JP5209859B2 - プラズマエッチング方法 - Google Patents
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Description
前記マイクロ波プラズマエッチング装置を使用し、プロセスガスとしてホウ素を含むハロゲンガス(主ガス)および酸素を含むガス(添加ガス)を導入した。この例では、ホウ素を含むハロゲンガスとしてBCl3を使用し、酸素を含む添加ガスとしてO2を導入した。プロセスガスの圧力は0.3Paに設定し、マイクロ波電源の出力を500Wとし、ウエハへのバイアス電源9の出力を60Wとした。
2 導波管
3 石英版
4 ソレノイドコイル
5 プラズマ
6 ウエハ
7 静電吸着電源
8 試料台
9 高周波電源
10 ゲート絶縁膜
11 ゲート電極
12 ゲート被覆絶縁膜
13 低不純物濃度層
14 シリコン酸化膜
15 シリコン窒化膜
16 絶縁膜スペーサ
17 高不純物濃度層
100 真空容器
101 シリコン基板
Claims (3)
- プラズマを用いてシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対して選択的にエッチングするプラズマエッチング方法において、
BF3ガスと酸素含有ガスとの混合ガスまたはBBrガスと酸素含有ガスとの混合ガスを用いて前記シリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法において、
前記酸素含有ガスは、O2ガス、CO2ガス、NO2ガス、SO2ガスのうちのいずれか一つのガスからなることを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 請求項1記載のプラズマエッチング方法において、
前記BF3ガスと酸素含有ガスとの混合ガスまたは前記BBrガスと酸素含有ガスとの混合ガスにArガスを添加することを特徴とするプラズマエッチング方法。
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