JP2007123399A - ドライエッチング方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 40
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 14
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/31127—Etching organic layers
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
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- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
【課題】半導体などのエッチング処理において、微細なパターンを形成するために使用される多層レジスト膜の下層レジストとパターンの寸法を制御するマスクである無機系の中間層薄膜とのエッチング速度の比、すなわち肩選択比を高くした表面処理方法および装置を提供する。
【解決手段】下層レジスト膜14上に無機系中間膜13および上層レジスト膜12を積層した半導体のプラズマを用いる表面処理方法で、エッチングガスとして窒素と水素から構成されるガスに酸素を主成分とするCO2を添加し、無機系中間層膜13の削れ15(図3(c))を削れ16(図3(d))に低減させる。
【選択図】図3
【解決手段】下層レジスト膜14上に無機系中間膜13および上層レジスト膜12を積層した半導体のプラズマを用いる表面処理方法で、エッチングガスとして窒素と水素から構成されるガスに酸素を主成分とするCO2を添加し、無機系中間層膜13の削れ15(図3(c))を削れ16(図3(d))に低減させる。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体素子の表面処理装置および表面処理方法にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面のエッチングを行うドライエッチング方法およびドライエッチング装置に関する。
半導体素子のエッチングや成膜に現在広く用いられている装置は、プラズマを利用する装置である。本発明は、このようなプラズマを利用した装置に広く応用できるものであるが、ここではそのうちの一つであるECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と呼ばれている装置を例に取り従来技術を説明する。この方式では、外部より磁場を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマを発生させる。試料に入射するイオンを加速するために試料にはバイアス電圧が印加される。エッチングのほかに膜の堆積などにもこの装置は使われている。
近年の半導体素子では微細化に伴い、リソグラフィやドライエッチング等の加工技術に対する要求は厳しさを増している。リソグラフィの分野においては、高解像度を求めて露光波長が短波長化され、レジスト膜厚の薄膜化、対プラズマ耐性の劣化などの問題から、多層レジストプロセスの採用が必須となりつつある。多層レジストプロセスは、下地膜をエッチングするに充分な膜厚の下層レジストと、その下層レジストをエッチングする際のマスクパターンを形成するための薄い無機材料からなる中間層と、高解像度を達成するに充分な薄い上層レジストとを組み合わせて使用する3層レジストが報告されている。
前記下層レジストをエッチングする方法として、NH3を主体とするエッチングガスを用いる技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開平1−280316号公報
この従来条件では、NH3にN2もしくはH2を添加することにより形状制御をするのみで、無機系中間層との選択比が向上しないという課題がある。
本発明の目的は、下層レジスト層と薄い無機系中間層との選択比を従来技術よりも高く向上させ、無機系中間層の肩落ちなく、下層レジスト層のエッチングを寸法制御性よく加工するエッチング技術を提供することである。
本発明は、従来技術の水素と窒素を構成元素として含んだ化合物を用いて下層レジスト層をエッチングする技術に、添加ガスとして酸素を主成分として含んだ化合物を用いて、中間層の無機系薄膜との選択比、特に肩選択比を高くしてエッチングするものである。
以上のように本発明により、多層レジスト膜プロセスにおいて、下層レジスト層をマスクである無機系薄膜に対して高い選択比で、マスク材の寸法を維持したエッチングができる。
本発明の実施例について説明する。本発明は、下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチングする方法として、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする。
また、本発明は、上記ドライエッチング方法において、窒素と水素を構成元素とする化合物は、N2、H2の混合ガスもしくはNH3の何れか一方を含むとともに、酸素を含むエッチングガスはCO2、NO2、SO2のうち少なくとも何れかを含み、エッチングガスとしてNH3を用いる際、CO2等の酸素を含む添加ガスに追加の添加ガスとして窒素N2を添加する。
本発明は、下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチング処理するドライエッチング装置において、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする手段を具備する。
図1を用いて、本発明で使用するエッチング装置の構成の概要を説明する。本―実施例はプラズマ生成手段にUHF(Ultra High Frequency)と磁界を利用したUHFプラズマエッチング装置の例である。
エッチング処理に利用されるプロセスガスはシャワープレート1から導入され、所定の圧力に調圧される。次に、UHF帯高周波電源(図省略)により発振された周波数450MHzの高周波が同軸ケーブル2、同軸導波管3を介してエッチング室に導入される。高周波によって生じる電界でプラズマ4が生成され、ソレノイドコイル5による磁場との相互作用によって、電子サイクロトロン共鳴(ECR:Electron Cyclotron Resonance)を生じ、これによりプラズマの生成密度の空間分布が制御される。
処理ウェハ6は、静電吸着電源7で試料台8に直流電圧を印加することで、静電吸着力により電極に固定される。また、電極には高周波電源9が接続してあり、高周波電力を印加して、プラズマ中のイオンにウェハに対して垂直方向の加速電位を与える。エッチング後のガスは装置下部に設けられた排気口から、ターボポンプ・ドライポンプ(図省略)により排気される。
エッチングガスとしてNH3を使用し、添加ガスとしてCO2を導入した。圧力は0.4Paである。UHFマイクロ波電源の出力を500Wとし、ウエハへのバイアス電源9の出力を60Wとした。
次に、添加ガスであるCO2の添加効果について図2を用いて簡単に説明する。図2は、添加ガスの一例であるCO2の添加量とマスク材である無機系中間層薄膜のエッチング速度10、及び被エッチング材である下層レジストのエッチング速度11の関係を示す図である。添加ガスCO2の増加とともに中間層の無機系薄膜のエッチング速度は若干低下する程度であまり変化しないが、被エッチング材である下層レジストは、CO2の増加にほぼ比例してエッチングレートが増加する。
酸素を含む添加ガスとしては、CO2のほかに、NO2、SO2などを用いることができ、CO2と同様な効果を得ることができる。
図3を用いて、本発明にかかるドライエッチング方法が適用される半導体ウェハの構造を説明する。本発明のドライエッチング方法が適用される半導体ウェハは、図示を省略した下地材料層の上に有機高分子材料からなる下層レジスト膜14が形成され、その上に無機系中間層膜13と(上層)レジスト膜12が形成される。下層レジスト膜14には、有機高分子材料として、ノボラック系フォトレジスト、アモルファスカーボンなどが用いられ、無機系中間層13としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などが、(上層)レジスト膜12には、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂などが用いられる。
本実施例でのCO2添加量は、NH3 100sccmに対して0、50、100sccmと変化させた。この条件でCO2の添加量0(図3c)、50(図3d)、100sccmと増加するに従い、図3のように、下層レジスト層(有機高分子材料層)14のエッチング速度が増加し、対無機系中間層マスク13との選択比が増加することで、CO2添加量ゼロ時に発生していたマスクの肩削れ15を抑制し16、異方性形状を得ることができる。
CO2添加量100sccm時に酸素の供給量が多いことにより下層レジスト層(有機高分子材料層)の形状がサイドエッチ気味になったが、この状態で、添加ガスとして窒素N2を添加することにより、エッチングレートを維持した状態で窒素の添加効果による側壁保護膜形成により垂直形状を得ることも可能である。
上記の実施例では、エッチングガスとしてNH3を用いたが、N2およびH2の混合ガスを用いることができる。さらに、酸素を含むエッチングガスとして、CO2を用いたが、酸素を含むガスとしてNO2、SO2のうちの何れかとすることができる。
さらに、エッチングガスとしてNH3を用いる際、CO2等の酸素を含む添加ガスにさらに追加する添加ガスとして窒素N2を添加することができる。
なお、本実施例では、UHF型ECRプラズマエッチング装置を用いた場合を前提に説明したが、他のプラズマ源でも何等問題はなく、UHF型ECRプラズマエッチング装置に限定されるものではない。したがって、マイクロ波以外の誘導型プラズマ装置でも本発明を適用することができる。
以上のことにより、本発明では従来技術のNH3等の水素と窒素を用いたエッチングガスに添加ガスとして酸素を主成分として構成される化合物CO2を用いることで、中間層の無機系薄膜との選択比が高い異方性形状を得ることができる。
1…シャワープレート、2…同軸ケーブル、3…同軸導波管、4…プラズマ、5…ソレノイドコイル、6…ウエハ、7…静電吸着電源、8…試料台、9…高周波電源、10、11…特性曲線、12…レジストマスク、13…無機系中間層膜、14…下層レジスト、15、16…肩削れ
Claims (4)
- 下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチングする方法として、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1記載のドライエッチング方法において、窒素と水素を構成元素とする化合物は、N2、H2の混合ガスもしくはNH3の何れか一方を含むとともに、酸素を含むエッチングガスはCO2、NO2、SO2のうち少なくとも何れかを含むことを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項2記載のドライエッチング方法において、エッチングガスとしてNH3を用いる際、追加の添加ガスとして窒素を添加することを特徴とするドライエッチング方法。
- 下地材料層上に形成された有機高分子材料層を無機系中間層膜からなるマスクを用いてエッチング処理するドライエッチング装置において、少なくとも窒素と水素を構成元素とする化合物を含むエッチングガスを主成分とし、添加ガスとして酸素を構成元素とする化合物を用いてエッチングする手段を具備することを特徴とするドライエッチング装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005311133A JP2007123399A (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | ドライエッチング方法 |
TW095103149A TW200717631A (en) | 2005-10-26 | 2006-01-26 | Dry etching method |
US11/345,537 US20070090090A1 (en) | 2005-10-26 | 2006-02-02 | Dry etching method |
KR1020060009956A KR100759061B1 (ko) | 2005-10-26 | 2006-02-02 | 드라이에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005311133A JP2007123399A (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123399A true JP2007123399A (ja) | 2007-05-17 |
Family
ID=37984375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005311133A Pending JP2007123399A (ja) | 2005-10-26 | 2005-10-26 | ドライエッチング方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070090090A1 (ja) |
JP (1) | JP2007123399A (ja) |
KR (1) | KR100759061B1 (ja) |
TW (1) | TW200717631A (ja) |
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KR20070045082A (ko) | 2007-05-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080416 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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