KR20050057423A - 기판상에의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치를 구비한플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법 - Google Patents

기판상에의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치를 구비한플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20050057423A
KR20050057423A KR1020057004633A KR20057004633A KR20050057423A KR 20050057423 A KR20050057423 A KR 20050057423A KR 1020057004633 A KR1020057004633 A KR 1020057004633A KR 20057004633 A KR20057004633 A KR 20057004633A KR 20050057423 A KR20050057423 A KR 20050057423A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ring
substrate
gap
coupling
surrounding
Prior art date
Application number
KR1020057004633A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101008863B1 (ko
Inventor
호세 통
에릭 에이치 렌츠
Original Assignee
램 리써치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 램 리써치 코포레이션 filed Critical 램 리써치 코포레이션
Publication of KR20050057423A publication Critical patent/KR20050057423A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101008863B1 publication Critical patent/KR101008863B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10S156/915—Differential etching apparatus including focus ring surrounding a wafer for plasma apparatus

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

조정가능한 RF 결합 링은 진공 프로세싱 챔버에서의 기판과 핫 에지 링 사이의 수직 간극을 줄일 수 있다. 간극의 감소는 기판 및 정전 척 상의 중합체 증착을 감소시키며 웨이퍼 프로세싱을 개선한다.

Description

기판상에의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법{PLASMA APPARATUS WITH DEVICE FOR REDUCING POLYMER DEPOSITION ON A SUBSTRATE AND METHOD FOR REDUCING POLYMER DEPOSITION}
발명의 분야
본 발명은 기판 및 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는, 기판 홀더의 노출면 및 기판의 바닥면상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 기판 홀더와 기판 사이의 간극 조정에 관한 것이다.
관련기술의 설명
일반적으로 진공 프로세싱 챔버는 프로세스 가스를 진공 챔버에 공급하고 그 가스에 RF 계 (field) 를 인가함으로써 화학적 기상 증착 (CVD) 및 기판상의 재료 에칭에 이용된다. 평행판, 유도성 결합 플라즈마 (TCPTM, ICP 로도 불림) 및 전자 사이클로트론 공진 (ECR) 리액터의 예들이 공유된 미국 특허 제 4,340,462 호; 제 4,948,458 호; 및 제 5,200,232 호에서 개시되어 있다. 그 기판들은 프로세싱 동안 기판 홀더에 의해 진공 챔버 내의 위치에 고정된다. 종래의 기판 홀더는 기계적 클램프 및 정전 클램프 (ESC) 를 포함한다. 기계적 클램프 및 ESC 기판 홀더의 예들은 공유된 미국 특허 제 5,262,029 호 및 공유된 미국 특허 제 5,671,116 호에서 제공된다. 전극 형태의 기판 홀더는 미국 특허 제 4,579,618 호에 개시된 바와 같이 챔버 내로 고주파 (RF) 전력을 공급할 수 있다.
산소 에칭 프로세스에서 에칭되는 기판은 일반적으로 하층 (underlayer), 에칭될 산화층, 및 그 산화층의 상부에 형성되는 포토레지스트층을 포함한다. 산화층은 SiO2, BPSG, PSG, 또는 다른 산화 재료 중 하나일 수도 있다. 하층은 Si, TiN, 또는 다른 하층 또는 기판 재료일 수도 있다. 기판의 프로세싱 동안, 챔버의 표면상에 원하지 않는 중합체 증착이 발생할 수 있다. 예컨대, 산화 에칭동안 챔버가 80℃ 이상까지 가열되면, CF3 가 CF2 및 HF 를 형성하는 반응이 발생할 수 있다. CF2 의 형성은 챔버 내 표면상의 중합체 증착의 증가를 초래한다.
플라즈마 리액터에서 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 에칭하는 동안에, 정전 척 (chuck) 과 같은 기판 지지대의 노출면을 포함하는 챔버의 냉각되고 노출된 면 및 그 기판 지지대를 둘러싸고 있는 유전성의 고리모양 캡 (cap)/ 포커스 (focus) 링과 같은 다른 면에 중합체가 형성될 수 있다. 이러한 형성은 그것이 벗겨져 떨어져서 정전 척의 상면상에 운반되면 문제를 야기할 수도 있다. 이러한 척의 상부 표면의 오염물질은 정전 척이 적절히 동작할 수 없도록 하여 정전 척이 웨이퍼를 안전하게 유지하지 못하게 한다. 또한, 그 오염물질은 냉각 매체로서 웨이퍼 아래에 공급되는 헬륨을 웨이퍼 하부로부터 누설되게 하여 웨이퍼 냉각을 감소시킬 수 있다. 또한, 오염물질은 웨이퍼상에 증착될 수도 있으며 웨이퍼 자체에 악영향을 미칠 수 있다.
중합체의 형성은 연속적인 웨이퍼의 프로세싱 사이에 수행되는 세정 단계에 의해 제거될 수 있다. 일반적으로 세정은 챔버 내로의 산소 주입, 플라즈마 타격 (striking) 및 증착된 중합체와의 산소 반응에 의해 프로세싱 챔버의 공격성 산소세정을 달성함으로써 수행될 수 있다.
프로세싱 챔버의 공격성 산소세정은 이것이 웨이퍼 사이클 시간에 더해져 시스템의 처리율 (through-put) 을 저하시키므로 바람직하지 않다. 또한, 공격성 산소세정은 프로세싱 챔버 내의 부재들의 이온 충격으로 인해 그 부재의 수명을 감소시킬 것이다. 따라서, 공격성 산소세정 단계에 대한 필요없이 기판 프로세싱을 수행하여 사이클 시간을 단축하고 챔버 구성요소의 수명을 연장한다면 바람직할 것이다.
진공 프로세싱 챔버 (10) 의 일 예를 도 1 에 나타내었다. 진공 프로세싱 챔버 (10) 는 그 위에 지지되는 기판에 RF 바이어스를 제공하는 전극을 포함하는 기판 홀더 (12) 를 구비한다. 기판 홀더 (12) 는 기판을 고정시키기 위한 정전 클램프 (14) 를 포함한다. 정전 클램프 (14) 상에 위치되는 기판은 기판과 정전 클램프 사이에 제공된 헬륨 백쿨링 (backcooling) (미도시) 에 의해 바람직하게 냉각된다. 링 (16) 이 정전 클램프 (14) 를 둘러싼다. 링 (16) 은 세라믹 포커스 링; 포커스 링, 결합 링 및 에지 링의 결합체; 또는 또 다른 링들의 결합체일 수도 있다.
진공 프로세싱 챔버 (10) 는 챔버 위에 위치하고 적절한 RF 소스로부터 전력을 공급받는 안테나 (18) (평면형 나선 코일 또는 다른 적절한 디자인과 같음) 와 같이 챔버 내에서 고밀도의 (예컨대, 1011~1012 ions/cm3) 플라즈마를 유지하기 위한 에너지원을 포함한다. 적절한 RF 임피던스 매칭 회로는 고밀도의 플라즈마를 제공하기 위해 RF 를 챔버 (10) 에 유도적으로 결합한다. 또한, 챔버 (10) 는 챔버 내부를 바람직한 압력 (예컨대, 50mTorr 이하, 바람직하게는 1~20 mTorr) 으로 유지하기 위한 적절한 진공 펌핑 장치를 구비한다. 유전성 윈도우 (20) (석영, 알루미나, 질화 실리콘 등의 균일한 두께를 가진 평면 시트 등) 이 프로세싱 챔버 (10) 내부와 안테나 (18) 사이에 제공되며 프로세싱 챔버 (10) 의 상부에서 진공 챔버 벽을 형성한다. 일반적으로 샤워헤드 (22) 라 불리는 유전성 가스 분포판은 윈도우 (20) 아래에 제공되며, 가스 공급원에 의해 프로세싱 챔버 (10) 로 공급된 프로세스 가스를 운반하기 위한 원형 홀 (미도시) 과 같은 다수의 개구를 포함한다. 그러나, 가스 분포판 (22) 은 생략될 수 있으며, 프로세스 가스는 가스 링 등과 같은 다른 장치에 의해 챔버로 공급될 수 있다.
프로세싱 챔버에서 중합체의 증착이 발생할 수 있는 한 영역으로는 정전 척 (14) 상에 지지된 웨이퍼와 이를 둘러싸는 링 (16) 사이의 좁은 간극 (30) 이 있다. 특히, 간극 (30) 은 그 둘러싸는 링을 오버행 (overhang) 하는 웨이퍼 에지의 아래에 제공된다. 이러한 간극 (30) 은 부품의 제조 오차, 열 팽창 및 마모를 고려한다. 그러나, 챔버 (10) 내의 프로세스 가스 및 휘발성의 부산물이 간극 (30) 안으로 이동해 올 수 있으며 간극 내 및 웨이퍼의 하부 에지에 바람직하지 않은 중합체 증착을 초래하는데, 이는 벗겨져 떨어져나갈 수 있고 웨이퍼 및/또는 챔버를 오염시킬 수도 있다.
도 2 는 포커스 링 (16'), 결합 링 (40), 및 핫 에지 링 (42) 을 포함하는 둘러싸여진 링 및 정전 척 (14') 의 외부를 나타내는 확대 단면도이다.
도 3 의 확대도에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 형태의 기판 (S) 이 정전 척 (14') 상에 위치하고 적절한 정전기적 고정력에 의해 적절한 위치에 고정되었을 때, 핫 에지 링 (42) 의 에지에 제공된 그루브 (44) 와 기판 (S) 의 돌출 에지 사이에 작은 수직 간극 (30') 이 제공된다. 이 수직 여유 간격 (30') 은 기판 (S) 의 돌출 에지가 올라가는 것을 방지하여 정전 척 (14') 에 의해 인가된 고정력의 감소를 피하도록 설계된다. 그러나, 이 부가적인 수직 클리어런스 (clearance) 간격 (30') 은 벗겨져 떨어져나가서 기판 (S) 또는 정전 척 (14') 을 오염시킬 수 있는 중합체 축적에 대한 부가적인 가능성을 제공한다.
따라서, 핫 에지 링 (42) 또는 다른 둘러싸는 링과 돌출한 기판 에지 사이의 수직 간극 (30') 을 줄이는 것이 바람직하다.
발명의 개요
본 발명은 기판과 기판 지지대를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조절하기 위한 장치와 관련된 것이다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 장치는 프로세싱 챔버, 기판을 프로세싱하기 위해 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하는 전원, 프로세싱 챔버 내부의 기판을 지지하고 상면을 가지는 기판 지지대, 기판 지지대를 둘러싸고 기판이 기판 지지대상에 위치했을때 기판 아래에 연장되는 부분을 가지는 상부 링, 및 기판 지지대를 둘러싸고 결합 링의 높이를 조정하고 상부 링과 기판 사이의 간극을 조정하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 가지는 결합 링을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 장치는 프로세싱 챔버, 기판을 프로세싱하기 위해 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징하는 프로세스 가스, 프로세싱 챔버 내부에 기판을 지지하며 상면을 가지는 기판 지지대, 기판 지지대를 둘러싸고 기판이 기판 지지대상에 위치했을때 기판 아래에 연장되는 부분을 가지는 상부 링, 및 기판 지지대를 둘러싸고 결합 링의 높이를 조정하고 상부 링과 기판 사이의 간극을 조정하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 가지는 결합 링을 구비한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따르면, 플라즈마 프로세싱 시스템의 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키는 방법은 플라즈마 프로세싱 장치에서 기판과 이를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조정하기 위한 조정 메커니즘을 제공하는 단계 및 조정 메커니즘의 제 2 링에 대해 제 1 링을 회전시킴으로서 기판과 이를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조정하는 단계를 포함한다.
도면의 간단한 설명
첨부한 도면에 나타낸 바람직한 실시형태를 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하며, 여기에서 동일한 도면부호는 동일한 대상을 나타낸다.
도 1 은 진공 프로세싱 챔버의 단면도이다.
도 2 는 정전 척 및 이를 둘러싸는 링을 나타내는 도 1 의 일부의 확대 단면도이다.
도 3 은 도 2 의 A 부분의 확대 단면도이다.
도 4 는 조정가능한 결합 링을 포함하는 본 발명에 따른 진공 프로세싱 챔버 일부의 확대 단면도이다.
도 5 는 도 4 의 조정가능한 결합 링의 개략적인 분해 사시도이다.
도 6 은 포커스 링과 기판 사이의 간극을 나타내는 정전 척 및 포커스 링의 일부를 나타내는 확대 단면도이다.
발명의 상세한 설명
본 발명의 일 실시형태에 따른 진공 프로세싱 챔버의 기판 지지대의 일부를 도 4 에 도시하였다. 도 1 에 도시한 기판 지지대 (100) 는 정전 척 (102), 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 을 구비한다.
일반적인 플라즈마 프로세싱 기술로 잘 알려진 바와 같이, 정전 척을 둘러싸고 있는 링은 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 을 포함하는데, 이는 특히 기판 에지에서의 프로세스 균일성을 개선하기 위해 기판의 표면상의 RF 유도 플라즈마 영역으로부터 이온을 포커싱하는 것을 돕는다. 이는 RF 전력이 기판 홀딩 척 (102) 에 공급될 때, 등전위 계 라인이 기판 및 바닥 전극 위에 형성되기 때문이다. 그 등전위 계 라인은 정적이지 않으며 RF 사이클 동안 변한다. 시간 평균화된 등전위 계는 벌크 (bulk) 플라즈마를 양극 (positive) 화시키고, 기판의 표면 및 정전 척을 음극 (negative) 화시킨다. 기하학적 요인으로 인해 기판 에지에서의 계 라인은 균일하지 않다. 포커스 링, 결합 링 및 핫 에지 링은 플라즈마와 전력이 공급된 전극 (예컨대, RF 전력이 공급된 척) 사이의 커패시터로서 기능함으로써 RF 결합 벌크를 기판을 통해 그 위에 놓인 플라즈마로 향하게 한다.
핫 에지 링 (108) 은 조정가능한 RF 결합 링 (106) 위에 놓인다. 핫 에지 링 (108) 은 정전 척 (102) 을 둘러싸는 희생 (sacrificial) 에지 링이다. 핫 에지 링 (108) 은 기판의 프로세싱 동안 가열되기 쉬운 교체가능한 구성요소이므로 핫 에지 링이라 한다. 핫 에지 링 (180) 은 실리콘 카바이드 (SiC) 및 실리콘과 같은 전도성의 전극 재료 또는 석영과 같은 유전성 재료로 제조될 수 있다. 에지 링 재료를 교체함으로써, 플라즈마를 통한 결합정도가 프로세싱되는 기판의 외부에서 바람직한 국부적인 "에지" 에칭율을 제공하기 위해 맞춤화된다. 일반적으로 낮은 용량성의 임피던스를 가지는 실리콘 카바이드는 실리콘보다 더 빠른 에지 에칭율을 야기할 것이다. 석영 및 다른 유전재료는 에지 에칭율에 대해 보다 작은 효과를 가질 것이다.
바람직한 실시형태에서 도 6 에 도시한 간극 (130) 은 기판 (S) 의 돌출 에지와 실리콘 핫 에지 링 (108) 사이에 형성된다. 그 간극 (130) 은 조정가능한 RF 결합 링 (106) 에 의해 제어되는 수직 길이 (d) 를 가진다. 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 수직 방향으로 적절히 이동시킴으로써 간극의 수직 길이 (d) 를 제어할 수 있다. 도 1 및 도 6 에 도시한 바와 같이, 수직 방향은 실질적으로 Y 축에 평행한 어떤 방향이다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 유동적으로 지지한다. 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 지정된 범위 내에서 간극 길이 (d) 를 제어하는 능력 뿐만 아니라 실리콘 핫 에지 링 (108) 을 위한 기계적인 지지부를 제공한다. 본 발명의 일 양태에서, 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 간극 거리 (d) 와 연관하여 그 간극을 약 0.5 밀 (mil) 과 6 밀 사이에서 형성할 수 있다.
전술한 실시형태에서, 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 도 5 에 도시한 바와 같이 2 개의 링 (110,112) 을 가진다. 제 1 링 (110) 또는 상부 (top) 링은 그 링으로부터 그 링의 Y축에 평행한 방향으로 연장된 3 개의 돌출부 (114) 를 포함한다. 제 2 링 (112) 또는 하부 (bottom) 링은 그 링의 원주 둘레로 다수의 점증적인 (graduated) 계단 (116) 으로 이루어진 3 개의 세트를 포함한다. 제 2 링 (112) 에 대한 제 1 링 (110) 의 시계방향으로의 회전은 결합 링 (106) 의 전체적인 수직 높이를 감소시키며, 기판과 핫 에지 링 (108) 사이의 간극을 조절한다.
전술한 실시형태에서, 조정가능한 결합 링 (106) 은 약 0.0001 내지 0.01 인치 및 바람직하게는 약 0.001 인치의 높이 증가분으로 변화하는 점증적인 계단 (116) 을 바람직하게 포함한다. 비록 예시된 실시형태는 계단들의 3 개의 세트의 각각에서, 6 개의 점증적인 계단 (116) 을 포함하지만, 바람직한 조정량과 조정의 등급에 따라 다른 수의 계단이 이용될 수도 있다. 또 다른 실시형태에 따르면 12 개의 조정 높이에 대한 12 개의 점증적인 계단 (116) 이 제공된다.
전술한 실시형태에서, 조정가능한 결합 링 (106) 의 상부 링 (110) 은 다수의 점증적인 계단으로 이루어진 3 개의 세트 중 하나의 세트에서 대략 모든 계단 (116) 의 총 높이와 동일한 높이를 가지는 돌출부 (114) 를 구비한다. 바람직한 실시형태에서, 그 돌출부 (114) 는 약 0.012 인치의 높이를 가진다. 전술한 실시형태에서, 조종가능한 결합 링 (106) 은 석영으로 제조될 수 있다.
본 발명에 따른 조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 기판 (S) 과 핫 에지 링 (108) 사이의 간극 (130) 을 다수의 개별적인 계단에 의해 정밀하게 조정하는 것을 가능하게 한다. 결합 링 (106) 은 기판의 프로세싱 중 어느때 또는 진공 프로세싱 챔버의 셋업 (set up) 동안에 운전자로 하여금 결합 링을 재조정하는 것을 가능하게 한다. 또한, RF 결합 링 (106) 은 핫 에지 링 (108) 이 기판의 모든 면상에서 균등하게 조정되는 것과 결합 링의 상면이 실질적으로 수평으로 유지되는 것을 보장한다.
조정가능한 RF 결합 링 (106) 은 핫 에지 링 (108) 의 조정가능성을 제공하기 위하여 새로운 진공 프로세싱 챔버에 설치될 수도 있으며, 기존의 진공 프로세싱 챔버를 개선하기 위해 이용될 수도 있다.
조정가능한 RF 결합 링 (106) 의 설치 및 조정에 대한 프로세스는 다음과 같이 용이하게 구현된다. 결합 링 (106) 의 하부 링 (112) 이 상부로 향한 다수의 점증적인 계단 (116) 을 구비하여 정전 척 (102) 의 계단 상에 위치된다. 그후, 상부 링 (110) 은 점증적인 계단의 최고 높이로 각각 정렬된 3 개의 돌출부 (114) 를 가지며 하부 링 (112) 상에 위치된다. 그후에, 핫 에지 링 (108) 이 조립된 결합 링 (106) 의 상부에 위치되며, 그 간극이 측정 장치에 의해 측정된다. 측정 장치의 일예는 기판 홀딩 척 (102) 상에 위치하는 수직 마운트 눈금 표시기 (vertical mount dial indicator) 가 있으며, 척의 상부로부터 핫 에지 링 (108) 의 에지 상부까지의 수직 거리를 측정한다. 바람직하게는, 간극 (130) 이 정전 척 주위로 90°간격으로 측정된다. 정전 척 (102) 에 근접한 핫 에지 링 (108) 의 위치에서 측정이 이루어진다. 핫 에지 링의 파손 또는 마모로 인하여, 척 (102) 에 가장 근접한, 바로 기판 에지의 외부인 핫 에지 링 (108) 의 영역이 핫 에지 링 그루브의 가장 높은 위치가 되어야 한다. 일반적으로 측정에 의해 핫 에지 링 (108) 은 정전 척 (102) 보다 높게 위치되며, 핫 에지 링은 아래로 조정될 필요가 있음을 알 수 있다. 그 후, 핫 에지 링 (108) 이 제거된다. 그 후, 결합 링 (106) 은 상부 링 (110) 을 시계방향으로 회전시키고, 결합 링의 높이를 감소시킴으로써 조정된다. 그 후, 핫 에지 링 (108) 이 대체되고, 최소의 간극 거리 (d) 가 획득될 때까지 그 조정이 반복된다.
본 발명의 바람직한 일실시형태에 따라, 결합 링 (106) 의 링들 (110, 112) 은 정렬된 방사상 위치에서 링을 로킹하는 로킹 형상 (미도시) 을 포함한다. 로킹 메커니즘의 일 예는 하부 결합 링 (112) 의 각 계단상의 그루브와 서로맞물리는 상부 링 (110) 상의 멈춤쇠 (detent) 를 포함한다.
특정 시스템에서, 포커스 링 (104), 결합 링 (106) 및 핫 에지 링 (108) 의 특정 형상은 척 (102), 기판 및/또는 다른 것들에 따라 변할 수도 있다. 따라서, 도 4 내지 도 6 에서의 정전 척을 둘러싸는 링들의 정확한 형상은 단지 예시적인 목적으로 도시되었을 뿐이며 어떤 방법으로도 한정하지 않는다. 비록 본 발명이 핫 에지 링을 조정하기 위해 정렬된 결합 링으로 예시되었지만 다른 링들도 역시 결합 링을 이용하여 조정될 수도 있다.
본 발명이 그 바람직한 실시형태를 참조하여 상세히 설명되었지만, 당업자에게 본 발명을 벗어나지 않고 다양한 변경 및 수정이 이뤄지고 균등물이 사용될 수 있다는 것은 자명하다.

Claims (12)

  1. 프로세싱 챔버;
    기판을 프로세싱하기 위해 상기 프로세싱 챔버 내부의 프로세스 가스를 플라즈마 상태로 에너자이징 시키는 전원;
    상기 프로세싱 챔버 내부의 기판을 지지하고, 상면을 가지는 기판 지지대;
    상기 기판 지지대를 둘러싸며, 상기 기판이 상기 기판 지지대 상에 위치했을 때 기판 아래로 연장하는 부분을 가지는 상부 링; 및
    상기 기판 지지대를 둘러싸며, 결합 링의 높이를 조정하고 상기 상부 링과 상기 기판 사이의 간극을 조정하기 위해 제 2 링에 대해 회전가능한 제 1 링을 구비한 결합 링을 구비하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 결합 링은, 상기 제 2 링에 대해 상기 제 1 링을 회전시킴으로써 상기 기판의 하면과 상기 기판 아래로 연장하는 상기 상부 링 부분의 상면 사이의 거리를 조정하기 위해 정렬되는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 링은 핫 에지 링인, 플라즈마 프로세싱 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 링은 다수의 계단형 면을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 결합 링은,
    상기 링으로부터 상기 링의 축에 평행한 방향으로 연장하는 3 개 이상의 돌출부를 가지는 제 1 링; 및
    3 개 이상의 돌출부 각각을 수용하도록 정렬된 다수의 계단으로 이루어진 3 개 이상의 세트를 가지는 제 2 링으로서, 상기 제 1 링 및 상기 제 2 링의 전체 두께는 상기 제 2 링에 대한 상기 제 1 링의 회전에 의해 조정가능한, 상기 제 2 링을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 계단 각각은 약 0.001 인치의 높이를 가지는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 지지대는 정전 척을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 장치.
  8. 플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판과 포커스 링 사이의 간극을 조정하기 위한 조정 메커니즘으로서,
    상기 링으로부터 상기 링의 축에 평행한 방향으로 연장하는 3 개 이상의 돌출부를 가지는 제 1 링; 및
    3 개 이상의 상기 돌출부 각각을 수용하도록 정렬된 다수의 계단으로 이루어진 3 개 이상의 세트를 가지는 제 2 링으로서, 상기 제 1 링 및 상기 제 2 링의 전체 두께는 상기 제 2 링에 대한 상기 제 1 링의 회전에 의해 조정가능한, 상기 제 2 링을 포함하는, 간극 조정 메커니즘.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 계단 각각은 약 0.001 인치의 높이를 가지는, 간극 조정 메커니즘.
  10. 플라즈마 프로세싱 시스템의 기판 지지대 상의 중합체 증착을 감소시키는 방법으로서,
    플라즈마 프로세싱 장치에서의 기판과 이를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조정하는 조정 메커니즘을 제공하는 단계; 및
    상기 조정 메커니즘의 제 2 링에 대하여 제 1 링을 회전시킴으로써 상기 기판과 이를 둘러싸는 링 사이의 간극을 조정하는 단계를 포함하는, 중합체 증착의 감소 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 둘러싸는 링은 핫 에지 링인, 중합체 증착의 감소 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 조정 메커니즘은 포커스 링과 상기 핫 에지 링 사이에 위치하는, 중합체 증착의 감소 방법.
KR1020057004633A 2002-09-20 2003-08-28 기판상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 디바이스를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법 KR101008863B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/251,179 US7252738B2 (en) 2002-09-20 2002-09-20 Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support
US10/251,179 2002-09-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050057423A true KR20050057423A (ko) 2005-06-16
KR101008863B1 KR101008863B1 (ko) 2011-01-17

Family

ID=32028995

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057004633A KR101008863B1 (ko) 2002-09-20 2003-08-28 기판상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 디바이스를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법

Country Status (9)

Country Link
US (2) US7252738B2 (ko)
EP (1) EP1543537B1 (ko)
JP (1) JP4499567B2 (ko)
KR (1) KR101008863B1 (ko)
CN (2) CN100533658C (ko)
AT (1) ATE527679T1 (ko)
AU (1) AU2003260128A1 (ko)
TW (1) TWI324804B (ko)
WO (1) WO2004027815A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200467708Y1 (ko) * 2009-12-01 2013-07-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리

Families Citing this family (350)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4421305B2 (ja) * 2003-01-07 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20060226003A1 (en) * 2003-01-22 2006-10-12 John Mize Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer
JP4472372B2 (ja) * 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
US8349128B2 (en) * 2004-06-30 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for stable plasma processing
US20060000802A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Ajay Kumar Method and apparatus for photomask plasma etching
KR100610010B1 (ko) * 2004-07-20 2006-08-08 삼성전자주식회사 반도체 식각 장치
US7457097B2 (en) * 2004-07-27 2008-11-25 International Business Machines Corporation Pressure assisted wafer holding apparatus and control method
GB0424371D0 (en) * 2004-11-04 2004-12-08 Trikon Technologies Ltd Shielding design for backside metal deposition
US20060172542A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance
US9659758B2 (en) 2005-03-22 2017-05-23 Honeywell International Inc. Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production
US20060278520A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-14 Lee Eal H Use of DC magnetron sputtering systems
JP5043826B2 (ja) * 2006-02-23 2012-10-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US20070215607A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Wander Joseph M Apparatus and method for heating semiconductor wafers via microwares
US7838800B2 (en) * 2006-09-25 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system
US7723648B2 (en) * 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
US7943005B2 (en) 2006-10-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US7909961B2 (en) * 2006-10-30 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for photomask plasma etching
US8563619B2 (en) * 2007-06-28 2013-10-22 Lam Research Corporation Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance
US7837827B2 (en) * 2007-06-28 2010-11-23 Lam Research Corporation Edge ring arrangements for substrate processing
US20090025636A1 (en) * 2007-07-27 2009-01-29 Applied Materials, Inc. High profile minimum contact process kit for hdp-cvd application
KR100892928B1 (ko) * 2007-09-05 2009-04-09 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치의 하부전극 조립체
US8999106B2 (en) * 2007-12-19 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber
US20090162570A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology
CN101488468B (zh) * 2008-01-17 2010-12-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种晶片夹持系统及应用该夹持系统的半导体处理设备
US20090194414A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Nolander Ira G Modified sputtering target and deposition components, methods of production and uses thereof
JP2010045200A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8449679B2 (en) * 2008-08-15 2013-05-28 Lam Research Corporation Temperature controlled hot edge ring assembly
US8454027B2 (en) * 2008-09-26 2013-06-04 Lam Research Corporation Adjustable thermal contact between an electrostatic chuck and a hot edge ring by clocking a coupling ring
US20100101729A1 (en) * 2008-10-28 2010-04-29 Applied Materials, Inc. Process kit having reduced erosion sensitivity
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8272346B2 (en) * 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN101994087B (zh) * 2009-08-14 2013-04-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 蒸镀装置
TWI385725B (zh) * 2009-09-18 2013-02-11 Advanced Micro Fab Equip Inc A structure that reduces the deposition of polymer on the backside of the substrate
SG170717A1 (en) * 2009-11-02 2011-05-30 Lam Res Corp Hot edge ring with sloped upper surface
US9111729B2 (en) 2009-12-03 2015-08-18 Lam Research Corporation Small plasma chamber systems and methods
US9190289B2 (en) 2010-02-26 2015-11-17 Lam Research Corporation System, method and apparatus for plasma etch having independent control of ion generation and dissociation of process gas
US8999104B2 (en) 2010-08-06 2015-04-07 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for separate plasma source control
US9155181B2 (en) 2010-08-06 2015-10-06 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9449793B2 (en) 2010-08-06 2016-09-20 Lam Research Corporation Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction
US9967965B2 (en) 2010-08-06 2018-05-08 Lam Research Corporation Distributed, concentric multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9129795B2 (en) 2011-04-11 2015-09-08 Quadrant Epp Ag Process for plasma treatment employing ceramic-filled polyamideimide composite parts
EP2525387A1 (en) 2011-05-17 2012-11-21 Quadrant Epp Ag Process for plasma treatment employing ceramic-filled polyamideimide composite parts
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9177762B2 (en) 2011-11-16 2015-11-03 Lam Research Corporation System, method and apparatus of a wedge-shaped parallel plate plasma reactor for substrate processing
US10283325B2 (en) 2012-10-10 2019-05-07 Lam Research Corporation Distributed multi-zone plasma source systems, methods and apparatus
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US8872525B2 (en) * 2011-11-21 2014-10-28 Lam Research Corporation System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9263240B2 (en) 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US8898889B2 (en) 2011-11-22 2014-12-02 Lam Research Corporation Chuck assembly for plasma processing
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
SG11201402447TA (en) 2011-11-24 2014-06-27 Lam Res Corp Plasma processing chamber with flexible symmetric rf return strap
US8677586B2 (en) * 2012-04-04 2014-03-25 Lam Research Corporation Installation fixture for elastomer bands and methods of using the same
US9184030B2 (en) * 2012-07-19 2015-11-10 Lam Research Corporation Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring
CN103074610A (zh) * 2012-08-28 2013-05-01 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室
US9048190B2 (en) * 2012-10-09 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP2014107387A (ja) 2012-11-27 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及びフォーカスリングを保持する方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN103117239B (zh) * 2013-02-01 2017-02-01 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种用于干刻设备的导航片及导航方法
US9502279B2 (en) 2013-06-28 2016-11-22 Lam Research Corporation Installation fixture having a micro-grooved non-stick surface
CN105453234B (zh) * 2013-08-10 2018-11-02 应用材料公司 抛光新的或翻新的静电夹盘的方法
CN104726830B (zh) * 2013-12-24 2017-06-30 宁波江丰电子材料股份有限公司 聚焦环的矫正设备
CN104752141B (zh) * 2013-12-31 2017-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体处理装置及其运行方法
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP2016134572A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置およびその管理方法、並びに半導体装置の製造方法
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10903055B2 (en) * 2015-04-17 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Edge ring for bevel polymer reduction
JP1551512S (ko) * 2015-06-12 2016-06-13
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
KR20170014384A (ko) * 2015-07-30 2017-02-08 삼성전자주식회사 건식 식각장치
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
CN108369922B (zh) 2016-01-26 2023-03-21 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
KR101646716B1 (ko) * 2016-02-15 2016-08-08 서성환 조립식 나선계단용 스페이서 및 이를 이용한 조립식 나선계단
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9852889B1 (en) 2016-06-22 2017-12-26 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling directionality of ions in an edge region by using an electrode within a coupling ring
JP6700118B2 (ja) * 2016-06-24 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ成膜装置および基板載置台
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10622243B2 (en) * 2016-10-28 2020-04-14 Lam Research Corporation Planar substrate edge contact with open volume equalization pathways and side containment
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102251664B1 (ko) * 2017-03-31 2021-05-14 베이징 이타운 세미컨덕터 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 플라즈마 처리 장치를 위한 페디스털 조립체
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US11183373B2 (en) 2017-10-11 2021-11-23 Honeywell International Inc. Multi-patterned sputter traps and methods of making
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
JP7206265B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-17 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
KR20190092154A (ko) 2018-01-30 2019-08-07 삼성전자주식회사 반도체 설비의 실링 장치 및 기류 산포 제어 장치
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR20200121380A (ko) 2018-03-13 2020-10-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 분무 코팅을 갖는 지지 링
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
US11201037B2 (en) 2018-05-28 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
JP7023826B2 (ja) * 2018-12-07 2022-02-22 株式会社ニューフレアテクノロジー 連続成膜方法、連続成膜装置、サセプタユニット、及びサセプタユニットに用いられるスペーサセット
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
KR102244438B1 (ko) * 2018-12-17 2021-04-27 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 플라즈마 처리 장치에 사용되는 rf 전극 조립품 및 플라즈마 처리 장치
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20220024767A (ko) * 2019-06-21 2022-03-03 램 리써치 코포레이션 양방향 인덱싱 장치
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
CN110634727B (zh) * 2019-11-18 2020-02-21 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理装置及其调节方法
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114975056A (zh) * 2021-09-08 2022-08-30 北京屹唐半导体科技股份有限公司 用于清洁等离子体加工设备的聚焦环的导电构件

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4340462A (en) 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
JPS5887824A (ja) 1981-11-20 1983-05-25 Toshiba Corp 微細加工方法
DE3275447D1 (en) 1982-07-03 1987-03-19 Ibm Deutschland Process for the formation of grooves having essentially vertical lateral silicium walls by reactive ion etching
US4529860A (en) 1982-08-02 1985-07-16 Motorola, Inc. Plasma etching of organic materials
JPS59163826A (ja) 1983-03-08 1984-09-14 Toshiba Corp ドライエツチング方法
US4579618A (en) 1984-01-06 1986-04-01 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
JPS60170238A (ja) 1984-02-15 1985-09-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ドライエツチング方法
US4855017A (en) 1985-05-03 1989-08-08 Texas Instruments Incorporated Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor
US5262029A (en) 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
JPH0211781A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Hitachi Ltd ドライエッチング装置
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5298465A (en) 1990-08-16 1994-03-29 Applied Materials, Inc. Plasma etching system
US5094712A (en) 1990-10-09 1992-03-10 Micron Technology, Inc. One chamber in-situ etch process for oxide and conductive material
US5200232A (en) 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
US5217920A (en) 1992-06-18 1993-06-08 Motorola, Inc. Method of forming substrate contact trenches and isolation trenches using anodization for isolation
US5326725A (en) 1993-03-11 1994-07-05 Applied Materials, Inc. Clamping ring and susceptor therefor
US5800686A (en) 1993-04-05 1998-09-01 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection
DE69432383D1 (de) 1993-05-27 2003-05-08 Applied Materials Inc Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase
EP0628655B1 (de) 1993-06-11 2001-05-16 Ciba SC Holding AG Bleichhilfsmittel
US5498313A (en) 1993-08-20 1996-03-12 International Business Machines Corp. Symmetrical etching ring with gas control
US5571366A (en) 1993-10-20 1996-11-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JPH07249586A (ja) 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
TW357404B (en) 1993-12-24 1999-05-01 Tokyo Electron Ltd Apparatus and method for processing of plasma
EP0668607A1 (en) 1994-02-22 1995-08-23 Applied Materials, Inc. Erosion resistant electrostatic chuck
US5556476A (en) 1994-02-23 1996-09-17 Applied Materials, Inc. Controlling edge deposition on semiconductor substrates
US5380673A (en) 1994-05-06 1995-01-10 United Microelectronics Corporation Dram capacitor structure
US5552124A (en) * 1994-06-22 1996-09-03 Applied Materials, Inc. Stationary focus ring for plasma reactor
US5606485A (en) 1994-07-18 1997-02-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved erosion resistance
US5572398A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Hewlett-Packard Co. Tri-polar electrostatic chuck
US5671116A (en) 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
US5670018A (en) 1995-04-27 1997-09-23 Siemens Aktiengesellschaft Isotropic silicon etch process that is highly selective to tungsten
US5569356A (en) 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
US5534751A (en) 1995-07-10 1996-07-09 Lam Research Corporation Plasma etching apparatus utilizing plasma confinement
KR100469908B1 (ko) 1996-09-30 2005-02-02 램 리서치 코포레이션 기재 지지수단 상의 폴리머 증착을 감소시키는 장치
US5740009A (en) 1996-11-29 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Apparatus for improving wafer and chuck edge protection
US6129808A (en) * 1998-03-31 2000-10-10 Lam Research Corporation Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same
US6013984A (en) 1998-06-10 2000-01-11 Lam Research Corporation Ion energy attenuation method by determining the required number of ion collisions
DE29813326U1 (de) 1998-07-29 1998-12-10 Protec Ges Fuer Werkstoff Und Verbesserte Vorrichtung zum Schutz von elektrostatischen Haltesystemen in Anlagen zur Bearbeitung von Wafern
KR100292410B1 (ko) * 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버
JP2000150623A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 垂直微動送り装置
US6123775A (en) 1999-06-30 2000-09-26 Lam Research Corporation Reaction chamber component having improved temperature uniformity
KR100762754B1 (ko) 1999-11-30 2007-10-09 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치
JP2001185542A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Hitachi Ltd プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法
US6383931B1 (en) 2000-02-11 2002-05-07 Lam Research Corporation Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch
KR100635975B1 (ko) 2000-02-14 2006-10-20 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법과, 플라즈마 처리 장치용 링 부재
JP4417574B2 (ja) * 2000-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002075969A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6524026B2 (en) * 2001-03-22 2003-02-25 Precision Cover Systems, Inc. Adjustable height utility access device
US6475336B1 (en) * 2000-10-06 2002-11-05 Lam Research Corporation Electrostatically clamped edge ring for plasma processing
US6391787B1 (en) 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
JP3388228B2 (ja) 2000-12-07 2003-03-17 株式会社半導体先端テクノロジーズ プラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法
JP3505155B2 (ja) * 2001-02-13 2004-03-08 株式会社日立製作所 ウエハ保持装置
TW475222B (en) 2001-04-04 2002-02-01 Wang-Nan Wang Plasma generator
KR100400044B1 (ko) * 2001-07-16 2003-09-29 삼성전자주식회사 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드
DE10143719B4 (de) 2001-08-31 2013-01-17 Qimonda Ag Plasmaätzanlage mit einer Lagerungsvorrichtung für einen Wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200467708Y1 (ko) * 2009-12-01 2013-07-05 램 리써치 코포레이션 플라즈마 에칭 챔버용 에지 링 어셈블리

Also Published As

Publication number Publication date
CN101136321A (zh) 2008-03-05
KR101008863B1 (ko) 2011-01-17
WO2004027815A1 (en) 2004-04-01
US20040083975A1 (en) 2004-05-06
US7867356B2 (en) 2011-01-11
JP4499567B2 (ja) 2010-07-07
TW200405466A (en) 2004-04-01
AU2003260128A1 (en) 2004-04-08
EP1543537A1 (en) 2005-06-22
CN100351989C (zh) 2007-11-28
US20080041820A1 (en) 2008-02-21
JP2006500766A (ja) 2006-01-05
US7252738B2 (en) 2007-08-07
TWI324804B (en) 2010-05-11
CN1682343A (zh) 2005-10-12
EP1543537B1 (en) 2011-10-05
CN100533658C (zh) 2009-08-26
ATE527679T1 (de) 2011-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101008863B1 (ko) 기판상의 중합체 증착을 감소시키기 위한 디바이스를 구비한 플라즈마 장치 및 중합체 증착을 감소시키는 방법
KR101131022B1 (ko) 플라즈마 반응기 에칭 레이트 드리프트를 감소시키는 온도 제어 핫 에지 링 어셈블리
KR102556016B1 (ko) 플라즈마 프로세싱을 위한 가변하는 두께를 갖는 상부 전극
US7482550B2 (en) Quartz guard ring
JP4180913B2 (ja) プラズマ処理の均一性のためのステップのある上部電極
CN113039626B (zh) 边缘环的温度及偏压控制
JP2000216136A (ja) 改良されたガスディストリビュ―タを有する処理チャンバ及び製造方法
KR100469908B1 (ko) 기재 지지수단 상의 폴리머 증착을 감소시키는 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131226

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141224

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151224

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161230

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171228

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee