JP2012182474A - 半導体装置の製造方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記複数層レジストの前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記レジストパターンに沿ってエッチングして、前記被エッチング膜をエッチングするためのマスクパターンを形成する。実験により複数層レジストを構成する有機膜に垂直性が高いマスクパターンを得ることができることが示されている。
【選択図】図2
Description
前記コンピュータプログラムは上述の半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
排気装置13により排気管14を介して処理室11内の排気を行う一方で、ガス供給系36から例えばCF4ガスを200sccm、C4F8ガスを5sccmの流量で夫々上部電極3を介してウエハW表面に供給して、処理室11内を所定の真空度例えば20Pa(150mTorr)に維持する。その後、高周波電源3aから整合器21bを介して60MHzのプラズマ生成用の高周波電圧が例えば500Wで上部電極3に印加され、CF4ガス及びC4F8ガスをプラズマ化すると共に、高周波電源41aから整合器3bを介して13.56MHzのバイアス用の高周波が例えば400Wで下部電極51に印加される。
続いて排気装置13により処理室11内を所定の排気量で排気して残存するCF4ガス及びC4F8ガスを除去した後、排気量を所定の量に制御する一方で、ガス供給系36より例えばCO2ガスを200sccm、H2ガスを200sccm、N2ガスを200sccmで夫々上部電極3を介して処理室11に供給し、処理室11内を所定の真空度例えば2.0Pa(15mTorr)に維持する。その後、高周波電源3aから整合器3bを介して60MHzのプラズマ生成用の高周波が700Wで上部電極3に印加され、CO2ガス、H2ガス及びN2ガスをプラズマ化すると共に、高周波電源21aから13.56MHzのバイアス用の高周波が整合器21bを介して400Wで下部電極21に印加される。
CO2 ++C→2CO・・・(1)
上記実施形態の図2に示したようにSiO2膜41上に三層レジスト4が積層されたウエハWについて、上述の手順に従ってエッチングを行い、有機膜42にマスクパターン47を形成し、ウエハW中心部、周縁部夫々の表面における縦断面を撮像した。処理を行ったウエハWの三層レジスト4の各膜厚は上述の実施の形態で示した各膜厚と同じであり、レジストパターン45の大きさも実施の形態で示したものと同じである。また上記手順のステップ1、ステップ2において、プラズマを発生させてエッチングを行う時間は夫々60秒、52秒に設定しており、その他の条件は上記実施形態と同じに設定している。
次に比較例1として上述の実施例と同様にステップ1を実施した後、ステップ2においてCO2ガス、H2ガス及びN2ガスからなる混合ガスをウエハWに供給する代わりにCO2ガスのみをウエハWに供給し、それをプラズマ化してウエハWにエッチングを行った。ステップ2においてエッチング時間を43秒に設定した他は実施例のステップ2と同様の処理条件に設定した。
次に比較例2として上述の実施例1と同様にステップ1を実施した後、ステップ2においてCO2ガス、H2ガス及びN2ガスからなる混合ガスをウエハWに供給する代わりにH2ガス及びN2ガスのみをウエハWに供給して、それをプラズマ化してエッチングを行うように設定した。そしてこのステップ2のエッチング時間はウエハWごとに夫々異なるように設定し、エッチング終了後に各ウエハWの縦断側面を撮像して、どれだけのエッチング時間で実施例1において形成された各パターン101,102と同じ深さまでエッチングできるかを調べた。用いるガス及びエッチング時間が異なることを除いてエッチング条件は実施例のステップ2と同じに設定している。
なお図9(e)、(f)は144秒エッチングを行った前記ウエハWの中央部、周縁部の撮像結果を夫々模式的に示したものであり、図9(e)に示したパターン105の有機膜に形成された部分における上部、下部、中央部の線幅は夫々55nm、54nm、58nmである。また図9(f)に示したパターン106の有機膜に形成された部分における上部、下部、中央部の線幅は夫々55nm、49nm、54nmである。図からわかるように各パターン105,106は肩落ちが大きくなっており、パターンの形状についても実施例1の方が好ましいことが分かる。
4 三層レジスト
41 SiO2膜
42 有機膜
43 SiO2膜
44 フォトレジスト膜
45 レジストパターン
46,47 マスクパターン
Claims (9)
- 有機膜と、この有機膜の上に積層されたSiO2からなる中間膜と、前記中間膜の上に積層されたレジストパターンが開口したレジスト膜とを備える複数層レジストを、基板に形成された被エッチング膜上に積層されるように形成する膜形成工程と、
前記中間膜を前記レジスト膜をマスクとして処理室内においてプラズマによりエッチングして、当該中間膜に下端側が上端側よりも狭まるテーパ状の第1の開口部を形成する第1のエッチング工程と、
次いで、前記第1のエッチング工程を行った処理室と同一の処理室内において、前記有機膜を、二酸化炭素と水素とを含む処理ガスをプラズマ化して得たプラズマにより前記第1の開口部に沿ってエッチングし、当該有機膜に第2の開口部を形成する第2のエッチング工程と、
前記第2の開口部に沿って前記被エッチング膜をプラズマによりエッチングして、当該被エッチング膜に第3の開口部を開口する第3のエッチング工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記膜形成工程、第1のエッチング工程、第2のエッチング工程及び第3のエッチング工程は、順次繰り返して行われ、
前記第3のエッチング工程後、次に膜形成工程が行われるまでの間に、被エッチング膜上に残留する前記複数層レジストを構成する膜を除去する膜除去工程が行われ、
各第3のエッチング工程で前記第3の開口部を被エッチング膜の互いに横方向にずれた位置に形成するために、各膜形成工程において前記レジストパターンは互いに横方向にずれた位置に形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第2のエッチング工程において、前記処理室内に供給される二酸化炭素の流量と、水素の流量とは互いに等しいことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のエッチング工程において、前記処理ガスの総流量に対する二酸化炭素及び水素の合計の流量比が2/3であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 有機膜は、基板に形成されたシリコン、炭素、酸素及び水素を含む低誘電率膜に形成された凹部に埋め込まれていることを特徴とする請求項1、3、4のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記有機膜は、犠牲膜であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記凹部は多層配線構造における上層と下層との配線同士を接続する電極を埋め込むためのビアホールであることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 前記有機膜は炭素を主成分とすることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板に対してエッチングを行うプラズマ処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは請求項1ないし8のいずれか一に記載の半導体装置の製造方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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