薄膜制备设备可以包括位于反应腔室中的衬底支撑件，以及位于衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱，在绝缘柱置入凹槽中时，绝缘柱的上表面突出衬底支撑件的上表面，绝缘柱为多个，用于固定衬底，绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，待测膜层为预先在反应腔中形成于测试衬底表面上的膜层，也就是说，本申请实施例中，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，具体的，可以根据预先得到的待测膜层的折射率和/或消光系数来调节绝缘柱的高度，这样可以通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。
参考图7所示，为本申请实施例提供的一种薄膜制备方法的流程示意图，其中，该方法可以利用上述实施例中的薄膜制备设备，该方法可以包括：
S101，预先在测试衬底上形成待测膜层，待测膜层在反应腔室中形成。
在衬底上将要形成的膜层为碳膜时，待测膜层也可以为碳膜，具体的，可以向反应腔室中通入工艺气体和惰性气体，对反应腔室中的气体进行射频处理，以得到等离子体，从而实现测试衬底上的待测膜层的形成。其中，工艺气体是可以形成待测膜层的源气体，对于碳膜而言，工艺气体可以为含烃化合物，可以为单一气体，也可以是多种气体的混合气体，例如C2H2，C3H6等中的一种或多种，惰性气体可以作为清洗气体和稀释气体，可以为He，Ar等。工艺气体的流量可以为500～5000sccm。射频功率可以为100～2500W，反应腔室中的压力范围可以为1～10torr。
S102，利用待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度。
确定绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度的方式，可以参考前述实施例的说明，在此不做重复说明。
S103，将确定出的高度对应的绝缘柱置于衬底支撑件的凹槽中，在固定于绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。
本申请实施例中，可以根据确定出的高度确定绝缘柱，进而将确定出的绝缘柱置于衬底支撑件的凹槽中，从而利用绝缘柱固定衬底，在固定于绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。这里的薄膜沉积与待测膜层的形成方式类似，在此不做重复说明。
此外，为了进一步提高薄膜沉积的折射率和消光系数的均匀性，本申请实施例中，还可以对固定于绝缘柱上的衬底进行预加热，具体的，在固定于绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积，可以具体包括：向反应腔室通入工艺气体和/或惰性气体，利用衬底支撑件对固定于绝缘柱上的衬底进行预设时间的加热处理，之后对反应腔室中的气体进行射频处理，以在固定于绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。其中，加热处理的加热温度范围可以为250～550℃预设时间的范围可以为10～100s。
举例来说，对于波长为193nm的光而言，可以预先向反应腔室通入He和C3H6，利用衬底支撑件对固定于绝缘柱上的衬底进行30s的加热处理，可以在一定程度上降低折射率的分布差异，以及降低消光系数的分布差异。
此外，在对衬底进行预加热之后，还可以维持一定时间后对反应腔室中的气体进行射频处理，这里的维持时间可以根据实际情况而定，可以小于预设时间长度，也可以大于预设时间长度，还可以约等于预设时间长度。
本申请实施例提供了一种薄膜制备方法，可以预先在待测衬底表面上形成待测膜层，待测膜层可以在反应腔室中形成，利用待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定绝缘柱突出衬底支撑件上表面的高度，将确定出的高度对应的绝缘柱置于衬底支撑件的凹槽中，在固定于绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。这样，可以通过调整绝缘柱的高度，来调整绝缘柱上固定的衬底和衬底支撑件之间的距离，从而调控在衬底上形成的膜层的特性，通过调整绝缘柱的高度来均衡衬底上形成的膜层不同位置的折射率和/或消光系数，提高膜层的均匀性，提高成膜质量。
以上各个实施例可以相互参见。以上所述仅是本申请的优选实施方式，虽然本申请已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本申请。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本申请技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本申请技术方案保护的范围内。

Claims (11)

1.一种薄膜制备设备，其特征在于，包括：
位于反应腔室中的衬底支撑件；
位于所述衬底支撑件上表面凹槽中的绝缘柱；在所述绝缘柱置入所述凹槽中时，所述绝缘柱的上表面突出所述衬底支撑件的上表面；所述绝缘柱为多个，用于固定衬底；所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度根据待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定，所述待测膜层为预先在所述反应腔室中形成在测试衬底表面上的膜层。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述绝缘柱突出所述衬底支撑件的高度范围为0.01～0.5mm。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述绝缘柱的材料为以下材料的至少一种：陶瓷、石英、氧化铝、氮化铝、单晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氧化硅；所述衬底支撑件的材料为铝。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的设备，其特征在于，还包括：
所述衬底支撑件外围的绝缘环。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述衬底支撑件沿径向包括内部结构和外部结构，所述内部结构和所述外部结构为一体结构，且所述内部结构的上表面高于所述外部结构的上表面；所述绝缘环位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述绝缘环沿径向分为突出部分和本体部分，所述突出部分位于靠近所述衬底支撑件的一侧的上部且突出本体部分之外，在所述绝缘环置于所述衬底支撑件外围时，所述突出部分位于所述衬底支撑件的外部结构上方，并环绕所述衬底支撑件的内部结构，所述绝缘环的本体部分环绕所述衬底支撑件的外部部分的侧壁。
7.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述衬底支撑件的内部结构的直径与所述衬底直径的比值范围为0.9～0.995，所述绝缘环的内径与所述衬底直径的比值范围为0.91～1.1。
8.一种薄膜制备方法，其特征在于，利用如权利要求1-7所述的薄膜制备设备，包括：
预先在测试衬底表面上形成待测膜层；所述待测膜层在反应腔室中形成；
利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱突出所述衬底支撑件上表面的高度；
将确定出的高度对应的绝缘柱置于所述衬底支撑件的凹槽中，在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成的薄膜为碳膜，所述利用所述待测膜层的折射率和/或消光系数的分布确定所述绝缘柱的高度，包括：
对多个所述绝缘柱进行高度确定；对每个绝缘柱进行高度确定具体为：
若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率大于或等于第一预设折射率，和/或，消光系数大于或等于第一预设消光系数，则减小所述绝缘柱的高度；
若待测膜层位于所述绝缘柱上方的待测膜层的折射率小于或等于第二预设折射率，和/或，消光系数小于或等于第二预设消光系数，则增加所述绝缘柱的高度。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积，包括：
向所述反应腔通入工艺气体和/或惰性气体，利用所述衬底支撑件对固定于所述绝缘柱上的衬底进行预设时间的加热处理；
对所述反应腔室中的气体进行射频处理，以在固定于所述绝缘柱上的衬底表面进行薄膜的沉积。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述预设时间范围为10～100s。
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