JPS60170238A - ドライエツチング方法 - Google Patents
ドライエツチング方法Info
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- JPS60170238A JPS60170238A JP2523884A JP2523884A JPS60170238A JP S60170238 A JPS60170238 A JP S60170238A JP 2523884 A JP2523884 A JP 2523884A JP 2523884 A JP2523884 A JP 2523884A JP S60170238 A JPS60170238 A JP S60170238A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
木艷明は有機膜のドライエツチング方法、特にエツチン
グガスとして窒素ガスど、水素ガスの混合ガスを用いる
ことを特徴とする改良された有機膜のドライエツチング
方法に関する。
グガスとして窒素ガスど、水素ガスの混合ガスを用いる
ことを特徴とする改良された有機膜のドライエツチング
方法に関する。
（従来技術）
近年、半導体集積器１ｇ（ｒ、、ｓｒ）の高密度化とと
もに、特にＭＯＳ−ＬＳ Ｉの製造工程においては、ポ
リシリコングー１〜＠極やアルミニューム（Ａ１）配線
に最小寸法１．０μｍ程度の微細パターンの形成が要求
されている。このため通常の被エツチング膜トに１層の
みのホトレジストを塗布し、これにマスクアライナ等に
よりマスクパターンをホトレジストに転写し、パターン
化されたホトレジストをエツチングマスクとして被エツ
チング膜をドライエツチングする従来の方法では、下地
の段差によるホ１−レジスト塗布膜厚の違いや、下地隣
接パターンからの光の反射等の原因によるパターン精度
の低下が問題となってきている。
もに、特にＭＯＳ−ＬＳ Ｉの製造工程においては、ポ
リシリコングー１〜＠極やアルミニューム（Ａ１）配線
に最小寸法１．０μｍ程度の微細パターンの形成が要求
されている。このため通常の被エツチング膜トに１層の
みのホトレジストを塗布し、これにマスクアライナ等に
よりマスクパターンをホトレジストに転写し、パターン
化されたホトレジストをエツチングマスクとして被エツ
チング膜をドライエツチングする従来の方法では、下地
の段差によるホ１−レジスト塗布膜厚の違いや、下地隣
接パターンからの光の反射等の原因によるパターン精度
の低下が問題となってきている。
このような問題を解決するため最近多層レジスト法によ
るパターン形成方法が検討されている。
るパターン形成方法が検討されている。
通常の多層レジスト法は、基板側から段差の平坦化を行
うための平坦化レジス１へ層−中間層（無機薄膜）−ぽ
いレジスト層の３層構造であり、３層レジスト法と呼ば
れている。
うための平坦化レジス１へ層−中間層（無機薄膜）−ぽ
いレジスト層の３層構造であり、３層レジスト法と呼ば
れている。
第１図は３層しジスト法のプロセスの［略を示めすもで
ある。同図（１）に示すステップでは、基板１−（―に
被エツチング膜２を形成した後、平坦化レジスト層３を
塗布し、その上に例えば低温形成が可能なイオンプレー
トまたはスパッタＳ ｉ Ｏ２膜の中間層４を形成した
後、薄い１ノジスト層５を塗布する。次に第１図（２）
に示すステップにおいて表面の平坦な薄いレジスト層５
にマスクパターンを露光、現像してレジストパターンを
形成する。第１図（３）に示すステップにおいて中間層
４をドライエツチング法によ番）サイドエッチを生ずる
ことなくドライエツチングし、次に同図（４）に示すス
テップいおいて中間層４をマスクとしてド層の平坦化レ
ジストＭ３をドライエツチング法により加Ｔし、次いで
同図（５）に示すステップにおいて被エツチング膜２を
前記（４）のステップで形成されたレジストパターンに
従ってドライエツチングすることにより、同図（６）゛
のように段差を有する基板上に才？いても正確なパタ
ーン形成を実現できる。
ある。同図（１）に示すステップでは、基板１−（―に
被エツチング膜２を形成した後、平坦化レジスト層３を
塗布し、その上に例えば低温形成が可能なイオンプレー
トまたはスパッタＳ ｉ Ｏ２膜の中間層４を形成した
後、薄い１ノジスト層５を塗布する。次に第１図（２）
に示すステップにおいて表面の平坦な薄いレジスト層５
にマスクパターンを露光、現像してレジストパターンを
形成する。第１図（３）に示すステップにおいて中間層
４をドライエツチング法によ番）サイドエッチを生ずる
ことなくドライエツチングし、次に同図（４）に示すス
テップいおいて中間層４をマスクとしてド層の平坦化レ
ジストＭ３をドライエツチング法により加Ｔし、次いで
同図（５）に示すステップにおいて被エツチング膜２を
前記（４）のステップで形成されたレジストパターンに
従ってドライエツチングすることにより、同図（６）゛
のように段差を有する基板上に才？いても正確なパタ
ーン形成を実現できる。
この３層レジスト法のプロセスにおいて、中間層をエツ
チングマスクする平坦化レジスト層のドライエツチング
精度がエツチング膜のパターン形成精度を大きく左右す
ることは明白であり、高精度な微細パターンの転写には
、平坦化レジスト層のドライエツチングにサイドエッチ
のない垂直な異方性加工を達成する必要がある。従来、
３層しジス］〜法での平坦化レジスト層のドライエツチ
ングには酸素（０２）ガスを用いた反応性イオンエツチ
ング法が用いられているが、そのように０２ガス登用い
た場合、反応性イオンエツチング法において通常用いら
れる０、０２〜０．４ Ｔｏｒｒ付近のエツチング圧力
範囲では等方性エツチングの性質のためサイドエツチン
グを生じ、パターン精度低下の問題を持つ。このため酸
素ガｌスに起因するサイドエッチを防１１；するように
０．００１−０．０１ Ｔｏｒｒの低圧力下でのイオン
衝撃の強い条件下でエツチングを行なう必要があった。
チングマスクする平坦化レジスト層のドライエツチング
精度がエツチング膜のパターン形成精度を大きく左右す
ることは明白であり、高精度な微細パターンの転写には
、平坦化レジスト層のドライエツチングにサイドエッチ
のない垂直な異方性加工を達成する必要がある。従来、
３層しジス］〜法での平坦化レジスト層のドライエツチ
ングには酸素（０２）ガスを用いた反応性イオンエツチ
ング法が用いられているが、そのように０２ガス登用い
た場合、反応性イオンエツチング法において通常用いら
れる０、０２〜０．４ Ｔｏｒｒ付近のエツチング圧力
範囲では等方性エツチングの性質のためサイドエツチン
グを生じ、パターン精度低下の問題を持つ。このため酸
素ガｌスに起因するサイドエッチを防１１；するように
０．００１−０．０１ Ｔｏｒｒの低圧力下でのイオン
衝撃の強い条件下でエツチングを行なう必要があった。
このイオン衝撃の強い条件のため、平坦化レジスト層の
エツチングにおいて下地被エツチング膜がＡ１膜のよう
な場合、σイオン衝撃により下地Ａ１が物理的にスパッ
タされ、平坦化レジスト加工側壁に再付着を生じやすく
、パターン精度低下やイオン衝撃による１、 Ｓ Ｔ素
子へのダメージ等実用にの問題がある。
エツチングにおいて下地被エツチング膜がＡ１膜のよう
な場合、σイオン衝撃により下地Ａ１が物理的にスパッ
タされ、平坦化レジスト加工側壁に再付着を生じやすく
、パターン精度低下やイオン衝撃による１、 Ｓ Ｔ素
子へのダメージ等実用にの問題がある。
また、尼近になって窒素（Ｎ２）ガスを用いた平坦化レ
ジスト層のエツチングにおいては、０．１１’ｏｒｒ程
度のエツチング圧力においても、サイドエッチを生ぜず
、酸素ガスプラズマでの問題点は生し７ない特徴を持っ
ている。
ジスト層のエツチングにおいては、０．１１’ｏｒｒ程
度のエツチング圧力においても、サイドエッチを生ぜず
、酸素ガスプラズマでの問題点は生し７ない特徴を持っ
ている。
しかしながら、窒素ガスプラズマを用いた場合において
も次のようないくつかの実用」二の問題を持っている。
も次のようないくつかの実用」二の問題を持っている。
（＋）ホトレジストに対するエツチング速度が小さい。
（２）ｉｌＺ坦化レジしト層のエツチング後に下地被エ
ツチング膜表面に、レジストの分解物と思われろ異物が
付着しやすく、続いて被エツチング膜をエツチングする
際の障害となり、１．ＳＴの歩留まりの低ドを招く。
ツチング膜表面に、レジストの分解物と思われろ異物が
付着しやすく、続いて被エツチング膜をエツチングする
際の障害となり、１．ＳＴの歩留まりの低ドを招く。
（３）エツチング室内はレジスト分解物により著しく汚
染され、エツチング条件が不安定となる。
染され、エツチング条件が不安定となる。
以上のごとく、従来用いられている酸素および窒素ガス
プラズマを用いる平坦化レジスト層のドライエツチング
法には実用上の大きな問題があった。
プラズマを用いる平坦化レジスト層のドライエツチング
法には実用上の大きな問題があった。
（発明の目的）
本発明は上記のような従来技術の欠点を一掃することを
目的とするものである。即ぢ、平坦化レジスト層のエツ
チング速度が高く、下地被エツチングに異物を付着させ
ず、エツチング室内を汚染させず、従って安定したエツ
チングを高い速度で行ない歩留りのよいＬＳＩの製造を
実現できる高精度のドライエツチング方法を提供するこ
とを目的とするものである。
目的とするものである。即ぢ、平坦化レジスト層のエツ
チング速度が高く、下地被エツチングに異物を付着させ
ず、エツチング室内を汚染させず、従って安定したエツ
チングを高い速度で行ない歩留りのよいＬＳＩの製造を
実現できる高精度のドライエツチング方法を提供するこ
とを目的とするものである。
（発明の構成）
本発明は、真空容器内に設けた平行平板電極に高周波電
力を供給するとともに、その真空容器内にガスを導入し
てその導入ガスのプラズマを形成し、電極上に置かれた
所定基板上の有機膜をエツチングマスクを介してエツチ
ングするドライエッチング方法において、導入ガスとし
て窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いたことを特徴
とする。
力を供給するとともに、その真空容器内にガスを導入し
てその導入ガスのプラズマを形成し、電極上に置かれた
所定基板上の有機膜をエツチングマスクを介してエツチ
ングするドライエッチング方法において、導入ガスとし
て窒素ガスと水素ガスとの混合ガスを用いたことを特徴
とする。
また、本発明の一態様では有機膜としては、ホトレジス
トやポリミド樹脂等が用いられる。
トやポリミド樹脂等が用いられる。
（実施例の説明）
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
第２図は本実施例で用いたエツチング装置の概略図であ
る。図に゛おいて、１１はステンレス製の真空容器本体
であって、平行平板電極を構成する電極（陽極）１２と
下部電極（陰極）１３が対向配置されている。下部電極
１３は真空容器本体１１と電気的に絶縁されており、こ
れに整合器１４を介して高周波電力源２２の一端（非接
地側）に接続されている。上部電極１２は接地の状態に
なっている。試料１５は下部電極Ｉ３上に置かれた石英
プレート１６１に配置されている。
る。図に゛おいて、１１はステンレス製の真空容器本体
であって、平行平板電極を構成する電極（陽極）１２と
下部電極（陰極）１３が対向配置されている。下部電極
１３は真空容器本体１１と電気的に絶縁されており、こ
れに整合器１４を介して高周波電力源２２の一端（非接
地側）に接続されている。上部電極１２は接地の状態に
なっている。試料１５は下部電極Ｉ３上に置かれた石英
プレート１６１に配置されている。
一方、窒素および水素ガスはマスフローコントローラ１
７．１７′によりそれぞれ流量制御され、下部電極１３
の円周に配置されているガス導入管１８によりエツチン
グ室内に均一に供給される。
７．１７′によりそれぞれ流量制御され、下部電極１３
の円周に配置されているガス導入管１８によりエツチン
グ室内に均一に供給される。
排気系は予備排気を行う拡散ポンプ系１９とエツチング
中の排気を行うルーツポンプ系２０により構成され、エ
ツチング時の圧力制御はコンダクタンスバルブ２１によ
り行われる。また、放電時に下部電極１３に発生する陰
極降下電圧は高圧プローブ（図示せず）を用いて測定し
ている。
中の排気を行うルーツポンプ系２０により構成され、エ
ツチング時の圧力制御はコンダクタンスバルブ２１によ
り行われる。また、放電時に下部電極１３に発生する陰
極降下電圧は高圧プローブ（図示せず）を用いて測定し
ている。
上記エツチング装置を用いて、窒素ガスと水素ガスのガ
ス導入総量が６５ｃｃ／分になるようにマスフローコン
１〜〇−ラ１７．．１７’ により流量制御し、コンダ
クタンスバルブ２１を調整して、エツチング圧力を０．
０５３ Ｔｏｒｒに調整し、上部電極１２と下部電極１
３間に高周波電力源２２より高周波電力４００Ｗ（０，
３２す／ｃｍ” ）を印加せしめ、シリコンウエハー−
ヒに回転塗布法により均一な膜厚に付けたポジ型レジス
ト膜（東京応化製０ＦＰＲ８００）を窒素ガスと水素ガ
スの流量比を変化させてエツチングした。その結果、第
３図に示すような特性が得られた。図中ａはレジストの
エツチング速度特性曲線、ｂはエツチング時のイオン衝
撃に相当する１１３極降下電圧特性曲線である。この第
３図から明らかなように窒素ガスに水素ガスを５％程度
混入するだけでレジストのエツチング速度はガス重体の
場合に比べて著しく増加し、６０％程度の水素ガスの混
合ガスにおいてエツチング速度は１１５０八／分にも達
し、窒素ガスＱ１体の場合に比べて約２．２倍のエツチ
ング速度となり、実用上充分なエツチング速度が得られ
た。また、陰極降下電圧は水素混合においてわずか減少
する傾向にあり、窒素ガスとガスの混合ガスを用いるこ
とによってイオン衝撃もわずか緩和されている。
ス導入総量が６５ｃｃ／分になるようにマスフローコン
１〜〇−ラ１７．．１７’ により流量制御し、コンダ
クタンスバルブ２１を調整して、エツチング圧力を０．
０５３ Ｔｏｒｒに調整し、上部電極１２と下部電極１
３間に高周波電力源２２より高周波電力４００Ｗ（０，
３２す／ｃｍ” ）を印加せしめ、シリコンウエハー−
ヒに回転塗布法により均一な膜厚に付けたポジ型レジス
ト膜（東京応化製０ＦＰＲ８００）を窒素ガスと水素ガ
スの流量比を変化させてエツチングした。その結果、第
３図に示すような特性が得られた。図中ａはレジストの
エツチング速度特性曲線、ｂはエツチング時のイオン衝
撃に相当する１１３極降下電圧特性曲線である。この第
３図から明らかなように窒素ガスに水素ガスを５％程度
混入するだけでレジストのエツチング速度はガス重体の
場合に比べて著しく増加し、６０％程度の水素ガスの混
合ガスにおいてエツチング速度は１１５０八／分にも達
し、窒素ガスＱ１体の場合に比べて約２．２倍のエツチ
ング速度となり、実用上充分なエツチング速度が得られ
た。また、陰極降下電圧は水素混合においてわずか減少
する傾向にあり、窒素ガスとガスの混合ガスを用いるこ
とによってイオン衝撃もわずか緩和されている。
また、第４図は」；記エツチング装置で通常よく用いら
れる０、０２〜０．４ Ｔｏｒｒでのエツチングガス圧
力範囲において、４００ｗの高周波電力を印加し、１、
記ホトレジスト膜（東京応化製０ＦＰＲ８００）をエツ
チングした結果得られた特性を示すものである。
れる０、０２〜０．４ Ｔｏｒｒでのエツチングガス圧
力範囲において、４００ｗの高周波電力を印加し、１、
記ホトレジスト膜（東京応化製０ＦＰＲ８００）をエツ
チングした結果得られた特性を示すものである。
図中Ｃは窒素ガスｒＩｔ体を用いた場合のエツチング特
性曲線図、ｄは１５％水素濃度の窒素−水素混合ガスを
用いた場合のエツチング速度特性曲線図である。第４図
から明らかなように、全てのエツチング圧力範囲におい
て窒素−水素混合ガスを用いることにより、エツチング
速度は大幅に改善されており、０．０５〜０．Ｉ Ｔｏ
ｒｒの圧力範囲でエツチング速度を最高にすることがで
きる。
性曲線図、ｄは１５％水素濃度の窒素−水素混合ガスを
用いた場合のエツチング速度特性曲線図である。第４図
から明らかなように、全てのエツチング圧力範囲におい
て窒素−水素混合ガスを用いることにより、エツチング
速度は大幅に改善されており、０．０５〜０．Ｉ Ｔｏ
ｒｒの圧力範囲でエツチング速度を最高にすることがで
きる。
以上のように、広範囲の窒素ガスと水素ガスの混合比に
おいて実用」二充分なホトレジスト膜のエツチング速度
を確保でき、しかも広範囲のエツチング圧力範囲で実用
的なエツチング速度がえられている。
おいて実用」二充分なホトレジスト膜のエツチング速度
を確保でき、しかも広範囲のエツチング圧力範囲で実用
的なエツチング速度がえられている。
次に、本発明のエツチング方法を３層レジスト法による
パターン形成プロセスに適用した実施例について第５図
ないし第８図を参照して説明する。
パターン形成プロセスに適用した実施例について第５図
ないし第８図を参照して説明する。
第５図は、膜厚１．５μｍの平坦化レジスト層３１上に
スパッタ法により形成した膜厚０．１５μｍのＳｉＯ３
膜をパターンニングして、ドライエツチング法により加
ｒして平坦化レジス１ト層のエツチングマスク３２を形
成した試料断面形状を示すものである。なお、３３はエ
ツチングマスク３２を加工するための薄いレジスト層で
ある。
スパッタ法により形成した膜厚０．１５μｍのＳｉＯ３
膜をパターンニングして、ドライエツチング法により加
ｒして平坦化レジス１ト層のエツチングマスク３２を形
成した試料断面形状を示すものである。なお、３３はエ
ツチングマスク３２を加工するための薄いレジスト層で
ある。
第５図に示した試料を用いて、前記トライエツーＩング
装閘により、エツチング圧力をＯ，ｎ５ Ｔｏｒｒｌ、
：調す；トし、下部電極に／１００１１１の高周波電力
を印加して、平坦化Ｉノジスト層を完全にエツチングし
た後、加に断面形状を一次電子像（Ｓ１７Ｈ）により評
価した。
装閘により、エツチング圧力をＯ，ｎ５ Ｔｏｒｒｌ、
：調す；トし、下部電極に／１００１１１の高周波電力
を印加して、平坦化Ｉノジスト層を完全にエツチングし
た後、加に断面形状を一次電子像（Ｓ１７Ｈ）により評
価した。
エツチングガスは本発明の窒素−水素混合ガスと（！゛
ＣＣ東用れている酸素ガスおよび窒素ガスを用いて比較
した。
ＣＣ東用れている酸素ガスおよび窒素ガスを用いて比較
した。
第６図は、水素カス濃度１５％の窒素−水素混合ガスを
用いて平坦化レジス１一層をエツチング゛した場合の加
１′、断面形状を示す図である。同図において４１はエ
ツチング後の平坦化レジスト層、４２は工２１チンクマ
スクとなった５ｉ０２膜である。窒素−イ（素混合カス
の場合、はぼ垂直な加工形状がｔｌＩ’＋ 、ｔｌ、
、サイトエッチ肝（△Ｗ ＝ Ｗ ＋ ＶＪ ２ ）は
０１μＩＩＩ以内であ−）た。なお、サイドエッチ縫は
酸素ガス、窒素ガスあるいけ窒素−水素混合ガス等のプ
ラズマにｋｆ ｌ、て全くエツチングされないＳｉ（’
＋２膜の幅Ｗ ｌとエツチング後のレジスト膜の幅Ｗ２
の差△Ｗ＝Ｗ１−Ｗ２で定義される。ま第７図は酸素ガ
スを用いた場合の加工断面形状を示すものである。酸素
ガスの場合は等方的なエツチング形状を示し、サイドエ
ッチ量△Ｗは０．９μｍにも達した。エツチング時間は
９分間であった。
用いて平坦化レジス１一層をエツチング゛した場合の加
１′、断面形状を示す図である。同図において４１はエ
ツチング後の平坦化レジスト層、４２は工２１チンクマ
スクとなった５ｉ０２膜である。窒素−イ（素混合カス
の場合、はぼ垂直な加工形状がｔｌＩ’＋ 、ｔｌ、
、サイトエッチ肝（△Ｗ ＝ Ｗ ＋ ＶＪ ２ ）は
０１μＩＩＩ以内であ−）た。なお、サイドエッチ縫は
酸素ガス、窒素ガスあるいけ窒素−水素混合ガス等のプ
ラズマにｋｆ ｌ、て全くエツチングされないＳｉ（’
＋２膜の幅Ｗ ｌとエツチング後のレジスト膜の幅Ｗ２
の差△Ｗ＝Ｗ１−Ｗ２で定義される。ま第７図は酸素ガ
スを用いた場合の加工断面形状を示すものである。酸素
ガスの場合は等方的なエツチング形状を示し、サイドエ
ッチ量△Ｗは０．９μｍにも達した。エツチング時間は
９分間であった。
第８図は窒素ガスを用いた場合の加工断面形状を示すも
のであり、わずかに台形状の力１０ニ形状を示し、サイ
１へエッチ量△Ｗは−０，３μｍｎであ−９だが、エツ
チング時間は３５分間と長時間を必要とした。
のであり、わずかに台形状の力１０ニ形状を示し、サイ
１へエッチ量△Ｗは−０，３μｍｎであ−９だが、エツ
チング時間は３５分間と長時間を必要とした。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明による窒素カスに水素ガス
を添加した混合ガスのプラズマを用いた有機膜のドライ
エツチング方法は有機膜１脂膜の高精度の異方性加工を
必要とする多層レジス）−法のごときプロセスに非常に
有効であり、従来、酸素ガスではサイドエッチを生ずる
ために使用できンＪ−かった反応性イオンエツチング法
で通１ｉ（−用いられる０、０２〜０−４ Ｔｏｒｒの
圧力範囲においてサイドエッチのない高精度の異方性加
工が達成さ九、また、窒素ガスｎ１体を用いた場合に比
ベエッチング速度が大幅に改善され、実用的なエツチン
グ速度が得られる。
を添加した混合ガスのプラズマを用いた有機膜のドライ
エツチング方法は有機膜１脂膜の高精度の異方性加工を
必要とする多層レジス）−法のごときプロセスに非常に
有効であり、従来、酸素ガスではサイドエッチを生ずる
ために使用できンＪ−かった反応性イオンエツチング法
で通１ｉ（−用いられる０、０２〜０−４ Ｔｏｒｒの
圧力範囲においてサイドエッチのない高精度の異方性加
工が達成さ九、また、窒素ガスｎ１体を用いた場合に比
ベエッチング速度が大幅に改善され、実用的なエツチン
グ速度が得られる。
さらには、窒素と水素の混合ガスプラズマを用いること
［−より、窒素静体ガスの場合に見られたエンチング表
面への有機膜分解物等の異物の不着は全く生ぜず、これ
により下地膜をエツチングする際の障害を除くことがで
きる。また、エツチング圧力・：内が有機膜分解物によ
り汚染されることもほとんどなくなり、安定なエツチン
グが可能となる。
［−より、窒素静体ガスの場合に見られたエンチング表
面への有機膜分解物等の異物の不着は全く生ぜず、これ
により下地膜をエツチングする際の障害を除くことがで
きる。また、エツチング圧力・：内が有機膜分解物によ
り汚染されることもほとんどなくなり、安定なエツチン
グが可能となる。
な才；、実施例においてはポジ型ホ１−レジスト１漠の
エツチングについ゛Ｃ説明し７だが、ネガ型ホトレジス
トやボリミイド（６１脂等の有機膜に対しても同等の効
果が期待できる。
エツチングについ゛Ｃ説明し７だが、ネガ型ホトレジス
トやボリミイド（６１脂等の有機膜に対しても同等の効
果が期待できる。
第１図は３層１ノジスト法プロセスの（反軸を示す図、
第２図は本発明に用いたドライエツチング装置の概ｌ１
１８図、第３図は本発明のドライエツチング方法におけ
る有機樹脂１模のＩＩ ２ ／ （１−１２−４−Ｎ
：ａ）ｉ１？、合清変化に伴なうエツチング速度および
陰極降下電圧変化を示す特性図、第４図はエツチング圧
力変化に伴なうＮ２ガス単体および’ｐＪ ２ ＋ ０
２ Ｒ合ガスプラズマでのエツチング速度変化を示す特
性図、第５図は有機樹脂膜の加工断面形状を評価するの
に用いた試料の断面図、第６図は本発明のＮ２＋■（２
混合ガスでエツチングした有機樹脂膜の断面形状図、第
７図および第８図はそれぞれ０２ガスおよびＮ２ガスで
エツチングした断面形状図である。 １・・・基板、２・・・被エツチング膜、３・・・平坦
化レジス１一層、４・・・中間層、５・・薄いレジスト
層、１１・・・真空容器、１２・・・、１；部電極、１
３・・・ド部電極、１４・・整合器、１５・・・試料、
１６・・・石英フレー１−１Ｉ７・・・マスフローコン
トローラ、１８・・・ガス導入管、１９・・・拡散ポン
プ系、２０・−・ルーツポンプ系、２１・・・コンダク
タンスバルブ、２２ ・高周波電源。 第１図 第 ２ 図 第３図 混合７”又重度 Ｈ２／ （Ｈ２＋Ｎ２１ （％） 第４図 工、ゲングガミカ （Ｔｏｒｒ ）
第２図は本発明に用いたドライエツチング装置の概ｌ１
１８図、第３図は本発明のドライエツチング方法におけ
る有機樹脂１模のＩＩ ２ ／ （１−１２−４−Ｎ
：ａ）ｉ１？、合清変化に伴なうエツチング速度および
陰極降下電圧変化を示す特性図、第４図はエツチング圧
力変化に伴なうＮ２ガス単体および’ｐＪ ２ ＋ ０
２ Ｒ合ガスプラズマでのエツチング速度変化を示す特
性図、第５図は有機樹脂膜の加工断面形状を評価するの
に用いた試料の断面図、第６図は本発明のＮ２＋■（２
混合ガスでエツチングした有機樹脂膜の断面形状図、第
７図および第８図はそれぞれ０２ガスおよびＮ２ガスで
エツチングした断面形状図である。 １・・・基板、２・・・被エツチング膜、３・・・平坦
化レジス１一層、４・・・中間層、５・・薄いレジスト
層、１１・・・真空容器、１２・・・、１；部電極、１
３・・・ド部電極、１４・・整合器、１５・・・試料、
１６・・・石英フレー１−１Ｉ７・・・マスフローコン
トローラ、１８・・・ガス導入管、１９・・・拡散ポン
プ系、２０・−・ルーツポンプ系、２１・・・コンダク
タンスバルブ、２２ ・高周波電源。 第１図 第 ２ 図 第３図 混合７”又重度 Ｈ２／ （Ｈ２＋Ｎ２１ （％） 第４図 工、ゲングガミカ （Ｔｏｒｒ ）
Claims (2)
- （１）真空容器内に設けた平行平板電極にガスを導入す
るとともに、高周波電力を印加して前記導入ガスのプラ
ズマを形成し、前記電極」二に載置した所定基板にの有
機膜をエツチングマスクを介しＣエツチングするドライ
エツチング方法において、前記導入ガスとして窒素ガス
と水素ガスとの混合ガスを用いたことを特徴とするドラ
イエツチング方法。 - （２）前記有機膜がホトレジストであることを特徴とす
る特許請求の範囲記載第（＋）項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2523884A JPS60170238A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | ドライエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2523884A JPS60170238A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | ドライエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60170238A true JPS60170238A (ja) | 1985-09-03 |
Family
ID=12160402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2523884A Pending JPS60170238A (ja) | 1984-02-15 | 1984-02-15 | ドライエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60170238A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5266157A (en) * | 1990-10-04 | 1993-11-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
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| JP2008277812A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-13 | Applied Materials Inc | 水蒸気及び希釈ガスにより改善された水素アッシング |
| US8895388B2 (en) | 2006-07-21 | 2014-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and a non-volatile semiconductor storage device including the formation of an insulating layer using a plasma treatment |
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| JPS5887824A (ja) * | 1981-11-20 | 1983-05-25 | Toshiba Corp | 微細加工方法 |
-
1984
- 1984-02-15 JP JP2523884A patent/JPS60170238A/ja active Pending
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