KR20200121380A - 플라즈마 분무 코팅을 갖는 지지 링 - Google Patents

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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용은 열 처리 챔버를 위한 지지 링에 관한 것이다. 지지 링은 폴리실리콘 코팅을 갖는다. 폴리실리콘 코팅은 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 형성된다.

Description

플라즈마 분무 코팅을 갖는 지지 링
본 개시내용의 양상들은 일반적으로, 기판들을 지지하는 데 사용되는 디바이스들, 및 그러한 디바이스들을 형성하기 위한 방법들에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 폴리실리콘 코팅을 갖는 지지 링에 관한 것이다.
반도체 디바이스들을 제조하기 위한 것과 같은 기판들의 처리에서, 적합한 처리 조건들이 처리 챔버에서 유지되는 동안 반도체 기판이 처리 챔버의 기판 지지부 상에 배치된다. 일 예에서, 기판 아래에 배치된 램프들을 활용하여 기판을 가열하기 위해 급속 열 처리(RTP) 챔버가 사용될 수 있다. 기판은 램프들로부터 방출된 전자기 에너지를 사용하여 600 ℃ 내지 1300 ℃의 온도 범위 내의 상승된 온도까지 급속 가열될 수 있다. 처리 동안, 기판은 기판의 주연부 주위에 배치되고 이를 지지하는 지지 구조, 예컨대, 에지 링에 의해 지지된다. 에지 링은 다른 지지 구조, 예컨대, 지지 링에 의해 더 지지된다.
에지 링 및 지지 링은 급속 가열 및 냉각의 다수의 주기들을 견딜 수 있는 물질들로 구성된다. 석영은 지지 링 구조를 위해 사용되는 통상의 물질이다. 기판에 의해 방출된 방사선에 민감한 방사선 검출기들은 종종, 기판의 온도를 결정하기 위해 기판 위의 영역에서 사용된다. 램프 방사선이 기판 위의 영역에 진입하는 것을 방지하는 것은, 그러한 방사선이 방사선 검출기들의 성능을 저해하는 것을 방지한다. 석영이 광 및 적외선 에너지에 대해 투명하기 때문에, 석영 지지 링은 석영 지지 링을 램프 방사선에 대해 불투명하게 만들기 위해 물질로 코팅될 수 있다.
증착 프로세스들, 예컨대, 화학 기상 증착(CVD)은 코팅들을 형성하는 데 일반적으로 사용된다. 그러나, 그러한 종래의 프로세스들은 많은 제한들을 겪는다. 예를 들어, 코팅될 링의 크기는 코팅을 형성하는 데 사용되는 증착 챔버의 크기에 의해 제한된다. 추가적으로, 링의 선택 영역들은 종종 코팅되지 않는다. CVD 프로세스들은, 코팅이, 링의 마스킹된 부분 상에 증착되는 것을 방지하기 위해, 고가이고 시간 소모적인, 링 상의 마스크들의 형성을 수반한다.
종래의 방법들, 예컨대, CVD를 사용하여 형성된 코팅들은 또한, 코팅들이 하부 표면에 접착되는 문제들을 겪는다. CVD 규소 코팅들은, 규소 코팅들이 위에 형성된 부분이 반복적으로 열 주기들을 겪은 후에 박리 및/또는 균열되기 시작한다. 그러한 박리 및 균열은 단지 몇 번의 열 주기들 이후에 발달하기 시작할 수 있다. 계속되는 박리 또는 균열은 결국, 규소로 코팅된 석영 지지 링들을 사용불가능하게 만든다.
이에 따라, 석영 지지 링들을 위한 개선된 코팅들에 대한 필요성이 존재한다.
일 양상에서, 처리 챔버는 측벽 및 바닥을 갖는 몸체를 포함한다. 덮개가 몸체에 결합되어 몸체에 처리 용적을 한정한다. 처리 작동 동안 기판을 가열하기 위해 처리 용적에 바닥 상에 복사 열원이 배치된다. 기판 지지부가 또한, 처리 용적에 배치된다. 기판 지지부는 에지 링, 지지 링, 및 지지 링에 결합된 지지 실린더를 갖는다. 지지 링은 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 지지 링 상에 형성된 코팅을 포함한다.
다른 양상에서, 기판 지지부는 내측 에지, 외측 에지, 내측 에지와 외측 에지 사이에 연장되는 제1 측, 및 제1 측에 대향하는, 외측 에지와 내측 에지 사이에 연장되는 제2 측을 갖는 링 몸체를 포함한다. 링 몸체 상에 코팅이 배치된다. 코팅은 플라즈마 분무 증착 프로세스에 의해 형성된다.
다른 양상에서, 석영으로 만들어진 지지 링 상에 코팅을 형성하는 방법이 개시된다. 방법은 지지 링을 세정하는 단계, 지지 링을 증착 영역에 위치시키는 단계 ― 증착 영역은 청정실임 ―, 및 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 코팅을 도포하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에 간략히 요약된 본 개시내용의 더 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이들 중 일부는 첨부 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부 도면들은 단지 예시적인 실시예들만을 예시하고 그러므로 그의 범위를 제한하는 것으로 간주되어서는 안 되며, 다른 동등하게 효과적인 실시예들을 허용할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
도 1은 본 개시내용의 일 실시예에 따른 급속 열 처리 챔버의 간략화된 등각도이다.
도 2는 본 개시내용의 일 실시예에 따른 지지 링의 부분 단면도이다.
도 3은 도 2의 지지 링의 확대된 부분에 대한 부분 단면도이다.
이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 공통된 동일한 요소들을 지시하는 데에 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있다는 것이 고려된다.
본 개시내용은 열 처리 챔버를 위한 지지 링에 관한 것이다. 지지 링은 지지 링에 의한 전자기 방사선의 투과를 제한하기 위한 폴리실리콘 코팅을 갖는다. 폴리실리콘 코팅은 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 형성된다.
도 1은 일 실시예에 따른 급속 열 처리 챔버(100)의 간략화된 등각도를 도시한다. 처리 챔버(100)는, 벽들(108), 바닥(110), 및 처리 용적(120)을 한정하는 덮개(112)를 갖는 챔버 몸체(102)를 포함한다. 벽들(108)은 처리 용적(120)에 배치된 기판 지지부(104)에 대한 기판(140)의 진입 및 진출을 용이하게 하기 위한 포트(148)를 포함한다. 포트(148)는 이송 챔버(도시되지 않음) 또는 로드 록 챔버(도시되지 않음)에 결합될 수 있고, 밸브, 예컨대, 슬릿 밸브(도시되지 않음) 또는 다른 격리 디바이스에 의해 선택적으로 밀봉될 수 있다.
냉각 블록(180)이 덮개(112)에 결합된다. 하나 이상의 냉각제 채널(184)이 냉각 블록(180)에 형성되고, 유입구 포트(181A) 및 배출구 포트(181B)를 통해 냉각제 공급원(182)과 유체 연통한다. 냉각 블록(180)은 특히, 프로세스 환경 저항성 물질, 예컨대, 스테인리스 강, 알루미늄, 중합체 또는 세라믹 물질로 만들어질 수 있다. 특히, 유체, 예컨대, 물, 에틸렌 글리콜, 질소(N2), 또는 헬륨(He)이, 냉각 블록(180)을 특정 온도로 또는 특정 온도 범위 내로 유지하기 위해 냉각제 채널들(184)을 통해 유동된다.
복사 열원(106)이 처리 용적(120)에 배치되고 챔버 바닥(110)에 결합된다. 복사 열원(106)은 하우징(132), 윈도우(114), 및 복수의 튜브들(160)로부터 형성된 램프 조립체를 포함한다. 각각의 튜브(160)는 반사기 및 전자기(EM) 방사선 공급원, 예컨대, 램프를 포함한다. 여기서, 튜브들(160)은 벌집형 배열로 배열된다. 그러나, 튜브들(160)의 다른 배열들이 활용될 수 있다. 복사 열원(106)은 가열 구역들, 예컨대, EM 방사선 공급원들의 동심 링들로 더 분할될 수 있고, 튜브들(160)에 배치된 EM 방사선 공급원들은 상이한 수준들의 EM 방사선을 방출하도록 제어된다.
윈도우(114) 및 하우징(132)은 처리 용적(120)으로부터 튜브들(160)을 격리시킨다. 윈도우(114)는 기판(140)을 가열하는 데 사용되는 복사 열원(106)에 의해 방출되는 EM 방사선에 실질적으로 투명한 물질로 만들어진다. 윈도우(114)는 전형적으로, 석영으로 만들어지지만, 다른 물질들, 예컨대, 사파이어가 사용될 수 있다. 리프트 핀들(144)은 기판(140)의, 기판 지지부(104) 상으로의 이송 또는 기판 지지부로부터의 제거를 용이하게 하기 위해 기판(140)에 선택적으로 접촉하고 그를 지지하도록 제공된다.
기판 지지부(104)는 복사 열원(106)과 냉각 블록(180) 사이에 배치된다. 기판 지지부(104)는 지지 실린더(154), 지지 링(150) 및 에지 링(152)을 포함한다. 지지 링(150)은 지지 실린더(154) 상에 놓인다. 에지 링(152)은 지지 링(150) 상에 놓이고 지지 링과 중첩된다. 에지 링(152)은 기판(140)의 처리를 위해 기판을 수용하기 위한 기판 지지 표면을 갖는다. 에지 링(152)은 전형적으로, 석영, 비정질 실리카, 또는 탄화규소로 형성되지만, 다른 물질들이 사용될 수 있다. 유사하게, 지지 링(150)은 전형적으로, 석영 또는 비정질 실리카로 형성되지만, 다른 물질들이 사용될 수 있다. 또한, 지지 링(150)은 폴리실리콘 코팅으로 코팅된다. 지지 링(150) 및 폴리실리콘 코팅의 세부사항들은 도 2 및 3을 참조하여 논의된다.
고정자 조립체(118)가 챔버 몸체(102) 외부에 배치되고 챔버 몸체의 벽들(108)에 외접한다. 고정자 조립체(118)는 챔버 몸체(102)의 처리 용적(120) 내에 배치된 기판 지지부(104)에 자기적으로 결합된다. 기판 지지부(104)는 회전자로서 기능하는 자기 부분을 포함하고, 따라서, 기판 지지부(104)를 리프트하고/하거나 회전시키기 위해 자기 결합을 형성한다. 고정자 조립체(118)는 고정자 조립체와 기판 지지부(104) 사이의 자기 결합을 사용하여 기판 지지부를 회전 및/또는 상승/하강시키도록 적응된다. 고정자 조립체(118)는 고정자 조립체에 복수의 전기 코일들(도시되지 않음)을 갖는다. 작동 동안, 고정자 조립체(118)는 정의된 간격들로 코일들에 일련의 전류들을 인가한다. 코일들 내의 전류들은 기판 지지부(104)의 자기 부분에 결합되는 일련의 자기장들을 생성한다. 전류들은, 코일들에 형성된 자기장들이 기판 지지부(104)의 자기 부분을 끌어당기고 기판 지지부(104)를 편향시켜 수직 축을 중심으로 회전시키도록, 코일들에 순서대로 인가된다.
분위기 제어 시스템(164)이 또한, 챔버 몸체(102)의 처리 용적(120)에 결합된다. 분위기 제어 시스템(164)은 챔버 압력을 제어하기 위해 밸브들 및/또는 진공 펌프들을 포함할 수 있다. 분위기 제어 시스템(164)은 또한, 프로세스 가스들 또는 다른 유형들의 가스들을 처리 용적(120)에 제공하기 위한 가스 공급원을 포함할 수 있다.
처리 챔버(100)는 또한, EM 방사선을 검출하도록 구성된 하나 이상의 센서(117)를 포함한다. 검출된 EM 방사선의 특성, 예컨대, 센서들(117)에 의해 측정된 파장 또는 강도는 처리 이전, 동안, 그리고/또는 이후의 기판(140)의 온도를 추론적으로 결정하기 위해 제어기(124)에 의해 사용된다. 여기서, 센서들(117)은 덮개(112)를 통해 배치되지만, 챔버 몸체(102) 내의 그리고 챔버 몸체 주위의 다른 위치들이 사용될 수 있다. 센서들(117)은, 예를 들어, 고온계들이다. 센서들(117)은 복사 열원(106)에 대해 한정된 가열 구역들에 대응하는 감지 영역들을 한정하는 패턴으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 센서들(117)의 어레이는, 동심 링들로서 배열된, 기판(140)에 걸친 감지 영역들을 한정하기 위해 방사상 구성으로 덮개(112)에 결합될 수 있다.
작동 동안, 기판(140)은 처리 챔버(100) 내로 그리고 기판 지지부(104) 상으로 로딩된다. 복사 열원(106)은, 기판 지지부(104)가 고정자 조립체(118)에 의해 회전되고 따라서 기판(140)을 그의 중심을 중심으로 회전시키는 동안 기판(140)을 원하는 처리 온도로 가열한다. 기판(140) 상에 이전에 증착된 층을 수정하거나 새로운 층을 증착시키기 위해 가스가 챔버 내로 유동된다. 처리 작동의 완료 후에, 기판(140)은 처리 챔버(100) 내에서 다른 처리 작동을 겪을 수 있다. 기판(140)의 처리가 완료된 후에, 기판(140)은 처리 챔버(100)로부터 제거된다.
도 2는 일 실시예에 따른 지지 링(250)의 단면도이다. 지지 링(250)은 급속 열 처리 챔버(100)에서 사용될 수 있다. 지지 링(250)은 내측 표면(202) 및 외측 표면(204)에 의해 한정되는 링 몸체(210)를 갖는 환형 부재이다. 내측 표면(202) 및 외측 표면(204)은 지지 링(250)의 중심 축(230)을 중심으로 동심이다. 링 몸체(210)는 또한, 제1 환형 견부(214)와 제2 환형 견부(212) 사이에서 연장되고 그에 결합되는, 제1 측(206) 및 제2 측(208)을 갖는다.
제1 환형 견부(214)는 링 몸체(210) 상에 제1 측(206) 상에 형성되고, 제1 측(206)과 내측 표면(202) 사이의 접합부에서, 그로부터 연장된다. 제1 환형 견부(214)는 대표적으로 상향(즉, 제2 측(208)으로부터 멀어지는) 방향으로, 링 몸체(210)의 제1 측(206)에 의해 실질적으로 한정된 평면으로부터 멀리 연장된다. 일 실시예에서, 제1 환형 견부(214)는 실질적으로 수직 방향으로, 제1 측(206)으로부터 멀리 연장된다. 제1 환형 견부(214)는 짝맞춤 지지 부재(도시되지 않음), 예컨대, 도 1의 에지 링(152) 상의 상보적 돌출부와 맞물린다.
제2 환형 견부(212)는 링 몸체(210) 상에 링 몸체의 제2 측(208) 상에 형성되고, 제2 측(208)과 외측 표면(204) 사이의 접합부에서 그로부터 연장된다. 여기서, 제2 환형 견부(212)는 대표적으로 하향 방향으로 그리고 제1 환형 견부(214)의 연장 방향의 반대 방향으로, 링 몸체(210)의 제2 측(208)에 의해 실질적으로 한정된 평면으로부터 멀리 연장된다. 제2 환형 견부(212)는 제3 지지 부재(도시되지 않음), 예컨대, 도 1의 지지 실린더(154)와 맞물린다. 그러므로, 환형 견부들(212, 214)은 에지 링(152) 및 지지 실린더(154)에 관하여 지지 링(250)에 대한 고정 위치결정을 제공한다.
지지 링(250)의 링 몸체(210)는, 특히, 석영, 탄화규소, 산화규소, 또는 세라믹과 같은 물질로 형성된다. 그러한 물질들은 링 몸체(210)의 원하는 물질 특성들, 예컨대, 기판들의 열 처리의 고온들에 의해 야기되는 열화에 대한 저항 및/또는 열 팽창 특징들을 위해 링 몸체(210)를 형성하는 데 사용된다. 그러나, 그러한 물질들은 또한, 열 처리를 위해 사용되는 EM 방사선에 대해 투과성이다. 처리 동안, 기판의 온도를 결정하는 데 사용되는 센서들, 예컨대, 도 1의 센서들(117)에 의한, 방사선의 검출을 개선하기 위해, 지지 링(250)을 통한 EM 방사선의 투과를 제한하거나 심지어는 방지하는 것이 바람직하다. 코팅(302)은, 도 3과 관련하여 더 설명되는 바와 같이, 지지 링(250)을 EM 방사선의 파장들의 일부 또는 심지어는 전부에 대해 부분적으로 또는 완전히 불투명하게 만들기 위해 제1 측(206) 상에 배치된다.
도 3은 코팅(302)을 갖는 지지 링(250)의 확대된 부분의 부분 단면도이다. 일 실시예에서, 코팅(302)은 다결정 규소(폴리실리콘) 물질로 형성된다. 코팅(302)은 약 10 미크론 내지 약 200 미크론, 예컨대, 약 10 미크론 내지 약 150 미크론의 두께(300)를 갖는다. 예를 들어, 코팅은 약 20 미크론 내지 약 120 미크론, 예컨대, 약 50 미크론 내지 약 100 미크론의 두께를 갖는다. 여기서, 코팅(302)은 제1 층(304), 제2 층(306), 및 제3 층(308)을 포함하는 3개 층들로 형성된다. 각각의 층(304, 306, 308)은 플라즈마 분무 증착 프로세스의 개별 주기(즉, "패스")로부터 동일한 물질로 형성된다. 또한, 각각의 층(304, 306, 308)은 두께가 실질적으로 동일하다. 그러나, 코팅(302)이 단일 층, 또는 임의의 다른 개수의 층들, 예컨대, 2개의 층들, 4개의 층들, 또는 5개의 층들로 형성될 수 있다는 것이 고려된다. 더 또한, 지지 링(250) 상에 다수의 코팅들이 형성될 수 있다. 또한, 각각의 코팅 및/또는 층이, 상이한 물질 또는 물질들의 조합으로 형성될 수 있고, 각각의 코팅 및/또는 층이, 상이한 두께를 가질 수 있다는 것이 고려된다.
일 실시예에서, 코팅(302)은 링 몸체(210)의 전체 표면 상에 균일하게 형성된다. 다른 실시예에서, 코팅(302)은 링 몸체(210)의 선택적 위치들 상에 형성된다. 예를 들어, 코팅(302)은 제1 측(206) 상에, 제2 측(208) 상에, 또는 제1 측(206) 및 제2 측(208) 양쪽 모두 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅(302)은 전체에 걸쳐 균일한 두께를 갖는다. 예를 들어, 코팅(302)은 ±20% 내의 두께 변동, 예컨대, ±15% 내의 두께 변동, 예컨대, ±10% 내의 두께 변동, 예컨대, ±5% 내의 두께 변동을 갖는다. 일 실시예에서, 코팅(302)은 ±40 미크론 내의 두께 변동, 예컨대, ±30 미크론 내의 두께 변동, 예컨대, ±20 미크론 내의 두께 변동, 예컨대, ±10 미크론 내의 두께 변동, 예컨대, ±5 미크론 내의 두께 변동, 예컨대, ±3 미크론 내의 두께 변동을 갖는다. 다른 실시예에서, 코팅(302)은 전체에 걸쳐 불균일한 두께를 갖는다. 예를 들어, 코팅(302)은 제1 균일한 두께를 갖는 내측 영역 및 제1 균일한 두께와 상이한 제2 균일한 두께를 갖는 외측 영역을 가질 수 있다. 다른 실시예에서, 코팅(302)은 내측 표면, 예컨대, 내측 표면(202)에서의 제1 단부로부터 방사상 외측 표면, 예컨대, 외측 표면(204)에서의 제2 단부까지 선형적으로 증가하는 두께를 갖는다.
코팅(302)은 방출된 EM 방사선의 투과를 감소시키거나 방지하기 위해, 원하는 광학 특성들, 예컨대, 굴절률 또는 불투명도에 관하여 구성된다. 예를 들어, 코팅(302)의 두께 및 물질들은 센서들, 예컨대, 방사선 검출기들의 작동 범위의 EM 방사선의 파장들의 투과를 방지하도록 선택될 수 있다. 일 실시예에서, 코팅(302)은 4 이상의 광학 밀도를 갖는다.
코팅(302)은 플라즈마 분무 증착 방법을 사용하여 형성된다. 예시적인 방법에서, 링 몸체(210)와 같은 부분이 먼저 세정된다. 그 다음, 부분은 증착 영역, 예컨대, 청정실 또는 배기된 후드에 공급되고, 여기서, 오염 입자들은 세정된 부분 상으로의 오염 입자들의 증착을 방지하도록 제어된다. 그 다음, 코팅은 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 부분에 도포된다. 일 실시예에서, 코팅은 코팅될 표면에 대해 대략 수직인 분무 각도, 예컨대, 코팅되는 표면에 대해 수직인 축의 10 도 내의 각도로 도포된다. 예를 들어, 코팅은 코팅되는 표면에 대해 수직인 축의 5 도 내의 분무 각도로 도포될 수 있다. 증착 동안, 증착 영역은 대기압 및 기온으로 유지된다. 코팅을 형성하는 데 사용되는 분말의 입자 크기가 제어된다. 증착된 코팅의 입자 크기는 증착된 층의 광학 특성들에 영향을 미친다. 코팅 물질은 폴리실리콘이다.
플라즈마 분무 증착 방법은 코팅(302)과 링 몸체(210) 사이의 접착을 개선한다. 또한, 증착이 증착 챔버의 외부에서 수행될 수 있기 때문에, 코팅될 링 몸체(210)의 크기는 플라즈마 분무 증착 방법에 의해 크기가 제한되지 않는다. 더 또한, 플라즈마 분무 증착 방법이 대기압 및 기온에서 수행될 수 있기 때문에, 코팅된 지지 링(250)의 제조 비용들이 상당히 감소된다. 마스킹 응용들에서, 링 몸체(210)의 일부가 코팅되지 않은 상태로 남아있을 때, 플라즈마 분무 증착 방법은 이 방법과 함께 사용되는 대기 조건들로 인해, 비용 효과적인 마스킹 기법들의 사용, 예컨대, 코팅이 형성되는 것이 바람직하지 않은 부분의 표면들 상에의 테플론 테이프의 적용을 허용하고 이는 고가의 마스킹 지그들 등의 활용을 제거한다. 본원에 설명된 플라즈마 분무 방법을 사용함으로써, 코팅(302)에는 석영 지지 링과 그 위에 형성된 코팅의 층들 사이의 양호한 계면 접착, 코팅 물질의 낮은 금속 오염, 및 전자기 방사선의 투과를 감소시키거나 방지하기 위한 높은 광학 밀도가 제공된다.
전술한 내용은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들은 그의 기본 범위로부터 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 그의 범위는 후속하는 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. 기판을 처리하기 위한 챔버로서,
    측벽 및 바닥을 갖는 몸체;
    상기 몸체에 결합되어 상기 몸체에 처리 용적을 한정하는 덮개;
    상기 바닥에 결합된 복사 열원; 및
    상기 처리 용적에 배치된 기판 지지부를 포함하고, 상기 기판 지지부는:
    에지 링;
    지지 실린더; 및
    상기 지지 실린더에 결합되고 상기 에지 링을 지지하도록 구성된 지지 링을 포함하고, 상기 지지 링은 플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 그 위에 형성된 코팅을 갖고, 상기 코팅은 전체에 걸쳐 균일한 두께를 갖는, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 링은 석영으로 형성되는, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 코팅은 폴리실리콘 코팅인, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 코팅은 10 미크론 내지 200 미크론의 두께를 갖는, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 코팅은 하나 초과의 층을 포함하는, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 코팅은 적어도 4의 광학 밀도 값을 갖는, 기판을 처리하기 위한 챔버.
  7. 기판 지지부로서,
    링 몸체 ― 상기 링 몸체는:
    내측 에지;
    외측 에지;
    상기 내측 에지와 상기 외측 에지 사이에 연장되는 제1 측; 및
    상기 제1 측에 대향하는, 상기 내측 에지와 상기 외측 에지 사이에 연장되는 제2 측을 포함함 ―; 및
    상기 링 몸체 상에 배치된 코팅을 포함하고, 상기 코팅은 전체에 걸쳐 균일한 두께를 갖고, 상기 코팅은 플라즈마 분무 증착 프로세스에 의해 형성되는, 기판 지지부.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 링 몸체는 석영으로 형성되는, 기판 지지부.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 코팅은 폴리실리콘 코팅인, 기판 지지부.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 코팅은 약 10 미크론 내지 약 200 미크론의 두께를 갖는, 기판 지지부.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 코팅은 하나 초과의 층을 포함하는, 기판 지지부.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 코팅은 적어도 4의 광학 밀도를 갖는, 기판 지지부.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 링 몸체는 상기 제1 측으로부터 연장되는 제1 환형 견부 및 상기 제2 측으로부터 연장되는 제2 환형 견부를 더 포함하고, 상기 제1 및 제2 환형 견부들은 서로 반대 방향으로 연장되는, 기판 지지부.
  14. 지지 링 상에 코팅을 형성하는 방법으로서,
    지지 링을 세정하는 단계 ― 상기 지지 링은 석영으로 형성됨 ―;
    상기 지지 링을 증착 영역에 제공하는 단계 ― 상기 증착 영역은 청정실임 ―; 및
    플라즈마 분무 증착 프로세스를 사용하여 코팅을 도포하는 단계 ― 상기 코팅은 전체에 걸쳐 균일한 두께를 가짐 ― 를 포함하는, 지지 링 상에 코팅을 형성하는 방법.
  15. 제16항에 있어서,
    상기 코팅은 폴리실리콘 코팅인, 지지 링 상에 코팅을 형성하는 방법.
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