JP4378234B2 - エッチング方法 - Google Patents
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Description
101 上部アンテナ
102 高周波電源
103,109 マッチングフィルタ
104 コイル
105 プラズマ
106 側壁スリーブ
107 載置台
108 被処理基板
110 RFバイアス電源
111 試料台リング
112 リング
113 ターボ分子ポンプ
Claims (3)
- シリコン基板上にSiC膜、SiOC膜、SiO2膜、反射防止膜およびフォトレジスト膜を順次積層した試料を、処理室内に配置された試料載置台に載置し、前記処理室内に生成した処理ガスのプラズマを利用して、前記フォトレジスト層をマスクとして前記SiOC膜、SiO2膜および反射防止膜からなる積層膜をエッチングするエッチング方法であって、
処理ガスとして反応生成物の堆積性の弱いCF4ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程と、
処理ガスとして反応生成物の堆積性の強いAr、CHF3、N2の混合ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程と、
処理ガスとして前記反応生成物の堆積性の弱いCF4ガスを用い、且つ基板バイアス電力を印加することなくエッチングする後処理工程を備え、
前記後処理工程は、前記反応生成物の堆積性の強いAr、CHF3、N2の混合ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程において発生した反応生成物を除去する工程であることを特徴とするエッチング方法。 - 複数枚の試料の連続エッチング処理に先立って、処理室にダミー基板を搬入し、反応生成物の堆積性の弱いCF4ガスを用いてダミー基板を処理する工程と、
複数枚の試料のエッチングに際して、シリコン基板上にSiC膜、SiOC膜、SiO2膜、反射防止膜およびフォトレジスト膜を順次積層した試料を処理室内に搬入し、
処理ガスとして反応生成物の堆積性の弱いCF4ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程と、
処理ガスとして反応生成物の堆積性の強いAr、CHF3、N2の混合ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程と、
処理ガスとして前記反応生成物の堆積性の弱いCF4ガスを用い、且つ基板バイアス電力を印加することなくエッチングする後処理工程を備え、
前記後処理工程は、前記反応生成物の堆積性の強いAr、CHF3、N2の混合ガスを用いて前記積層膜をエッチングする工程において発生した反応生成物を除去する工程であることを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1または2記載のエッチング方法において、前記エッチングする工程は前記複数の試料に対して順次施すことを特徴とするエッチング方法。
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