JP5254279B2 - トラップ装置及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
蒸着重合方式による成膜処理を行う基板処理装置においては、基板上での蒸着重合に寄与することのなかった原料モノマーは、ポリイミド膜の成膜に寄与することなくモノマーの状態で排出され、処理装置のチャンバー内を排気するための真空ポンプ内に到達する。このような原料モノマーは、真空ポンプに到達するまでの間に温度が低下し、気体から固体等の状態に変化し、真空ポンプ内において固着等してしまい真空ポンプの故障の原因となることが知られている。このため、これら原料モノマーが真空ポンプ内に到達する前に除去する必要があり、このような装置としては、水冷コイルを備えたモノマートラップを有する真空重合装置が開示されている(例えば、特許文献1)。
また、本発明は、基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置であって、外部筐体部と、前記外部筐体部に設けられた前記チャンバー内のガスが流入する吸入口と、前記外部筐体部に設けられた前記排気部と接続される排出口と、前記外部筐体部の内部に設けられた内部回転部と、前記内部回転部に設けられた開口部と、前記内部回転体の内側から外側に接続される流路と、を有し、前記吸入部と前記開口部とが接続されていない第1の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記外部筐体部と、前記内部回転部との間の空間を介し、前記排出口へと流れ、前記吸入部と前記開口部とが接続されている第2の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記開口部を介し、前記内部回転部の内部に流れ、前記ガスを冷却させることにより、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去し、前記未反応成分の除去された前記ガスは、前記内部回転部の内部より、前記流路を介し、前記排出口へと流れるものであって、前記内部回転部を回転させることにより、前記第1の状態と前記第2の状態とに切り替えることができることを特徴とする。
本実施の形態は、基板処理装置である原料モノマーとしてPMDAとODAを用いて、蒸着重合によりポリイミドを得る成膜装置及びこの基板処理装置に組み込まれるトラップ装置である。
図2及び図3に基づき、本実施の形態におけるトラップ装置及び基板処理装置について説明する。尚、図2は、本実施の形態における基板処理装置を示すものであり、図3は、本実施の形態における基板処理装置の排気系、即ち、本実施の形態におけるトラップ装置を含む排気系を示すものである。
次に、第1のトラップ30について説明する。図4に第1のトラップ30を示す。第1のトラップ30は、円筒状の筐体部31の内部に複数の円盤状のフィン32を配置した構造のものである。第1のトラップ30の吸入部33は、チャンバー11の排気口15と接続されており、第2のトラップ50を介し、真空ポンプ70により排気を行うことにより、排気される気流(ガス)が吸入部33より第1のトラップ30の内部に入り込む。第1のトラップ30は、コントローラ80により、140〜200℃に保たれており、よって、第1のトラップ30の内部に設置された複数のフィン32も、この温度に保たれている。この温度では気化したPMDAとODAが反応しポリイミドが形成されるため、チャンバー11から第1のトラップ30の内部に流れ込んだPMDAとODAとが反応し、フィン32の表面にポリイミド膜を形成する。このようにして、排気される気流中において、気化した状態のPMDAとODAとを蒸着重合させることにより、できる限り排除することができる。この後、この気流は排出口34より排気される。
次に、図5から図7に基づき、本実施の形態におけるトラップ装置である第2のトラップ50について説明する。第2のトラップ50は、円筒状に形成されており、円筒状の内部において、上段におけるバイパス部51と下段の冷却トラップ部60を有している。図5は、第2のトラップ50の機能の説明図であり、図6は、第2のトラップ50をバイパス状態にした場合の内部の構造を示すものであり、図7は、第2のトラップ50をトラップ状態にした場合の内部の構造を示すものである。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態におけるトラップ装置とは異なる構造のトラップ装置であり、第1の実施の形態における基板処理装置における第2のトラップとして用いることができるものである。
〔第3の実施の形態〕
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態及び第2の実施の形態におけるトラップ装置とは異なる構造のトラップ装置であり、第1の実施の形態における基板処理装置における第2のトラップとして用いることができるものである。
12 ウエハボート
13 インジェクター
14 インジェクター
15 排気口
16 回転部
17 ヒーター
21 PMDA気化器
22 ODA気化器
23 バルブ
24 バルブ
25 導入部
30 第1のトラップ
50 第2のトラップ
51 バイパス部
52 吸入口
53 排出口
54 回転部
55 第1の流路
56 第2の流路
57 空間(第1の空間)
58 加熱部
60 冷却トラップ部
61 空間(第2の空間)
62 冷却部
63 底面部
64 堆積物
70 真空ポンプ
80 コントローラ
W ウエハ
Claims (13)
- 基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置であって、
前記チャンバー内のガスが流入する吸入口と、
前記排気部と接続される排出口と、
前記吸入口及び前記排出口と接続することが可能な第1の流路及び第2の流路と、
前記第1の流路及び前記第2の流路と接続されており、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第2の空間を有する冷却トラップ部と、
前記第1の流路及び前記第2の流路の形成されていない領域に設けられた第1の空間を有するバイパス部と、
を有し、
前記吸入口及び前記排出口と前記第1の流路及び前記第2の流路とが接続されていない第1の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記第1の空間を介し、前記排出口へと流れ、
前記吸入口及び前記排出口と前記第1の流路及び前記第2の流路とが接続されている第2の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記第1の流路、前記第2の空間、前記第2の流路を介し、前記排出口へと流れるものであって、
前記第1の流路及び前記第2の流路の位置を移動させることにより、前記第1の状態と前記第2の状態とに切り替えることができることを特徴とするトラップ装置。 - 前記チャンバー内を大気の状態より排気する場合には、前記第1の状態とし、
前記チャンバー内に前記ガスを導入している場合には、前記第2の状態とすることを特徴とする請求項1に記載のトラップ装置。 - 前記バイパス部には回転可能な回転部が設けられており、
前記第1の流路及び前記第2の流路は前記回転部に設けられているものであって、
前記第1の状態と前記第2の状態との切換えは、前記回転部を回転させることにより行うものであることを特徴とする請求項1または2に記載のトラップ装置。 - 前記バイパス部、前記冷却トラップ部の順に、重力の働く方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のトラップ装置。
- 前記バイパス部は、前記ガスに含まれる未反応成分が凝固する温度よりも高い温度に設定されており、
前記冷却トラップ部は、前記ガスに含まれる未反応成分が凝固する温度よりも低い温度に設定されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のトラップ装置。 - 前記ガスは、少なくともPMDAまたはODAのいずれかを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のトラップ装置。
- 前記冷却トラップ部の温度は、120℃以下に設定されていることを特徴とする請求項6に記載のトラップ装置。
- 基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置であって、
外部筐体部と、
前記外部筐体部に設けられた前記チャンバー内のガスが流入する吸入口と、
前記外部筐体部に設けられた前記排気部と接続される排出口と、
前記外部筐体部の内部に設けられた内部回転部と、
前記内部回転部に設けられた開口部と、
前記内部回転体の内側から外側に接続される流路と、
を有し、
前記吸入部と前記開口部とが接続されていない第1の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記外部筐体部と、前記内部回転部との間の空間を介し、前記排出口へと流れ、
前記吸入部と前記開口部とが接続されている第2の状態では、前記ガスは、前記吸入口より、前記開口部を介し、前記内部回転部の内部に流れ、前記ガスを冷却させることにより、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去し、前記未反応成分の除去された前記ガスは、前記内部回転部の内部より、前記流路を介し、前記排出口へと流れるものであって、
前記内部回転部を回転させることにより、前記第1の状態と前記第2の状態とに切り替えることができることを特徴とするトラップ装置。 - 前記チャンバー内を大気の状態より排気する場合には、前記第1の状態とし、
前記チャンバー内に前記ガスを導入している場合には、前記第2の状態とすることを特徴とする請求項8に記載のトラップ装置。 - 前記ガスは、少なくともPMDAまたはODAのいずれかを含むことを特徴とする請求項8または9に記載のトラップ装置。
- 基板を処理するためのチャンバーと、
前記チャンバー内にガスを導入するためのガス供給部と、
前記チャンバー内のガスを排気するための排気部と、
を有し、前記チャンバーと前記排気部との間に、請求項1から10のいずれかに記載のトラップ装置を配置したことを特徴とする基板処理装置。 - 前記排気部と、前記トラップ装置と間には、他のトラップが設けられており、
前記他のトラップは、前記ガスに含まれる未反応成分を反応させてポリマーを形成することにより除去するものであることを特徴とする請求項11に記載の基板処理装置。 - 前記他のトラップの温度は140〜200℃に設定されていることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
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Family Cites Families (17)
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US6051053A (en) * | 1996-12-16 | 2000-04-18 | Ebara Corporation | Trapping device and method of operation therefor |
JP2000070664A (ja) | 1998-06-18 | 2000-03-07 | Kokusai Electric Co Ltd | 加熱型トラップ装置および成膜装置 |
JP2000256856A (ja) * | 1999-03-11 | 2000-09-19 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理装置用真空排気システム及び減圧cvd装置及び減圧cvd装置用真空排気システム及びトラップ装置 |
US6206971B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Integrated temperature controlled exhaust and cold trap assembly |
JP4092821B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の排気システム |
JP2001262349A (ja) | 2000-03-23 | 2001-09-26 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置の排気方法 |
KR100553194B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2006-02-22 | 다나까 기낀조꾸 고교 가부시끼가이샤 | Lpcvd 장치 및 박막 제조방법 |
CN1788106B (zh) * | 2003-05-13 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 使用原料气体和反应性气体的处理装置 |
JP2005108932A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
EP1702351A2 (en) * | 2003-12-23 | 2006-09-20 | John C. Schumacher | Exhaust conditioning system for semiconductor reactor |
US20060174611A1 (en) * | 2005-02-07 | 2006-08-10 | Dilley Roland L | Exhaust gas cooler |
JP5036354B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置の排気系構造、成膜装置、および排ガスの処理方法 |
KR100642528B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2006-11-10 | 주식회사 미래보 | 반도체 생산장비에서의 자동교체식 부산물 포집장치 및그의 제어 방법 |
JP5135856B2 (ja) * | 2007-03-31 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | トラップ装置、排気系及びこれを用いた処理システム |
KR100918588B1 (ko) * | 2007-09-19 | 2009-09-28 | 세메스 주식회사 | 파티클 배출 유닛 및 이를 포함하는 기판 이송 장치 |
JP5320639B2 (ja) * | 2008-02-13 | 2013-10-23 | 日立電線株式会社 | 絶縁電線 |
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