JP5482282B2 - 載置台構造及び成膜装置 - Google Patents
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Description
請求項1及びこれを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内で有機金属化合物の原料ガスを用いて薄膜を被処理体に形成する際の載置台構造において、被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータが設けられた載置台本体と、載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路が設けられて、原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台とを備えるように構成したので、基台側には不要な薄膜が堆積することを抑制して被処理体の表面である必要な部分のみに薄膜を堆積させることができ、ドライクリーニング処理回数を抑制したり、或いはドライクリーニング処理自体をなくして原料自体の回収や原料に含まれる金属の回収を効率的に且つ低コストで行うことができる。
<成膜装置の第1実施例>
図1は本発明に係る載置台構造を有する成膜装置の第1実施例を示す概略構成図、図2は載置台構造の第1実施例を示す拡大断面図、図3は載置台構造の分解断面図、図4は載置台構造の第1実施例の一部を拡大した部分拡大断面図、図5は半導体ウエハ温度と成膜レートとの関係を示すグラフである。ここでは有機金属化合物の原料としてカルボニル系の有機金属化合物であるRu3 (CO)12を用い、キャリアガスとしてCO(一酸化炭素)を用いてRu金属膜よりなる薄膜を成膜する場合を例にとって説明する。
Ru3 (CO)12↑ ⇔ Ru3 (CO)12−x↑+XCO↑
Ru3 (CO)12−x↑+Q → 3Ru+(12−X)CO↑
Ru3 (CO)12↑+Q → 3Ru+12CO↑
ここで”⇔”は可逆的であることを示し、”↑”はガス状態であることを示し、”↑”が付いていないものは固体状態であることを示し、”Q”は熱量が加わることを示す。
上述した原料回収方法の第1実施例では基台116の温度を原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に設定してこの表面に不要な薄膜が堆積しないようにしたが、実際には、図7に示す載置台構造の部分拡大断面図のように、載置台構造22のエッジリング122の上面の内周側や上記シールドリング142の上面にRu膜の薄膜よりなる不要な薄膜160が付着する場合がある。あるいは半導体ウエハWの温度の面内均一性をより高く維持するために、エッジリング122の温度を150〜180℃程度の中温状態に保つこともある。
次に本発明の成膜装置の第2実施例について説明する。図11は本発明の成膜装置の第2実施例に用いる成膜装置本体を示す概略断面図、図12は成膜装置本体に用いるバッフル板の一例を示す平面図、図13は載置台構造の第2実施例を示す部分拡大断面図である。尚、図1乃至図10を参照して説明した構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
この原料回収方法の第4実施例では、先の原料回収方法の第2実施例と同様に、上記周辺部品232に後で除去されるコーティング膜を予め形成しておき、このコーティング膜上に上記不要な薄膜を付着させるようにして金属の回収処理を容易に行うようにしたものである。図15は本発明の原料回収方法の第4実施例を示すフローチャートである。この時のコーティング膜の形成された周辺部品の変化は先に図8を参照して説明した場合と同じであり、ここでは構成部品に替えて周辺部品が用いられる。この原料回収方法の第4実施例は、成膜工程において周辺部品の温度を原料ガスの分解温度以上にした点を除き、図9に示す第2実施例と同じである。すなわち、図15中のS31〜S37は、図9中のS11〜S17にそれぞれ対応する。
ここで上記原料回収方法の第4実施例に基づいて原料回収方法を実施してその評価を行ったので、評価結果について説明する。先に説明したプロセス条件でRu膜の成膜処理を行ったところ、原料の19%がウエハ表面に堆積し、原料の約80%を周辺部品232に堆積させることができた。そして、原料の3%が排気ガスと共に排気系へ排出された。上記周辺部品232に堆積した原料の内訳は、シールドリング142に4%、エッジリング122に7%及びカバーリング170に66%であった。このように、周辺部品232によって略77%の原料を回収することができ、本発明の原料回収方法の第4実施例の有効性を確認することができた。
14 成膜装置本体
16 原料ガス供給系
18 排気系
20 処理容器
22 載置台構造
26 加熱ヒータ
28 冷媒通路
38 ガス導入手段
46 原料タンク
74 補助トラップ機構
76 主トラップ機構
114 載置台本体
116 基台
120 ベース部
122 エッジリング(周辺部品)
124 熱伝導緩和部材
126 ボルト
128 断熱材
142 シールドリング(周辺部品)
164 コーティング膜
170 カバーリング(周辺部品)
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (33)
- 真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体を載置する載置台構造において、
前記被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータが設けられた載置台本体と、
前記載置台本体の側面と底面とを囲んだ状態で前記載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路が設けられて、前記原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持された基台とを有し、
前記基台は、内部に前記冷媒通路が設けられて前記載置台本体を支持する金属製のベース部と、該ベース部の周縁部に前記載置台本体の側面を囲むように起立させて設けられると共に前記ベース部と一体的に結合された金属製のエッジリングとよりなり、
前記ベース部と前記エッジリングとの間には、前記ベース部と前記エッジリングとを構成する金属よりも熱伝導性が低い金属よりなる熱伝導緩和部材が介設されていることを特徴とする載置台構造。 - 前記載置台本体と前記エッジリングとの間には、空間部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の載置台構造。
- 前記載置台本体は、その底部に断熱材を介して前記ベース部に支持されていることを特徴とする請求項1又は2記載の載置台構造。
- 前記ベース部と前記エッジリングとはボルトにより着脱可能に結合されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリングの上面は、前記被処理体の半径方向外方へ所定の長さだけ延びていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記載置台本体の側面と前記エッジリングの内周面との間には、着脱可能になされたシールドリングが設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリング上には、前記被処理体の側面に薄膜が形成されることを抑制するためのカバーリングが設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記シールドリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項6記載の載置台構造。
- 前記カバーリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項7記載の載置台構造。
- 前記コーティング膜は、金属材料の溶射膜、テフロン(登録商標)膜、メッキ膜の内のいずれか1つであることを特徴とする請求項8乃至10のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記基台は、前記処理容器の底部より起立された支柱により支持されていることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記基台を、前記原料ガスの分解温度未満で且つ固化温度又は液化温度以上の温度範囲に維持するように少なくとも温度制御する装置制御部を有することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 真空排気が可能になされた処理容器内で有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を表面に形成するための被処理体を載置する載置台構造において、
前記被処理体を載置すると共に内部に加熱ヒータが設けられた載置台本体と、
前記載置台本体を支持すると共に内部に冷媒を流す冷媒通路が設けられた金属製のベース部と、
前記載置台本体の外周側に、前記載置台本体を囲むようにして着脱可能に設けられると共に、薄膜形成時に前記原料ガスの分解温度以上の温度になされる周辺部品とを有し、
前記周辺部品の一部は、前記ベース部の周縁部に前記載置台本体の側面を囲むように起立させて設けられた金属製のエッジリングよりなり、前記載置台本体と前記エッジリングとの間には、両者間の熱伝導性を向上させるために部分的に熱伝導性促進部材が介設されていることを特徴とする載置台構造。 - 前記載置台本体と前記エッジリングとの間には、空間部が形成されていることを特徴とする請求項14記載の載置台構造。
- 前記載置台本体は、その底部に断熱材を介して前記ベース部に支持されていることを特徴とする請求項14又は15記載の載置台構造。
- 前記ベース部と前記エッジリングとはボルトにより着脱可能に結合されていることを特徴とする請求項14乃至16のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリングの上面は、前記被処理体の半径方向外方へ所定の長さだけ延びていることを特徴とする請求項14乃至17のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記ベース部と前記エッジリングとの間には、前記ベース部と前記エッジリングとを構成する金属よりも熱伝導性が低い金属よりなる熱伝導緩和部材が介設されていることを特徴とする請求項14乃至18のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記載置台本体の上部側面と前記エッジリングの上部内周面との間には、着脱可能になされたシールドリングが設けられており、該シールドリングは前記周辺部品の一部を構成することを特徴とする請求項14乃至19のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリング上には、前記被処理体の側面に薄膜が形成されることを抑制するためのカバーリングが設けられており、該カバーリングは前記周辺部品の一部を構成することを特徴とする請求項14乃至20のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記エッジリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項14乃至21のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記シールドリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項20記載の載置台構造。
- 前記カバーリングの表面には、コーティング膜が施されていることを特徴とする請求項21記載の載置台構造。
- 前記コーティング膜は、金属材料の溶射膜、テフロン(登録商標)膜、メッキ膜の内のいずれか1つであることを特徴とする請求項22乃至24のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記周辺部材を、薄膜形成時に前記原料ガスの分解温度以上の温度になるように少なくとも温度制御する装置制御部を有することを特徴とする請求項14乃至25のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記ベース部は、前記処理容器の底部より起立された支柱により支持されていることを特徴とする請求項1乃至26のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記有機金属化合物は、Ru3 (CO)12、W(CO)6 、Ni(CO)4 、Mo(CO)6 、Co2 (CO)8 、Rh4 (CO)12、Re2 (CO)10、Cr(CO)6 、Os3 (CO)12、Ta(CO)5 、TEMAT(テトラキスエチルメチルアミノチタニウム)、TAIMATA、Cu(EDMDD)2 、TaCl5 、TMA(トリメチルアルミニウム)、TBTDET(ターシャリーブチルイミド−トリ−ジエチルアミドタンタル)、PET(ペンタエトキシタンタル)、TMS(テトラメチルシラン)、TEH(テトラキスエトキシハフニウム)、Cp2 Mn[=Mn(C5 H5 )2 ]、(MeCp)2 Mn[=Mn(CH3 C5 H4 )2 ]、(EtCp)2 Mn[=Mn(C2 H5 C5 H4 )2 ]、(i−PrCp)2 Mn[=Mn(C3 H7 C5 H4 )2 ]、MeCpMn(CO)3 [=(CH3 C5 H4 )Mn(CO)3 ]、(t−BuCp)2 Mn[=Mn(C4 H9 C5 H4 )2 ]、CH3 Mn(CO)5 、Mn(DPM)3 [=Mn(C11H19O2 )3 ]、Mn(DMPD)(EtCp)[=Mn(C7 H11C2 H5 C5 H4 )]、Mn(acac)2 [=Mn(C5 H7 O2 )2 ]、Mn(DPM)2 [=Mn(C11H19O2 )2 ]、Mn(acac)3 [=Mn(C5 H7 O2 )3 ]よりなる群から選択される1の材料よりなることを特徴とする請求項1乃至27のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 被処理体の表面に有機金属化合物の原料よりなる原料ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理を施すための成膜装置において、
真空排気が可能になされた処理容器と、
前記被処理体を載置する請求項1乃至28のいずれか一項に記載の載置台構造と、
前記処理容器内へガスを導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段に接続されて前記原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、
前記排気系に流れる排気ガス中から未反応の原料ガスを捕集して回収するトラップ機構と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 前記トラップ機構は、前記原料ガスを凝固させて回収することを特徴とする請求項29記載の成膜装置。
- 前記処理容器内には、その下端部が前記載置台構造の上端側の周縁部と接近して排気用の気体出口を形成する気体出口形成部品が設けられていることを特徴とする請求項29又は30記載の成膜装置。
- 前記気体出口は、前記載置台構造の周方向に沿って環状に形成されていることを特徴とする請求項31記載の成膜装置。
- 前記処理容器内には、前記載置台構造に載置された前記被処理体よりも径方向上で外側部分に前記原料ガスが前記被処理体を避けて前記気体出口へと流れるように供給するガス導入部が設けられることを特徴とする請求項31又は32記載の成膜装置。
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