JP5763947B2 - 基板処理装置及び回収装置 - Google Patents
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Description
また、特許文献2に記載の方法においては未反応の原料ガスが金属の状態で回収されるが、金属の状態で回収すると再精製にコストを要するという問題があった。
また、加熱部によって流入管を加熱しているため、通流部の上流側部分に有機ルテニウム化合物が付着することを防止することができる。
基板処理が行われる前後の待機状態にある場合、第1及び第2弁が閉状態、第3弁が開状態になる。従って、処理室から原料ガス以外のガス、例えばパージガスが排出されている場合、該ガスは通流部を流れること無く、迂回管を通じて下流側へ流れる。
図1は、本実施の形態に係る基板処理装置の一構成例を示したブロック図である。本発明の実施の形態に係る基板処理装置は、気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを供給する原料ガス供給部1と、原料ガス供給部1より供給された原料ガスを用いて基板の成膜処理を行う成膜装置2と、成膜装置2から排出されたガスから未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置3と、各構成部の動作を制御する制御部4とを備える。
なお、流入管51の温度は、70〜100℃に設定するのが好ましく、この下限温度は、有機ルテニウム化合物が再固化しない温度であり、上限温度は、有機ルテニウム化合物が分解せず安定して存在し得る温度である。
また、冷却リング52eにより冷却される、下流側内筒59、隔壁板58、上流側内筒56、外筒55の温度は、それぞれ、20〜40℃の範囲内であることが好ましい。この下限温度は、冷却装置を介することなく、冷媒として用いる公共水の温度であり、上限温度は、有機ルテニウム化合物が再昇華しない温度である。
通流部5に流入したガスは、隔壁板58で折り返し、流入管51と、上流側内筒56との間を上流側(左側)へ流れ、再び折り返して、外筒55と、上流側内筒56との間を通流する。処理室21から排気されたガスは、冷却されている上流側内筒56の内周面及び外周面、隔壁板58、外筒55の内周面で凝縮し、固体の有機ルテニウム化合物が付着する。
更に、外筒55と、上流側内筒56との間を通流するガスは、隔壁板58の孔部58a、下流側内筒59の孔部59c,59bを通流して、排出管52から排気される。ガスに含まれる有機ルテニウム化合物の大部分は、外筒55と、上流側内筒56との間を通流している段階で除去されるが、残留している有機ルテニウム化合物も下流側内筒59で捕獲される。処理室21より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が成膜装置2のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる。回収された有機ルテニウム化合物は、有価物として再利用することができる。
図5は、変形例1に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例1に係る回収装置3は、実施の形態と同様の構成であり、排出管52を構成する第1管部52aと、第2管部52bとの間に介装されたOリング50bに代えて、メッシュ付きのセンターリング150bを介装してある点が実施の形態と異なる。
図6は、変形例2に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例1に係る回収装置3は、実施の形態と同様の構成であり、排出管52を構成する第1管部52aと、第2管部52bとの間に介装してある流量制御機能付きの流量制御オリフィスが介装されている点が実施の形態と異なる。該流量制御オリフィスは、上流側へ撓むように付勢され、中央部に孔部(不図示)が形成されたオリフィス板を有する。該流量制御オリフィスは、排出管52を流れるガスの流量が一定値以上になると、付勢力に逆らって下流側へ撓み、排出管52を閉鎖する。ただし、流量制御オリフィスの略中央部には孔部が形成されているため、一定量のガスは通流するようになっている。
従って、通流部5を流れるガスの流れによって、通流部5に固着した有機ルテニウム化合物が外部へ排気されることを防止するとともに、ガスを通流部5内に滞留させて捕獲回収率をより高めることができる。
図7は、変形例3に係る回収装置3の構成例を示した側断面図である。変形例3に係る回収装置3は、通流部5内のガスの流れを遮るように、流入管51の外周面に形成された螺旋状の衝突板351bが形成されている。
従って、成膜装置2の処理室21から排出されたガスから有機ルテニウムをより効果的に回収することができる。
2 成膜装置
3 回収装置
4 制御部
5 通流部
7 加熱部
8 冷却部
61 迂回管
62 第3開閉弁
51 流入管
52 排出管
52a 第1管部
52b 第2管部
52e 冷却リング
53 第1開閉弁
54 第2開閉弁
55 外筒
56 上流側内筒
57 円環部
58 隔壁板
59 下流側内筒
150b センターリング
250b 流量制御オリフィス
Claims (7)
- 有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室と、該処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置とを備えた基板処理装置において、
前記回収装置は、
前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、
該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、
前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、
前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、
前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、
前記流入管に設けられた第1弁と、
前記排出管に設けられた第2弁と、
前記迂回管に設けられた第3弁と、
前記流入管を加熱する加熱部と
を備え、
前記通流部は、
前記流入管が上流側から挿入された外筒と、
下流側に底部を有し、前記流入管を囲繞するように前記外筒の内側に配された内筒と、
前記流入管が貫通しており、該内筒の上流側端部と間隙を設けて、前記外筒の上流側の開口を閉鎖する円環部と、
複数の通流孔を有し、前記外筒及び前記内筒間の隙間を上流側と、下流側とに隔てる隔壁板と
を備え、
前記内筒は、
前記隔壁板よりも上流側の上流側内筒と、
前記隔壁板よりも下流側の下流側筒部と、
前記下流側筒部の周壁に形成された複数の孔部と
を備え、
前記外筒の下流側に前記排出管が接続され、前記処理室から排出された原料ガスが前記流入管及び前記内筒間、前記内筒及び前記外筒間、並びに前記下流側内筒の孔部を順に通流して、前記排出管から排気されるようにしてあることを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理室で基板処理が行われている場合、前記第1及び第2弁が開状態、前記第3弁が閉状態になり、基板処理が行われる前後の待機状態にある場合、前記第1及び第2弁が閉状態、前記第3弁が開状態になるように、各弁の動作を制御する制御部を備える
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - メッシュ付きのセンターリングが前記排出管の途中に設けられている
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 - 前記排出管を流れるガスの流量に応じて通流面積が変化するオリフィスが前記排出管の途中に設けられている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記原料ガスに含まれる有機ルテニウム化合物はRu3 (CO)12であり、一酸化炭素の搬送ガスを用いて前記処理室へ搬送するようにしてあり、
前記加熱部は、
前記流入管を70〜100℃に加熱する
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記通流部を通流する原料ガスの流れを遮るように形成された螺旋状の衝突板を備える
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置において、
前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部と、
該通流部の一部又は全部を冷却する冷却部と、
前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管と、
前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管と、
前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管と、
前記流入管に設けられた第1弁と、
前記排出管に設けられた第2弁と、
前記迂回管に設けられた第3弁と、
前記流入管を加熱する加熱部と
を備え、
前記通流部は、
前記流入管が上流側から挿入された外筒と、
下流側に底部を有し、前記流入管を囲繞するように前記外筒の内側に配された内筒と、
前記流入管が貫通しており、該内筒の上流側端部と間隙を設けて、前記外筒の上流側の開口を閉鎖する円環部と、
複数の通流孔を有し、前記外筒及び前記内筒間の隙間を上流側と、下流側とに隔てる隔壁板と
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前記内筒は、
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前記外筒の下流側に前記排出管が接続され、前記処理室から排出された原料ガスが前記流入管及び前記内筒間、前記内筒及び前記外筒間、並びに前記下流側内筒の孔部を順に通流して、前記排出管から排気されるようにしてあることを特徴とする回収装置。
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