JPS5887824A - 微細加工方法 - Google Patents
微細加工方法Info
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- JPS5887824A JPS5887824A JP18639781A JP18639781A JPS5887824A JP S5887824 A JPS5887824 A JP S5887824A JP 18639781 A JP18639781 A JP 18639781A JP 18639781 A JP18639781 A JP 18639781A JP S5887824 A JPS5887824 A JP S5887824A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分封
本発明は、微細パターンの形成方法に係わり、−−１−
１ｎｒ＝ 付ＦＣ取左を季」−１゛る七ａ刀１１工物に本り展良い
パターンをノｔ、； １ｉｔ−ｉ’ることのできる音軸
加工方法に圓する。
１ｎｒ＝ 付ＦＣ取左を季」−１゛る七ａ刀１１工物に本り展良い
パターンをノｔ、； １ｉｔ−ｉ’ることのできる音軸
加工方法に圓する。
（２） ルし末技６トＪ
近時、午碑体紫子の懺細化および筒彷度化Ｖこ伴ｉい、
パターン形成工程において形成さ扛るレジストパターン
に対して要求される解低度や断面形状には非常に困難な
ものが多く、通當のフォトレジストのみではその連載が
困姫となっている。イ、′こで最ガｊ１上配賛求を満足
するものとじで多ノ留押ｆ造を用いる機料［力［１Ｔカ
伝が提案芒れている。例λけ、１５０ｔｈＥＣδ（１９
７６Ｆａ １ １ ） Ｂ、４ｅｅｔｊｎｇ
Ｆ〕ｘｔ、ｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ Ｖ
ｏｌ１７６−２，７４３〜７４４或いはＪ。Ｖａｃ 、
５ｃｉＴｅｃｈｎｏｌ １６ （６） Ｎｏｖ、４）
ｅｃ、１９７９Ｐ １６２０に詳しく述べもねている。
パターン形成工程において形成さ扛るレジストパターン
に対して要求される解低度や断面形状には非常に困難な
ものが多く、通當のフォトレジストのみではその連載が
困姫となっている。イ、′こで最ガｊ１上配賛求を満足
するものとじで多ノ留押ｆ造を用いる機料［力［１Ｔカ
伝が提案芒れている。例λけ、１５０ｔｈＥＣδ（１９
７６Ｆａ １ １ ） Ｂ、４ｅｅｔｊｎｇ
Ｆ〕ｘｔ、ｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ Ｖ
ｏｌ１７６−２，７４３〜７４４或いはＪ。Ｖａｃ 、
５ｃｉＴｅｃｈｎｏｌ １６ （６） Ｎｏｖ、４）
ｅｃ、１９７９Ｐ １６２０に詳しく述べもねている。
これらの４１ｉＬ楽に、被加工物上にスピンコードされ
た有桜物映上に錘、機動からなるマスクパターンを形成
し、酸累ガスを用いるドライエツチング法により有機物
膜を所望パターンにエツチングし、その後肩伎物膜をマ
スクとして被加工物をエツチングする方法で２− ある。そして、下地抜力１ｊ工物の表（［１１攻飲に拘
りなく有機物膜を精度良くバターニンクすることができ
、これにより抜力１１工物の加工り度向上をはかりイ妊
る等のオリ点がある。
た有桜物映上に錘、機動からなるマスクパターンを形成
し、酸累ガスを用いるドライエツチング法により有機物
膜を所望パターンにエツチングし、その後肩伎物膜をマ
スクとして被加工物をエツチングする方法で２− ある。そして、下地抜力１ｊ工物の表（［１１攻飲に拘
りなく有機物膜を精度良くバターニンクすることができ
、これにより抜力１１工物の加工り度向上をはかりイ妊
る等のオリ点がある。
（３）従末技価の問題点
跨１］記した多層構造を用いる微油１２１１１ Ｉ方法
では、有機物膜のエツチングに反応付ガスとして際素を
用いているが、酸素ガスを用いるトライエツチング処理
に有機物腹下から無用する下地被加工物表面に酸化処理
効果を生む。このため、万機物膜にＰｊＴ望パターンを
形成したのちに−を地被加工物をエツチング加工する場
合、上記酸化処理を受けた光面が扱方１１工９勿エツチ
ングの凶）のマスクとなり、エツチングの不均一＋１を
招く。また、万機物膜に所望パターンを形成したのちに
下地被加工Ｉ物上にリフトオフ法を用いてｌ！Ｉｌ′、
餡制料を残す場合、上糺絃化処Ｊ！Ｊ＋全受（Ｊた衣…
１が配線の接触抵抗（ｉｌ−増大さぜる婢の欠点があっ
に０（４）発明の目的 本発明は、このような４４悄を堝鈷ノ１．てなされたも
ので、その目的とするところは、磁力１１工１勿上の有
機物膜のエツチングの際に波力１１工物入面が酸化され
るのを防止することがでさ、核力［ｌ１物のエツチング
の均一性向上をはかり侍ると共に、被加工物上に形成す
る配線の？ｌ＆夾性向上等に奇−与し得る微細加工方法
を提供することにある０ （５）発明の賛旨 前記酸化処理効果を防止することを目的として本発明名
等が鋭意研死を１ねた結末、重機物膜のエツチング時に
酸素ガスの代りに水系ガスや窒素ガス等の酸化処理を伴
なわない反応性カスを用い扛はよいことを見出した。た
たし、これらのガスｉ［＆素カスに比してエツチング速
度が遅いのでエツチング時間の堀大金招く。エツチング
時間を短縮したい場合、冶悔物膜のエツチング前半には
エツチング速度の速い酸素カスを用い、下地被加工物表
面が路用するｌｋ前から酸化処理を伴なわないと反応性
ガスを用いればよい。
では、有機物膜のエツチングに反応付ガスとして際素を
用いているが、酸素ガスを用いるトライエツチング処理
に有機物腹下から無用する下地被加工物表面に酸化処理
効果を生む。このため、万機物膜にＰｊＴ望パターンを
形成したのちに−を地被加工物をエツチング加工する場
合、上記酸化処理を受けた光面が扱方１１工９勿エツチ
ングの凶）のマスクとなり、エツチングの不均一＋１を
招く。また、万機物膜に所望パターンを形成したのちに
下地被加工Ｉ物上にリフトオフ法を用いてｌ！Ｉｌ′、
餡制料を残す場合、上糺絃化処Ｊ！Ｊ＋全受（Ｊた衣…
１が配線の接触抵抗（ｉｌ−増大さぜる婢の欠点があっ
に０（４）発明の目的 本発明は、このような４４悄を堝鈷ノ１．てなされたも
ので、その目的とするところは、磁力１１工１勿上の有
機物膜のエツチングの際に波力１１工物入面が酸化され
るのを防止することがでさ、核力［ｌ１物のエツチング
の均一性向上をはかり侍ると共に、被加工物上に形成す
る配線の？ｌ＆夾性向上等に奇−与し得る微細加工方法
を提供することにある０ （５）発明の賛旨 前記酸化処理効果を防止することを目的として本発明名
等が鋭意研死を１ねた結末、重機物膜のエツチング時に
酸素ガスの代りに水系ガスや窒素ガス等の酸化処理を伴
なわない反応性カスを用い扛はよいことを見出した。た
たし、これらのガスｉ［＆素カスに比してエツチング速
度が遅いのでエツチング時間の堀大金招く。エツチング
時間を短縮したい場合、冶悔物膜のエツチング前半には
エツチング速度の速い酸素カスを用い、下地被加工物表
面が路用するｌｋ前から酸化処理を伴なわないと反応性
ガスを用いればよい。
本発明は、このような点に崩目し、被加工物上にスピン
コードてれたイ」機動ｊ模をドライナッナング汰により
所望パターンに泗択エツチングしたのち、該万機物膜を
マスクとして被加工物をエツチングするｋ ＃＋＋ ７
ＪＩＩ工方法において、上記廟伍物膜のエツチングに艮
し少なくとも被加工物表面が窮出するエツチング加工に
初（力１１１工物面の酸化を伴なわ乃い反応＋ｊカスを
用い乙ようにした方法である。
コードてれたイ」機動ｊ模をドライナッナング汰により
所望パターンに泗択エツチングしたのち、該万機物膜を
マスクとして被加工物をエツチングするｋ ＃＋＋ ７
ＪＩＩ工方法において、上記廟伍物膜のエツチングに艮
し少なくとも被加工物表面が窮出するエツチング加工に
初（力１１１工物面の酸化を伴なわ乃い反応＋ｊカスを
用い乙ようにした方法である。
（６）発明の効果
したがって本発明によれＶｌ、級加］ニ物表ｍ１を飲化
さ七、ることなく有機物膜を弄゛択エツチングすること
ができる。このため、抜Ｍ＋する波力ｊ１工物のエツチ
ングを均−Ｎ１ｇ艮＜ ｒ、ｒ ｆｆうことかでき、さ
らに被加工物上に形成する配糾拐科と核力Ｉ［工物との
接触抵抗増大を防ｒ）−Ｌ侍る叫の効果を奏する。
さ七、ることなく有機物膜を弄゛択エツチングすること
ができる。このため、抜Ｍ＋する波力ｊ１工物のエツチ
ングを均−Ｎ１ｇ艮＜ ｒ、ｒ ｆｆうことかでき、さ
らに被加工物上に形成する配糾拐科と核力Ｉ［工物との
接触抵抗増大を防ｒ）−Ｌ侍る叫の効果を奏する。
（７）発明の実施例ｊ
υ下、不覚ゆ］の計細全図ボの抜施％によって説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｄ）に本発明の一実施例に係わるＭＯ
Ｓ トランジスタ製輩工ｅＰ、を示す廉［面図である。
Ｓ トランジスタ製輩工ｅＰ、を示す廉［面図である。
まず、第１図（ａ）に示す如くＰ型シリコン基板１上に
胤知の方法によりフィールド酸化膜２゜ケート岐化膜３
．多結晶シリコンゲート４およびソース・ドレイン領域
５を形成した。次いで、第１図（ｂ）に示す如く基板ｌ
の主面上にシリコン酸化膜６をＣＶＤ法により堆極し、
このシリコン酸化膜６にコンタクトホールを開孔したの
ち、全面にＡＡ！−８ｔ合金膜７を堆積した。次に、Ａ
ｌ−８ｉ合金膜ｚ上に裁１図（ｃ）に示す如く第１のフ
ォトレジスト８ （１機物膜）を２〔μｍ〕の厚さに回
転堡布し、このレジスト８′計２００（’］］にて焼き
しめた。ここ１、レジスト８の回転筒布により下地Ａｌ
Ｓｔ合金膜７の段差に拘りなくその表面が平担化烙れ
た。続いて、レジスト８上にモリブデンシリサイド膜９
を０１〔μｍ〕の厚さにスパッタ蒸増し、このモリブデ
ンシリサイド腺９上に第２のフォトレジスト１０を回転
塗布したのち、光露光技術を用いてレジストパターン１
ノを形成した。
胤知の方法によりフィールド酸化膜２゜ケート岐化膜３
．多結晶シリコンゲート４およびソース・ドレイン領域
５を形成した。次いで、第１図（ｂ）に示す如く基板ｌ
の主面上にシリコン酸化膜６をＣＶＤ法により堆極し、
このシリコン酸化膜６にコンタクトホールを開孔したの
ち、全面にＡＡ！−８ｔ合金膜７を堆積した。次に、Ａ
ｌ−８ｉ合金膜ｚ上に裁１図（ｃ）に示す如く第１のフ
ォトレジスト８ （１機物膜）を２〔μｍ〕の厚さに回
転堡布し、このレジスト８′計２００（’］］にて焼き
しめた。ここ１、レジスト８の回転筒布により下地Ａｌ
Ｓｔ合金膜７の段差に拘りなくその表面が平担化烙れ
た。続いて、レジスト８上にモリブデンシリサイド膜９
を０１〔μｍ〕の厚さにスパッタ蒸増し、このモリブデ
ンシリサイド腺９上に第２のフォトレジスト１０を回転
塗布したのち、光露光技術を用いてレジストパターン１
ノを形成した。
久に、前ｉ［：レジヌト１０を一マスクとしてドライエ
ツチング法によりモリブデンシリサイド膜９を選択エツ
チングした。このとき、エツチングに使用したガスにＣ
Ｆ４と０．との混合カスであり、捷た圧力３ ＣＯ（ｒ
ｎ′ｒｏｒｒ ） 、Ｉｉｈ力５００〔Ｗ〕とした。次
いで、Ｉ（力帽−ドライエツチング法によりモリブデン
シリ゛す′イドｌｌｃ＞ ９をマスクとし′ＴＴＴｉＯ
２ォトレジスト８を選択エツチングした。このとき使用
したカス＆、ｌ’ １１２ とＮ、との混合カスであり
、また圧力５ ［〃１Ｔｏｒ ｒ ） ＋ ７ｉｌ力２
００（Ｗ）とし、た。そしてこの１λ！ｉ 台、レジス
ト８が完全にエツチングσれに局点でもＡｅ−８ノ合金
映７の入面は酸化芒れｔ：かった。しかるのち、異方杓
ドライエツチング法により上記レジスト８およびモリブ
デンシリサイド膜９をマスクと■７て扼１図（ｄ）に示
す如＜Ａｇ−８ノ合金１１１ｄ ７を〕〉り択エツナン
グした。この１１゛き使用ｌした反応１トカスｉＪ、Ｃ
Ｃｌ＋（カス１５７１１ ’ｆ’ｏｒｒ ） とＣ１（
ガス圧２５ ｍ Ｔｏｒｒ ）との混合ガスであり、ま
た人力漏周波電力ｌｌ″１８５（Ｗ）とした。かくして
形成されたＭＯ８Ｉ−ランジスタの配か２パターンＱ′
ｉ極めて柑度の商いものであった。
ツチング法によりモリブデンシリサイド膜９を選択エツ
チングした。このとき、エツチングに使用したガスにＣ
Ｆ４と０．との混合カスであり、捷た圧力３ ＣＯ（ｒ
ｎ′ｒｏｒｒ ） 、Ｉｉｈ力５００〔Ｗ〕とした。次
いで、Ｉ（力帽−ドライエツチング法によりモリブデン
シリ゛す′イドｌｌｃ＞ ９をマスクとし′ＴＴＴｉＯ
２ォトレジスト８を選択エツチングした。このとき使用
したカス＆、ｌ’ １１２ とＮ、との混合カスであり
、また圧力５ ［〃１Ｔｏｒ ｒ ） ＋ ７ｉｌ力２
００（Ｗ）とし、た。そしてこの１λ！ｉ 台、レジス
ト８が完全にエツチングσれに局点でもＡｅ−８ノ合金
映７の入面は酸化芒れｔ：かった。しかるのち、異方杓
ドライエツチング法により上記レジスト８およびモリブ
デンシリサイド膜９をマスクと■７て扼１図（ｄ）に示
す如＜Ａｇ−８ノ合金１１１ｄ ７を〕〉り択エツナン
グした。この１１゛き使用ｌした反応１トカスｉＪ、Ｃ
Ｃｌ＋（カス１５７１１ ’ｆ’ｏｒｒ ） とＣ１（
ガス圧２５ ｍ Ｔｏｒｒ ）との混合ガスであり、ま
た人力漏周波電力ｌｌ″１８５（Ｗ）とした。かくして
形成されたＭＯ８Ｉ−ランジスタの配か２パターンＱ′
ｉ極めて柑度の商いものであった。
コノｊ ウに、’Ｅ笑Ｔｈｅ！１方法Ｋ ｊｔｌ：Ｉ、
Ａｌ１−８ノ合金膜７に臥化処炊が加わらない条件でシ
３１のフォトレジスタ８がエツチングされるため、次工
程のＡ ｅ −８ｉ合金膜７のエツチングにおける残滓
物の発生を抑制することができる。このため、配給量リ
ークを低減することが可ｈｌ−！となったのみならず、
醜化朕発生に起因するエツチング速度か：下を防止し、
エツチングの均一１４１ｉｉＪ上をはかりもｉる。
Ａｌ１−８ノ合金膜７に臥化処炊が加わらない条件でシ
３１のフォトレジスタ８がエツチングされるため、次工
程のＡ ｅ −８ｉ合金膜７のエツチングにおける残滓
物の発生を抑制することができる。このため、配給量リ
ークを低減することが可ｈｌ−！となったのみならず、
醜化朕発生に起因するエツチング速度か：下を防止し、
エツチングの均一１４１ｉｉＪ上をはかりもｉる。
第２図（ａ）〜（ｇ）に不発ゆ」の他の夾施セ・１ＶＣ
負わるシリコンゲート彬成工程を示す鮪「］］図である
。
負わるシリコンゲート彬成工程を示す鮪「］］図である
。
まず、ν２ン、１（ａ）に示す如くＰ梨シリコン基杉２
１上に下地酸化膜２２を介して多結晶シリコン膜２３お
よび窒化シリコンｐ、ｚ４を１１１１４次形成した。次
いで、窒化シリコン膜２４−Ｆ−にｔ／シスト２５を塗
布し光露光法により助望の素子分離用のレジストパター
ン２６を形成し、その捗レジスト２５をマスクとして８
１４２図（ｂ） ＶＣ示す如く窒化シリコン族２４を選
択エツチングした。そして、レジスト２５および窒化シ
リコンｉｌＱ ２４をマスクとして、チャネルストッパ
としてのボロン（Ｂ”）を４１２６１人した。次いで、
レジスト２５を除去したのち、窒化シリコンｊ眞２４を
マスクとして多結晶シリコン１１１：ｔ’＋ ２３を選
択酸化しフィールド酸化族２７を形１＋ｊ−４−る。さ
らに第２図（ｅ）に示す如く窒化シリコンｌｐ、１２４
、多結晶シリコンｌｌ！！ ２：ｔ ＞よび−ト地酸
化＋＋＊ ２２を除去したのち、ゲート１１シ化ｊ１４
＋ ２８（ｌｌｋｌ厚５００Ａ）ｒ熱眼゛化沃により形
成し六。次Ｖ（−１第２１ン）（ｄ）に示す如く醇化力
募２７．２８十に不利；←・をトープした多結晶シリコ
ンｊ俟２９ （膜）ＬＪ、４０００ Ａ）を被層する。
１上に下地酸化膜２２を介して多結晶シリコン膜２３お
よび窒化シリコンｐ、ｚ４を１１１１４次形成した。次
いで、窒化シリコン膜２４−Ｆ−にｔ／シスト２５を塗
布し光露光法により助望の素子分離用のレジストパター
ン２６を形成し、その捗レジスト２５をマスクとして８
１４２図（ｂ） ＶＣ示す如く窒化シリコン族２４を選
択エツチングした。そして、レジスト２５および窒化シ
リコンｉｌＱ ２４をマスクとして、チャネルストッパ
としてのボロン（Ｂ”）を４１２６１人した。次いで、
レジスト２５を除去したのち、窒化シリコンｊ眞２４を
マスクとして多結晶シリコン１１１：ｔ’＋ ２３を選
択酸化しフィールド酸化族２７を形１＋ｊ−４−る。さ
らに第２図（ｅ）に示す如く窒化シリコンｌｐ、１２４
、多結晶シリコンｌｌ！！ ２：ｔ ＞よび−ト地酸
化＋＋＊ ２２を除去したのち、ゲート１１シ化ｊ１４
＋ ２８（ｌｌｋｌ厚５００Ａ）ｒ熱眼゛化沃により形
成し六。次Ｖ（−１第２１ン）（ｄ）に示す如く醇化力
募２７．２８十に不利；←・をトープした多結晶シリコ
ンｊ俟２９ （膜）ＬＪ、４０００ Ａ）を被層する。
次いでム１２図（ｅ）にカぐず如く多結晶シリコン膜２
９上に第１のレジス） ｓ ｏヲ２〔μｍ〕 形成し、
このレジスト３０を２０（［’０）にて焼きしめ、ざら
にレジスト３０ ｋ：、にシリコン窒化膜３ノ （膜Ｊ
ｖ、 １００１） Ａ、 ）をスパッタ蒸詣法により形
成した。そして、シリコン窒化膜−９−１，、、ｑ ３１、に、に銅２のレジスト３２を回転箆布し′ｆｃ後
、電子脚妬光技術により （加速筆圧２０ＫｅＶ 照射
−１０μｃ／ｃｒｎ２）レジストパターン３３−を形成
した。
９上に第１のレジス） ｓ ｏヲ２〔μｍ〕 形成し、
このレジスト３０を２０（［’０）にて焼きしめ、ざら
にレジスト３０ ｋ：、にシリコン窒化膜３ノ （膜Ｊ
ｖ、 １００１） Ａ、 ）をスパッタ蒸詣法により形
成した。そして、シリコン窒化膜−９−１，、、ｑ ３１、に、に銅２のレジスト３２を回転箆布し′ｆｃ後
、電子脚妬光技術により （加速筆圧２０ＫｅＶ 照射
−１０μｃ／ｃｒｎ２）レジストパターン３３−を形成
した。
次に、ＣＦ、とＨ，カスとの混合ガスを用いたドライエ
ツチング法により、第２図（ｆ）に示す如く窒化シリコ
ン１Ｍ３１をエツチングしに０このときのエツチング圧
力ｐ、 ５ （ｒｎＴｏｒｒ ） 、入力高周波電力は
２００ （Ｗ）とした。次いで、削配艶２のレジスト３
２および９化シリコン謄３１ヲマスクとして第１のレジ
スト３０を異方性ドライエツチング法によりエツチング
した。このときのエツチングσ罰十部とも・半部とに分
け、前半部はＯ，カス（５ｍ Ｔｏｒｒ ）によるエツ
チングであり後半部はＨ，カスと、Ａｒガスとの混合ガ
ス（５ｍＴｏｒｒ）であり、入力高周波電力は共に２０
０（Ｗ）であった。そし７てこの場合、レジスト３０の
エツチングが長子した一点におしても多結晶シリコン膜
２９のム・面が酸化されなかった。しかるのち、第２図
（ｇ） ｖｃ示す如く窒１０− 化シリコン３１および絹１のレジスト３０ｆマスクとし
て、多結晶シリコン族２９をドライエツチングし、ケー
ト１Ｊａ、極をノｌ成し７こ。〃・くして形成されたケ
ート霜、極ｔｕ販昌１１−に丈・」シ極めて相度艮いも
のであった。
ツチング法により、第２図（ｆ）に示す如く窒化シリコ
ン１Ｍ３１をエツチングしに０このときのエツチング圧
力ｐ、 ５ （ｒｎＴｏｒｒ ） 、入力高周波電力は
２００ （Ｗ）とした。次いで、削配艶２のレジスト３
２および９化シリコン謄３１ヲマスクとして第１のレジ
スト３０を異方性ドライエツチング法によりエツチング
した。このときのエツチングσ罰十部とも・半部とに分
け、前半部はＯ，カス（５ｍ Ｔｏｒｒ ）によるエツ
チングであり後半部はＨ，カスと、Ａｒガスとの混合ガ
ス（５ｍＴｏｒｒ）であり、入力高周波電力は共に２０
０（Ｗ）であった。そし７てこの場合、レジスト３０の
エツチングが長子した一点におしても多結晶シリコン膜
２９のム・面が酸化されなかった。しかるのち、第２図
（ｇ） ｖｃ示す如く窒１０− 化シリコン３１および絹１のレジスト３０ｆマスクとし
て、多結晶シリコン族２９をドライエツチングし、ケー
ト１Ｊａ、極をノｌ成し７こ。〃・くして形成されたケ
ート霜、極ｔｕ販昌１１−に丈・」シ極めて相度艮いも
のであった。
このように本実施例方法ＶＣ工れＱ」、先にＵ（明した
実施例と同様に、抜力（１工′１／りとし一〇の多結晶
シリコン膜２９の人山１が削化処七１１ｒ受Ｕないので
、多結晶シリコン膜２９のエツチングの均−杓＝向上を
はかり得る。また、多結晶シリコン）模２９ｏトの第ル
ジスト３０のドライエツチングに際シフ、エツチング前
半はエツチング時間の速い０２ガスを使用し、−［ツチ
ング鋏牛は、多結晶シリコン膜２９の表１川醇化紫伴わ
ない１１．とＡｒ との混合ガスを使用しているので、
エツチング時間の増大を抑λることができるもの４１」
点がある。
実施例と同様に、抜力（１工′１／りとし一〇の多結晶
シリコン膜２９の人山１が削化処七１１ｒ受Ｕないので
、多結晶シリコン膜２９のエツチングの均−杓＝向上を
はかり得る。また、多結晶シリコン）模２９ｏトの第ル
ジスト３０のドライエツチングに際シフ、エツチング前
半はエツチング時間の速い０２ガスを使用し、−［ツチ
ング鋏牛は、多結晶シリコン膜２９の表１川醇化紫伴わ
ない１１．とＡｒ との混合ガスを使用しているので、
エツチング時間の増大を抑λることができるもの４１」
点がある。
（８）発向の変形例
本発明は上述した各実施例しこ眠デし８註るものでにな
く、その要旨を進脱しない重巳し１１で、神々変ルして
実施することができる。例えは、前組七機動ル１１エツ
チングｂ、＋のカス圧や入力面ｈ″Ｕ波重力等の条粁Ｃ
１１仕様に応じて〕１・４′目足めれはよいのは勿論の
ことである。また、八〇）Ｓ ）ランジスタ襞逓やソ
リコンケート形成烙の他Ｖｒ、谷柚半導体索すの製造Ｖ
Ｃ適用することができる。
く、その要旨を進脱しない重巳し１１で、神々変ルして
実施することができる。例えは、前組七機動ル１１エツ
チングｂ、＋のカス圧や入力面ｈ″Ｕ波重力等の条粁Ｃ
１１仕様に応じて〕１・４′目足めれはよいのは勿論の
ことである。また、八〇）Ｓ ）ランジスタ襞逓やソ
リコンケート形成烙の他Ｖｒ、谷柚半導体索すの製造Ｖ
Ｃ適用することができる。
第１１ヌ直ａ）〜（ｄ）はＩｏｉの一実施例１に係わる
ＭＯＳ ）ランジスタ製造工相を壓す障１面図、第２
区［（ａ）〜（ｇ）け１１↑１の央加例ＶＣ係わるシリ
コンゲート形成工Ａ４・１を７５す断［ｆＩｊ図でめる
。 １、Ｊ？）・・・Ｐへンシリコン基板、２．２７山フイ
ールドＹ化膜、３，２８・ケート酩゛化膜、４・・・多
結晶シリコンゲート、６・・・ノリコン酸化膜、７−＝
Ａ６−８ｌ 合金ｌＩ１．！（ｍ力１＋工％ｔ） 、ｓ
、 ｓ ｏ、、。 第１のレジスト （有ｍ’ｆｌｋ） 、９・・・モリブ
デンンリザイド膜、１０，３２・・・シフ２のレジスト
、２９・・・多結晶シリコンｒｉＩ：ｔ、 （伝力１１
１牧Ｊ）、３ノ・・・シリコン窒化膜。
ＭＯＳ ）ランジスタ製造工相を壓す障１面図、第２
区［（ａ）〜（ｇ）け１１↑１の央加例ＶＣ係わるシリ
コンゲート形成工Ａ４・１を７５す断［ｆＩｊ図でめる
。 １、Ｊ？）・・・Ｐへンシリコン基板、２．２７山フイ
ールドＹ化膜、３，２８・ケート酩゛化膜、４・・・多
結晶シリコンゲート、６・・・ノリコン酸化膜、７−＝
Ａ６−８ｌ 合金ｌＩ１．！（ｍ力１＋工％ｔ） 、ｓ
、 ｓ ｏ、、。 第１のレジスト （有ｍ’ｆｌｋ） 、９・・・モリブ
デンンリザイド膜、１０，３２・・・シフ２のレジスト
、２９・・・多結晶シリコンｒｉＩ：ｔ、 （伝力１１
１牧Ｊ）、３ノ・・・シリコン窒化膜。
Claims (2)
- （１）段差を有する伝カニエセク上ｖＣ壱−＋Ａ物族を
スピンコードしてその表門を平作化したのち、ドライエ
ツチング法を用Ｖ、て上計有顎物膜を所望パターンに選
択エツチングし、しかるのち上記有機物膜をマスクとし
て上記被加工物を選択エツチングする微細加工刃、去に
おいて、前記有機物膜のエツチングに際し少なくとも前
記被加工物表面がンｈ出するエツチング２２ｃ午には該
抜力ｌ・工物衣面の醸化を伴なわない反応快刀スを用い
ることを特徴とする偏−糺１刀仁・工方法。 - （２） 前記反応、性ガスとして、水素酸いに窒素を
名むガスを用いたことを待機とする％Ｆ詣「トオの剌囲
扼（１）項記載の音軸加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18639781A JPS5887824A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 微細加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18639781A JPS5887824A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 微細加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887824A true JPS5887824A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16187678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18639781A Pending JPS5887824A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 微細加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887824A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913329A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPS60170238A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ドライエツチング方法 |
| EP0195477A2 (en) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer - consisting of poly Si and a silicide - present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma |
| US5266157A (en) * | 1990-10-04 | 1993-11-30 | Sony Corporation | Dry etching method |
| WO2000010199A1 (en) * | 1998-08-17 | 2000-02-24 | Lam Research Corporation | Low capacitance dielectric layer etching using hydrogen-nitrogen plasma |
| US6383931B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-07 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
| US6429140B1 (en) * | 1996-10-24 | 2002-08-06 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of etching of photoresist layer |
| US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP18639781A patent/JPS5887824A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913329A (ja) * | 1982-07-03 | 1984-01-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPS60170238A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-03 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | ドライエツチング方法 |
| EP0195477A2 (en) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer - consisting of poly Si and a silicide - present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma |
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| WO2000010199A1 (en) * | 1998-08-17 | 2000-02-24 | Lam Research Corporation | Low capacitance dielectric layer etching using hydrogen-nitrogen plasma |
| US6114250A (en) * | 1998-08-17 | 2000-09-05 | Lam Research Corporation | Techniques for etching a low capacitance dielectric layer on a substrate |
| US6383931B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-07 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
| US6653734B2 (en) | 2000-02-11 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Convertible hot edge ring to improve low-K dielectric etch |
| US7252738B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
| US7867356B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-01-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing polymer deposition on a substrate and substrate support |
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